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Advances in Resist Technology and Processing XVI
Advances in Resist Technology and Processing XVI
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1.
Characterizing acid mobility in chemically amplified resists via spectroscopic methods
机译:
通过光谱法表征化学放大抗蚀剂中的酸迁移率
作者:
Julie L. Jessop
;
Michigan State Univ.
;
East Lansing
;
MI
;
USA
;
Scott N. Goldie
;
Michigan State Univ.
;
East Lansing
;
MI
;
USA
;
Alec B. Scranton
;
Michigan State Univ.
;
East Lansing
;
MI
;
USA
;
Gary J. Blanchard
;
Michigan State Univ.
;
East Lansing
;
MI
;
USA
;
Bharath Rangarajan
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Luigi Capodieci
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Ramkumar Subramanian
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Michael K. Templeton
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
2.
Chemically amplified resist based on the methacrylate polymer with 2-trimethylsilyl-2-propyl ester protecting group
机译:
基于带有2-三甲基甲硅烷基-2-丙基酯保护基的甲基丙烯酸酯聚合物的化学放大抗蚀剂
作者:
Jin-Baek Kim
;
Korea Advanced Institute of Science
;
Technology
;
Seoul
;
South Korea
;
Hyunwoo Kim
;
Korea Advanced Institute of Science
;
Technology
;
Seoul
;
South Korea
;
Si-Hyeung Lee
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Suwon
;
South Korea
;
Sang-Jun Choi
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Suwon
;
South Korea
;
Jootae Moon
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin Kyungki-Do
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
3.
Chemically amplified resists using the absorption band shift method in conjunction with alicyclic compounds for ArF excimer laser lithography
机译:
使用吸收带移方法结合脂环族化合物进行化学放大的抗蚀剂,用于ArF准分子激光光刻
作者:
Takeshi Okino
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan
;
Koji Asakawa
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan
;
Naomi Shida
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan
;
Tohru Ushirogouchi
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
4.
Comparison of measured sidewall roughness for positive-tone chemically amplified resists exposed by x-ray lithography
机译:
X射线光刻曝光的正性化学放大抗蚀剂的测量侧壁粗糙度的比较
作者:
Geoffrey W. Reynolds
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Stoughton
;
WI
;
USA
;
James W. Taylor
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Stoughton
;
WI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
5.
Design of a new bottom antireflective coating composition for KrF resist
机译:
用于KrF抗蚀剂的新型底部抗反射涂料组合物的设计
作者:
Kazuyoshi Mizutani
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun Shizukoa
;
Japan
;
Makoto Momota
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun Shizuoka
;
Japan
;
Toshiaki Aoai
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun Shizuoka
;
Japan
;
Morio Yagihara
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun Shizuoka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
6.
Design of acid labile protecting groups in chemically amplified resists
机译:
化学放大抗蚀剂中酸不稳定保护基的设计
作者:
Jun Fujita
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Koshi Sasaki
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Yasuhiro Kameyama
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Yuzuru Chika
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Takeshi Kashiwagi
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Takaaki Niinomi
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku Yokohama
;
Japan
;
Yuki Tanaka
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku Yokohama
;
Japan
;
Shinji Tarutani
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Tameichi Ochiai
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aobaku Yokohama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
7.
Evaluation of PAC performance in a thick film photoresist
机译:
厚膜光刻胶中PAC性能的评估
作者:
Kathryn H. Jensen
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Stanley A. Ficner
;
Clariant Corp.
;
Bethlehem
;
PA
;
USA
;
Yvette M. Perez
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
8.
High-performance chemically amplified positive electron-beam resist
机译:
高性能化学放大正电子束抗蚀剂
作者:
Takahisa Namiki
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Atsugi
;
Japan
;
Jun-Ichi Kon
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Atsugi
;
Japan
;
Ei Yano
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Atsugi
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
9.
Microswelling-free negative resists for ArF excimer laser lithography utilizing acid-catalyzed intramolecular esterification
机译:
利用酸催化分子内酯化的ArF准分子激光光刻技术的无微溶负性抗蚀剂
作者:
Takashi Hattori
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Yuko Tsuchiya
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Yoshiyuki Yokoyama
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Hiroaki Oizumi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Taku Morisawa
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Atsuko Yamaguchi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Hiroshi Shiraishi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
10.
Nanolithography of positive and negative structures by scanning probe microscopy using force modulation
机译:
通过使用力调制的扫描探针显微镜对正负结构进行纳米光刻
作者:
Ansgar Koerbes
;
Bergische Univ. Wuppertal
;
Wuppertal
;
Germany
;
Ludwig J. Balk
;
Bergiche Univ. Wuppertal
;
Wuppertal
;
Germany
;
J. Walter Schultze
;
Heinrich-Heine-Univ. Duesseldorf
;
Duesseldorf
;
Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
11.
Advanced metal lift-off process using electron-beam flood exposure of single-layer photoresist
机译:
使用单层光刻胶的电子束泛光曝光进行先进的金属剥离工艺
作者:
Jason P. Minter
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Matthew F. Ross
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William R. Livesay
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Selmer S. Wong
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Mark E. Narcy
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Trey Marlowe
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
12.
Optimizing a DUV positive resist for metal layers
机译:
优化用于金属层的DUV正性抗蚀剂
作者:
Sanjay Malik
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
E Providence
;
RI
;
USA
;
Brian Maxwell
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
E Providence
;
RI
;
USA
;
Anna Gandolfi
;
STMicroelectronics
;
Agrate Brianza
;
Italy
;
Alberto Ornaghi
;
STMicroelectronics
;
Agrate
;
Italy
;
Allyn Whewell
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Kenneth Uhnak
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Stefano Volpi
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
Milano
;
Italy
;
Willy Van Driessche
;
Arch Chemicals
;
N.V.
