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Conference on advances in resist technology and processing
Conference on advances in resist technology and processing
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1.
Top surface imaging through silylation
机译:
通过甲硅烷化的顶部表面成像
作者:
Sergei V. Postnikov
;
Mark H. Somervell
;
Clifford L. Henderson
;
Steven Katz
;
C. Grant Willson
;
Jeffrey D. Byers
;
Anwei Qin
;
Qinghuang Lin
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
2.
Adhesion characteristics of alicyclic polymers for use in ArF excimer laser lithography
机译:
ARF准分子激光光刻中使用脂环族聚合物的粘附特性
作者:
Kaichiro Nakano
;
Shigeyuki Iwasa
;
Katsumi Maeda
;
Etsuo Hasegawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
3.
Improved positive surface modification resist process for 193-nm lithography
机译:
改进了193-NM光刻的正面改性抗蚀剂过程
作者:
Masayuki Endo
;
Takahiro Matsuo
;
Shigeyasu Mori
;
Taku Morisawa
;
Koichi Kuhara
;
Masaru Sasago
;
Masamitsu Shirai
;
Masahiro Tsunooka
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
4.
Dissolution-rate analysis of ArF resist polymers based on the percolation model
机译:
基于渗透模型的ARF抗蚀剂聚合物的溶出速率分析
作者:
Atsuko Yamaguchi
;
Shinji Kishimura
;
Nobuyoki N. Matsuzawa
;
Takeshi Ohfuji
;
Tomoaki Tanaka
;
Seiichi Tagawa
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
5.
Optimizing image transfer into AZ BARLi bottom coat for submicron i-line lithography
机译:
将图像传输放入亚速I线光刻的AZ Barli底涂层
作者:
Alberto Caligiore
;
Marco Valtolina
;
Alberto Cipolli
;
Arialdo Monguzzi
;
Fred Mohr
;
Mark A. Spak
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
6.
New model for the effect of developer temperature on photoresist dissolution
机译:
开发器温度对光致抗蚀剂溶解的影响的新模型
作者:
Chris A. Mack
;
Mark J. Maslow
;
Atsushi Sekiguchi
;
Ronald A. Carpio
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
7.
Photoresist performance evaluation of implant resist systems
机译:
植入物抗蚀剂系统的光致抗蚀剂性能评估
作者:
David Pritchard
;
Warren Montgomery
;
James Kimball
;
Jeff Albelo
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
8.
Chemically amplified ArF resists based on cleavable alicyclic group and the absorption band shift method
机译:
基于可切割的脂环基和吸收带移方法的化学扩增的ARF抗蚀剂
作者:
Naomi Shida
;
Takeshi Okino
;
Koji Asakawa
;
Tohru Ushirogouchi
;
Makoto Nakase
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
9.
New antireflective coatings for 193-nm lithography
机译:
193-nm光刻的新抗反射涂层
作者:
Gu Xu
;
Douglas J. Guerrero
;
Norman Dobson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
10.
Lithographic performance of recent DUV photoresists
机译:
近期DUV光刻胶的平版表现
作者:
Bob Streefkerk
;
Koen van Ingen Schenau
;
Corine Buijk
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
11.
193-nm single-layer photoresists based on alternating copolymers of cycloolefins: the use of photogenerators of sulfamic acids
机译:
基于环烯烃的交替共聚物的193-nm单层光致抗蚀剂:使用氨基磺酸的光生剂
作者:
Francis M. Houlihan
;
Janet M. Kometani
;
Allen G. Timko
;
Richard S. Hutton
;
Raymond A. Cirelli
;
Elsa Reichmanis
;
Omkaram Nalamasu
;
A.Gabor
;
Arturo Medina
;
J.Biafore
;
Sydney G. Slater
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
12.
Structural basis for high thermal stability of a resist
机译:
抗蚀剂高热稳定性的结构基础
作者:
Sanjay Malik
;
Andrew J. Blakeney
;
Lawrence Ferreira
;
Medhat A. Toukhy
;
John Ferri
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
13.
New development model: aggregate extraction development
机译:
新发展模式:综合提取开发
作者:
Toru Yamaguchi
;
Hideo Namatsu
;
Masao Nagase
;
Kenji Yamazaki
;
Kenji Kurihara
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
14.
