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SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei
SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei
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1.
Trench Etching Effects on Shallow Trench Isolation (STI) Electrical Properties for Sub-0.25 #mu#m CMOS Devices
机译:
沟槽蚀刻对0.25以下#mu#m CMOS器件的浅沟槽隔离(STI)电性能的影响
作者:
Fu-Liang YANG
;
I-Fong TSENG
;
Chien-Sheng HSIEH
;
Wei-Ray LIN
;
Chung-Ju LEE
;
I-Ping LEE
;
Tze-Shi YAN
;
Jung-Ho CHANG
;
Ming-Hong KUO
;
Ing-Ruey LIAW
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
2.
Characterization and Proposed Mechanisms for Control of Shallow Silicon Trench Profile and Microcontours in a Dual-Frequency High Density Reflected Electron Plasma Etch Reactor
机译:
双频高密度反射电子等离子体蚀刻反应器中浅硅沟槽轮廓和微轮廓控制的表征和拟议机制
作者:
Paul F. Werbaneth
;
John P. Almerico
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
3.
Characterization of a PECVD W_XN Process Using N_2, H_2, and WF_6
机译:
使用N_2,H_2和WF_6的PECVD W_XN工艺的表征
作者:
Jacky Wei
;
Kevin Lai
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
4.
Cu CMP Endpoint System Modeling and In-situ Calibration
机译:
Cu CMP端点系统建模和原位校准
作者:
Chi-Tzung Wang
;
William Yueh
;
Wes Jeng
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
5.
CIM in the 300mm Era
机译:
300mm时代的CIM
作者:
Douglas Scott
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
6.
Characterizing and Optimizing Chemical Mechanical Planarization Processes in Semiconductor Manufacturing: A Response Surface Approach
机译:
表征和优化半导体制造中的化学机械平面化工艺:响应面法
作者:
Shu-Kai S. Fan
;
Chung-Min Lin
;
Tony Tsai
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
7.
Integration Methodology of CVD TiN Barrier, CVD W, WEB and W CMP
机译:
CVD TiN阻挡层,CVD W,WEB和W CMP的集成方法
作者:
J.Wu
;
Y.L. Wang
;
Jowei Dun
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
8.
IC Device Technology for the Next Century
机译:
面向下世纪的IC器件技术
作者:
Chenming Hu
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
9.
In Line Real Time Yield Impact Prediction by Regression Method
机译:
回归在线预测产量实时影响
作者:
Renn-Shyan Yeh
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
10.
Improving Reliability, Yield and Throughput of Chemical-Mechanical-Planarization Through Process Automation and Control
机译:
通过过程自动化和控制来提高化学机械平面化的可靠性,产量和吞吐量
作者:
James Moyne
;
Victor Solakhian
;
John Curry
;
Tim Veaver
;
Richard Gwizdak
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
11.
Improvement Of Removal Rate And Edge Exclusion For Oxide-CMP
机译:
氧化物-CMP去除率和边缘排除率的提高
作者:
J.K. Lin
;
J.S. Lai
;
P.Y. Peng
;
C.C. Yang
;
Edward Yang
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
12.
300 mm Equipment Front End Automation
机译:
300毫米设备前端自动化
作者:
Alfred Honold
;
Paul Ballentine
;
Uwe Plath
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
13.
Low pressure sputtering of copper, and related barriers, for seed layers and complete planarization
机译:
铜和相关阻挡层的低压溅射,用于种子层和完整的平面化
作者:
M. Biberger
;
S. Jackson
;
E. Klawuhn
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
14.
A Novel Method For Determining Kinetic Rate Expressions During CVD Using a Combination of Step Coverage Measurements and Computer Simulation
机译:
阶跃覆盖率测量与计算机仿真相结合的确定CVD期间动力学速率表达式的新方法
作者:
E. J. McInerney
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
15.
Shallow Trench Isolation: Process Integration Challenges and Solutions
机译:
浅沟槽隔离:流程集成的挑战和解决方案
作者:
John M. Boyd
;
Joseph P. Ellul
;
Greg Menke
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
16.
The Short Channel Effect on PMOS Device for BF2 Implant and The Molecular Dissociation
机译:
BF2注入对PMOS器件的短通道效应及其分子解离
作者:
Hsueh-Li Sun
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
17.
Removal of Electrode Polymer by Plasma Clean After SOG Etch Back Process
机译:
SOG刻蚀后工艺通过等离子清洁去除电极聚合物
作者:
Y.K.Hwang
;
S.F.Chen
;
M.C.Yeh
;
P.T.Chu
;
C.H.Shen
;
C.H.Chen
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
18.