;
Leuven
;
Belgium
;
Thomas R. Sarubbi
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
North Kingstown
;
RI
;
USA
;
Steven G. Hansen
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Murrae J. Bowden
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
13.
Process margin in ArF lithography considering process window distortion
机译:
考虑工艺窗口变形的ArF光刻工艺裕度
作者:
Ichiro Okabe
;
Semiconductor Leading Edge Technology
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Takeshi Ohfuji
;
Semiconductor Leading Edge Technology
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Masayuki Endo
;
Semiconductor Leading Edge Technology
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Hiroaki Morimoto
;
Semiconductor Leading Edge Technology
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
14.
Bilayer silylation process for 193-nm lithography
机译:
193 nm光刻的双层甲硅烷基化工艺
作者:
Isao Satou
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Koichi Kuhara
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Masayuki Endo
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Hiroaki Morimoto
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
15.
Characterization and lithographic parameter extraction for the modified resists
机译:
改性抗蚀剂的表征和光刻参数提取
作者:
Fu-Hsiang Ko
;
National Chiao Tung Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
June-Kuen Lu
;
National Tsing Hua Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Tieh-Chi Chu
;
National Tsing Hua Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Tiao Y. Huang
;
National Chiao Tung Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Chin-Cheng Yang
;
National Chiao Tung Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Jinn-Tsair Sheu
;
National Chiao Tung Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Hui-Ling Huang
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
16.
Chemical aspects of silicon-containing bilayer resists
机译:
含硅双层抗蚀剂的化学方面
作者:
Larry D. Boardman
;
3M Co.
;
St Paul
;
MN
;
USA
;
Carl R. Kessel
;
3M Co.
;
St Paul
;
MN
;
USA
;
Steven J. Rhyner
;
3M Co.
;
St Paul
;
MN
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
17.
Chemically amplified resists: past present and future
机译:
化学放大抗蚀剂:过去和现在
作者:
Hiroshi Ito
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
18.
Conjugate heat transfer analysis of 300-mm bake station
机译:
300 mm烘烤站的共轭传热分析
作者:
Ram N. Ramanan
;
FSI International
;
Inc.
;
Allen
;
TX
;
USA
;
Frank F. Liang
;
FSI International
;
Inc.
;
Allen
;
TX
;
USA
;
James B. Sims
;
FSI International
;
Inc.
;
Allen
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
19.
CVD photoresist performance for 248-nm lithography
机译:
248 nm光刻的CVD光阻性能
作者:
Cedric Monget
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Olivier P. Joubert
;
France Telecom CNET-CNS
;
Lab. des Technologies de la Microelectronique
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Timothy W. Weidman
;
Applied Materials
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Olivier Toublan
;
France Telecom CNET-CNS
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Jean-Pierre Panabiere
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Andre P. Weill
;
France Telecom CNET-CNS
;
Crolles Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
20.
Effect of developer temperature and normality on chemically amplified photoresist dissolution
机译:
显影剂温度和正常度对化学放大光刻胶溶解的影响
作者:
Mark J. Maslow
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jeffrey D. Byers
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
21.
Effects of amines on postlithographic photo and thermal curing of deep-UV resists
机译:
胺对深紫外抗蚀剂的光刻后光固化和热固化的影响
作者:
Robert D. Mohondro
;
Eaton Corp.
;
Rockville
;
MD
;
USA
;
John S. Hallock
;
Eaton Corp.
;
Rockville
;
MD
;
USA
;
Ivan L. Berry
;
Eaton Corp.
;
Rockville
;
MD
;
USA
;
Roy A. Martinez
;
Eaton Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
22.
Electrical property study of line-edge roughness in top surface imaging process by silylation
机译:
硅烷化在顶面成像过程中线边缘粗糙度的电特性研究
作者:
Myoung-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyungki-do
;
South Korea
;
Hyoung-Gi Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Seung Ho Pyi
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyungki-do
;
South Korea
;
Hyeong-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Kiho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si KyoungGi-do
;
South Korea
;
Ilhyun Choi
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyungki-do
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
23.
Experimental method for quantifying acid diffusion in chemically amplified resists
机译:
定量化学放大抗蚀剂中酸扩散的实验方法
作者:
Gregory M. Wallraff
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
William D. Hinsberg
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Frances A. Houle
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Mons D. Morrison
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Carl E. Larson
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Martha I. Sanchez
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
John A. Hoffnagle
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Phillip J. Brock
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Gregory Breyta
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
24.
Lithographic process for high-resolution metal lift-off
机译:
用于高分辨率金属剥离的光刻工艺
作者:
Randy Redd
;
Motorola
;
USA
;
Mark A. Spak
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
John P. Sagan
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Octavia P. Lehar
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
25.
Non-chemically amplified 193-nm top surface imaging photoresist development: polymer substituent and polydispersity effects
机译:
非化学放大的193 nm顶面成像光刻胶开发:聚合物取代基和多分散性效应
作者:
Myoung-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyungki-do
;
South Korea
;
Hyoung-Gi Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Hyeong-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Kiho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si KyoungGi-do
;
South Korea
;
Donald W. Johnson
;
MicroChem Corp.
;
Newton
;
MA
;
USA
;
George J. Cernigliaro
;
Advanced Nanotechnologies
;
Inc.
