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Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International
召开年:
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San Francisco, CA
出版时间:
-
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1.
Polarity dependence of dielectric breakdown in scaled SiO
2
机译:
SiO
2中介电击穿的极性依赖性 sub>
作者:
Han L.K.
;
Bhat M.
;
Wristers D.
;
Fulford J.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
2.
Practical Monte Carlo sputter deposition simulation withquasi-axis-symmetrical (QAS) approximation
机译:
实用的蒙特卡洛溅射沉积模拟准轴对称(QAS)逼近
作者:
Yamada H.
;
Shinmura T.
;
Yamada Y.
;
Ohta T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
3.
Comprehensive RTP modeling and simulation including thermal stressanalysis and feature size optical effects
机译:
全面的RTP建模和仿真,包括热应力分析和特征尺寸光学效果
作者:
Kolpakov A.V.
;
Makhviladze T.M.
;
Panjukhin A.V.
;
Volchek O.S.
;
Erofeev A.F.
;
Orlowski M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
4.
Design and test at room temperature of the first silicon driftdetector with on-chip electronics
机译:
室温下第一个硅漂移的设计和测试片上电子检测器
作者:
Hartmann R.
;
Hauff D.
;
Krisch S.
;
Lechner P.
;
Lutz G.
;
Richter R.H.
;
Seitz H.
;
Struder L.
;
Bertuccio G.
;
Fasoli L.
;
Fiorini C.
;
Gatti E.
;
Longoni A.
;
Pinotti E.
;
Sampietro M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
5.
Saturation velocity and velocity overshoot of inversion layerelectrons and holes
机译:
反演层的饱和速度和速度超调电子和空穴
作者:
Assaderaghi F.
;
Sinitsky D.
;
Gaw H.
;
Bokor J.
;
Ko P.K.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
6.
Real time measurement of transients and electrode edge effects forplasma charging induced damage
机译:
实时测量瞬态和电极边缘效应等离子体充电引起的损伤
作者:
Shawming Ma
;
McVittie J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
7.
The role of point defect sources in the formation of boronpolyemitters
机译:
点缺陷源在硼形成中的作用多发射极
作者:
Berthold A.
;
Vom Felde A.
;
Biebl M.
;
von Philipsborn H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
8.
Effect of substrate material on crosstalk in mixed analog/digitalintegrated circuit
机译:
基板材料对混合模拟/数字串扰的影响集成电路
作者:
Merrill R.B.
;
Young W.M.
;
Brehmer K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
9.
Charge injection transistors and logic elements in Si/Si
1-x
Ge
x
heterostructures
机译:
Si / Si
1-x中的电荷注入晶体管和逻辑元件 sub> Ge
x sub>异质结构
作者:
Mastrapasqua M.
;
King C.A.
;
Smith P.R.
;
Pinto M.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
10.
Impact of post processing damage on the performance of highdielectric constant PLZT thin film capacitors for ULSI DRAM applications
机译:
后处理损害对高性能的影响用于ULSI DRAM应用的介电常数PLZT薄膜电容器
作者:
Khamankar R.
;
Jiyoung Kim
;
Bo Jiang
;
Sudhama C.
;
Maniar P.
;
Moazzami R.
;
Jones R.
;
Lee J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
11.
Performance and hot-carrier reliability of N- and P-MOSFETs withrapid thermally NO-nitrided SiO
2
gate dielectrics
机译:
具有N和P MOSFET的性能和热载流子可靠性快速热氮化的SiO
2 sub>栅电介质
作者:
Bhat M.
;
Wristers D.
;
Yan J.
;
Han L.K.
;
Fulford J.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
12.
Impact of boron diffusion through O
2
and N
2
Ogate dielectrics on the process margin of dual-poly low power CMOS
机译:
硼通过O
2 sub>和N
2 sub> O扩散的影响双多晶硅低功耗CMOS工艺裕度上的栅极电介质
作者:
Krisch K.S.
;
Manchanda L.
;
Baumann F.H.