Novel single-layer photoresist containing cycloolefins for 193 nm
机译:
含有193nm的环烯烃的新型单层光致抗蚀剂
作者:
Joo-Hyeon Park
;
Dong-Chul Seo
;
Ki-Dae Kim
;
Sun-Yi Park
;
Seong-Ju Kim
;
Hosull Lee
;
Jae-Chang Jung
;
Cheol-Kyu Bok
;
Ki-Ho Baik
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
15.
Line-edge roughness in sub-0.18-um resist patterns
机译:
Sub-0.18-UM抗蚀模式中的线边缘粗糙度
作者:
Susan C. Palmateer
;
Susan G. Cann
;
Jane E. Curtin
;
Scott P. Doran
;
Lynn M. Eriksen
;
Anthony R. Forte
;
Roderick R. Kunz
;
Theodore M. Lyszczarz
;
Margaret B. Stern
;
Carla M. Nelson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
16.
Resist deposition without spinning by using novel inkjet technology and direct lithography for MEMS
机译:
通过使用新型喷墨技术和MEMS的直接光刻,无需旋转而不旋转沉积
作者:
Gokhan Percin
;
Tom H. Soh
;
Butrus T. Khuri-Yakub
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
17.
ArF single-layer photoresists based on alkaline-developable ROMP-H resin
机译:
基于碱性显影性ROMP-H树脂的ARF单层光致抗蚀剂
作者:
Mitsuhito Suwa
;
Haruo Iwasawa
;
Toru Kajita
;
Masafumi Yamamoto
;
Shin-Ichiro Iwanaga
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
18.
Lithographic and chemical contrast of single component top surface imaging (TSI) resists
机译:
单组分顶表面成像(TSI)抗蚀剂的光刻和化学对比
作者:
John R. Bohland
;
Janet Chambers
;
Siddhartha Das
;
Theodore H. Fedynyshyn
;
Susan M. Holl
;
John M. Hutchinson
;
Veena Rao
;
Roger F. Sinta
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
19.
Probabilistic model for the mechanism of phenolic polymer dissolution
机译:
酚醛聚合物溶解机理的概率模型
作者:
Lewis W. Flanagin
;
Christopher L. McAdams
;
Pavlos C. Tsiartas
;
Clifford L. Henderson
;
William D. Hinsberg
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
20.
Progress in 193-nm top-surface imaging process development
机译:
193-NM顶面成像过程开发的进展
作者:
John M. Hutchinson
;
Veena Rao
;
Guojing Zhang
;
Adam Pawloski
;
Carlos A. Fonseca
;
Janet Chambers
;
Susan M. Holl
;
Siddhartha Das
;
Craig C. Henderson
;
David R. Wheeler
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
21.
Chemistry of photoresist reclamation
机译:
光致抗蚀剂填海的化学
作者:
Hideki Nishida
;
Yoriko Nagao
;
Akihiko Igawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
22.
Real-time amine monitoring and its correlation to critical dimension control of chemically amplified resists for sub-0.25-um geometries
机译:
实时胺监测及其与化学放大抗蚀剂临界尺寸控制的相关性,用于亚0.25μm几何形状
作者:
Will Conley
;
Carl P. Babcock
;
John A. Lilygren
;
Clifford P. Sandstrom
;
Nigel R. Farrar
;
John Piatt
;
Devon Kincad
;
Bill Goodwin
;
Oleg Kishkovich
;
John Higley
;
Phil Cate
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
23.
Design of an etch-resistant cyclic olefin photoresist
机译:
耐蚀刻环烯烃光致抗蚀剂的设计
作者:
Robert D. Allen
;
Juliann Opitz
;
Thomas I. Wallow
;
Richard A. DiPietro
;
Donald C. Hofer
;
Saikumar Jayaraman
;
Karen A. Hullihan
;
Larry F. Rhodes
;
Brian L. Goodall
;
Robert A. Shick
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
24.
Novel negative photoresist based on polar alicyclic polymers for ArF excimer laser lithography
机译:
基于极性脂环族聚合物的新型阴性光致抗性激光光刻
作者:
Shigeyuki Iwasa
;
Kaichiro Nakano
;
Katsumi Maeda
;
Etsuo Hasegawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
25.
