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1.
Transmission electrom microscopy (TEM) defect studies of molecular beam epitaxy (MBE) grown ZnSxSe1-x/GaAs interface
机译:
分子束外延(MBE)生长的ZnSxSe1-x / GaAs界面的透射电镜(TEM)缺陷研究
作者:
Li-Hsin Kuo
;
Univ. of Maryland/College Park
;
College Park
;
MD
;
USA
;
Lourdes Salamanca-Riba
;
Univ. of Maryland/College Park
;
Bethesda
;
MD
;
USA
;
G.E. Hofler
;
3M Photonics Research Lab.
;
St. Paul
;
MN
;
USA
;
Bor-Jen Wu
;
3M Photonics Research Lab.
;
St. Paul
;
MN
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
2.
Substrate-quality ternary III-V single crystals for II-VI device a
机译:
用于II-VI器件的具有衬底质量的三元III-V单晶
作者:
William A. Bonner
;
Crystallod Inc.
;
Martinsville
;
NJ
;
USA
;
Brian Lent
;
Crystallod Inc.
;
Victoria
;
BC
;
Canada
;
Donald J. Freschi
;
Johnson Matthey Electronics/Crystar Research Inc.
;
Victoria
;
BC
;
Canada
;
W.Hoke
;
Raytheon Co.
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
3.
Structural and interfacial studies on Zn1-xMgxSySe1-y/ZnSe buffer layer/GaAs heterostructures
机译:
Zn1-xMgxSySe1-y / ZnSe缓冲层/ GaAs异质结构的结构和界面研究
作者:
Li-Hsin Kuo
;
Univ. of Maryland/College Park
;
College Park
;
MD
;
USA
;
Lourdes Salamanca-Riba
;
Univ. of Maryland/College Park
;
Bethesda
;
MD
;
USA
;
Bor-Jen Wu
;
3M Photonics Research Lab.
;
St. Paul
;
MN
;
USA
;
Jim M. DePuydt
;
3M Photonics Research Lab.
;
St. Paul
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
4.
Spectroscopic ellipsometry as a real-time sensor for the fabrication of infrared photodiodes
机译:
椭圆偏振光谱法作为制造红外光电二极管的实时传感器
作者:
Patricia B. Smith
;
Texas Instruments Inc.
;
Grapevine
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
5.
RIE control by optical emission endpoint detection in IR focal plane array production
机译:
通过红外焦平面阵列生产中的光发射终点检测进行RIE控制
作者:
Glennis J. Orloff
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
6.
Photoluminescence and Raman scattering characterization of As-grown and implanted bulk ZnSe crystals
机译:
生长和注入的块状ZnSe晶体的光致发光和拉曼散射表征
作者:
Mulpuri V. Rao
;
George Mason Univ.
;
Fairfax
;
VA
;
USA
;
Jaime A. Freitas
;
Jr.
;
SFA
;
Inc.
;
Landover
;
MD
;
USA
;
Harry B. Dietrich
;
Naval Research Lab.
;
Washington
;
DC
;
USA
;
Alok K. Berry
;
George Mason Univ.
;
Fairfax
;
VA
;
USA
;
J.Vellanki
;
George Mason Univ.
;
Fa
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
7.
Production of low-cost large-area CdZnTe films by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on GaAs and Si substrates
机译:
在GaAs和Si衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生产低成本大面积CdZnTe薄膜
作者:
N.H. Karam
;
Spire Corp.
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
F.T. Smith
;
Loral Infrared
;
Imaging Systems
;
Inc.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
R.Sudharsanan
;
Spire Corp.
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
A.Mastrovito
;
Spire Corp.
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
J.T. Daly
;
Spire Corp.
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
Michael M
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
8.
Producibility improvements suggested by a validated process model of seeded CdZnTe vertical Bridgman growth
机译:
验证的CdZnTe垂直Bridgman种子生长工艺模型表明可提高生产率
作者:
David J. Larson
;
Jr.
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Bethpage
;
NY
;
USA
;
Louis G. Casagrande
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Bethpage
;
NY
;
USA
;
Don Di Marzio
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Northport
;
NY
;
USA
;
A.Levy
;
Grumman Corporate Research Ctr.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
9.
Producibility of Vertically Integrated Photodiode (VIP)tm scanning focal plane arrays
机译:
垂直集成光电二极管(VIP)TM扫描焦平面阵列的可生产性
作者:
Arthur M. Turner
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Towfik Teherani
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
John C. Ehmke
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Cindy Pettitt
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Peggy Conlon
;
Texas Instru
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
10.