;
Green M.L.
;
Brasen D.
;
Feldman L.C.
;
Ourmazd A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
13.
Theoretical investigation of axially-modulated, cusp-injected,large-orbit gyrotrons
机译:
轴向调制,尖头注入,大轨道回旋管
作者:
Lawson W.
;
Destler W.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
14.
Device implications of enhanced diffusion caused by the electricaldeactivation of arsenic
机译:
由电气引起的扩散增强对设备的影响砷失活
作者:
Rousseau P.M.
;
Griffin P.B.
;
Kuehne S.C.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
15.
3.5 V, 1 W high efficiency AlGaAs/GaAs HBTs with collector launcherstructure
机译:
具有集电极发射器的3.5 V,1 W高效AlGaAs / GaAs HBT结构体
作者:
Tateno Y.
;
Yamada H.
;
Ohara S.
;
Kato S.
;
Ohnishi H.
;
Fujii T.
;
Fukaya J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
16.
Characterization of bias-stressed carbon-doped GaAs/AlGaAs powerheterojunction bipolar transistors
机译:
偏置应力的碳掺杂GaAs / AlGaAs功率的表征异质结双极晶体管
作者:
Henderson T.
;
Hill D.
;
Liu W.
;
Costa D.
;
Chau H.-F.
;
Kim T.S.
;
Khatibzadeh A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
17.
Aluminum graded-base AlGaAs/GaAs PNp HBT with 37 GHz cut-offfrequency
机译:
截止频率为37 GHz的铝梯度基AlGaAs / GaAs PNp HBT频率
作者:
Kameyama A.
;
Massengale A.
;
Dai C.
;
Harris J.S. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
18.
Quantum mechanical modeling of the charge distributionSi/Si
1-x
Ge
x
/Si p-channel MOSFET
机译:
电荷分布的量子力学建模Si / Si
1-x sub> Ge
x sub> / Si p沟道MOSFET
作者:
Hargrove M.J.
;
Henning A.K.
;
Slinkman J.A.
;
Bean J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
19.
An extremely low-noise InP-based HEMT with silicon nitridepassivation
机译:
具有氮化硅的极低噪声的基于InP的HEMT钝化
作者:
Ming-Yih Kao
;
Duh K.H.G.
;
Pin Ho
;
Pane-Chane Chao
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
20.
First high performance InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs exceeding thaton InP
机译:
GaAs上的首个高性能InAlAs / InGaAs HEMT超过在InP上
作者:
Higuchi K.
;
Kudo M.
;
Mori M.
;
Mishima T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
21.
Simulation of advanced field isolation using calibratedviscoelastic stress analysis
机译:
使用校准的模拟高级场隔离粘弹性应力分析
作者:
Senez V.
;
Collard D.
;
Ferreira P.
;
Baccus B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
22.
Self-Aligned LOCOS/Trench (SALOT) combination isolation technologyplanarized by chemical mechanical polishing
机译:
自对准LOCOS / Trench(SALOT)组合隔离技术通过化学机械抛光进行平面化
作者:
Park T.
;
Ahn S.J.
;
Ko J.H.
;
Hong C.G.
;
Kim J.D.
;
Ahn S.T.
;
Lee M.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
23.
Comparison of self-heating effects in bulk-silicon and SOIhigh-voltage devices
机译:
体硅和SOI中自热效应的比较高压设备
作者:
Arnold E.
;
Pein H.
;
Herko S.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
24.
Thermomechanical factors in molybdenum field emitter operation andfailure
机译:
钼场发射器运行中的热机械因素及失败
作者:
Ancona M.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
25.
680 nm band high-power individually addressable two-beam laserswith low thermal interference
机译:
680 nm波段高功率可单独寻址的两光束激光器热干扰小
作者:
Takamori A.
;
Mannoh M.
;
Ohnaka K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
26.
Experiment and modeling of thermal crosstalk in semiconductor laserarrays
机译:
半导体激光器热串扰的实验与建模数组
作者:
Bewtra N.