;
Lowell
;
MA
;
USA
;
David W. Minsek
;
MicroChem Corp.
;
Newton
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
26.
Novel 193-nm single-layer resist containing a multifunctional monomer
机译:
包含多功能单体的新型193 nm单层抗蚀剂
作者:
Geunsu Lee
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Cha-Won Koh
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Jae-Chang Jung
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Min-Ho Jung
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Hyeong-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Kiho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si KyoungGi-do
;
South Korea
;
Ilhyun Choi
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyungki-do
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
27.
Novel e-beam resist with alicyclic olefin moieties for high etch selectivity
机译:
具有脂环族烯烃部分的新型电子束抗蚀剂具有高蚀刻选择性
作者:
Sung-Eun Hong
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Chi-Hyeong Roh
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Jae-Chang Jung
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Min-Ho Jung
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Hyeong-Soo Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Kiho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si KyoungGi-do
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
28.
Organic antireflective coatings for 193-nm lithography
机译:
用于193 nm光刻的有机抗反射涂层
作者:
Peter Trefonas
;
III
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Robert F. Blacksmith
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Charles R. Szmanda
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Robert J. Kavanagh
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Timothy G. Adams
;
Shipley Co. Inc.
;
Judbury
;
MA
;
USA
;
Gary N. Taylor
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Suzanne Coley
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Gerd Pohlers
;
Shipley Co. Inc.
;
Ottawa
;
ON
;
Canada.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
29.
Outlook for 157-nm resist design
机译:
157 nm抗蚀剂设计的展望
作者:
Roderick R. Kunz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Theodore M. Bloomstein
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
D.E. Hardy
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Russell B. Goodman
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
D.K. Downs
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Jane E. Curtin
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
30.
Photoresist silylation and 'swelling': simulation using finite element analysis and physical boundary movement algorithms
机译:
光刻胶甲硅烷基化和“溶胀”:使用有限元分析和物理边界运动算法进行模拟
作者:
Arousian Arshak
;
Univ. of Limerick
;
Limerick
;
Ireland
;
Thomas J. Kinsella
;
Intel Ireland Ltd.
;
Leixlip Co. Kildare
;
Ireland
;
Declan McDonagh
;
Integrated Devices Technology Inc.
;
Limerick
;
Ireland.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
31.
Process and performance optimization of bottom antireflective coatings: II
机译:
底部抗反射涂层的工艺和性能优化:II
作者:
Shuji Ding
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
John P. Sagan
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Jianhui Shan
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Eleazar Gonzalez
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Sunit S. Dixit
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Ying Liu
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Dinesh N. Khanna
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
32.
Screening of DNQovolac resists with e-beam exposure
机译:
通过电子束曝光筛选DNQ /线型抗蚀剂
作者:
Theodore H. Fedynyshyn
;
MIT Lincoln Lab.
;
Sudbury
;
MA
;
USA
;
Scott P. Doran
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Michele L. Lind
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Theodore M. Lyszczarz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
William F. DiNatale
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Donna Lennon
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Charles A. Sauer
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
Jeff Muete
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
33.
Spinnable and UV-patternable hybrid sol-gel silica glass for direct semiconductor dielectric layer manufacturing
机译:
可纺和可紫外图案化的混合溶胶-凝胶石英玻璃,用于直接半导体介电层的制造
作者:
Mark P. Andrews
;
McGill Univ.
;
Montreal
;
QC
;
Canada
;
Ping L. Zhang
;
LSI
;
Logic
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
S. Iraj Najafi
;
Ecole Polytechnique
;
Dorval
;
QC
;
Canada
;
Keith K. Chao
;
LSI
;
Logic
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Nicholas F. Pasch
;
LSI
;
Logic
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
34.
Top antireflective coating process for deep-UV lithography
机译:
适用于深紫外光刻的顶级抗反射涂层工艺
作者:
Allen C. Fung
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Binder K. Mann
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Ronald J. Eakin
;
Clariant Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Pierre Silvestre
;
Clariant Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Brad Williams
;
Clariant Corp.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Jason Miyake
;
Clariant Corp.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Yusuke Takano
;
Clariant (Japan) K.K.
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
35.
Analysis of molecular diffusion in resist polymer films simulated by molecular dynamics
机译:
用分子动力学模拟分析抗蚀剂聚合物膜中的分子扩散
作者:
Minoru Toriumi
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokahama
;
Japan
;
Takeshi Ohfuji
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Masayuki Endo
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Hiroaki Morimoto
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
36.
Chemical and processing aspects of thin imaging layers
机译:
薄成像层的化学和处理方面
作者:
Wendy F. Gehoel-van Ansem
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Frank Linskens
;
Shipley Europe Ltd.
;
Venray
;
Netherlands
;
Vinh P. Pham
;
ASM Lithography
;
Quebec
;
Canada.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
37.
Controlled developing time for higher-resolution i-line photoresist
机译:
受控的显影时间,用于更高分辨率的i线光刻胶
作者:
Yutaka Saito
;
Nagase Electronic Chemicals
;
Ltd.
;
Hyogo
;
Japan
;
Tatsuya Yamada
;
Nagase Electronic Chemicals
;
Ltd.
;
Hyogo
;
Japan
;
Kunio Itoh
;
Nagase Electronic Chemicals
;
Ltd.
;
Hyogo
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
38.
Develop temperature and process study on a thick film photoresist
机译:
在厚膜光刻胶上进行温度和工艺研究
作者:
Octavia P. Lehar
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Kathryn H. Jensen
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
39.
