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Electron Devices Meeting, 1977 International
Electron Devices Meeting, 1977 International
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1.
Phase velocity dispersion shaping as a design parameter in traveling wave tubes
机译:
相速度色散整形作为行波管的设计参数
作者:
Winslow L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
2.
Realization of a 65K dynamic RAM device making exclusive use of VMOS transistors
机译:
独家使用VMOS晶体管的65K动态RAM器件的实现
作者:
von Basse P.W.
;
Edwards D.G.
;
Essl D.V.
;
Hofmann R.
;
Losehand R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
3.
Performance of a 350 character TFT-LC display panel
机译:
350字符TFT-LCD显示面板的性能
作者:
Luo F.C.
;
Davies D.H.
;
Hester W.
;
Brody T.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
4.
A Schottky-barrier CCD on GaAs
机译:
GaAs上的肖特基势垒CCD
作者:
Kellner W.
;
Bierhenke H.
;
Kniepkamp H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
5.
A K-band GaAs FET with 2.5 dB noise figure at 18 GHz
机译:
K波段GaAs FET在18 GHz时具有2.5 dB的噪声系数
作者:
Hooper W.W.
;
Anderson J.R.
;
Cooke H.F.
;
Omori M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
6.
A comparison of electrical and visual alignment test structures for evaluating photomask alignment in integrated circuit manufacturing
机译:
电气和视觉对准测试结构的比较,用于评估集成电路制造中的光掩模对准
作者:
Russell T.J.
;
Leedy T.F.
;
Mattis R.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
7.
Size effects in E-beam fabricated MOS devices
机译:
电子束制造的MOS器件的尺寸效应
作者:
Elliott M.T.
;
Splinter M.R.
;
Jones A.B.
;
Reekstin J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
8.
A high-speed, high-voltage EPI base GTO
机译:
高速,高压EPI基础GTO
作者:
Becke H.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
9.
MIS solar cells: A review
机译:
MIS太阳能电池:回顾
作者:
Pulfrey D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
10.
The thin film polycrystalline solar cell program in the U.S.A.
机译:
美国的薄膜多晶太阳能电池计划
作者:
Feucht D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
11.
Design, fabrication, and performance of a flat tube display
机译:
平板显示器的设计,制造和性能
作者:
Holton W.C.
;
Scott W.C.
;
Manns W.G.
;
Weirauch D.F.
;
Namordi M.R.
;
Doerbeck F.H.
;
Pitts R.
;
Surtani K.H.
;
Gooch R.W.
;
Gunther J.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
12.
Premature failure in Pt-GaAs IMPATTs - Recombination assisted diffusion as a failure mechanism
机译:
Pt-GaAs IMPATTs中的过早失效-重组辅助扩散是一种失效机制
作者:
Ballamy W.C.
;
Kimerling L.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
13.
A high-efficiency, CW, PPM-focused TWT for ECM applications
机译:
针对ECM应用的高效,面向CW,PPM的TWT
作者:
Hechtel J.R.
;
Wilson D.C. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
14.
A 20 watt 22.5 GHz mini-tube
机译:
20瓦22.5 GHz迷你管
作者:
True R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
15.
A new buried oxide isolation for high-speed, high-density MOS integrated circuits
机译:
适用于高速,高密度MOS集成电路的新型掩埋氧化物隔离
作者:
Sakurai J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
16.
DIMOS - A novel IC technology with submicron effective channel MOSFETs
机译:
DIMOS-一种具有亚微米有效通道MOSFET的新颖IC技术
作者:
Tihanyi J.
;
Widmann D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
17.
Femto-Joule, high-speed planar GaAs E-JFET logic
机译:
Femto-Joule高速平面GaAs E-JFET逻辑
作者:
Zuleeg R.
;
Notthoff J.K.
;
Friebertshauser P.E.
;
Troeger G.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
18.
RF annealing: A method of removing radiation damage in MIS structures
机译:
射频退火:消除MIS结构中辐射损伤的一种方法
作者:
Ma W.H.-L.
;
Tso-Ping Ma
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
19.
A high-voltage analog-compatible I2L process
机译:
高压模拟兼容的I 2 sup> L工艺
作者:
Allstot D.J.
;
Wei T.S.-T.