Effect of end group on novolak resin properties
机译:
末端组对酚醛清漆树脂性质的影响
作者:
Anthony Zampini
;
Michael J. Monaghan
;
Cheng-Bai Xu
;
William J. Cardin
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
26.
Polymer-bound sensitizer in i-line resist formulations
机译:
I型抗蚀剂配方中的聚合物结合敏化剂
作者:
Premlatha Jagannathan
;
Charlotte DeWan
;
Andrew R. Eckert
;
Rebecca D. Mih
;
Kathleen Martinek
;
Charles Richwine
;
Leo L. Linehan
;
Wayne M. Moreau
;
Randolph S. Smith
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
27.
New method of determination of the photoresist Dill parameters using reflectivity measurements
机译:
使用反射率测量确定光致抗蚀剂莳萝参数的新方法
作者:
Patrick Schiavone
;
Stephane Bach
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
28.
Reactive ion etching of 193-nm resist candidates: current platforms and future requirements
机译:
193-NM抗蚀剂候选物的反应离子蚀刻:当前平台和未来要求
作者:
Thomas I. Wallow
;
Phillip J. Brock
;
Richard A. DiPietro
;
Robert D. Allen
;
Juliann Opitz
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
Donald C. Hofer
;
Jeff Meute
;
Jeffrey D. Byers
;
Georgia K. Rich
;
Martin McCallum
;
S.Schuetze
;
Saikumar Jayaraman
;
K.Hullihen
;
Richard Vicari
;
Larry F. Rhodes
;
Brian L. Goodall
;
Robert A. Shick
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
29.
Sub-0.30-um i-line photoresist: formulation strategy and lithographic characterization
机译:
SUB-0.30-UM I-LINE光刻胶:制剂策略和光刻表征
作者:
Jaclyn J. Yu
;
Catherine C. Meister
;
Gerald Vizvary
;
Cheng-Bai Xu
;
Patricia Fallon
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
30.
Design of i-line photoresist capable of sub-quarter-micron lithography: effects of novel phenolic resin with controlled end group
机译:
能够亚季度微米光刻的I线光刻胶设计:新型酚醛树脂与控制末端组的影响
作者:
Katsuji Douki
;
Toru Kajita
;
Shin-Ichiro Iwanaga
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
31.
New water-processable chemically amplified resists: three steps two tones one solvent
机译:
新的可水处理化学放大抗蚀剂:三步两个色调溶剂
作者:
Graham D. Darling
;
Alexander M. Vekselman
;
Shintaro Yamada
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
32.
Effect of processing on surface roughness for a negative-tone chemically amplified resist exposed by x-ray lithography
机译:
X射线光刻曝光的负性化学放大抗蚀剂表面粗糙度的影响
作者:
Geoffrey W. Reynolds
;
James W. Taylor
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
33.
Monitoring photoacid generation in chemically amplified resist systems
机译:
在化学放大抗蚀剂系统中监测光偶发生成
作者:
Uzodinma Okoroanyanwu
;
Jeffrey D. Byers
;
Ti Cao
;
Stephen E. Webber
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
34.
Novolak resin for ultrafast high-resolution positive i-line photoresist compositions
机译:
用于超快高分辨率正I线光致抗蚀剂组合物的酚醛清漆树脂
作者:
M. Dalil Rahman
;
Ping-Hung Lu
;
Michelle M. Cook
;
Woo-Kyu Kim
;
Dinesh N. Khanna
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
35.
Feasibility of a CVD-resist-based lithography process at 193-nm wavelength
机译:
基于CVD抗蚀剂的光刻工艺的可行性在193-nm波长下
作者:
Carol Y. Lee
;
Siddhartha Das
;
John Yang
;
Timothy W. Weidman
;
Dian Sugiarto
;
Mike Nault
;
David Mui
;
Zoe A. Osborne
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
36.
Resin fractionation effect for photoresist performance
机译:
树脂分馏对光致抗蚀剂性能的影响
作者:
Tatsuya Yamada
;
Yutaka Saito
;
Kunio Itoh
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
37.
