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International symposium on silicon-on-insulator technology and devices
International symposium on silicon-on-insulator technology and devices
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1.
Studies on Novel SOI Structure with AlN Film as Buried Insulator
机译:
埋藏绝缘子的新型SOI结构研究
作者:
Chenglu Lin
;
Ming Zhu
;
Chuanling Men
;
Zhengbua An
;
Miao Zhang
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
2.
RADIATION DAMAGE IN DEEP SUBMICRON PARTIALLY DEPLETED SOI CMOS
机译:
深度亚微米的辐射损伤部分耗尽SOI CMOS
作者:
E. Simoen
;
J.M. Rafi
;
A. Mercha
;
X. Serra-Gallifa
;
H. van Meer
;
K. De Meyer
;
C. Claeys
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
3.
ANALYSIS OF SOFT ERRORS IN FLOATING CHANNEL TYPE SURROUNDING GATE TRANSISTOR (FC-SGT) DRAM CELLS
机译:
浮通通道型栅极晶体管(FC-SGT)DRAM细胞软误差分析
作者:
Fumiyoshi Matsuoka
;
Fujio Masuoka
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
4.
INVESTIGATION OF CHARGE CONTROL RELATED PERFORMANCES IN DOUBLE-GATE SOI MOSFETs
机译:
双门SOI MOSFET中电荷控制相关性能的调查
作者:
V. Kilehytska
;
T.M. Chung
;
H. van Meer
;
K. De Meyer
;
J.-P. Raskin
;
D. Flandre
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
5.
HIGH-VOLTAGE SUPER-JUNCTION SOI-LDMOSFETS WITH REDUCED DRIFT LENGTH
机译:
具有减小的漂移长度的高压超结SOI-LDMOSFET
作者:
J.M. Park
;
T. Grasser
;
S. Selberherr
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
6.
ACCURATE AND EFFICIENT METHOD FOR ACCELERATED HISTORY EFFECT SIMULATIONS
机译:
加速历史效果模拟的准确有效方法
作者:
T. Poiroux
;
G. Labourey
;
P. Flatresse
;
O. Faynot
;
M. Belleville
;
D. Souil
;
B. Giffard
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
7.
DEVICE MODELS FOR SILICON-ON-INSULATOR (SOI) INSULATED-GATE PN-JUNCTION DEVICES FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION CIRCUIT DESIGN
机译:
用于静电放电的绝缘体(SOI)绝缘栅极PN接线装置的装置模型(ESD)保护电路设计
作者:
Y. Omura
;
S. Wakita
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
8.
ULTRA THIN SOI WAFER FABRICATION AND METROLOGY
机译:
超薄SOI晶片制造和计量
作者:
Christophe Maleville
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
9.
ANALYSIS OF HALO IMPLANT INFLUENCE ON THE SELF-HEATING AND SELF-HEATING ENNHANCED IMPACT IONIZATION ON 0.13 μm FLOATING-BODY PARTIALLY-DEPLETED SOI MOSFET AT LOW TEMPERATURE
机译:
低温下013μm浮体部分耗尽SOI MOSFET对013μm浮体的自加热和自加热肌约冲击电离的卤素植入物的影响分析
作者:
M. A. Pavanello
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
A. Mercha
;
C. Claeys
;
H. van Meer
;
K. De Meyer
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
10.
SPECTROSCOPIC ELLIIPSOMETRY CHARACTERIZATION OF THE INTERFACIAL ROUGHNESS IN SIMOX WAFERS
机译:
Simox晶片界面粗糙度的光谱壳表征
作者:
W. J. Li
;
Z. R. Song
;
K.Tao
;
Y. H. Yu
;
X. Wang
;
S. C. Zou
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
11.