Improved resolution with advanced negative DUV photoresist with 0.26N capability
机译:
先进的负DUV光刻胶具有0.26N的能力,可提高分辨率
作者:
Gregory P. Prokopowicz
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Jacque H. Georger
;
Jr.
;
Shipley Co. Inc.
;
Holden
;
MA
;
USA
;
Eyad Ayyash
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
James W. Thackeray
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
William R. Brunsvold
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jnct
;
NY
;
USA
;
Laura L. Kosbar
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Ali Afzali
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Jeffrey D. Gelorme
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
40.
Low-temperature technique for thick film resist stabilization and curing
机译:
低温技术用于厚膜抗蚀剂的稳定和固化
作者:
Jason P. Minter
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Selmer S. Wong
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Trey Marlowe
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Matthew F. Ross
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Mark E. Narcy
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William R. Livesay
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
41.
New method for determination of the photoresist Dill parameters using spectroscopic ellipsometry
机译:
椭圆偏振光谱法测定光刻胶莳萝参数的新方法
作者:
Pierre Boher
;
SOPRA S.A.
;
Bois Colombes
;
France
;
Christophe Defranoux
;
SOPRA S.A.
;
Bois Colombes
;
France
;
Jean P. Piel
;
SOPRA S.A.
;
Bois Colombes
;
France
;
Jean-Louis P. Stehle
;
SOPRA S.A.
;
Bois Colombes
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
42.
NMR analysis of chemically amplified resist films
机译:
化学放大的抗蚀剂膜的NMR分析
作者:
Hiroshi Ito
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Mark Sherwood
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
43.
Aerial image contrast using interferometric lithography: effect on line-edge roughness
机译:
使用干涉光刻的航空影像对比度:对线边缘粗糙度的影响
作者:
Martha I. Sanchez
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
William D. Hinsberg
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Frances A. Houle
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
John A. Hoffnagle
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Hiroshi Ito
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Cattien Nguyen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
44.
Optical lithography simulation and photoresist optimization for photomask fabrication
机译:
用于光掩模制造的光刻模拟和光刻胶优化
作者:
Benjamen M. Rathsack
;
Univ. of Texas at Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Cyrus E. Tabery
;
Univ. of Texas at Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Steven A. Scheer
;
Univ. of Texas at Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Mike Pochkowski
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Tigard
;
OR
;
USA
;
Cecilia E. Philbin
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Round Rock
;
TX
;
USA
;
Franklin D. Kalk
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Clifford L. Henderson
;
Georgia Institute of Technology
;
Lilburn
;
GA
;
USA
;
Peter D. Buck
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Aloha
;
OR
;
USA
;
C. Grant Willson
;
Univ. of Texas at Austin
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
45.
Polymeric base additives for lithographic improvement in DUV resist system
机译:
用于DUV抗蚀剂系统的光刻改进的聚合物基础添加剂
作者:
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics Div.
;
East Fishkill
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
46.
Printing various feature types at low k factors with advanced i-line negative resists
机译:
使用先进的i线负性抗蚀剂以低k因子打印各种特征类型
作者:
J. Alexander Chediak
;
IBM Microelectronics Div.
;
Wappingers Falls
;
NY
;
USA
;
Derek Y. Chen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
David T. Long
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Premlatha Jagannathan
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
Charles Richwine
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Laura Benner
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
47.
Structural design of new alicyclic acrylate polymers with androstane moiety for 193-nm resist
机译:
用于193 nm抗蚀剂的具有雄甾烷部分的新型脂环族丙烯酸酯聚合物的结构设计
作者:
Toshiaki Aoai
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun Shizuoka
;
Japan
;
Kenichiro Sato
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun Shizuoka
;
Japan
;
Kunihiko Kodama
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun Shizuoka
;
Japan
;
Yasumasa Kawabe
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun Shizuoka
;
Japan
;
Hajime Nakao
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun Shizuoka
;
Japan
;
Morio Yagihara
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun Shizuoka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
48.
Sub-0.25-um i-line photoresist: the role of advanced resin technology
机译:
0.25um以下i-line光致抗蚀剂:先进树脂技术的作用
作者:
Cheng-Bai Xu
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Anthony Zampini
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Harold F. Sandford
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Joseph Lachowski
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Judy Carmody
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
49.
Thermal phenomena in acrylic 193-nm resists
机译:
丙烯酸193 nm抗蚀剂中的热现象
作者:
Patrick J. Paniez
;
France Telecom CNET-CNS
;
Issy Moulineaux Cedex 9
;
France
;
Severine Gally
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Benedicte P. Mortini
;
STMicroelectronics
;
Crolles Cedex
;
France
;
Charles Rosilio
;
CEA-CENS
;
Gif sur Yvette Cedex
;
France
;
Pierre-Olivier Sassoulas
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Ralph R. Dammel
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Munirathna Padmanaban
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Axel Klauck-Jacobs
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Joseph E. Oberlander
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
50.
Correlations between dissolution data and lithography of various resists
机译:
各种抗蚀剂的溶出度数据与光刻之间的相关性
作者:
Ronald DellaGuardia
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics Div.
;
East Fishkill
;
NY
;
USA
;
Kuang-Jung R. Chen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Doris Kang
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
51.
Progress of a CVD-based photoresist 193-nm lithography process
机译:
基于CVD的光刻胶193 nm光刻工艺的进展
作者:
Carol Y. Lee
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Dian Sugiarto
;
Applied Materials
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Ling Liao
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
David Mui
;
Applied Materials
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Timothy W. Weidman
;
Applied Materials
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Michael P. Nault
;
Applied Materials
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Tony Tryba
;
Applied Materials
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
52.