;
Lui S.K.
;
Gray P.R.
;
Meyer R.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
20.
Fabrication and characterization of a VMOS EPROM
机译:
VMOS EPROM的制造和表征
作者:
Draper D.A.
;
Barnes J.J.
;
Jenne F.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
21.
A high gain vertical channel controlled thyristor
机译:
高增益垂直通道控制晶闸管
作者:
Wessels B.W.
;
Baliga B.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
22.
Improved performance of GaAs microwave field-effect transistors with via-connections through the substrate
机译:
带有通过衬底的通孔连接的GaAs微波场效应晶体管的性能提高
作者:
DAsaro L.A.
;
DiLorenzo J.V.
;
Fukui H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
23.
PbS-Si anisotype heterojunction characteristics
机译:
PbS-Si异型异质结特征
作者:
Steckl A.J.
;
Elabd H.
;
Jakobus Th.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
24.
Low-threshold room-temperature Ga
(1-x)
Al
x
As/GaAs lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积生长的低阈值室温Ga
(1-x) inf> Al
x inf> As / GaAs激光器
作者:
Dupuis R.D.
;
Dapkus P.D.
;
Moudy L.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
25.
Optically-switched PNPN light-emitting diodes
机译:
光开关PNPN发光二极管
作者:
Copeland J.A.
;
Dentai A.G.
;
Lee T.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
26.
The influence of surface states on open-circuit voltage for Cr, p-type silicon MIS solar cells
机译:
表面状态对Cr,p型硅MIS太阳能电池开路电压的影响
作者:
Anderson W.A.
;
Kim J.K.
;
Delahoy A.E.
;
Cartier C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
27.
An Al
.5
Ga
.5
As gate heterojunction microwave FET
机译:
Al
.5 inf> Ga
.5 inf> As栅极异质结微波FET
作者:
Morkoc H.
;
Bandy S.G.
;
Sankaran R.
;
Antypas G.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
28.
Silicon carbide field-effect and bipolar transistors
机译:
碳化硅场效应和双极晶体管
作者:
Muench W.V.
;
Hoeck P.
;
Pettenpaul E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
29.
Evidence of avalanche breakdown and microplasma noise in GaAs MESFETs
机译:
GaAs MESFET中雪崩击穿和微等离子体噪声的证据
作者:
Tsironis Chr.
;
Beneking H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
30.
Resonant loss for helix traveling wave tubes
机译:
螺旋行波管的共振损耗
作者:
Hobrecht C.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
31.
X-Band TWT with high efficiency and high PRF capability
机译:
X波段TWT具有高效率和高PRF能力
作者:
Estrella K.A.
;
Alvarez J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
32.
Low barrier height ion implanted X-band silicon Schottky barrier mixer diodes
机译:
低势垒高度离子注入X波段硅肖特基势垒混合器二极管
作者:
Christou A.
;
Anand Y.
;
Dietrich H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
33.
Safe method of designing of power transistors circuits with forward second breakdown taken into consideration
机译:
考虑前向二次击穿的功率晶体管电路的安全设计方法
作者:
Pioro Z.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
34.
Computer aided design and analysis of electron guns for injected beam crossed field amplifiers
机译:
用于注入电子束交叉场放大器的电子枪的计算机辅助设计和分析
作者:
Shaw E.K.
;
Kooyers G.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
35.
Linear photosensor array using an amorphous thin film
机译:
使用非晶薄膜的线性光电传感器阵列
作者:
Tsukada T.
;
Yamamoto H.
;
Matsui M.
;
Eto Y.
;
Hirai T.
;
Maruyama E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
36.
High speed GaAs and GaInAs high radiance light emitting diodes
机译:
高速GaAs和GaInAs高辐射发光二极管
作者:
Carter A.
;
Goodfellow R.
;
Davis R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
37.
Ohmic contacts for GaAs devices using epitaxial Ge films
机译:
使用外延Ge膜的GaAs器件的欧姆接触
作者:
Anderson W.T. Jr.
;
Christou A.
;
Davey J.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
38.
10 V Write/Erase, EAROM cells with directly nitrided silicon nitride films as first insulating layers
机译:
具有直接氮化的氮化硅膜作为第一绝缘层的10 V写/擦除EAROM单元
作者:
Ito T.