A STUDY ON SELECTIVE Si{sub}0.8Ge{sub}0.2 ETCH USING POLYSILICON ETCHANT DILUTED BY H{sub}2O FOR THREE-DIMENSIONAL Si STRUCTURE APPLICATION
机译:
选择性Si {Sub} 0.8Ge {Sub} 0.2蚀刻使用由H {Sub} 2o稀释的多晶硅蚀刻剂进行三维Si结构应用
作者:
Sung-Min Kim
;
Chang-Woo Oh
;
Jeong-Dong Choe
;
Chang-Sub Lee
;
Dong-Gun Park
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
12.
NATURE OF HIGH-TEMPERATURE CHARGE INSTABILITY IN FULLY DEPLETED SOI MOSFETs
机译:
完全耗尽的SOI MOSFET中高温电荷不稳定的性质
作者:
A.N. Nazarov
;
V.S. Lysenko
;
J:-P. Colinge
;
D. Flandre
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
13.
ELECTRON MOBILITY IN STRAINED Si INVERSION LAYERS GROWN ON SiGe-ON-INSULATOR SUBSTRATES
机译:
在SiGe-on绝缘体基材上生长的应变Si反转层中的电子迁移率
作者:
F.Gamiz
;
J.B.Roldan
;
A.Godoy
;
P.Cartujo-Cassinello
;
F.Jimenez-Molinos
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
14.
TOTAL-DOSE RADIATION HARDNESS OF DOUBLE-GATE ULTRA-THIN SOI MOSFETS
机译:
双栅极超薄SOI MOSFET的全剂量辐射硬度
作者:
C. R. Cirba
;
S. Cristoloveanu
;
R. D. Schrlmpf
;
L. C. Feldman
;
D. M. Fleetwood
;
K. F. Galloway
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
15.
EXTRACTION OF HIGH FREQUENCY NOISE PARAMETERS OF 0.25μm PARTIALLY DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR MOSFET: IMPACT OF THE HIGH RESISTIVITY SUBSTRATE
机译:
提取0.25μm部分耗尽的绝缘体MOSFET的高频噪声参数:高电阻率衬底的影响
作者:
R. Daviot
;
O. Rozeau
;
S. Chouteau
;
N. Abouchi
;
J. de Pontcharra
;
A. Grouillet
;
L. Tosti
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
16.
AN ACCURATE MODEL FOR THRESHOLD VOLTAGE AND S-FACTOR OF PARTIALLY-DEPLETED SURROUNDING GATE TRANSISTOR (PD-SGT)
机译:
部分耗尽围绕栅极晶体管(PD-SGT)的阈值电压和S因子的精确模型
作者:
Yasue Yamamoto
;
Masakazu Hioki
;
Ryohsuke Nishi
;
Hiroshi Sakuraba
;
Fujio Masuoka
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
17.
MODELING OF COULOMB SCATTERING OF ELECTRONS IN ULTRATHIN SYMMETRICAL DG SOI TRANSISTOR
机译:
超薄对称DG SOI晶体管电子库环散射的建模
作者:
J. Walczak
;
B. Majkusiak
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
18.
REDUCTION OF PASS-GATE LEAKAGE BY SILICON-THICKNESS THINNING IN DOUBLE-GATE MOSFETS
机译:
通过双栅极MOSFET在双栅极厚度减小通过硅厚度减少
作者:
Wataru Sakamoto
;
Tetsuo Endoh
;
Hiroshi Sakuraba
;
Fujio Masuoka
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
19.
EFFECT OF SILICON NITRIDE AND SILICON DIOXIDE BONDING ON THE RESIDUAL STRESS IN LAYER-TRANSFERRED SOI
机译:
氮化硅和二氧化硅键合对层转移SOI残余应力的影响
作者:
A. Tiberj
;
J. Camassel
;
N. Planes
;
Y. Stoemenos
;
H. Moriceau
;
O. Rayssac
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
20.
CHARACTERIZATION OF SOI WAFERS BY PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY, DECAY AND MICRO/MACRO-MAPPING
机译:
通过光致发光光谱,衰减和微/宏观测绘SOI晶片的表征
作者:
Michio Tajima
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
21.