;
Suda D.A.
;
Dion M.
;
Chatenoud F.
;
Xu J.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
27.
Design and performance considerations for sub-0.1 μm double-gateSOI MOSFET'S
机译:
小于0.1μm双栅极的设计和性能考虑SOI MOSFET的
作者:
Hon-Sum Wong
;
Frank D.J.
;
Yuan Taur
;
Stork J.M.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
28.
Micromachined sensors using polysilicon sacrificial layer etchingtechnology
机译:
使用多晶硅牺牲层蚀刻的微机械传感器技术
作者:
Sugiyama S.
;
Tabata O.
;
Shimaoka K.
;
Asahi R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
29.
Reliability of thin SiO
2
at direct-tunneling voltages
机译:
薄SiO
2 sub>在直接隧穿电压下的可靠性
作者:
Schuegraf K.F.
;
Donggun Park
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
30.
Physics and applications of low-dimensional organic thin-filmtransistors
机译:
低维有机薄膜的物理与应用晶体管
作者:
Dodabalapur A.
;
Katz H.E.
;
Torsi L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
31.
Improved electrical characteristics of thin-film transistorsfabricated on nitrogen implanted polysilicon films
机译:
改善薄膜晶体管的电特性在氮注入多晶硅膜上制造
作者:
Chien Kuo Yang
;
Tan Fu Lei
;
Chung Len Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
32.
Low threshold voltage CMOS devices with smooth topography for 1volt applications
机译:
低阈值电压CMOS器件具有平滑的形貌,适用于1伏特应用
作者:
Yu D.C.H.
;
Lin H.D.
;
McAndrew C.
;
Lee K.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
33.
Extremely thin film (10 nm) SOI MOSFET characteristics includinginversion layer to accumulation layer tunneling
机译:
超薄(10 nm)SOI MOSFET的特性包括反转层到累积层隧道
作者:
Jin Hyeok Choi
;
Young-June Park
;
Hong-Shick Min
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
34.
Two-dimensional transient enhanced diffusion and its impact onbipolar transistors
机译:
二维瞬态增强扩散及其对扩散的影响双极晶体管
作者:
van Dort M.J.
;
van der Wel W.
;
Slotboom J.W.
;
Cowern N.E.B.
;
Knuvers M.P.G.
;
Lifka H.
;
Zalm P.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
35.
Novel vertical-cavity surface-emitting lasers with integratedoptical beam router for massively parallel free-space interconnection
机译:
集成了新型垂直腔面发射激光器大规模并行自由空间互连的光束路由器
作者:
Fan L.
;
Wu M.C.
;
Lee H.C.
;
Grodzinski P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
36.
High-power InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emittingdiodes
机译:
大功率InGaN / AlGaN双异质结构蓝色发光二极管
作者:
Nakamura S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
37.
An integrated CMOS polysilicon coil-based micro-Pirani gauge withhigh heat transfer efficiency
机译:
基于集成CMOS多晶硅线圈的微型皮拉尼压力计传热效率高
作者:
Swart N.R.
;
Nathan A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
38.
0.15 μm CMOS process for high performance and high reliability
机译:
0.15μmCMOS工艺可实现高性能和高可靠性
作者:
Shimizu S.
;
Kuroi T.
;
Kobayashi M.
;
Yamaguchi T.
;
Fujino T.
;
Maeda H.
;
Tsutsumi T.
;
Hirose Y.
;
Kusunoki S.
;
Inuishi H.
;
Tsubouchi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
39.
Suppression of MOSFET reverse short channel effect byN
2
O gate poly reoxidation process
机译:
通过抑制MOSFET反向短沟道效应N
2 sub> O门多重氧化工艺
作者:
Tsui P.G.Y.
;
Hsing-Huang Tseng
;
Orlowski M.
;
Shih-Wei Sun
;
Tobin P.J.
;
Reid K.
;
Taylor W.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
40.