Principal strain tensor elements for (h,h,k)-oriented cubic crystals: anapplication to ZnSe-based heterostructures,
机译:
(h,h,k)取向立方晶体的主要应变张量元素:在ZnSe基异质结构中的应用
作者:
Tunchen D. Fang
;
Univ. of Dayton
;
Dayton
;
OH
;
USA
;
D.N. Talwar
;
Indiana Univ. of Pennsylvania
;
Indiana
;
PA
;
USA
;
N.C. Giles
;
West Virginia Univ.
;
Morgantown
;
WV
;
USA.
会议名称:
《》
|
1994年
11.
Nondestructive characterization of II-VI materials for infrared detection by scanned photoluminescence
机译:
II-VI材料的无损表征,用于通过扫描光致发光进行红外检测
作者:
Michel Wolny
;
LETI/CEA-Technologies Avancees
;
Grenoble Cedex
;
France
;
T.Duluc
;
LETI/CEA-Technologies Avancees
;
Grenoble Cedex
;
France
;
C.Linne
;
LETI/CEA-Technologies Avancees
;
Grenoble Cedex
;
France.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
12.
Application of advanced sensors to the liquid phase epitaxy (LPE) growthof MCT,
机译:
先进传感器在MCT液相外延(LPE)生长中的应用
作者:
Glenn H. Westphal
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Luigi Colombo
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Jeff M. Anderson
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
13.
Molecular beam epitaxy (MBE) HgCdTe flexible growth technology for the manufacturing of infrared photovoltaic detectors
机译:
分子束外延(MBE)HgCdTe柔性生长技术,用于制造红外光电探测器
作者:
Jose M. Arias
;
Rockwell International Science Ctr.
;
Thousand Oaks
;
CA
;
USA
;
John G. Pasko
;
Rockwell International Science Ctr.
;
Thousand Oaks
;
CA
;
USA
;
Majid Zandian
;
Rockwell International Science Ctr.
;
Thousand Oaks
;
CA
;
USA
;
Jagmohan Bajaj
;
Rockwell In
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
14.
Mercury cadmium telluride (MCT) TDI arrays producibility
机译:
碲化镉镉(MCT)TDI阵列的生产能力
作者:
Daniel Zenatti
;
SOFRADIR
;
Chatenay-Malabry
;
France
;
Patrick Radisson
;
SOFRADIR
;
Chatenay Malabry
;
France.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
15.
Large-volume production of HgCdTe by di
机译:
di大量生产HgCdTe
作者:
Luigi Colombo
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Glenn H. Westphal
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
16.
Iodine doping and MOCVD in-situ growth of HgCdTe p-on-n heterojunctions
机译:
HgCdTe p-on-n异质结的碘掺杂和MOCVD原位生长
作者:
Pradip Mitra
;
Loral Vought Systems Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Thomas R. Schimert
;
Loral Vought Systems Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Francine C. Case
;
Loral Vought Systems Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Y.L. Tyan
;
Loral Vought Systems Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
M.Kestigian
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
17.
High-quality ZnSe on GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using diethylzinc (DEZn) and diethyselenide (DESe)
机译:
使用二乙基锌(DEZn)和二乙硒化物(DESe)通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的GaAs上的高质量ZnSe
作者:
Jyh-Chia Chen
;
Univ. of Maryland/Baltimore County
;
Baltimore
;
MD
;
USA
;
Bing Yang
;
Univ. of Maryland/Baltimore County
;
Baltimore
;
MD
;
USA
;
Alph F. Semendy
;
Army Research Lab.
;
Fort Belvoir
;
VA
;
USA
;
William W. Clark
;
III
;
Army Research Lab.
;
Fort Belvoir
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
18.
Highly producible HgCdTe molecular beam epitaxy growth technique using radiational substrate heating
机译:
使用辐射底物加热的高产量HgCdTe分子束外延生长技术
作者:
Tokuhito Sasaki
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Naoki Oda
;
NEC Corp.
;
Kawasaki
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
19.
Electrical effects of subgrain boundaries twins dislocations and Te precipitation on long-wavelength IR HgCdTe photodiode arrays
机译:
亚晶界孪晶位错和Te沉淀对长波长IR HgCdTe光电二极管阵列的电效应
作者:
R. Scott List
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
John H. Tregilgas
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Arthur M. Turner
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Jeff D. Beck
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
John C. Ehmke
;
Texas Inst
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
20.