MULTI-FIN DOUBLE-GATE MOSFET FBRICATED BY USING (110)-ORIENTED SOI WAFERS AND ORIENTATION-DEPENDENT ETCHING
机译:
多鳍双栅MOSFET通过使用(110)的SOI晶片和方向依赖蚀刻
作者:
Y. X. Liu
;
K. Ishii
;
T. Tsutsumi
;
M. Masahara
;
H. Takashima
;
E. Suzuki
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
22.
CHARACTERISTICS OF TWO TYPES OF MEMS RESONATOR STRUCTURES IN SOI APPLICATIONS
机译:
SOI应用中两种MEMS谐振器结构的特征
作者:
S. Myllymaki
;
E. Ristolainen
;
P. Heino
;
A. Lehto
;
K. Varjonen
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
23.
Saturation Current Model for the N-channel G~4-FET
机译:
N沟道G〜4-FET的饱和电流模型
作者:
B. Dufrene
;
B. Blalock
;
S. Cristoloveanu
;
M. Mojarradi
;
E. A. Kolawa
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
24.
TEMPERATURE AND MAGNETIC FIELD DEPENDENCE OF THE CARRIER MOBILITY IN SOI-WAFERS BY THE PSEUDO-MOSFET METHOD
机译:
伪MOSFET方法在SOI-晶片中的载流子迁移率的温度和磁场依赖性
作者:
C. Rossel
;
D. Halley
;
S. Cristoloveanu
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
25.
THE NANOSCALE DOUBLE-GATE MOSFET FOR ANALOG APPLICATIONS
机译:
用于模拟应用的纳米级双栅极MOSFET
作者:
D. Jimenez
;
B. Iniguez
;
J. Sune
;
J. J. Saenz
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
26.
SOI THERMAL RESISTANCE AND ITS APPLICATION TO THERMAL MODELING OF SOI MOSFETS
机译:
SOI热阻及其应用于SOI MOSFET的热建模
作者:
Ming-C. Cheng
;
Feixia Yu
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
27.
STRAINED Si/SiGe CHANNELS: A NEW PERFORMANCE ADVANTAGE FOR PD/SOI CMOS
机译:
紧张的Si / SiGe通道:PD / SOI CMOS的新性能优势
作者:
Weimin Zhang
;
Jerry G. Fossum
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
28.
Comparison of SOI, poly-Si TFT and bulk Si MOS performance using gin/ID methodology
机译:
使用GIN / ID方法的SOI,Poly-Si TFT和散装SI MOS性能的比较
作者:
Ken-ichi Takatori
;
Denis Flandre
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
29.
COMPARISON OF PARTIALLY AND FULLY DEPLETED SOI TRANSISTORS DOWN TO THE SUB-50-NM GATE LENGTH REGIME
机译:
将部分和完全耗尽的SOI晶体管降到50-nm栅极长度状态的比较
作者:
L. Dreeskornfeld
;
J. Hartwich
;
E. Landgraf
;
R.J. Luyken
;
W. Roesner
;
T. Schulz
;
M. Staedele
;
D. Schmitt-Landsiedel
;
L. Risch
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
30.
REPLACING THE BOX WITH BURIED ALUMINA: IMPROVED THERMAL DISSIPATION IN SOI MOSFETs
机译:
用埋藏的氧化铝取代盒子:在SOI MOSFET中提高了热耗散
作者:
K. Oshima
;
S. Cristoloveanu
;
B. Guillaumot
;
G.L. Carval
;
H. Iwai
;
C. Mazure
;
M.S. Kang
;
V.H. Bae
;
J.W. Kwon
;
S. Deleonibus
;
J.H. Lee
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
31.
IMPACT OF THE GRADED-CHANNEL ARCHITECTURE ON DOUBLE GATE TRANSISTORS FOR HIGH-PERFORMANCE ANALOG APPLICATIONS
机译:
高性能模拟应用的双栅极晶体管对分级频道架构的影响
作者:
M. A. Pavanello
;
J. A. Martino
;
T. M. Chung
;
A. Kranti
;
J.-P. Raskin
;
D. Flandre
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
32.