Accuracy of current model descriptions of a DUV photoresist
机译:
DUV光刻胶当前模型描述的准确性
作者:
Doris Kang
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Edward K. Pavelchek
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Catherine Swible-Keane
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
53.
Evaluation of electron beam stabilization for ion implant processing
机译:
离子注入处理中电子束稳定度的评估
作者:
Stephen J. Buffat
;
ZiLOG
;
Meridian
;
ID
;
USA
;
Bee Kickel
;
ZiLOG
;
Nampa
;
ID
;
USA
;
B.Philipps
;
ZiLOG
;
Nampa
;
ID
;
USA
;
J.Adams
;
ZiLOG
;
Nampa
;
ID
;
USA
;
Matthew F. Ross
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Jason P. Minter
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Trey Marlowe
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Selmer S. Wong
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
54.
Evaluation of stabilization techniques for ion implant processing
机译:
离子注入处理稳定技术的评估
作者:
Matthew F. Ross
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Selmer S. Wong
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Jason P. Minter
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Trey Marlowe
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Mark E. Narcy
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William R. Livesay
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
55.
High-resolution negative-tone chemically amplified i-line resists
机译:
高分辨率负性化学放大i线抗蚀剂
作者:
Edward W. Rutter
;
Jr.
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Jonathan C. Root
;
Shipley Co. Inc.
;
Waltham
;
MA
;
USA
;
Larry F. Bacchetti
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
56.
Impact of photoacid generator structure on DUV resist performance
机译:
光产酸剂结构对DUV抗蚀剂性能的影响
作者:
James F. Cameron
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Sheri L. Ablaza
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Guangyu Xu
;
Shipley Co. Inc.
;
Urbana
;
IL
;
USA
;
Wang Yueh
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
57.
Measurement of parameters for simulation of deep-UV lithography using an FT-IR baking system
机译:
使用FT-IR烘焙系统测量用于模拟深紫外光刻的参数
作者:
Atsushi Sekiguchi
;
Litho Tech Japan Corp.
;
Kawaguchi Saitama
;
Japan
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Mariko Isono
;
Litho Tech Japan Corp.
;
Kawaguchi Saitama
;
Japan
;
Toshiharu Matsuzawa
;
Litho Tech Japan Corp.
;
Kawaguchi Saitama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
58.
193-nm single-layer process for 150-nm technology generation and below
机译:
193纳米单层工艺,可用于150纳米及以下的技术
作者:
Gilles R. Amblard
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Peter Zandbergen
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Martin McCallum
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Alan Stephen
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jeffrey D. Byers
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kim R. Dean
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jeff Meute
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Carla M. Nelson
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
59.
Optimization of 300-mm coat exposure and develop processes for 180-nm and smaller features
机译:
优化300毫米涂层曝光并开发用于180纳米及更小的特征的工艺
作者:
Walter H. Swanson
;
Tokyo Electron America
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
John S. Petersen
;
Petersen Advanced Lithography
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Wang Pen Mo
;
SEMATECH
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Joseph A. Heck
;
SEMATECH
;
Intel Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
60.
Process characterization of 100-um-thick photoresist films
机译:
100微米厚光刻胶膜的工艺表征
作者:
Warren W. Flack
;
Ultratech Stepper
;
Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Sylvia White
;
Ultratech Stepper
;
Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Bradley Todd
;
Ultratech Stepper
;
Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
61.
Benzyloxypropene-protected PHS resist system for e-beam a
机译:
用于电子束a的苯甲氧基丙烯保护的PHS抗蚀剂系统
作者:
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics Div.
;
East Fishkill
;
NY
;
USA
;
Ranee W. Kwong
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wayne M. Moreau
;
IBM Microelectronics Div.
;
East Fishkill
;
NY
;
USA
;
Mark Chace
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Kim Y. Lee
;
Etec Systems
;
Inc.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
C.K. Hu
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
David Medeiros
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Marie Angelopoulos
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
62.
Carbon-rich cyclopolymers: their synthesis etch resistance and a
机译:
富碳环聚合物:它们的合成耐蚀性和
作者:
Dario Pasini
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Eric Low
;
Univ. of California/Berkeley
;
Tucson
;
AZ
;
USA
;
Robert P. Meagley
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Jean M. Frechet
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
C. Grant Willson
;
Univ. of Texas at Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jeffrey D. Byers
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
63.
Considerations for the use of a
机译:
使用注意事项
作者:
John L. Sturtevant
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Benjamin Ho
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kevin D. Lucas
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
John S. Petersen
;
Petersen Advanced Lithography
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Edward W. Charrier
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
William C. Peterson
;
JSR Microelectronics
;
Inc.
;
Campbell
;
CA
;
USA
;
Nobu Koshiba
;
JSR Microelectronics
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Gregg A. Barnes
;
JSR Microelectronics
;
Inc.
;
Round Rock
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
64.
Dual-layer inorganic SiON bottom ARC for 0.25-um DUV hard mask a
机译:
用于0.25um DUV硬掩模的双层无机SiON底部ARC
作者:
Qunying Lin
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Alex Cheng
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
SINGAPORE
;
Singapore
;
John L. Sudijono
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Charles Lin
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
65.
Performance impact of novel polymeric dyes in photoresist a
机译:
新型聚合物染料在光致抗蚀剂中的性能影响
作者:
Ping-Hung Lu
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Salem Mehtsun
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
John P. Sagan
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Jianhui Shan
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Eleazar Gonzalez
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
Shuji Ding
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Dinesh N. Khanna
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
66.