Lithographic characteristics of 193-nm resists imaged at 193 and 248 nm
机译:
193-nm抗蚀剂在193和248nm成像的光刻特性
作者:
Juliann Opitz
;
Robert D. Allen
;
Thomas I. Wallow
;
Gregory M. Wallraff
;
Donald C. Hofer
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
38.
Etch integration issues in the development of deep submicron contacts utilizing DUV resist and organic BARC
机译:
利用DUV抗蚀剂和有机BARC开发深度亚微米触点的蚀刻集成问题
作者:
Viswanathan Ramanathan
;
Shixiong Chen
;
Kafai Lai
;
Maureen R. Brongo
;
Nandasiri Samarakone
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
39.
Discrimination enchancement in polysilsesquioxane-based positive resists for ArF lithography
机译:
基于波晶晶硅氧烷的抗蚀剂对ARF光刻的辨别增强
作者:
Jun Hatakeyama
;
M.Nakashima
;
I.Kaneko
;
S.Nagura
;
T.Ishihara
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
40.
Recent advances in increasing the thermal flow resistance of acetal derivatized polyhydroxystyrene deep-UV matrix resins
机译:
提高缩醛衍生化多羟基苯乙烯深紫外线树脂热流动阻力的最新进展
作者:
Janet M. Kometani
;
Francis M. Houlihan
;
Allen G. Timko
;
Omkaram Nalamasu
;
Elsa Reichmanis
;
S.A. Heffner
;
Mary E. Galvin
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
41.
Image reversal at nm scales
机译:
在nm scales时的图像反转
作者:
Saleem H. Zaidi
;
Xiaolan Chen
;
Steven R. Brueck
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
42.
Effects of underlayer on performance of bilayer resists for 248-nm lithography
机译:
底层对248纳米光刻双层抗蚀剂性能的影响
作者:
Katherina Babich
;
Alessandro Callegari
;
Karen E. Petrillo
;
John P. Simons
;
Douglas LaTulipe
;
Marie Angelopoulos
;
Qinghuang Lin
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
43.
Method to measure ethylene oxide/propylene oxide surfactants in resist developers
机译:
测量抗蚀剂显影剂中环氧乙烷/环氧丙烷表面活性剂的方法
作者:
Rodica Holt
;
Joseph E. Oberlander
;
Maria Fides Y. Calindas
;
Ellie Gonzalez
;
Pilarcita L. Ranque
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
44.
Design of cycloolefin-maleic-anhydride resist for ArF lithography
机译:
环烯烃 - 马来酸酐抗蚀剂的设计为ARF光刻
作者:
Jae-Chang Jung
;
Cheol-Kyu Bok
;
Ki-Ho Baik
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
45.
Analysis of resist pattern collapse and optimization of DUV process for patterning sub-0.20-um gate line
机译:
抗蚀剂图案塌陷和DuV过程的优化分析,用于图案化子线栅极线的DUV过程
作者:
Jeong Y. Yu
;
Goo-Min Jeong
;
Hoon Huh
;
Jaejung Kim
;
Sang-Pyo Kim
;
Jae-Keun Jeong
;
Hong-Seok Kim
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
46.
Diffusion of photoacid generators by laser scanning confocal microscopy
机译:
激光扫描共聚焦显微镜通过激光发电机扩散
作者:
Ping L. Zhang
;
Stephen E. Webber
;
J.Mendenhall
;
Jeffrey D. Byers
;
Keith K. Chao
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
47.
Some aspects of thick-film resist performance and modeling
机译:
厚膜抗蚀剂性能和建模的一些方面
作者:
Andreas Erdmann
;
Clifford L. Henderson
;
C. Grant Willson
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
48.
Choice of amines as stabilizers for chemically amplified resist systems
机译:
选择胺作为化学放大抗蚀剂系统的稳定剂
作者:
Lawrence Ferreira
;
Sanjay Malik
;
Thomas R. Sarubbi
;
Andrew J. Blakeney
;
Brian Maxwell
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
49.
Deblocking reaction of chemically amplified ArF positive resists
机译:
化学扩增的ARF阳性抗蚀剂的去块反应
作者:
Mitsuharu Yamana
;
Toshiro Itani
;
Hiroshi Yoshino
;
Shuichi Hashimoto
;
Hiroyoshi Tanabe
;
Kunihiko Kasama
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
50.