Full analysis of alternating injection in SOI transistors:comparison to bulk transistors
机译:
全面分析SOI晶体管中的交替注入:与体晶体管的比较
作者:
Guichard E.
;
Cristoloveanu S.
;
Reimboid G.
;
Borel G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
41.
Visualization of ionizing-radiation and hot-carrier stress responseof polysilicon emitter BJTs
机译:
电离辐射和热载流子应力响应的可视化多晶硅发射极BJT的数量
作者:
Graves R.J.
;
Schmidt D.M.
;
Kosier S.L.
;
Wei A.
;
Schrimpf R.D.
;
Galloway K.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
42.
An infrared-bi-color Schottky-barrier infrared CCD image sensor forprecise thermal image
机译:
红外双色肖特基势垒红外CCD图像传感器精确的热图像
作者:
Konuma K.
;
Asano Y.
;
Masubuchi K.
;
Utsumi H.
;
Tohyama S.
;
Endo T.
;
Azuma H.
;
Teranishi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
43.
Dynamic floating-body instabilities in partially depleted SOI CMOScircuits
机译:
部分耗尽的SOI CMOS中的动态浮体不稳定性电路
作者:
Dongwook Suh
;
Fossum J.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
44.
Tradeoffs of current drive vs. short-channel effect indeep-submicrometer bulk and SOI MOSFETs
机译:
当前驱动的权衡与短时效应的关系深亚微米体和SOI MOSFET
作者:
Su L.T.
;
Hang Hu
;
Jacobs J.B.
;
Sherony M.J.
;
Wei A.
;
Antoniadis D.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
45.
Strain dependence of the performance enhancement in strained-Sin-MOSFETs
机译:
应变硅性能增强的应变依赖性MOSFET
作者:
Welser J.
;
Hoyt J.L.
;
Takagi S.
;
Gibbons J.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
46.
Read-disturb degradation mechanism due to electron trapping in thetunnel oxide for low-voltage flash memories
机译:
由于电子俘获在低压闪存的隧道氧化物
作者:
Kato M.
;
Miyamoto N.
;
Kume H.
;
Satoh A.
;
Adachi T.
;
Ushiyama M.
;
Kimura K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
47.
Technology trends of silicon-on-insulator-its advantages andproblems to be solved
机译:
绝缘体上硅技术的发展趋势及其优势和有待解决的问题
作者:
Yoshimi M.
;
Terauchi M.
;
Murakoshi A.
;
Takahashi M.
;
Matsuzawa K.
;
Shigyo N.
;
Ushiku Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
48.
Triple density DRAM cell with Si selective growth channel andNAND-structure
机译:
具有Si选择生长通道的三倍密度DRAM单元和NAND结构
作者:
Aoki M.
;
Noguchi M.
;
Hamamoto T.
;
Tokano K.
;
Saito Y.
;
Hoshi T.
;
Watanabe S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
49.
Analysis of parameter extraction techniques for VLSI interconnectreliability studies using microscopic computer simulation
机译:
VLSI互连的参数提取技术分析使用微观计算机仿真进行可靠性研究
作者:
Trattles J.T.
;
ONeill A.G.
;
Mecrow B.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
50.
Reliability improvement in low-temperature processed poly-Si TFTsfor AMLCDs
机译:
低温处理的多晶硅TFT的可靠性提高用于AMLCD
作者:
Yuda K.
;
Sera K.
;
Uesugi F.
;
Nishiyama I.
;
Okumura F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
51.
Field-effect transistors and circuits fabricated fromsemiconducting diamond thin films
机译:
场效应晶体管和电路制造半导体金刚石薄膜
作者:
Holmes J.S.
;
Dreifus D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
52.
Three-dimensional mechanical stress analysis of trench isolationalong {111} gliding planes
机译:
沟槽隔离的三维机械应力分析沿{111}滑行飞机
作者:
Matsuda S.
;
Yoshino C.
;
Nakajima H.
;
Inou K.
;
Yoshitomi S.
;
Katsumata Y.
;
Iwai H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
53.
