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Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International
Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International
召开年:
召开地:
San Jose, CA
出版时间:
-
会议文集:
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1.
Experimental evidence for voltage driven breakdown models inultrathin gate oxides
机译:
电压驱动击穿模型的实验证据超薄栅氧化物
作者:
Nicollian P.E.
;
Hunter W.R.
;
Hu J.C.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
2.
Process and layout dependent substrate resistance modeling for deepsub-micron ESD protection devices
机译:
取决于工艺和布局的深层电阻建模亚微米ESD保护设备
作者:
Zhang X.Y.
;
Banerjee K.
;
Amerasekera A.
;
Gupta V.
;
Zhiping Yu
;
Dutton R.W.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
3.
Electromigration lifetime enhancement for lines with multiplebranches
机译:
具有多个线路的电迁移寿命提高分行
作者:
Dion M.J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
4.
Detection of thin oxide (3.5 nm) dielectric degradation due tocharging damage by rapid-ramp breakdown
机译:
检测由于以下原因导致的薄氧化物(3.5 nm)介电退化快速停机故障会造成充电损坏
作者:
Hook T.B.
;
Harmon D.
;
Chuan Lin
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
5.
A study of implant damage induced thin oxide film expansion duringphotoresist dry etching
机译:
植入物损伤引起的薄膜氧化膜膨胀的研究光刻胶干法刻蚀
作者:
Kuang-Peng Lin
;
Kai-Ming Ching
;
Kwo-Shu Huang
;
Shun-Liang Hsu
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
6.
Pulsed measurements and circuit modeling of a new breakdownmechanism of MESFETs and HEMTs
机译:
脉冲测量和新故障的电路建模MESFET和HEMT的机理
作者:
Zanoni E.
;
Meneghesso G.
;
Buttari D.
;
Maretto M.
;
Massari G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
7.
The role of copper in electromigration: the effect of a Cu-vacancybinding energy
机译:
铜在电迁移中的作用:铜空位的影响结合能
作者:
Tammaro M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
8.
Localizing power to ground shorts in a chips-first MCM by scanningSQUID microscopy
机译:
通过扫描在芯片优先的MCM中将电源定位到接地短路鱿鱼显微镜
作者:
Vanderlinde W.E.
;
Cheney M.E.
;
McDaniel E.B.
;
Skinner K.L.
;
Knauss L.A.
;
Frazier B.M.
;
Christen H.M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
9.
The role of the spacer oxide in determining worst-case hot-carrierstress conditions for NMOS LDD devices
机译:
间隔氧化物在确定最坏情况下的热载流子中的作用NMOS LDD器件的应力条件
作者:
King E.E.
;
Lacoe R.C.
;
Wang-Ratkovic J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
10.
Analysis of evolution to and beyond quasi-breakdown in ultra-thinoxide and oxynitride
机译:
超薄准击穿演化的分析氧化物和氮氧化物
作者:
Okandan M.
;
Fonash S.J.
;
Maiti B.
;
Tseng H.H.
;
Tobin P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
11.
Breakdown and degradation issues and the choice of a safe load linefor power HFET operation
机译:
故障和退化问题以及安全负载线的选择用于功率HFET操作
作者:
Dieci D.
;
Menozzi R.
;
Tomasi T.
;
Sozzi G.
;
Lanzieri C.
;
Canali C.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
12.
Experimental analysis of gate oxide degradation-existence ofneutral trap precursor, single and multiple trap-assisted-tunneling forSILC mechanism
机译:
栅氧化层降解存在的实验分析中性捕集阱前驱体,用于单个和多个捕集阱辅助隧道SILC机制
作者:
Yamada R.
;
Yugami J.
;
Ohkura M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
13.
Early stage hot carrier degradation of state-of-the-art LDDN-MOSFETs
机译:
最新LDD的早期热载流子降解N型MOSFET
作者:
Manhas S.K.
;
de Souza M.M.
;
Gates A.S.
;
Chetlur S.C.
;
Sankara Narayanan E.M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
14.
Single contact optical beam induced currents (SCOBIC)-a new failureanalysis technique
机译:
单触点光束感应电流(SCOBIC)-新的故障分析技术
作者:
Chin J.M.