DUV and e-beam chemistry of high-sensitivity positive PMMA-based resist
机译:
高灵敏度正性PMMA基抗蚀剂的DUV和电子束化学
作者:
A.Uhl
;
Humboldt Univ. of Berlin
;
Institute for Semiconduc tor Physics
;
Berlin
;
Germany
;
Juergen Bendig
;
Humboldt Univ. of Berlin
;
Berlin
;
Germany
;
Ulrich A. Jagdhold
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt (Oder)
;
Germany
;
Joachim J. Bauer
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt
;
Oder
;
Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
67.
Block copolymers as additives: a route to enhanced resist performance
机译:
嵌段共聚物作为添加剂:增强抗蚀剂性能的途径
作者:
Narayan Sundararajan
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Kenji Ogino
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Suresh Valiyaveettil
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Jianguo Wang
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Shu Yang
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Atsushi Kameyama
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Christopher K. Ober
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Jeffrey D. Byers
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
68.
Color filter array for CCD and CMOS image sensors using a chemically amplified thermally cured pre-dyed positive-tone photoresist for 365-nm lithography
机译:
CCD和CMOS图像传感器的滤色器阵列,使用化学放大的热固化预染色正性光刻胶进行365 nm光刻
作者:
Harris R. Miller
;
Digital Optics Corp.
;
Charlotte
;
NC
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
69.
Edge lithography as a means of extending the limits of optical and nonoptical lithographic resolution
机译:
边缘光刻作为扩展光学和非光学光刻分辨率极限的一种手段
作者:
Steven J. Holmes
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
Toshiharu Furukawa
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
Mark C. Hakey
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
David V. Horak
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Paul A. Rabidoux
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Kuang-Jung R. Chen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics Div.
;
East Fishkill
;
NY
;
USA
;
Mahmoud Khojasteh
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Niranjan Patel
;
Intarsia Corp.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
70.
FT-IR method to determine Dill's C parameter for DNQovolac resists with e-beam and i-line exposure
机译:
FT-IR法确定带有电子束和i线曝光的DNQ /线型抗蚀剂的Dill C参数
作者:
Theodore H. Fedynyshyn
;
MIT Lincoln Lab.
;
Sudbury
;
MA
;
USA
;
Scott P. Doran
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
71.
Alternate novolak resin fractionation
机译:
交替酚醛清漆树脂分馏
作者:
Michelle M. Cook
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
M. Dalil Rahman
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Stanley F. Wanat
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Douglas S. McKenzie
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Balaji Narasimhan
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA
;
Robert K. Fea
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA
;
Melodie I. Munoz
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
72.
Comparative study of resist stabilization techniques for metal etch processing
机译:
用于金属蚀刻工艺的抗蚀剂稳定技术的比较研究
作者:
Gerry Becker
;
AlliedSignal Inc.
;
Columbia
;
MD
;
USA
;
Matthew F. Ross
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Selmer S. Wong
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Jason P. Minter
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Trey Marlowe
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William R. Livesay
;
AlliedSignal Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
73.
Effects of polymer structure on dissolution characteristics in chemically amplified 193-nm resists
机译:
聚合物结构对化学放大193 nm抗蚀剂溶解特性的影响
作者:
Toshiro Itani
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Hiroshi Yoshino
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Masaharu Takizawa
;
NEC Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Mitsuharu Yamana
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Hiroyoshi Tanabe
;
NEC Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Kunihiko Kasama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara-shi Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
74.
Methodology for modeling and simulating line-end shortening effects in deep-UV resist
机译:
建模和模拟深紫外线抗蚀剂中线端缩短效应的方法
作者:
Mosong Cheng
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Ebo H. Croffie
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
75.
Physico-chemical properties of polymers for 193-nm lithography incorporating alicyclic norbornene-alt-maleic anhydride structures
机译:
含脂环降冰片烯-马来酸酐结构的193nm光刻聚合物的理化性质
作者:
Patrick J. Paniez
;
France Telecom CNET-CNS
;
Issy Moulineaux Cedex 9
;
France
;
Franck Perrier
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Benedicte P. Mortini
;
STMicroelectronics
;
Crolles Cedex
;
France
;
Severine Gally
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Pierre-Olivier Sassoulas
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Charles Rosilio
;
CEA-CENS
;
Gif sur Yvette Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
76.
Polymer-platform-dependent characteristics of 193-nm photoresists
机译:
取决于聚合物平台的193 nm光刻胶的特性
作者:
Juliann Opitz
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Gregory Breyta
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Donald C. Hofer
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Martin
;
CA
;
USA
;
Narayan Sundararajan
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Christopher K. Ober
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
77.
Recent progress in 193-nm antireflective coatings
机译:
193 nm抗反射涂层的最新进展
作者:
James D. Meador
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Douglas J. Guerrero
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Gu Xu
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Xie Shao
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Norman Dobson
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
James Claypool
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Kelly Nowak
;
Brewer Science
;
Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
78.
Simple method for measuring acid generation quantum efficiency at 193 nm
机译:
测量193 nm处产酸量子效率的简单方法
作者:
Charles R. Szmanda
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Robert J. Kavanagh
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
John R. Bohland
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
James F. Cameron
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Peter Trefonas
;
III
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Robert F. Blacksmith
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
79.