OXIDATION SIMULATION OF SILICON NANOSTRUCTURES ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES
机译:
绝缘体硅纳米结构的氧化模拟
作者:
M. Uematsu
;
H. Kageshima
;
K. Shiraishi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
33.
VERY LOW SCHOTTKY BARRIER TO n-TYPE SILICON WITH PtEr-STACK SILICIDE
机译:
非常低的肖特基屏障与硅化物堆叠的N型硅屏障
作者:
Xiaohui Tang
;
J. Katcki
;
E. Dubois
;
J. Ratajczak
;
G. Larrleu
;
P. Loumaye
;
O. Nisole
;
V. Bayot
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
34.
FULLY-QUANTUM THEORY OF SOI MOSFETs
机译:
SOI MOSFET的全量子理论
作者:
T. J. Walls
;
V. A. Sverdlov
;
K. K. Likharev
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
35.
CHANGES IN THE PARAMETERS OF SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES UNDER IRRADIATION
机译:
照射下硅 - 绝缘子结构参数的变化
作者:
I.V.Antonova
;
D.V.Nikolaev
;
O.V.Naumova
;
S.A.Smagulova
;
V.P.Popov
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
36.
STATUS OF 300 MM SOI MATERIAL: COMPARISONS WITH 200 MM
机译:
300毫米SOI材料的状态:200 mm的比较
作者:
H. Hovel
;
M. Almonte
;
P. Tsai
;
J.D. Lee
;
S. Maurer
;
R. Kleinhenz
;
D. Schepis
;
R. Murphy
;
P. Ronsheim
;
A. Domenicucci
;
J. Bettinger
;
D. Sadana
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
37.
FEASIBILITY OF SURFACE PHOTO-VOLTAGE BASED CHARACTERIZATION OF ULTRA-THIN SOI WAFERS
机译:
基于表面光电压的可行性超薄SOI晶片的表征
作者:
L. Lukasiak
;
E. Kamieniecki
;
A. Jakubowski
;
J. Ruzyllo
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
38.
CARRIER LIFETIMES IN SOI MATERIAL
机译:
SOI材料中的载体寿命
作者:
H. J. Hovel
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
39.
SUBSTRATE BIAS EFFECTS IN SOI FINFETs
机译:
SOI FinFET中的基板偏差效应
作者:
J. Pretet
;
F. Dauge
;
A. Vandooren
;
L. Mathew
;
B-Y. Nguyen
;
J. Jomaah
;
S. Cristoloveanu
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
40.
RADIATION RESPONSE OF SOI CMOS/4M SRAMS FABRICATED IN UNIBOND SUBSTRATES IN UNIBOND SUBSTRATES
机译:
UNIBORD基板中的UNIBOND基板中SOI CMOS / 4M SRAM的辐射响应
作者:
S. T. Liu
;
W. Heikkila
;
K. Golke
;
B. Stinger
;
M. Flanery
;
A. Hurst
;
G. Panning
;
G. Kirchner
;
W. C. Jenkins
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
41.
Control of SEU in SOI SRAMs Through Carrier Lifetime Engineering
机译:
通过承载寿命工程控制SOI SRAM中的SEU
作者:
S. Mitra
;
D.P. Ioannou
;
S.T. Liu
;
D.E. Ioannou
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
42.
60-nm Gate Length SOI CMOS Technology Optimized for 'System-on-a-SOI-Chip' Solution
机译:
60-nm栅极长度SOI CMOS技术针对“A-On-A-SOI芯片”解决方案进行了优化
作者:
Kiyotaka Imai
;
Shinya Maruyama
;
Takayuki Suzuki
;
Tomohiko Kudo
;
Shinichi Miyake
;
Masahiro Ikeda
;
Takayuki Abe
;
Shuichi Masuda
;
Akira Tanabe
;
Jong-Wook Lee
;
Kentaro Shibahara
;
Shin Yokoyama
;
Hideyuki Ooka
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
43.
