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International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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1.
Comparison of RF performance of vertical and lateral DMOSFET
机译:
垂直和横向DMOSFET的RF性能的比较
作者:
Trivedi M.
;
Shenai K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
2.
The maximum controllable current of improved base resistance controlled thyristor employing a self-aligned corrugated p-base
机译:
采用自对准波纹P碱基改进的基极电阻控制晶闸管的最大可控电流
作者:
Dae-Seok Byeon
;
You-Sang Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
3.
Characterization of silicon direct bonding methodology for high performance IGBT
机译:
高性能IGBT硅直接粘接方法的表征
作者:
Tae Hoon Kim
;
Chong Man Yun
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
4.
Analysis of the effect of charge imbalance on the static and dynamic characteristics of the super junction MOSFET
机译:
电荷不平衡对超交联MOSFET静态动态特性的影响分析
作者:
Shenoy P.M.
;
Bhalla A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
5.
Properties of CoolMOS/sup TM/ between 420 K and 80 K-the ideal device for cryogenic applications
机译:
CoolMOS / SUP TM / 420 K和80 k的性质 - 低温应用的理想设备
作者:
Schlogl A.E.
;
Deboy G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
6.
4.5 kV-fast-diodes with expanded SOA using a multi-energy proton lifetime control technique
机译:
4.5使用多能量质子寿命控制技术,具有扩展SOA的4.5 kV - 快速二极管
作者:
Humbel O.
;
Galster N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
7.
High voltage Ni/4H-SiC Schottky rectifiers
机译:
高压NI / 4H-SIC肖特基整流器
作者:
Chilukuri R.K.
;
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
8.
The recessed-gate IGBT structure
机译:
嵌入式栅极IGBT结构
作者:
Nemoto M.
;
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
9.
A new high energy implantation based technology for power integrated circuit devices
机译:
基于高能植入技术的功率集成电路器件技术
作者:
Patti D.
;
Franzo G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
10.
COOLMOS/sup TM/-a new milestone in high voltage power MOS
机译:
CoolMOS / SUP TM / -A高压功率MOS中的新里程碑
作者:
Lorenz L.
;
Deboy G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
11.
Advanced high current, high reliable IGBT module with improved multi-chip structure
机译:
具有改进的多芯片结构的先进高电流,高可靠性IGBT模块
作者:
Saito R.
;
Koike Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
12.
High-density ultra-low R/sub dson/ 30 volt N-channel trench FETs for DC/DC converter applications
机译:
用于DC / DC转换器应用的高密度超低r / sub DSON / 30伏N沟道沟槽FET
作者:
Sodhi R.
;
Malik R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
13.
Power management issues for future generation microprocessors
机译:
未来一代微处理器的电源管理问题
作者:
Lee F.C.
;
Xunwei Zhou
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
14.
High performance extended drain MOSFETs (EDMOSFETs) with metal field plate
机译:
高性能延长漏极MOSFET(EDMOSFET)与金属磁场板
作者:
Mueng-Ryul Lee
;
Oh-Kyong Kwon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
15.
A simple mobility model for electrons and holes
机译:
电子和孔的简单移动模型
作者:
Takata I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
16.
RF LDMOSFET with graded gate structure
机译:
RF LDMOSFET具有分级栅极结构
作者:
Shuming Xu
;
Pan Dow Foo
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
17.
600 V power conversion system-on-a-chip based on thin layer silicon-on-insulator
机译:
基于薄层硅式绝缘体的600 V电源转换系统芯片
作者:
Letavic T.
;
Simpson M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
18.
Self-aligned and shielded-RESURF LDMOS for dense 20 V power IC's
机译:
用于密集的20 V电源IC的自对齐和屏蔽Resurf LDMOS
作者:
Ludikhuize A.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
19.
Power semiconductor device modelling dedicated to circuit simulation
机译:
功率半导体器件建模专用于电路仿真
作者:
Leturcq P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
20.