Effect of the dissolution contrast on process margins in 193-nm lithography
机译:
溶出对比193 - NM光刻过程边距的影响
作者:
Makoto Takahashi
;
Shinji Kishimura
;
Takuya Naito
;
Takeshi Ohfuji
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
51.
Process effects resulting from conversion to a safe-solvent organic BARC
机译:
转化为安全溶剂有机BARC产生的过程效果
作者:
James C. Cox
;
Lynn Welsh
;
Deborah Murphy
;
Ronald J. Eakin
;
Pierre Silvestre
;
Ralph R. Dammel
;
Shuji Ding
;
Brad Williams
;
Dinesh N. Khanna
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
52.
Proximity bias swing: origin and characterization
机译:
接近偏置摆动:起源和表征
作者:
Peter Zandbergen
;
Wendy Gehoel-van Ansem
;
Jos de Klerk
;
Geert Vandenberghe
;
Frank Linskens
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
53.
Tailoring of isolation structures with top-surface imaging process by silylation
机译:
通过甲硅烷化剪裁与顶表面成像过程的隔离结构
作者:
Hyoung-Gi Kim
;
Myoung-Soo Kim
;
Cheol-Kyu Bok
;
Byung-Jun Park
;
Jin-Woong Kim
;
Ki-Ho Baik
;
Dai-Hoon Lee
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
54.
Comparisons of critical parameters for high- and low-activation-energy deep-UV photoresists
机译:
高和低激活 - 能量深紫外光致抗蚀剂临界参数的比较
作者:
Will Conley
;
Carl P. Babcock
;
Nigel R. Farrar
;
Hua-Yu Liu
;
Bill Peterson
;
Kazuo Taira
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
55.
Resist cluster formation model and development simulation
机译:
抗拒簇形成模型和开发模拟
作者:
Kazuya Kamon
;
Keisuke Nakazawa
;
Atsuko Yamaguchi
;
Nobuyoki N. Matsuzawa
;
Takeshi Ohfuji
;
Masaru Sasago
;
Ken ichi Kanzaki
;
Seiichi Tagawa
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
56.
Optimization of optical parameters for a critical i-line resist system
机译:
关键I线抗蚀系统光学参数优化
作者:
Rosemary Bell
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
57.
Thermal stability of silicon-containing methacrylate-based bilayer resist for 193-nm lithography
机译:
含硅的甲基丙烯酸酯的双层抗蚀剂的热稳定性为193纳米光刻
作者:
Daniela White
;
Bernard T. Beauchemin
;
Andrew J. Blakeney
;
Thomas Steinhaeusler
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
58.
Lithographic performance of a dry-etch stable methacrylate resist at 193 nm
机译:
干蚀刻稳定甲基丙烯酸酯抗蚀剂在193nm的光刻性能
作者:
Ralph R. Dammel
;
Stanley A. Ficner
;
Joseph E. Oberlander
;
A.Klauck-Jacobs
;
Munirathna Padmanaban
;
Dinesh N. Khanna
;
Dana L. Durham
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
59.
New dry-developable chemically amplified photoresist
机译:
新的干式显影化学扩增的光致抗蚀剂
作者:
Jin-Baek Kim
;
Hyun-Woo Kim
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
60.
Enhancement of process latitude by reducing resist thickness for KrF excimer laser lithography
机译:
通过降低KRF准分子激光光刻的抗蚀剂厚度来提高工艺纬度
作者:
Masafumi Asano
;
Yumiko Maruyama
;
Toru Koike
;
Kenji Chiba
;
Eishi Shiobara
;
Takahiro Ikeda
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
61.
Characterization of low-viscosity photoresist coating
机译:
低粘度光致抗蚀剂涂层的表征
作者:
Murthy S. Krishna
;
John W. Lewellen
;
Gary E. Flores
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
62.
Processing of acrylate-based 193-nm resists: influence of physico-chemical properties
机译:
基于丙烯酸酯的193-NM抗蚀剂加工:物理化学性质的影响
作者:
Benedicte P. Mortini
;
Charles Rosilio
;
Alain Prola
;
Patrick J. Paniez
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
63.