EVIDENCE FOR A 'LINEAR KINK EFFECT' IN ULTRA-THIN GATE OXIDE SOI MOSFETs
机译:
超薄栅极氧化SOI MOSFET中“线性扭结效应”的证据
作者:
A. Mercha
;
J.M. Rafi
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
44.
SILICON-ON-INSULATOR-MULTILAYER STRUCTURE FABRICATED BY EPITAXIAL LAYER TRANSFER
机译:
由外延层转移制造的硅式绝缘体 - 多层结构
作者:
Weili Liu
;
Xinyun Xie
;
Qing Lin
;
Zhengxuan Zhang
;
Chenglu Lin
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
45.
Issues in high performance FinFET and FDSOI transistor design
机译:
高性能FINFET和FDSOI晶体管设计中的问题
作者:
Jakub Kedzierski
;
Meikei Ieong
;
Edward Nowak
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
46.
STUDY OF THE LEAKAGE DRAIN CURRENT IN GRADED-CHANNEL SOI nMOSFETS AT HIGH-TEMPERATURES
机译:
高温下探测频道SOIMOSFET中泄漏漏极电流的研究
作者:
M. Bellodi
;
J. A. Martino
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
47.
IMPACT OF QUANTUM-MECHANICAL EFFECTS ON THE DOUBLE-GATE MOSFET CHARACTERISTICS
机译:
量子 - 机械效应对双栅MOSFET特性的影响
作者:
F. Dauge
;
J. Jomaah
;
G. Ghibaudo
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
48.
ULTRATHIN SOI WAFER FABRICATION AND METROLOGY
机译:
超薄SOI晶圆制造和计量
作者:
Christophe Maleville
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
49.
QUALITY IMPROVEMENT OF SIMOX WAFERS BY UTILIZING NITROGEN-DOPED CZ SILICON CRYSTAL
机译:
利用氮掺杂CZ硅晶体的质量改进SIMOX晶片
作者:
Keisuke Kawamura
;
Isao Hamaguchi
;
Tsutomu Sasaki
;
Seiji Takayama
;
Yoichi Nagatake
;
Atsuki Matsumura
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
50.
A NOVEL CMOS MEMORY CELL ARCHITECTURE FOR ULTRA-LOW POWER APPLICATIONS OPERATING UP TO 280°C
机译:
用于超低功耗应用的新型CMOS存储器单元架构,操作高达280°C
作者:
D. Levacq
;
V. Dessard
;
D. Flandre
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
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2003年
51.
QUASI-THREE-DIMENSIONAL DEVICE SIMULATION OF FULLY DEPLETED MOSFET/SOI FOCUSING ON SURFACE ROUGHNESS
机译:
全耗尽MOSFET / SOI专注于表面粗糙度的准三维器件仿真
作者:
Motoi Nakao
;
Hirofumi Iikawa
;
Katsutoshi Izumi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
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2003年
52.
REAL SPACE TRANSFER DEVICES IN SOI
机译:
SOI中的真实空间传输设备
作者:
Serge Luryi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
53.
THIN FILM TRANSFER BY SMART CUT~(~R) TECHNOLOGY BEYOND SOI
机译:
超越SOI的智能切割〜(〜〜〜r)技术薄膜转移
作者:
Carlos Mazure
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
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2003年
54.
THE SOI ODYSSEY
机译:
是的,是的
作者:
Peter L.F. Hemment
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
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2003年
55.
COMPARATIVE STUDY OF THE DYNAMIC PERFORMANCE OF BULK AND FDSOI MOSFET BY MEANS OF A MONTE CARLO SIMULATION
机译:
蒙特卡罗模拟批量和FDSOI MOSFET动态性能的比较研究
作者:
R. Rengel
;
D. Pardo
;
M. J. Martin
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
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2003年
56.