A power IC technology with excellent trench isolation and p-LDMOS transistor through tapered TEOS field oxides
机译:
一种功率IC技术,具有优异的沟槽隔离和通过锥形TEOS场氧化物的P-LDMOS晶体管
作者:
Sang Gi Kim
;
Jongdae Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
21.
A novel IGBT chip design concept of high turn-off current capability and high short circuit capability for 2.5 kV power pack IGBT
机译:
一种新型IGBT芯片设计概念,高开关电流能力和2.5 kV电源包IGBT的高电路能力
作者:
Yoshikawa K.
;
Koga T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
22.
A new current measuring principle for power electronic applications
机译:
电力电子应用的新电流测量原理
作者:
Karrer N.
;
Hofer-Noser P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
23.
Explosion tests on IGBT high voltage modules
机译:
IGBT高压模块的爆炸测试
作者:
Gekenidis S.
;
Ramezani E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
24.
Forward drop-leakage current tradeoff analysis of a junction barrier Schottky (JBS) rectifier
机译:
结漏漏电流折衷分析交界屏障肖特基(JBS)整流器
作者:
Hossain Z.
;
Cartmell D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
25.
New design approach for ultra high power GCT thyristor
机译:
超高功率GCT晶闸管的新设计方法
作者:
Satoh K.
;
Morishita K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
26.
SOI high voltage integrated circuit technology for plasma display panel drivers
机译:
SOI高压集成电路技术等离子显示面板驱动器
作者:
Lee M.R.
;
Oh-Kyong Kwon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
27.
A first approach on parallel-monitor integration circuit for energy-capacitor-system (ECS)
机译:
能量 - 电容系统(ECS)并行监测集成电路的第一方法
作者:
Yamamoto Y.
;
Horii M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
28.
High voltage high frequency silicon bipolar transistors
机译:
高压高频硅双极晶体管
作者:
Gradinaru D.
;
Ng W.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
29.
Electrical performance of triple implanted vertical silicon carbide MOSFETs with low on-resistance
机译:
具有低导通电阻三重植入垂直碳化硅MOSFET的电气性能
作者:
Peters D.
;
Friedrichs P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
30.
Safe operating area considerations in LDMOS transistors
机译:
LDMOS晶体管中的安全操作区域注意事项
作者:
Hower P.
;
Lin J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
31.
Reliability problems due to ionic conductivity of IC encapsulation materials under high voltage conditions
机译:
高压条件下IC封装材料离子电导率导致的可靠性问题
作者:
Bruggers H.J.
;
Rongen R.T.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
32.
Efficiency of power devices using full Cu metallization technologies
机译:
使用全CU金属化技术的电力设备效率
作者:
Kobori E.
;
Izumi N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
33.
MOS bipolar gate IGBT operation
机译:
MOS双极栅极IGBT操作
作者:
Bobde M.D.
;
Minato T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
34.
Dynamic characteristics of high voltage 4H-SiC vertical JFETs
机译:
高压4H-SIC垂直JFET的动态特性
作者:
Mitlehner H.
;
Bartsch W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
35.
High-performance 13-65 V rated LDMOS transistors in an advanced smart power technology
机译:
高性能13-65 V额定LDMOS晶体管在先进的智能电力技术中
作者:
Merchant S.
;
Baird R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
36.
A novel dual gated lateral MOS-bipolar power device
机译:
一种新型双门控横向MOS-双极动力装置
作者:
Hardikar S.
;
Sankara Narayanan E.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
37.
A new high-voltage integrated switch: the 'thyristor dual' function
机译:
新的高压集成开关:“晶闸管双”功能
作者:
Sanchez J.-L.
;
Breil M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
38.
The effect of charge in junction termination extension passivation dielectrics
机译:
电荷对结终端延伸钝化电介质的影响
作者:
Trost J.R.
;
Ridley R.S. Sr
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
39.
Improvement in lateral IGBT design for 500 V 3 A one chip inverter ICs
机译:
横向IGBT设计的改进500 V 3 A芯片逆变器IC
作者:
Nakagawa A.