Standard developer available ArF resist and performance
机译:
标准开发人员可用ARF抗蚀剂和性能
作者:
Yasunori Uetani
;
Hiroaki Fujishima
;
Yoshiko Miya
;
Ichiki Takemoto
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
64.
Optimization of etch conditions for a silicon-containing methacrylate-based bilayer resist for 193-nm lithography
机译:
用于193-NM光刻的含硅甲基丙烯酸酯的双层抗蚀剂的蚀刻条件优化
作者:
Thomas Steinhaeusler
;
Allen H. Gabor
;
Daniela White
;
Andrew J. Blakeney
;
David R. Stark
;
Daniel A. Miller
;
Georgia K. Rich
;
Victoria L. Graffenberg
;
Kim R. Dean
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
65.
High-silicon-concentration TSI process for 193-nm lithography
机译:
193-NM光刻的高硅浓度TSI工艺
作者:
Shigeyasu Mori
;
Taku Morisawa
;
Nobuyoki N. Matsuzawa
;
Yuko Kaimoto
;
Masayuki Endo
;
Takahiro Matsuo
;
Koichi Kuhara
;
Takeshi Ohfuji
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
66.
Novel novolak block copolymers for advanced i-line resists
机译:
新型酚醛清漆嵌段抗抗蚀剂的共聚物
作者:
Stanley F. Wanat
;
M. Dalil Rahman
;
Sunit S. Dixit
;
Ping-Hung Lu
;
Douglas S. McKenzie
;
Michelle M. Cook
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
67.
Polymer design in surface modification resist process for ArF lithography
机译:
ARF光刻表面改性抗蚀剂过程中的聚合物设计
作者:
Takahiro Matsuo
;
Masayuki Endo
;
Shigeyasu Mori
;
Koichi Kuhara
;
Masaru Sasago
;
Masamitsu Shirai
;
Masahiro Tsunooka
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
68.
Novel ArF photoresist system using acrylic polymer
机译:
新型ARF光致抗蚀剂系统使用丙烯酸聚合物
作者:
Bang-Chein Ho
;
Jui-Fa Chang
;
Ting-Chung Liu
;
Jian-Hong Chen
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
69.
Deposition of trace metals to a wafer surface from lithography materials
机译:
将痕量金属沉积到光刻材料的晶片表面
作者:
Rob W. Ramage
;
Rita Vos
;
Marc Meuris
;
Marcel Lux
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
70.
Recent advantages of bilevel resists based on silsesquioxane for ArF lithography
机译:
基于Silsesquioxane的ARF光刻抗脂肪抗蚀剂的最新优势
作者:
Taku Morisawa
;
Nobuyoki N. Matsuzawa
;
Shigeyasu Mori
;
Yuko Kaimoto
;
Masayuki Endo
;
Takeshi Ohfuji
;
Koichi Kuhara
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
71.
Contrast enhancement by alkali decomposable additives in quinonediazide-type positive resists
机译:
碱性可分解添加剂对醌二氮杂型阳性抗蚀剂的对比度
作者:
Yasunori Uetani
;
Jun Tomioka
;
Hiroshi Moriuma
;
Yoshiko Miya
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
72.
Conductive bilevel resist system based on polysilphenylenesiloxane and polyaniline for nanometer lithography
机译:
基于聚硅氧烷硅氧烷和纳米光谱法的导电双纤维抗蚀剂系统
作者:
Keiji Watanabe
;
Miwa Igarashi
;
Ei Yano
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
73.
Positive-tone processing of plasma-polymerized methylsilane (PPMS)
机译:
等离子体聚合甲基硅烷(PPMS)的正调加工
作者:
Gary Dabbagh
;
Richard S. Hutton
;
Raymond A. Cirelli
;
Elsa Reichmanis
;
Anthony E. Novembre
;
Omkaram Nalamasu
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
74.
Techniques for the analysis of Cl- ion in TMAH
机译:
TMAH中CL离子分析的技术
作者:
Bang-Chein Ho
;
Mong-Ling Chang
;
Yu-Ping Lin
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
75.
Influence of salting-out effect in ArF resist development
机译:
盐水效应对ARF抗蚀剂发展的影响
作者:
Yasuhiro Yoshida
;
Teruhiko Kumada
;
Atsuko Sasahara
;
Atsushi Oshida
;
Hiroshi Adachi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
76.