FIGURES-OF-MERIT OF INTRINSIC, STANDARD-DOPED AND GRADED-CHANNEL SOI AND SOS MOSFETS FOR ANALOG BASEBAND AND RF APPLICATIONS
机译:
用于模拟基带和RF应用的内在,标准掺杂和分级和分级信道SOI和SOS MOSFET的数字的数字。
作者:
D. Levacq
;
M. Dehan
;
D. Flandre
;
J.-P. Raskin
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
57.
A STUDY ON SELECTIVE Si_(0.8)Ge_(0.2) ETCH USING POLYSILICON ETCHANT DILUTED BY H_2O FOR THREE-DIMENSIONAL Si STRUCTURE APPLICATION
机译:
使用由H_2O稀释的多晶硅蚀刻剂进行三维Si结构应用的选择性Si_(0.8)Ge_(0.2)蚀刻的研究
作者:
Sung-Min Kim
;
Chang-Woo Oh
;
Jeong-Dong Choe
;
Chang-Sub Lee
;
Dong-Gun Park
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
58.
Fully Depleted SOI Process and Device Technology for Digital and RF Applications
机译:
用于数字和RF应用的完全耗尽的SOI工艺和设备技术
作者:
F. Ichikawa
;
Y. Nagatomo
;
Y. Katakura
;
S. Itoh
;
H. Matsuhashi
;
N. Hirashita
;
S. Baba
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
59.
HIGH PERFORMACE STRAINED-SOI CMOSFETs
机译:
高性能应变 - SOI MOSFET
作者:
Shin-ichi Takagi
;
Tomohisa Mizuno
;
Tsutomu Tezuka
;
Naoharu Sugiyama
;
Toshinori Numata
;
Koji Usuda
;
Yoshihiko Moriyama
;
Shu Nakaharai
;
Junji Koga
;
Akihito Tanabe
;
Tatsuro Maeda
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
60.
EMERGING SILICON-ON-NOTHING (SON) DEVICES TECHNOLOGY
机译:
新出现的硅片无线(儿子)器件技术
作者:
T.Skotnicki
;
S.Monfray
;
C.Fenouillet-Beranger
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
61.
PARTIALLY DEPLETED SOI DYNAMIC THRESHOLD MOSFET FOR LOW-VOLTAGE AND MICROWAVE APPLICATIONS
机译:
用于低压和微波应用的部分耗尽的SOI动态阈值MOSFET
作者:
M. Dehan
;
D. Vanhoenacker-Janvier
;
J.-P. Raskin
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
62.
THRESHOLD VOLTAGE QUANTUM SIMULATIONS FOR ULTRA-THIN SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTORS
机译:
超薄硅式绝缘体晶体管的阈值电压量子模拟
作者:
J. LOLIVIER
;
S. DELEONIBUS
;
F. BALESTRA
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
63.
FABRICATION OF SUB-MICRON ACTIVE LAYER SSOI SUBSTRATES USING ION SPLITTING AND WAFER BONDING TECHNOLOGIES
机译:
使用离子分裂和晶片键合技术的亚微米有源层SSOI基板的制造
作者:
F.H. Ruddell
;
M.F. Bain
;
S. Suder
;
R.E. Hurley
;
B.M. Armstrong
;
V.F. Fusco
;
H.S. Gamble
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
64.
DEVELOPMENT OF SiC SUBSTRATE WITH BURIED OXIDE LAYER FOR ELECTRON-PHOTON MERGED DEVICES
机译:
用于电子光子合并器件的掩埋氧化物层的SiC基板的研制
作者:
Motoi Nakao
;
Seisaku Hirai
;
Katsutoshi Izumi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
65.
EXTREMELY SCALED ULTRA-THIN-BODY AND FINFET CMOS DEVICES
机译:
极其缩放的超瘦身和FinFET CMOS器件
作者:
Sriram Balasubramanian
;
Leland Chang
;
Yang-Kyu Choi
;
Daewon Ha
;
Jeongsoo Lee
;
Pushkar Ranade
;
Shiying Xiong
;
Jeffrey Bokor
;
Chenming Hu
;
Tsu-Jae King
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
66.