Direct determination of level diagram in CdS by means of two-photon photoelectron spectroscopy
机译:
双光子光电子能谱法直接测定CdS中的能级图
作者:
Andrew V. Shepelev
;
Central Design Bureau for Unique Instrumentation
;
Moscow
;
Russia.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
21.
Direct growth of single-domain and twin-free CdTe(111)B on vicinal Si(001) by molecular beam epitaxy
机译:
单域和双自由CdTe(111)B通过分子束外延在邻近Si(001)上直接生长
作者:
Y.P. Chen
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Jean-Pierre Faurie
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Sivalingam Sivananthan
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
22.
Automated radiometric cryoprobe of IR focal plane array wafers
机译:
红外焦平面阵列晶片的自动辐射低温探针
作者:
Stephen L. Whicker
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
23.
Cation impurity interactions in Hg1-xCdxTe
机译:
Hg1-xCdxTe中的阳离子杂质相互作用
作者:
Jose L. Melendez
;
Stanford Univ.
;
Garland
;
TX
;
USA
;
C.R. Helms
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
John H. Tregilgas
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Jerome Elkind
;
Texas Instruments Inc.
;
Stafford
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
24.
Application of advanced sensors to the liquid phase epitaxy (LPE) growth of MCT
机译:
先进传感器在MCT液相外延(LPE)生长中的应用
作者:
Author(s): Glenn H. Westphal Texas Instruments Inc. Dallas TX USA
;
Luigi Colombo Texas Instruments Inc. Dallas TX USA
;
Jeff M. Anderson Texas Instruments Inc. Dallas TX USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
25.
Behavior of Sofradir detector dewar assembly under operational conditions
机译:
Sofradir检测器杜瓦瓶组件在运行条件下的行为
作者:
Jacques Veyrier
;
SOFRADIR
;
Chatenay Malabry
;
France
;
Christian Brodin
;
SOFRADIR
;
Chatenay Malabry
;
France
;
Serge Magli
;
SOFRADIR
;
Chatenay Malabry
;
France.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
26.
Principal strain tensor elements for (hhk)-oriented cubic crystals: an application to ZnSe-based heterostructures
机译:
(hhk)取向立方晶体的主要应变张量元素:在基于ZnSe的异质结构中的应用
作者:
Author(s): Tunchen D. Fang Univ. of Dayton Dayton OH USA
;
D.N. Talwar Indiana Univ. of Pennsylvania Indiana PA USA
;
N.C. Giles West Virginia Univ. Morgantown WV USA.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
27.
Ultrafast molecular beam epitaxy (MBE) CdTe photoconductor array for synchrotron radiation
机译:
用于同步辐射的超快分子束外延(MBE)CdTe光电导体阵列
作者:
Sung-Shik Yoo
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Brian G. Rodricks
;
Argonne National Lab.
;
Argonne
;
IL
;
USA
;
Sivalingam Sivananthan
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Jean-Pierre Faurie
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
P
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
28.
Vertical Bridgman growth of large-diameter (CdZn)Te crystals
机译:
大直径(CdZn)Te晶体的垂直Bridgman生长
作者:
Greg T. Neugebauer
;
II-VI Inc.
;
Large
;
PA
;
USA
;
Rajaram Shetty
;
II-VI Inc.
;
Saxonburg
;
PA
;
USA
;
Chris K. Ard
;
II-VI Inc.
;
Saxonburg
;
PA
;
USA
;
R.A. Lancaster
;
Loral Infrared
;
Imaging Systems
;
Inc.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Peter W. Norton
;
Loral Infrared
;
Imaging
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
29.
Wideband magneto-optical characterization of HgCdTe
机译:
HgCdTe的宽带磁光表征
作者:
Joseph K. McDonald
;
U.S. Army Missile Command
;
Redstone Arsenal
;
AL
;
USA
;
George A. Tanton
;
Teledyne Brown Engineering
;
Huntsville
;
AL
;
USA
;
John A. Grisham
;
U.S. Army Missile Command
;
Redstone Arsenal
;
AL
;
USA
;
Charles R. Christensen
;
U.S. Army Missile C
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
30.
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) studies on Zn/Cd selenide thin films grown by electron-beam deposition
机译:
X射线光电子能谱(XPS)研究电子束沉积生长的Zn / Cd硒化物薄膜
作者:
D.R. Rao
;
Indian Institute of Technology
;
Kharagpur
;
India
;
R.Islam
;
Indian Institute of Technology
;
Kharagpur
;
India.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
31.