;
Hijiya S.
;
Ishikawa H.
;
Shinoda M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
39.
FA-CMOS process for low power PROM with low avalanche injection voltage
机译:
FA-CMOS工艺用于低雪崩注入电压的低功耗PROM
作者:
Fukunaga S.
;
Kyomasu M.
;
Yasuoka A.
;
Nakao Y.
;
Nakayama M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
40.
Secondary electron emission properties of conducting surfaces for use in multistage depressed collectors
机译:
用于多级凹陷式集电极的导电表面的二次电子发射特性
作者:
Forman R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
41.
Photoconductivity in LPE GaP:Cu
机译:
LPE GaP:Cu中的光电导
作者:
Petersen P.E.
;
Schulze R.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
42.
Recent improvements in AMOS solar cells
机译:
AMOS太阳能电池的最新改进
作者:
Stirn R.J.
;
Yeh Y.C.M.
;
Wang E.Y.
;
Ernest F.P.
;
Wu C.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
43.
Comparison of MOS-gate protection networks
机译:
MOS栅极保护网络的比较
作者:
Six P.
;
Sansen W.
;
Maes H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
44.
High voltage dielectric isolation SCR integrated circuit process
机译:
高压电介质隔离可控硅集成电路工艺
作者:
Beasom J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
45.
Silicon solar cells for use at high solar concentration
机译:
硅太阳能电池可在高太阳光下使用
作者:
Swartz G.A.
;
Napoli L.S.
;
Klein N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
46.
Ga
x
In
1-x
Sb for high speed transferred electron devices
机译:
Ga
x inf> In
1-x inf> Sb用于高速传输电子器件
作者:
Kawashima M.
;
Ohta K.
;
Kataoka S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
47.
Surface and bulk generation currents in ion-implanted MOS structures
机译:
离子注入MOS结构中的表面和体产生电流
作者:
Arnold E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
48.
Degradation studies of long-lived injection lasers for fiber-optic communications
机译:
光纤通信用长寿命注入激光器的退化研究
作者:
Hartman R.L.
;
Schumaker N.E.
;
Dixon R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
49.
Planar GaAs p-n junctions by Be ion implantation
机译:
通过Be离子注入的平面GaAs p-n结
作者:
Helix M.J.
;
Vaidyanathan K.V.
;
Streetman B.G.
;
Chatterjee P.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
50.
The effects of processing on radiation damage in SiO
2
机译:
加工对SiO
2 inf>中辐射损伤的影响
作者:
Gdula R.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
51.
Influence of oxidation conditions on electrical properties of ultra-thin SiO
2
layers
机译:
氧化条件对SiO
2 inf>超薄层电性能的影响
作者:
Ruzyllo J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
52.
A perspective on electron bombarded semiconductor power devices
机译:
电子轰击半导体功率器件的透视图
作者:
Bates D.J.
;
Knight R.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
53.
A 1024 element linear CCD sensor with a new photodiode structure
机译:
具有新型光电二极管结构的1024元素线性CCD传感器
作者:
Ohba S.
;
Aoki M.
;
Nakai M.
;
Uchiumi K.
;
Tsunefuka N.
;
Kubo M.
;
Fujita M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
54.
A one-device memory cell using a single layer of polysilicon and a self-registering metal-to-polysilicon contact
机译:
使用单层多晶硅和自对准金属与多晶硅接触的单器件存储单元
作者:
Rideout V.L.
;
Walker J.J.
;
Cramer A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
55.
Current display research—A survey
机译:
当前的展示研究-调查
作者:
Sobel A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
56.
Subnanosecond ED MOS IC using new technology
机译:
使用新技术的亚纳秒ED MOS IC
作者:
Kobayashi Y.
;
Sakai T.
;
Arita Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
57.
Anodic oxidation of GaAs in oxygen plasma
机译:
氧等离子体中砷化镓的阳极氧化
作者:
Sugano T.
;
Yamasaki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
58.
Life begins at forty: Microwave tubes
机译:
生命始于四十岁:微波管
作者:
Osepchuk J.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
59.
High brightness, high resolution, projection CCRT
机译:
高亮度,高分辨率,投射式CCRT
作者:
Todd L.T. Jr.