151-channel AM-FDM transmission using 1.3 μm strained-layerMQW-DFB laser with high optical output power operation
机译:
使用1.3μm应变层的151通道AM-FDM传输具有高光输出功率的MQW-DFB激光器
作者:
Takenaka N.
;
Kito M.
;
Fujihara K.
;
Otsuka N.
;
Ishino M.
;
Tanabe M.
;
Matsui Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
54.
Nitrogen in-situ doped poly buffer LOCOS: simple and scalableisolation technology for deep-submicron silicon devices
机译:
氮气原位掺杂多晶硅缓冲液LOCOS:简单且可扩展深亚微米硅器件的隔离技术
作者:
Kobayashi T.
;
Nakayama S.
;
Miyake M.
;
Okazaki Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
55.
Submicron Large-Angle-Tilt Implanted Drain technology formixed-signal applications
机译:
亚微米大角度倾斜植入式漏极技术混合信号应用
作者:
Hung-Sheng Chen
;
Ji Zhao
;
Chih Sieh Teng
;
Moberly L.
;
Lahri R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
56.
Reliability characteristics and surface preparation technique forultra-thin (33 Å-87 Å) oxides and oxynitrides
机译:
汽车的可靠性特征和表面处理技术。超薄(33Å-87Å)氧化物和氮氧化物
作者:
Ming-Yin Hao
;
Kafai Lai
;
Wei-Ming Chen
;
Lee J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
57.
Flash-based programmable nonlinear capacitor for switched-capacitorimplementations of neural networks
机译:
基于闪存的可编程电容器非线性电容器神经网络的实现
作者:
Kramer A.
;
Sabatini M.
;
Canegallo R.
;
Chinosi M.
;
Rolandi P.L.
;
Zabberoni P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
58.
Self-aligned tungsten strapped source/drain and gate technologyrealizing the lowest sheet resistance for sub-quarter micron CMOS
机译:
自对准钨束缚的源极/漏极和栅极技术实现亚四分之一微米CMOS最低的薄层电阻
作者:
Sekine M.
;
Inoue K.
;
Ito H.
;
Honma I.
;
Miyamoto H.
;
Yoshida K.
;
Watanabe H.
;
Mikagi K.
;
Yamada Y.
;
Kikkawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
59.
Process integration technology for sub-30 ps ECL BiCMOS usingheavily boron doped epitaxial contact (HYDEC)
机译:
低于30 ps ECL BiCMOS的工艺集成技术,采用重硼掺杂外延接触(HYDEC)
作者:
Kinoshita Y.
;
Imai K.
;
Yoshida H.
;
Suzuki H.
;
Tatsumi T.
;
Yamazaki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
60.
Optimized complementary 40 V power LDMOS-FETs use existingfabrication steps in submicron CMOS technology
机译:
优化的互补40 V电源LDMOS-FET使用现有的亚微米CMOS技术的制造步骤
作者:
Efland T.
;
Keller T.
;
Keller S.
;
Rodriguez J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
61.
Accurate modeling of GaAs MESFET sidegating effects by trappingsimulation
机译:
通过俘获准确建模GaAs MESFET侧面效应模拟
作者:
Yi Liu
;
Zhiping Yu
;
Dutton R.W.
;
Deal M.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
62.
Effect of the back gate conduction on 0.25 μm SOI devices
机译:
背栅导通对0.25μmSOI器件的影响
作者:
Pelloie J.L.
;
Sadana D.K.
;
Hovel H.J.
;
Shahidi G.G.
;
Warnock J.
;
Sun J.Y.-C.
;
Davari B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
63.
Novel self-planarizing CVD oxide for interlayer dielectricapplications
机译:
用于层间电介质的新型自平坦化CVD氧化物应用领域
作者:
Matsuura
;
Hayashide Y.
;
Kotani H.
;
Nishimura T.
;
Iuchi H.
;
Dobson C.D.
;
Kiermasz A.
;
Beekmann K.
;
Wilby R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1994. IEDM '94. Technical Digest., International》
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