Monitoring of lithography modules using defect density inspection systems
机译:
使用缺陷密度检测系统监控光刻模块
作者:
Dieter Gscheidlen
;
Elke Hietschold
;
Eyal Duzi
;
Erez Ravid
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
77.
Computational and experimental study of spin coater air flow
机译:
旋转涂抹机空气流动的计算与实验研究
作者:
Xiaoguang Zhu
;
Faqiu Liang
;
A.Haji-Sheikh
;
N.Ghariban
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
78.
Control of acidity of the substrate for precise pattern fabrication using a chemically amplified resist
机译:
使用化学放大的抗蚀剂控制基材的酸度以进行精确图案制造
作者:
Isao Satou
;
S.Yabe
;
M.Watanabe
;
Takashi Taguchi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
79.
Photoresists using tetrahydropyranyl- and tetrahydrofuranyl-protected styrene maleic anhydride half-ester polymers
机译:
使用四氢吡喃基和四氢呋喃基保护苯乙烯马来酸酐半酯聚合物的光致抗蚀剂
作者:
Wu-Song Huang
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
Ranee W. Kwong
;
Ahmad D. Katnani
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
80.
Photoresist ultrafiltration optimization
机译:
光致抗蚀剂超滤优化
作者:
George Jordhamo
;
Ian Melville
;
Ann M. Mewherter
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
81.
Dual-wavelength photoresist for sub-200-nm lithography
机译:
用于亚200-nm光刻的双波长光致抗蚀剂
作者:
Stefan Hien
;
Guenther Czech
;
Wolf-Dieter Domke
;
Hans Raske
;
Michael Sebald
;
Iris Stiebert
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
82.
Inorganic bottom ARC SiOxNy for interconnection levels on 0.18-um technology
机译:
无机底弧SiOxNy在0.18-UM技术上进行互连级别
作者:
Yorick Trouiller
;
N.Buffet
;
Thierry Mourier
;
Y.Gobil
;
Patrick Schiavone
;
Y.Quere
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
83.
Photoacid generators in chemically amplified resists
机译:
在化学放大抗蚀剂中的光拍发电机
作者:
Yasuhiro Suzuki
;
Donald W. Johnson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
84.
Footing reduction of positive deep-UV photoresists on plasma-enhanced ARL (PE ARL) SiON substrates
机译:
等离子体增强的ARL(PE ARL)SION基板上的正深紫外光致抗蚀剂的降低
作者:
Lori A. Joesten
;
Matthew L. Moynihan
;
Tracy K. Lindsay
;
Michael Reilly
;
Kathy Konjuh
;
David Mordo
;
Kenneth P. MacWilliams
;
Srini Sundararajan
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
85.
Effect of resin molecular weight on novolak dissolution
机译:
树脂分子量对酚醛清漆溶解的影响
作者:
Hsiao-Yi Shih
;
Huifang Zhuang
;
Arnost Reiser
;
Paula M. Gallagher-Wetmore
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
86.
Rapid simulation of silylation and the role of physical mechanisms in profile shapes
机译:
快速模拟甲硅烷基化和物理机制在型材形状中的作用
作者:
Marco A. Zuniga
;
Ebo H. Croffie
;
Andrew R. Neureuther
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
87.
Photoresist and the photoresist/wafer interface with a local thermal probe
机译:
具有局部热探针的光致抗蚀剂和光刻胶/晶片界面
作者:
David S. Fryer
;
Juan J. dePablo
;
Paul F. Nealey
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
88.
Minimizing photoresist dispense volumes on organic antireflective layers: the effects of chemistry and coating methodology on defect size and density
机译:
最小化有机抗反射层上的光致抗蚀剂分配体积:化学和涂层方法对缺陷尺寸和密度的影响
作者:
Andrew E. Bair
;
Audrey M. Davis
;
Bradley D. Lantz
;
Jeffrey R. Johnson
;
Charles R. Spinner
;
Steve Tanner
;
Von J. Marcos
;
Hiroshi Matsui
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
89.