;
Starkey C.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
60.
Extended bandwidth high fidelity, S-band coupled-cavity traveling wave tube
机译:
扩展带宽高保真S波段耦合腔行波管
作者:
Giebeler R.H.
;
Ayers W.R.
;
Veselovsky L.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
61.
Lifetime profile measurements in diffused layers
机译:
扩散层中的寿命剖面测量
作者:
Baliga B.J.
;
Adler M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
62.
Interaction gaps with improved coupling
机译:
相互作用间隙,改善了耦合
作者:
Wessel-Berg T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
63.
Electrophysical properties of the germanium MIS-transistor
机译:
锗MIS晶体管的电物理特性
作者:
Don K.Z.
;
Neizvestny I.G.
;
Ovsyuk V.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
64.
The sensitivity of transistor gain to processing variations in an all implanted bipolar technology
机译:
全植入双极技术中晶体管增益对工艺变化的敏感性
作者:
Parrillo L.C.
;
Reutlinger G.W.
;
Payne R.S.
;
Tretola A.R.
;
Kraetsch R.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
65.
Numerical model of the thyristor turn off
机译:
晶闸管关断的数值模型
作者:
Lietz M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
66.
High performance thin solar cell
机译:
高性能薄型太阳能电池
作者:
Chiang S.Y.
;
Carbajal B.G.
;
Wakefield G.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
67.
Integrated electron devices in medicine
机译:
医药中的集成电子设备
作者:
Meindl J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
68.
The reduction of LSI chip costs by optimizing the alignment yields
机译:
通过优化对准产量来降低LSI芯片成本
作者:
Lynch W.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
69.
High power, high frequency epitaxial ASCR
机译:
大功率,高频外延ASCR
作者:
Smith P.
;
Martin I.
;
Gooen K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
70.
Determination of optimum parameters and characterization of MIS solar cells
机译:
MIS太阳能电池最佳参数的确定和表征
作者:
Viktorovitch P.
;
Pananakakis G.
;
Kamarinos G.
;
Basset R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
71.
Numerical analysis of gate triggered SCR turn-on transients
机译:
栅极触发SCR导通瞬态的数值分析
作者:
Anheier W.
;
Engl W.L.
;
Sittig R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
72.
An optically triggered double heterostructure linear bilateral phototransistor
机译:
光触发双异质结构线性双侧光电晶体管
作者:
Knight S.
;
Dawson L.R.
;
Keramidas V.G.
;
Spencer M.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
73.
Effects of interface states, tunneling, and metal in silicon MOS solar cells
机译:
硅MOS太阳能电池中界面状态,隧穿和金属的影响
作者:
Kar S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
74.
High-gain crossed-field amplifier tube
机译:
高增益交叉场放大器管
作者:
MacMaster G.
;
Nichols L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
75.
Space-charge flow starting conditions in RF-keyed crossed-field amplifiers
机译:
RF键控交叉场放大器中的空间电荷流起始条件
作者:
Fischer P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
76.
A new fabrication method of short channel MOS FET-multiple walls self-aligned MOS FET
机译:
短沟道MOS场效应管-多壁自对准MOS场效应管的新制造方法
作者:
Shibata H.
;
Iwasaki H.
;
Oku T.
;
Tarui Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
77.
A short channel MOSFET model
机译:
短沟道MOSFET模型
作者:
Valsamakis E.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
78.
A CCD imager with SiO
2
exposed photosensor arrays
机译:
具有SiO
2 inf>曝光的光电传感器阵列的CCD成像仪
作者:
Abe M.
;
Shimada T.
;
Okada C.
;
Ando T.
;
Kanoh Y.
;
Hashimoto T.
;
Yamasaki H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
79.
A new concept for generation of multi-megawatt power approaching hundred percent conversion efficiency
机译:
一种新的发电概念,转换效率接近百分百
作者:
Wessel-Berg T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
80.
Influence of field dependent mobility and buffer isolation resistance on high frequency performances of GaAs MESFET's
机译:
场相关迁移率和缓冲隔离电阻对GaAs MESFET高频性能的影响
作者:
Graffeuil J.
;
Rossel P.
;
Azizi C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
81.
