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19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University
19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University
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1.
THE TOPICS OF THE LATEST SPACE SCIENCE
机译:
最新空间科学的主题
作者:
Yuichi Takayanagi
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
2.
STUDY ON PRECURSOR STATE OF THE He-IRRADIATION INDUCED MARTENSITIC TRANSFORMATION IN SUS304 AUSTENITIC STAINLESS STEEL
机译:
SUS304奥氏体不锈钢中He辐射诱发马氏体相变的前驱态研究
作者:
T.Namiki
;
C.Kaneko
;
H.Wakabayashi
;
T.Toriyama
;
N.Hayashi
;
I.Sakamoto
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
3.
IRON AGGREGATION STATES IN GRANULAR TMR FILMS OF ~(57)Fe-IMPLANTED Al_2O_3
机译:
〜(57)Fe植入的Al_2O_3颗粒TMR薄膜中的铁聚集态
作者:
T. Hirai
;
H. Wakabayashi
;
T. Toriyama
;
N. Hayashi
;
I. Sakamoto
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
4.
LUMINESCENCE FROM Si~+-IMPLANTED SiO_2
机译:
Si〜+注入SiO_2的发光
作者:
H. Nakata
;
K. Murayama
;
S. Kobayashi
;
H. Hamanaka
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
5.
GaN PHASE FORMATION IN THE HIGH DOSE N-ION IMPLANTED GaP SUBSTRATE
机译:
高剂量N离子注入GaP基体中的GaN相形成
作者:
H. Kondo
;
K. Kuriyama
;
N. Hayashi
;
M. Ogura
;
M. Hasegawa
;
N. Kobayashi
;
Yukimi Takahashi
;
S. Watanabe
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
6.
FORMED NANO-CRYSTALLINES AND GMR PROPERTY IN Al_2O-3, AND MgO BY Fe ION IMPLANTATION
机译:
Fe离子注入在Al_2O-3和MgO中形成的纳米晶体和GMR性质
作者:
T. Okada
;
N. Hayashi
;
I. Sakamoto
;
H. Tanoue
;
H. Wakabayashi
;
T. Toriyama
;
K.Kuriyama
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
7.
EVOLUTION OF ULSI MULTILEVEL INTERCONNECTION BY CMP TECHNOLOGY
机译:
CMP技术实现ULSI多级互连的发展
作者:
Yoshio Homma
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
8.
Difference of defects in diamond and Si induced by ion implantation
机译:
离子注入引起的金刚石和硅缺陷的差异
作者:
Jyoji Nakata
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
9.
Er~(3+)-RELATED EMISSION IN OXYGEN CO-IMPLANTED Al_(0.70)Ga_(0.30)As:Er
机译:
氧共注入Al_(0.70)Ga_(0.30)As:Er中与Er〜(3+)有关的发射
作者:
T.Arai
;
T.Hirano
;
S.Uekusa
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
10.
Chemical Mechanical Planarization of Copper Interconnections by Manganium Oxide Slurry
机译:
氧化锰浆料对铜互连线的化学机械平面化
作者:
Tohru Hara
;
Toshiaki Kurosu
;
Toshiroh K. Doy
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
11.
Technical trend and latest report of CMP in next stage
机译:
CMP的技术趋势和下一阶段的最新报告
作者:
Manabu Tsujimura
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
12.
Study of structural and electrical properties of NiSi_2 ohmic contact formed on n-type 6H-SiC
机译:
n型6H-SiC上形成的NiSi_2欧姆接触的结构和电性能的研究
作者:
Tomonori Nakamura
;
Satoko Kawakami
;
Masataka Satoh
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
13.
PHASE TRANSFORMATION IN 304 STAINLESS STEEL INDUCED WITH ION IMPLANTATION/RADIATION DURING ANNEALING
机译:
退火过程中离子注入/辐射诱导304不锈钢的相变
作者:
M. Song
;
F. Chu
;
K. Mitsuishi
;
K. Furuya
;
H. Yasuda
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
关键词:
radiation;
phase transformation;
stainless steel;
TEM;
14.
Plasma Based Ion Implantation System Based on the Combination of RF and Pulsed High Voltage
机译:
基于射频和脉冲高压相结合的基于等离子体的离子注入系统
作者:
Tamotsu T. ueda
;
Akiyoshi Chayahara
;
Yuji Horino
;
Yoshimi Nishimura
;
Hiroshi Horibe
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
15.
Polishing of PECVD SiOC Layer Deposited from HMDSO
机译:
从HMDSO沉积的PECVD SiOC层的抛光
作者:
Fumiaki Togoh
;
Toshiaki Kurosu
;
Tohru Hara
;
Yoshimi Shioya
;
Toshiroh K. Doy
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
16.
REGROWTH OF IMPLANTATION-INDUCED AMORPHOUS LAYER IN (1100)-AND (1120)-ORIENTED 6H-SiC
机译:
(1100)和(1120)取向6H-SiC的注入诱导非晶层的长大
作者:
M. Satoh
;
S. Matsumoto
;
R. Ashida
;
T. Nakamura
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
17.
RENAISSANCE AND PROGRESS IN RESEARCH ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
机译:
氮化物半导体的研究进展与进展
作者:
Isamu Akasaki
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
18.
Gettering to Nanocavities in Silicon: Characterization by Neutron Activation Analysis
机译:
吸收硅中的纳米腔:通过中子活化分析表征
作者:
A. Kinomura
;
J. S. Williams
;
J. Wong-Leung
;
M. Petravic
;
Y. Nakano
;
Y Hayashi
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
19.
DEFECT CHARACTERISTICS IN SULFUR-IMPLANTED CVD HOMOEPITAXIAL DIAMOND
机译:
硫注入CVD同种异形金刚石的缺陷特征
作者:
M.Hasegawa
;
M.Ogura
;
D.Takeuchi
;
S.Yamanaka
;
H.Watanabe
;
S.Ri
;
N.Kobayashi
;
H.Okushi
;
T.Sekiguchi
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
20.
Estimation of the carbon-concentration in C-ion implanted InP by a nuclear reaction analysis
机译:
通过核反应分析估算注入C离子的InP中的碳浓度
作者:
K. Kushida
;
O. Ogawa
;
K. Kuriyama
;
N. Hayashi
;
M. Ogura
;
M. Hasegawa
;
N. Kobayashi
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
21.
Progress and Issues of Planarization CMP Process for ULSI
机译:
ULSI平面化CMP工艺的进展和问题
作者:
Masaharu Kinoshita
;
Naoaki Sakurai
;
Hideaki Hirabayashi
;
Akiko Saito
;
Naoto Miyashita
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
22.
Electronic properties of Fe implanted Cr thin films
机译:
铁注入Cr薄膜的电子性能
作者:
C. Heck
;
A. Chayahara
;
Y. Horino
;
R. M. A. Miranda
;
A. B. Antunes
;
M. N. Baibich
会议名称:
《19th Symposium on "Materials Science and Engineering", Dec 13-14, 2000, Koganei Campus of Hosei University》
|
2000年
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