Spin-coatable Al2O3 resists in electron-beam nanolithography
机译:
电子束纳米光刻技术中可旋涂的Al2O3抗蚀剂
作者:
M.S. Saifullah
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa Pref
;
Japan
;
Hideo Namatsu
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa-Pref
;
Japan
;
Toru Yamaguchi
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa-Pref
;
Japan
;
Kenji Yamazaki
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa-Pref.
;
Japan
;
Kenji Kurihara
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa Pref
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
80.
Contrast enhancement by alkali decomposable additives in chemically amplified negative i-line resists
机译:
碱性可分解添加剂在化学放大的负i线抗蚀剂中的对比度增强
作者:
Yasunori Uetani
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Hiroshi Moriuma
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Yuko Hirai
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Yoshiyuki Takata
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Airi Yamada
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
81.
Developer concentration influence on DUV process
机译:
显影剂浓度对DUV工艺的影响
作者:
Tsu-Yu Chu
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Ltd.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Kun-Pi Cheng
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Ltd.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
82.
Preparation of lower-dispersity fractionated novolak resins by ultracentrifugation
机译:
通过超速离心制备低分散度分馏的线型酚醛清漆树脂
作者:
Douglas S. McKenzie
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Michelle M. Cook
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
M. Dalil Rahman
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Stanley F. Wanat
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Melodie I. Munoz
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA
;
Robert K. Fea
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA
;
Balaji Narasimhan
;
Rutgers Univ.
;
Piscataway
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
83.
Effect of cresol monomers in three-component novolak resin on photolithographic performance
机译:
三组分线型酚醛清漆树脂中甲酚单体对光刻性能的影响
作者:
Woo-Kyu Kim
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA
;
M. Dalil Rahman
;
Clariant Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Stanley A. Ficner
;
Clariant Corp.
;
Bethlehem
;
PA
;
USA
;
Dinesh N. Khanna
;
Clariant Corp.
;
Branchburg
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
84.
Efficient simulation of postexposure bake processes in STORM
机译:
STORM中曝光后烘烤过程的高效仿真
作者:
Ebo H. Croffie
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Mosong Cheng
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Marco A. Zuniga
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
85.
Line-edge roughness characterized by polymer aggregates in photoresists
机译:
线边缘粗糙度以光刻胶中的聚合物聚集体为特征
作者:
Toru Yamaguchi
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa-Pref
;
Japan
;
Hideo Namatsu
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa-Pref
;
Japan
;
Masao Nagase
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa-Pref
;
Japan
;
Kenji Kurihara
;
NTT Basic Research Labs.
;
Kanagawa Pref
;
Japan
;
Yoshio Kawai
;
NTT System Electronics Labs.
;
Atsugi-shi Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
86.
Positive ArF resist with 2EAdMA/GBLMA resin system
机译:
带有2EAdMA / GBLMA树脂体系的正ArF抗蚀剂
作者:
Yasunori Uetani
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Hiroaki Fujishima
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Kaoru Araki
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konahana-ku Osaka
;
Japan
;
Kazuhisa Endo
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan
;
Ichiki Takemoto
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku Osaka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
87.
Novel approach for the photostabilization of chemically amplifiedphotoresists,
机译:
化学放大光致抗蚀剂光稳定的新方法,
作者:
Ronald A. Carpio
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Roy A. Martinez
;
Eaton Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Robert D. Mohondro
;
Eaton Corp.
;
Rockville
;
MD
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
88.
Novel hardening methods of DUV chemically amplified photoresist by ionimplantation and its application to new organic ARC material and bilayerprocess,
机译:
离子注入DUV化学放大光刻胶的新硬化方法及其在新型有机ARC材料和双层工艺中的应用,
作者:
Jun-Sung Chun
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA
;
Hung-Eil Kim
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA
;
Stanley Barnett
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA
;
James Shih
;
Integrated Device Technology
;
Inc.
;
Cupertino
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
89.
Exploratory approaches to the study of acid diffusion and acid loss frompolymer films using absorption and fluorescence spectroscopy,
机译:
使用吸收光谱和荧光光谱研究聚合物薄膜中酸扩散和酸损失的探索性方法,
作者:
Chris Coenjarts
;
Univ. of Ottawa
;
Ottawa
;
ON
;
Canada
;
James F. Cameron
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Nicole Deschamps
;
Univ. of Ottawa
;
Ottawa
;
ON
;
Canada
;
David Hambly
;
Univ. of Ottawa
;
Ottawa
;
ON
;
Canada
;
Gerd Pohlers
;
Shipley Co. Inc.
;
Univ. of Ottawa
;
Ottawa
;
ON
;
Canada
;
Juan C. Scaiano
;
Univ. of Ottawa
;
Ottawa
;
ON
;
Canada
;
Roger F. Sinta
;
Shipley Co. Inc.
;
Woburn
;
MA
;
USA
;
Susan Virdee
;
Univ. of Ottawa
;
Ottawa
;
ON
;
Canada
;
Anthony Zampini
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
90.
New photoresist stri
机译:
新型光刻胶
作者:
Hideki Nishida
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Mobara City Chiba
;
Japan
;
Hiroshi Kikuchi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Yokohama
;
Japan
;
Kensuke Yano
;
Kimura Kakoki K.K.
;
Amagasaki
;
Japan
;
Hiroyasu Matsuda
;
Mitsui Chemical Industries
;
Inc.
;
Sakai Osaka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
91.
Application of polysilanes for deep-UV antireflective coating,
机译:
聚硅烷在深紫外增透膜中的应用,
作者:
Yasunobu Onishi
;
Toshiba Corp.