;
Funaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
40.
2.5 V-driven Nch 3rd generation trench gate MOSFET
机译:
2.5 V驱动NCH第3代沟槽门MOSFET
作者:
Osawa A.
;
Kanemaru Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
41.
Fabrication of a double-side IGBT by very low temperature wafer bonding
机译:
非常低温晶片键合的双侧IGBT的制造
作者:
Hobart K.D.
;
Kub F.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
42.
Predicted electrical characteristics of 4500 V super multi-RESURF MOSFETs
机译:
预测电气特性为4500 V超级RESURF MOSFET
作者:
Kawaguchi Y.
;
Nakamura K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
43.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
44.
1.4 kV, 25 A, PT and NPT trench IGBTs with optimum forward characteristics
机译:
1.4 kV,25 A,Pt和NPT沟槽IGBT具有最佳前进特性
作者:
Udrea F.
;
Waind P.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
45.
A new concept for the lateral DMOS transistor for smart power IC's
机译:
智能电源IC的横向DMOS晶体管的新概念
作者:
Zitouni M.
;
Morancho F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
46.
Experimental demonstration of 600 V MCCT
机译:
实验演示600 V MCCT
作者:
Iwaana T.
;
Iwamuro N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
47.
Ultra-high resolution temperature measurement and thermal management of RF power devices using heat pipes
机译:
使用热管的RF功率器件的超高分辨率温度测量和热管理
作者:
Jun He
;
Mehrotra V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
48.
A physics-based model for the avalanche ruggedness of power diodes
机译:
基于物理的电力二极管雪崩坚固性模型
作者:
Hurkx G.A.M.
;
Koper N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
49.
Submicron silicon carbide CMOS for smartpower applications
机译:
SmarlPower应用程序的亚微米碳化硅CMOS
作者:
Kornegay K.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
50.
Lateral dual channel emitter switched thyristor employing segmented p-base
机译:
采用分段P底座的横向双通道发射器开关晶闸管
作者:
Byeon D.-S.
;
Oh J.-K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
51.
A new circuit-breaker integrated device for protection applications
机译:
一种用于保护应用的新型断路器集成装置
作者:
Laur J.-P.
;
Sanchez J.-L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
52.
Wirebond reliability in IGBT-power modules: application of high resolution strain and temperature mapping
机译:
IGBT功率模块中的Wirebond可靠性:高分辨率应变和温度映射的应用
作者:
Mehrotra V.
;
Jun He
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
53.
A new trench bipolar junction diode (TBJD)
机译:
新的沟槽双极连接二极管(TBJD)
作者:
Budong You
;
Huang A.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
54.
Transient thermal simulation of power devices with Cu layer
机译:
Cu层电力器件的瞬态热仿真
作者:
Chung Y.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
55.
Large reverse biased safe operating area for a low loss HiGT
机译:
大型反向偏置安全操作区域,低损耗高
作者:
Uchino Y.
;
Kobayashi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
56.
Industrial relevance of deep junctions produced by rapid thermal processing for power integrated circuits
机译:
功率集成电路快速热处理生产的深度交界的工业相关性
作者:
Dilhac J.-M.
;
Cornibert L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
57.
0.35 /spl mu/m, 43 /spl mu//spl Omega/cm/sup 2/, 6 m/spl Omega/ power MOSFET to power future microprocessor
机译:
0.35 / SPL MU / M,43 / SPL MU // SPL OMEGA / CM / SUP 2 /,6 M / SPL omega / POWER MOSFET到电源未来微处理器
作者:
Sun N.X.
;
Huang A.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
58.
The behavior of digital circuits under substrate noise in a mixed-signal smart-power environment
机译:
混合信号智能电力环境下基板噪声下数字电路的行为
作者:
Secareanu R.M.
;
Kourtev I.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
59.
Integrated design environment for DC/DC converter FET optimization
机译:
DC / DC转换器FET优化的集成设计环境
作者:
Sodhi R.
;
Brown S. Sr
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
60.