Investigating The Effects of Amorphous Ba_xSr_(1-x)TiO_3 Buffer Layer on the Electrical Characteristics with Transmission Electron Microscopy
机译:
透射电子显微镜研究非晶态Ba_xSr_(1-x)TiO_3缓冲层对电学特性的影响
作者:
Jiann-Shiun Kao
;
Ming-Ning Yu
;
Chuen-Horng Tsai
;
Fu-Rong Chen
;
Ji-Jung Kai
;
Cheng-Chung Jaing
;
Jeng-Jiing Sheu
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
19.
New Developments for Chemical Mechanical Polishing of Aluminum Alloy Thin Films
机译:
铝合金薄膜化学机械抛光的新进展
作者:
Y.L. Wang
;
J.Wu
;
C.W. Liu
;
J.K.Lan
;
C.C.Tsan
;
Jowei Dun
;
F.K.Yang
;
W.T.Tseng
;
K.Y. Lo
;
C. Liu
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
20.
Lithographic Challenges in Taiwan
机译:
台湾的光刻挑战
作者:
Chi-Min Yuan
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
21.
Micro vibration and vibration sensitive equipment
机译:
微振动和振动敏感设备
作者:
Satoshi Togari
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
22.
Advanced Process Control Framework
机译:
先进的过程控制框架
作者:
Kevin Nguyen
;
Eric Qiu
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
23.
Advanced <0.25#mu#m Etch Applications with Decoupled Plasma Source Technology
机译:
采用去耦等离子体源技术的先进的<0.25#mu#m蚀刻应用
作者:
Diana Ma
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
24.
Cold/Hot Al Process for deep 0.4#mu#m contact filling Effects of flow temperature and Modification
机译:
0.4#μ#m深接触填充的冷/热铝工艺流动温度和改性的影响
作者:
Wen-Chir Huang
;
Samuel Chiu
;
Charlene Chen
;
Cheng-Cheng Chiang
;
Yee-Shi Chang
;
Fu-Rong Chen
;
Anchor Chen
;
C.C. Hsu
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
25.
Process and optical study of oxynitride films in DUV application
机译:
DUV应用中氮氧化物薄膜的工艺和光学研究
作者:
Liang-Gi Yao
;
Keng-Chu Lin
;
Hua-Tai Lin
;
Pin-Ting Wang
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
26.
Process and Integration Issues in the Fabrication of Copper Interconnects
机译:
铜互连线制造中的工艺和集成问题
作者:
Robert L. Jackson
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
27.
Process Integration Issues on Multilevel Metallization
机译:
多级金属化的工艺集成问题
作者:
Chyi-Tsong Ni
;
W.T. Wang
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
28.
Polycide Gate Etching and Oxide Charging Damage Evaluation in the Quarter-Micron DRAM Process
机译:
四分之一微米DRAM工艺中的多晶硅化物栅极腐蚀和氧化物充电损伤评估
作者:
Bor-Ru Sheu
;
Kun-Hsu Wu
;
Erik S. Jeng
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
29.
Proven Practice and Future Application of POlysilicon CMP in IC Fabrication
机译:
多晶硅CMP在IC制造中的可靠实践和未来应用
作者:
Raymond R. Jin
;
Shijian Li
;
Simon J. Fang
;
Fritz Redeker
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
30.
Pattern Density Effect Induced Poly Damage after Poly Etching
机译:
刻蚀后图案密度效应引起的多晶硅损伤
作者:
Chia-Hung Lai
;
Yuan-Ko Hwang
;
Sen-Fu Chen
;
Po-Tao Chu
;
Chia-Hsiang Chen
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
31.
The impact of as dopants in ldd inplantation on junction leakage of dram cells
机译:
稀有金属掺杂中砷作为掺杂剂对德拉姆细胞结漏的影响
作者:
Hsiaowen Lee
;
Hsin-Yi Lee
;
Ing-Ruey Liaw
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
32.
Application of Energy Filtered TEM on Failure Analysis of Sub-Half Micron IC Devices
机译:
能量过滤透射电子显微镜在半微米微米集成电路器件故障分析中的应用
作者:
K.M. Yin
;
L. Chang
;
F.R. Chen
;
J.J. Kai
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
33.
Interface Characterization of IMP Titanium on Si Using Novel Analytical Techniques
机译:
新型分析技术在硅上IMP钛的界面表征
作者:
Shen-Chuan Lo
;
Samuel Chiu
;
K.M. Yin
;
C.C. Chiang
;
Charlene Chen
;
F. R. Chen
;
J. J. Kai
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
34.
Conserveation strategies to yield significant wafer fab cost reductions
机译:
节约策略可显着降低晶圆厂成本
作者:
Michael OHalloran
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
35.
Impact of Endpoint Algorithm on Micro Scratch and In-Situ Rate Monitor for Tungsten CMP
机译:
端点算法对钨CMP微划痕和原位速率监测的影响
作者:
Walters Shen
;
K. Y. Wang
;
Adam Chen
;
William Pan
;
Sen-Hou Ko
会议名称:
《SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International) IC Seminar November 5, 1998 Taipei》
|
1998年
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