;
Isogoku Yokohama
;
Japan
;
Yasuhiko Sato
;
Toshiba Corp.
;
Isogo-ku Yokohama
;
Japan
;
Eishi Shiobara
;
Toshiba Corp.
;
Isogoku Yokohama
;
Japan
;
Seiro Miyoshi
;
Toshiba Corp.
;
Isogo-ku Yokohama
;
Japan
;
Hideto Matsuyama
;
Toshiba Corp.
;
Isogo-ku Yokohama
;
Japan
;
Junko Abe
;
Toshiba Corp.
;
Isogo-ku Yokohama
;
Japan
;
Hideo Ichinose
;
Toshiba Corp.
;
Isogo-ku Yokohama
;
Japan
;
Tokuhisa Ohiwa
;
Toshiba Corp.
;
Isogo-ku Yokohama
;
Japan
;
Yoshihiko Nakano
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan
;
Sawako Yoshikawa
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku Kawasaki
;
Japan
;
Shuzi Hayase
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
92.
Suppression of resist pattern deformation on SiON bottom antireflectivelayer in deep-UV lithography,
机译:
在深紫外光刻中抑制SiON底部抗反射层上抗蚀剂图形变形,
作者:
Ryoko Yamanaka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Takashi Hattori
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Toshiyuki Mine
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Keiko T. Hattori
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Toshihiko P. Tanaka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Tsuneo Terasawa
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji-shi Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
93.
Formulation robustness of a chemically amplified ESCAP-type resist based on hydroxystyrene/t-butyl acrylate copolymer
机译:
基于羟基苯乙烯/丙烯酸叔丁酯共聚物的化学放大ESCAP型抗蚀剂的配方稳定性
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
North Kingstown
;
RI
;
USA
;
S.Chnthalyma
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
North Kingstown
;
RI
;
USA
;
D.Khan
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
G.McCormick
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
North Kingstown
;
RI
;
USA
;
T.V. Jayaraman
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Willy Van Driessche
;
Arch Chemicals
;
N.V.
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
94.
Important role of hydroxyethyl derivatives of poly(hydroxystyrene) in the development of advanced negative resists
机译:
聚羟基苯乙烯的羟乙基衍生物在高级负性抗蚀剂开发中的重要作用
作者:
Pushkara R. Varanasi
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Niranjan Patel
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
95.
Second-generation 193-nm bilayer resist
机译:
第二代193 nm双层抗蚀剂
作者:
Patrick Foster
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Thomas Steinhaeusler
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
E Providence
;
RI
;
USA
;
John J. Biafore
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Gregory Spaziano
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
E Providence
;
RI
;
USA
;
Sydney G. Slater
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Andrew J. Blakeney
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
96.
New polymers for 193-nm single-layer resists based on substituted cycloolefins/maleic anhydride resins
机译:
基于取代的环烯烃/马来酸酐树脂的193 nm单层抗蚀剂的新聚合物
作者:
Ilya L. Rushkin
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Francis M. Houlihan
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Janet M. Kometani
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Richard S. Hutton
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Allen G. Timko
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Elsa Reichmanis
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Allen H. Gabor
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Arturo N. Medina
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Sydney G. Slater
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Mark O. Neisser
;
Arch Chemicals
;
Inc.
;
North Kingstown
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
97.
Chemistry of photoresist recycling: II
机译:
光刻胶回收化学:II
作者:
Hideki Nishida
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Mobara City Chiba
;
Japan
;
Masamichi Moriya
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Chiba
;
Japan
;
Itaru Shiiba
;
Hitachi Device Engineering Co.
;
Ltd.
;
Mobara Chiba
;
Japan
;
Katsuto Taniguchi
;
Clariant (Japan) K.K.
;
Shizuoka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
98.
Novel silicon-containing resists for EUV and 193-nm lithography
机译:
用于EUV和193 nm光刻的新型含硅抗蚀剂
作者:
Carl R. Kessel
;
3M Co.
;
St Paul
;
MN
;
USA
;
Larry D. Boardman
;
3M Co.
;
St Paul
;
MN
;
USA
;
Steven J. Rhyner
;
3M Co.
;
St Paul
;
MN
;
USA
;
Jonathan L. Cobb
;
Motorola
;
Livermore
;
CA
;
USA
;
Craig C. Henderson
;
Sandia National Labs.
;
Livermore
;
CA
;
USA
;
Veena Rao
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Uzodinma Okoroanyanwu
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
99.
Theoretical analysis of line-edge roughness using FFT techniques
机译:
使用FFT技术对线边缘粗糙度进行理论分析
作者:
Takeshi Ohfuji
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Masayuki Endo
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama
;
Japan
;
Hiroaki Morimoto
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
100.
Chemically amplified negative resist optimized for high-resolution x-ray lithography
机译:
化学放大负性光刻胶,针对高分辨率X射线光刻技术进行了优化
作者:
Jiro Nakamura
;
NTT System Electronics Labs.
;
Atsugi-shi Kanagawa
;
Japan
;
Yoshio Kawai
;
NTT System Electronics Labs.
;
Atsugi-shi Kanagawa
;
Japan
;
Kimiyoshi Deguchi
;
NTT System Electronics Labs.
;
Atsugi-shi Kanagawa
;
Japan
;
Masatoshi Oda
;
NTT System Electronics Labs.
;
Atsugi-shi Kanagawa
;
Japan
;
Tadahito Matsuda
;
NTT System Electronics Labs.
;
Atsugi-shi Kanagawa Pref.
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVI》
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