Monograin A2B6 powders
机译:
单粒A2B6粉末
作者:
Enn Mellikov
;
Tallinn Technical Univ.
;
Tallinn
;
Estonia
;
Jaan Hiie
;
Tallinn Technical Univ.
;
Tallinn
;
Estonia
;
Mare Altosaar
;
Tallinn Technical Univ.
;
Tallinn
;
Estonia.
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
32.
Magneto-optical characterization of HgCdTe thin films
机译:
HgCdTe薄膜的磁光表征
作者:
A.J. Syllaios
;
Texas Instruments Inc.
;
Richardson
;
TX
;
USA
;
Jeff M. Anderson
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Luigi Colombo
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Chris L. Littler
;
Univ. of North Texas
;
Denton
;
TX
;
USA
;
G.J. Brostow
;
Univ. of
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
33.
Self-aligned molecular beam epitaxy of CdZnTe for IR focal plane arrays
机译:
CdZnTe自对准分子束外延用于红外焦平面阵列
作者:
Nibir K. Dhar
;
Army Research Lab.
;
Fort Belvoir
;
VA
;
USA
;
Phillip R. Boyd
;
Army Research Lab.
;
Fort Belvoir
;
VA
;
USA
;
P.M. Amirtharaj
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
J.H. Dinan
;
U.S. Army Night Vision Electronic Senso
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
34.
Scale-up of LPE processes for flexibility in manufacturing
机译:
扩大LPE工艺以提高制造灵活性
作者:
Peter W. Norton
;
Loral Infrared
;
Imaging Systems
;
Inc.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Paul LoVecchio
;
Loral Infrared
;
Imaging Systems
;
Inc.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Guy P. Pultz
;
Loral Infrared
;
Imaging Systems
;
Inc.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
James Hughes
;
Loral Infrared
;
Imagi
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
35.
Large-area x-ray topographic screening of II-VI substrates and epilayers
机译:
II-VI底物和外延层的大面积X射线地形图筛选
作者:
Don Di Marzio
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Northport
;
NY
;
USA
;
David J. Larson
;
Jr.
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Bethpage
;
NY
;
USA
;
Louis G. Casagrande
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Bethpage
;
NY
;
USA
;
Jun Wu
;
SUNY/Stony Brook
;
Stony Brook
;
N
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
36.
Growth of large-area high-quality CdZnTe substrates by the computer-controlled vertical Bridgman method
机译:
通过计算机控制的垂直Bridgman方法生长大面积高质量CdZnTe衬底
作者:
Louis G. Casagrande
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Bethpage
;
NY
;
USA
;
David J. Larson
;
Jr.
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Bethpage
;
NY
;
USA
;
Don Di Marzio
;
Grumman Corporate Research Ctr.
;
Northport
;
NY
;
USA
;
Jun Wu
;
SUNY/Stony Brook
;
Stony Brook
;
N
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
37.
Effect of subgrain boundaries on the producibility of detector arrays fabricated on traveling heater method (THM) materials
机译:
亚晶界对使用行进加热器方法(THM)材料制造的探测器阵列的可生产性的影响
作者:
Y.Juravel
;
Semi-Conductor Devices
;
Haifa
;
Israel
;
Avishai Kepten
;
Semi-Conductor Devices
;
Haifa
;
Israel
;
Avraham Fraenkel
;
Semi-Conductor Devices
;
Haifa
;
Israel
;
E.Weiss
;
Semi-Conductor Devices
;
Haifa
;
Israel
;
A.Marcus
;
Semi-Conductor Devices
;
Haifa
;
Isra
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
38.
Commercialization of liquid phase epitaxy (LPE) HgCdTe material detectors and arrays
机译:
液相外延(LPE)HgCdTe材料探测器和阵列的商业化
作者:
Muren Chu
;
Fermionics Corp.
;
Simi Valley
;
CA
;
USA
;
Sevag Terterian
;
Fermionics Corp.
;
Simi Valley
;
CA
;
USA
;
Hrayr K. Gurgenian
;
Fermionics Corp.
;
Simi Valley
;
CA
;
USA
;
Yet-Zen Liu
;
Fermionics Corp.
;
Simi Valley
;
CA
;
USA
;
C.C. Wang
;
Fermionics Corp.
;
Simi
会议名称:
《Producibility of II-VI Materials and Devices》
|
1994年
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