Four-transistor static CMOS memory cells
机译:
四晶体管静态CMOS存储单元
作者:
Walker L.G.
;
Manoliu J.
;
Rung R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
82.
Isolation of junction devices in GaP using electron bombardment
机译:
使用电子轰击隔离GaP中的结器件
作者:
Wada T.
;
Uemura S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
83.
High-power brazed-helix telecommunications TWT's
机译:
大功率钎焊螺旋电讯TWT
作者:
Fleury G.
;
Kuntzmann J.C.
;
Lafuma P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
84.
Sharper N/N + profiles over arsenic buried layers using low pressure epitaxy
机译:
使用低压外延在砷掩埋层上获得更清晰的N / N +轮廓
作者:
Lee P.H.
;
Wauk M.T.
;
Benzing W.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
85.
GaSb metal-insulator-semiconductor field-effect-transistors
机译:
GaSb金属绝缘体半导体场效应晶体管
作者:
Barrowcliff E.E.
;
Bubulac L.O.
;
Cheung D.T.
;
Tennant W.E.
;
Andrews A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
86.
Tapered windows in phosphorus-doped SiO
2
by ion implantation
机译:
离子注入掺杂磷的SiO
2 inf>中的锥形窗口
作者:
North J.C.
;
McGahan T.E.
;
Rice D.W.
;
Adams A.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
87.
Directly light-fired thyristors with high di/dt capability
机译:
具有高di / dt能力的直接点火晶闸管
作者:
Temple V.A.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
88.
High speed high voltage static induction thyristor
机译:
高速高压静电感应晶闸管
作者:
Kajiwara Y.
;
Watakabe Y.
;
Bessho M.
;
Yukimoto Y.
;
Shirahata K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
89.
New type of varactor diode having strongly nonlinear C-V characteristics
机译:
具有强非线性C-V特性的新型变容二极管
作者:
Kaneda S.
;
Shirota S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
90.
Gunn effect high-speed carry finding device for 8-bit binary adder
机译:
用于8位二进制加法器的耿氏效应高速进位查找装置
作者:
Hashizume N.
;
Kawashima M.
;
Tomizawa K.
;
Morisue M.
;
Kataoka S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
91.
Physics underlying improved efficiency of high-low-junction emitter silicon solar cells
机译:
高低结发射极硅太阳能电池效率提高的基础物理学
作者:
Fossum J.G.
;
Lindholm F.A.
;
Sah C.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
92.
Gyrotrons for high power millimeter wave generation
机译:
产生高功率毫米波的陀螺仪
作者:
Jory H.R.
;
Friedlander F.
;
Hegji S.J.
;
Shively J.F.
;
Symons R.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
93.
Double ion implanted DSAMOS-bipolar devices
机译:
双离子注入DSAMOS双极器件
作者:
Murakami K.
;
Ueda M.
;
Ohmori M.
;
Ohkura I.
;
Horiba Y.
;
Nakano T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
94.
Two-dimensional nonisothermal carrier flow in a transistor structure under reactive circuit conditions
机译:
电抗电路条件下晶体管结构中的二维非等温载流子
作者:
Turgeon L.J.
;
Navon D.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
95.
A study of quench-in defects and interface states of MOS structures
机译:
MOS结构的淬火缺陷和界面态研究
作者:
Wang K.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
96.
Thin film EL — Prognosis for panel displays
机译:
薄膜EL —面板显示器的预后
作者:
Fugate K.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
97.
Bias-assisted photoemission in the 1-2 micron range
机译:
1-2微米范围内的偏压辅助光发射
作者:
Escher J.S.
;
Gregory P.E.
;
Hyder S.B.
;
Houng Y.M.
;
Antypas G.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
98.
Crossed-field beam tester
机译:
交叉场光束测试仪
作者:
Doehler O.
;
Dohler G.
;
Friz W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
99.
Microwave tube requirements for communications satellite systems
机译:
通信卫星系统的微波管要求
作者:
Strauss R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
100.
A nonvolatile memory FET using PLT thin film gate
机译:
使用PLT薄膜栅极的非易失性存储器FET
作者:
Hamakawa Y.
;
Matsui Y.
;
Higuma Y.
;
Nakagawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1977 International》
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