Acid-sensitive arylether-protected poly(4-hydroxystyrene) derivatives for chemically amplified deep-UV positive resists
机译:
用于化学扩增的深紫外线抗蚀剂的酸敏芳醚保护的聚(4-羟基苯乙烯)衍生物
作者:
Pushkara R. Varanasi
;
Kathleen M. Cornett
;
Ahmad D. Katnani
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
90.
Effects of structural differences in speed enhancers (dissolution promoters) on positive photoresist composition
机译:
速度增强剂(溶出促进剂)对阳性光致抗蚀剂组合物的结构差异的影响
作者:
Michelle M. Cook
;
M. Dalil Rahman
;
Ping-Hung Lu
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
91.
Advanced negative resists using novel aminoplast crosslinkers
机译:
使用新型氨基塑料交联剂进行先进的负抗性
作者:
A.Afzali
;
Jeffrey D. Gelorme
;
Laura L. Kosbar
;
Mark O. Neisser
;
W.Brunswold
;
C.Feild
;
M.Lawson
;
Pushkara R. Varanasi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
92.
Negative pattern fabrication using laser exposure of positive photoresist
机译:
使用激光暴露的正光致抗蚀剂的负图案制造
作者:
Boris Kobrin
;
Colleen Hagen
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
93.
Improved simulation of photoresists using new development models
机译:
利用新的开发模型改进了光致抗蚀剂的模拟
作者:
Ralph R. Dammel
;
John P. Sagan
;
Elaine Kokinda
;
Neville Eilbeck
;
Chris A. Mack
;
Graham G. Arthur
;
Clifford L. Henderson
;
Steven A. Scheer
;
Ben M. Rathsack
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
94.
Design and study of water-soluble positive- and negative-tone imaging materials
机译:
水溶性正面和负色调成像材料的设计与研究
作者:
Jennifer M. Havard
;
Dario Pasini
;
Jean M. Frechet
;
David R. Medeiros
;
Kyle Patterson
;
Shintaro Yamada
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
95.
Examination of develop puddle time and its effects on lithographic performance
机译:
考察开发水坑时间及其对光刻性能的影响
作者:
Mark S. Markowski
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
96.
Resist edge roughness with reducing pattern size
机译:
抵抗边缘粗糙度,减小图案尺寸
作者:
Eishi Shiobara
;
Daisuke Kawamura
;
Kentaro Matsunaga
;
Toru Koike
;
Shoji Mimotogi
;
Tsukasa Azuma
;
Yasunobu Onishi
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
97.
Negative-tone TSI process for 193-nm lithography
机译:
193-nm光刻的负色TSI过程
作者:
Koichi Kuhara
;
Shigeyasu Mori
;
Yuko Kaimoto
;
Taku Morisawa
;
Takeshi Ohfuji
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
98.
Monitoring and controlling synthesis of bottom antireflective coating materials by in-situ FT-IR technique
机译:
原位FT-IR技术监测和控制底抗反射涂层材料的合成
作者:
Shuji Ding
;
Jianhui Shan
;
Dinesh N. Khanna
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
99.
Photoacid generation in chemically amplified resists: elucidation of structural effects of photoacid generators using new acid-sensitive dyes for monitoring acid generation
机译:
化学放大抗蚀剂的光酸生成:利用新的酸性敏感染料来阐明光酸发生器的结构效果,用于监测酸产生
作者:
James F. Cameron
;
J. Michael Mori
;
Thomas M. Zydowsky
;
Doris Kang
;
Roger F. Sinta
;
Matt King
;
Juan C. Scaiano
;
Gerd Pohlers
;
Susan Virdee
;
Terry Connolly
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
100.
Positive bilayer resists for 248- and 193-nm lithography
机译:
正双层抗蚀剂248-193纳米光刻
作者:
Ratnam Sooriyakumaran
;
Gregory M. Wallraff
;
Carl E. Larson
;
Debra Fenzel-Alexander
;
Richard A. DiPietro
;
Juliann Opitz
;
Donald C. Hofer
;
Douglas C. LaTulip
;
John P. Simons
;
Karen E. Petrillo
;
Katherina Babich
;
Marie Angelopoulos
;
Qinghuang Lin
;
Ahmad D. Katnani
会议名称:
《Conference on advances in resist technology and processing》
|
1998年
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