A 4H-SiC trench MOS barrier Schottky (TMBS) rectifier
机译:
一个4H-SIC沟通MOS屏障肖特基(TMBS)整流器
作者:
Khemka V.
;
Ananthan V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
61.
An improved power MOSFET using a novel split well structure
机译:
使用新型分流井结构改进的功率MOSFET
作者:
Jun Zeng
;
Wheatley C.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
62.
Low on-resistance lateral U-gate MOSFET with DSS pattern layout
机译:
具有DSS图案布局的低导通电阻横向U型MOSFET
作者:
Shimoida Y.
;
Hayami Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
63.
Monolithically integrated power device consisting of a GAT and a MPS diode with increased switching speed
机译:
由GAT和MPS二极管组成的单片集成功率器件,具有增加的开关速度
作者:
Xu Cheng
;
Bao Wei Kang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
64.
Split gate MOSFET in BiCMOS power technology for logic level gate voltage application
机译:
用于逻辑电平栅极电压应用的BICMOS电源技术中的分体式闸门MOSFET
作者:
Chin-Yu Tsai
;
Efland T.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
65.
A new model for dopant redistribution in a power SOI structure
机译:
电力SOI结构中掺杂剂再分配的新模型
作者:
Ishiyama T.
;
Matsumoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
66.
20 V LDMOS optimized for high drain current condition. Which is better, n-epi or p-epi?
机译:
20 V LDMOS针对高漏极电流条件进行了优化。哪个更好,n-epi或p-epi?
作者:
Kinoshita K.
;
Kawaguchi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
67.
High performance wide trench IGBTs for motor control applications
机译:
用于电机控制应用的高性能宽沟槽IGBT
作者:
Bhalla A.
;
Gladish J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
68.
A planarized high-voltage silicon trench sidewall oxide-merged PIN/Schottky (TSOX-MPS) rectifier
机译:
平面化的高压硅沟侧侧壁氧化物合并销/肖特基(TSOX-MPS)整流器
作者:
Gupta R.N.
;
Min W.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
69.
Static and dynamic thermal characteristics of IGBT power modules
机译:
IGBT电源模块的静态和动态热特性
作者:
Chan-Su Yun
;
Regli P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
70.
Static and dynamic characteristics of a 1100 V, double-implanted, planar, 4H-SiC PiN rectifier
机译:
1100 V,双植入,平面,4H-SIC针整流器的静态和动态特性
作者:
Khemka V.
;
Patel R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
71.
A new wide SOA DC-EST structure with diode diverter
机译:
具有二极管分流器的新宽SOA DC-EST结构
作者:
Sawant S.
;
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
72.
Ultra-low R/sub dson/ 12 V P-channel trench MOSFET
机译:
超低r / sub dson / 12 V p沟道沟槽MOSFET
作者:
Kinzer D.
;
Asselanis D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1999年
73.
Trend of railway technologies and power semiconductor devices
机译:
铁路技术和功率半导体器件的趋势
作者:
Watanabe T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
74.
A differential backside laserprobing technique for the investigation of the lateral temperature distribution in power devices
机译:
用于调查电力装置横向温度分布的差分背面激光探测技术
作者:
Furbock C.
;
Thalhammer R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
75.
A comparative study of high voltage (4 kV) power rectifiers PiN/MPS/SSD/SPEED
机译:
高压(4 kV)电源整流器PIN / MPS / SSD /速度的比较研究
作者:
Sawant S.
;
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
76.
New high voltage integrated circuits using self-shielding technique
机译:
新型高压集成电路采用自屏蔽技术
作者:
Yamazaki T.
;
Kumagai N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
77.
Electro-thermal instability in low voltage power MOS: Experimental characterization
机译:
低压功率MOS中的电热不稳定性:实验表征
作者:
Breglio G.
;
Frisina F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
78.
Energy capability of power devices with Cu layer integration
机译:
具有Cu层集成的功率器件的能量能力
作者:
Chung Y.S.
;
Willett T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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1999年
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