ULTRALOW-POWER FD-SOI LSI DESIGN FOR FUTURE MOBILE SYSTEMS
机译:
UltraLow-Power FD-SOI LSI设计未来移动系统
作者:
T. Douseki
;
H. Kyuragi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
67.
BACK-END ANALYSIS OF SOI SUBSTRATES INCORPORATING METALLIC LAYERS USING A NOVEL NON-DESTRUCTIVE PICOSECOND ULTRASONIC TECHNIQUE
机译:
利用新型非破坏性皮秒超声技术掺入金属层的SOI基板的后端分析
作者:
M.F. Bain
;
N.D. McCusker
;
P. McCann
;
W.A. Nevin
;
H.S. Gamble
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
68.
EVALUATION OF COMMERCIAL ULTRA-THIN SOI SUBSTRATES USING LASER CONFOCAL INSPECTION SYSTEM
机译:
使用激光共焦检测系统评估商业超薄SOI基板
作者:
Atsushi Ogura
;
Osamu Okabayashi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
69.
Estimation of Oxygen Dose by Spectroscopic Ellipsometry and Investigation of Oxide Formation Mechanism by FT-IR for ~(16)O~+-Implanted Si Wafers
机译:
通过光谱椭圆形测量估计氧剂量和FT-IR对氧化物形成机理的研究〜+ -implanted Si晶片
作者:
Hirofumi Iikawa
;
Motoi Nakao
;
Katsutoshi Izumi
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
70.
THE BENEFIT OF SOI TECHNOLOGIES FOR LOW-VOLTAGE RFID APPLICATIONS
机译:
低压RFID应用的SOI技术的好处
作者:
P. Villard
;
J. Jomaah
;
B. Gomez
;
J. de Pontcharra
;
D. Save
;
S. Chouteau
;
E. Mackowiak
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
71.
DEFECTS AND ELECTRICAL CONSEQUENCES IN SOI BURIED OXIDES
机译:
SOI埋地氧化物中的缺陷和电气后果
作者:
H.J. Hovel
;
M. Almonte
;
J.D. Lee
;
D. Sadana
;
A. Domenicucci
;
J. Bettinger
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
72.
STEADY-STATE CHARACTERIZATION OF PARTIALLY-DEPLETED SOI CMOS GATES
机译:
部分耗尽的SOI CMOS门的稳态表征
作者:
A. Bracale
;
E. Dupont-Nivet
;
J.-L. Pelloie
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
73.
OPTIMIZATION OF ULTRA-THIN BODY, FULLY- DEPLETED-SOI DEVICE, WITH RAISED SOURCE/DRAIN OR RAISED EXTENSION
机译:
优化超瘦身,完全耗尽的-SOI装置,带凸起的源/漏或升降延伸
作者:
J. L. (Skip) Egley
;
Anne Vandooren
;
Brian Winstead
;
Eric Verret
;
Bruce White
;
Bich-Yen Nguyen
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
74.
STATUS AND FUTURE DEVELOPMENT OF PDSOI MOSFETs
机译:
PDSOI MOSFET的现状和未来发展
作者:
Srinatb Krishnan
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
75.
RELAXED SIGE-ON-INSULATOR SUBSTRATES THROUGH IMPLANTING OXYGEN INTO PSEUDOMORPHIC SIGE/SI HETEROSTRUCTURE
机译:
通过将氧气植入假形晶体SiGe / Si异质结构,通过植入氧气放松SiGe-on绝缘体基材
作者:
Miao Zhang
;
Zhenghua An
;
Yanjun Wu
;
Zengfeng Di
;
Paul K.Chu
;
Chenglu Lin
;
Electrochemical SocietyInc.
;
Proceedings v.2003-05
会议名称:
《International symposium on silicon-on-insulator technology and devices》
|
2003年
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