;
Phang J.C.H.
;
Chan D.S.H.
;
Soh C.E.
;
Gilfeather G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
15.
CMOSFET characteristics induced by moisture diffusion frominter-layer dielectric in 0.23 um DRAM technology with shallow trenchisolation
机译:
湿气扩散引起的CMOSFET特性具有浅沟槽的0.23 um DRAM技术中的层间电介质隔离
作者:
Sung-Kye Park
;
Moon-Sik Suh
;
Jae-Young Kim
;
Gyu-Han Yoon
;
Sung-Ho Jang
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
16.
Analysis of hot-carrier-induced degradation in MOSFETs bygate-to-drain and gate-to-substrate capacitance measurements
机译:
MOSFET热载流子引起的退化的分析栅极到漏极和栅极到衬底的电容测量
作者:
Hsu C.T.
;
Lau M.M.
;
Yeow Y.T.
;
Yao Z.Q.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
17.
A new data retention mechanism after endurance stress on flashmemory
机译:
闪存承受压力后的新数据保留机制记忆
作者:
Kameyama H.
;
Okuyama Y.
;
Kamohara S.
;
Kubota K.
;
Kume H.
;
Okuyama K.
;
Manabe Y.
;
Nozoe A.
;
Uchida H.
;
Hidaka M.
;
Ogura K.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
18.
Multi parameter method for yield analysis and reliabilityassessment
机译:
多参数方法进行产量分析和可靠性评定
作者:
Mitnick Y.
;
Lisenker B.
;
Sasson U.
;
Miller R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
19.
Quasi-breakdown in ultra-thin SiO
2
films: occurrencecharacterization and reliability assessment methodology
机译:
SiO
2 sub>超薄薄膜的准击穿:发生表征和可靠性评估方法
作者:
Bruyere S.
;
Vincent E.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
20.
Temperature dependence of soft breakdown and wear-out in sub-3 nmSiO
2
films
机译:
亚3 nm以下的软击穿和磨损的温度依赖性SiO
2 sub>膜
作者:
Suehle J.S.
;
Vogel E.M.
;
Bin Wang
;
Bernstein J.B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
21.
Electrostatic discharge and high current pulse characterization ofepitaxial-base silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
机译:
静电放电和大电流脉冲表征外延基硅锗异质结双极晶体管
作者:
Voldman S.
;
Juliano P.
;
Johnson R.
;
Schmidt N.
;
Joseph A.
;
Furkay S.
;
Rosenbaum E.
;
Dunn J.
;
Harame D.
;
Meyerson B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
22.
Investigation of ultra-thin gate oxide reliability behavior byseparate characterization of soft breakdown and hard breakdown
机译:
超薄栅氧化层可靠性行为研究软击穿和硬击穿的分别表征
作者:
Pompl T.
;
Wurzer H.
;
Kerber M.
;
Eisele I.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
23.
Role of hydrogen anneal in thin gate oxide for multi-metal-layerCMOS process
机译:
氢退火在多金属薄栅极氧化物中的作用CMOS工艺
作者:
Lee Y.-H.
;
Nachman R.
;
Seshan K.
;
Kau D.-C.
;
Mielke N.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
24.
Generation of hot carriers by secondary impact ionization in deepsubmicron devices: model and light emission characterization
机译:
通过深处的二次碰撞电离产生热载流子亚微米设备:模型和发光特征
作者:
Marchand B.
;
Blachier D.
;
Leroux C.
;
Ghibaudo G.
;
Balestra F.
;
Reimbold G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
25.
Tunneling current characteristics and oxide breakdown in P+ polygate PFET capacitors
机译:
P +多晶硅中的隧穿电流特性和氧化物击穿栅极PFET电容器
作者:
McKenna J.M.
;
Wu E.Y.
;
Shih-Hsien Lo
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
26.
Analysis of detrap current due to oxide traps to improve flashmemory retention
机译:
分析氧化物陷阱引起的去陷阱电流以改善闪光记忆保留
作者:
Yamada R.
;
Mori Y.
;
Okuyama Y.
;
Yugami J.
;
Nishimoto T.
;
Kume H.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
27.
Hot carrier induced degradation in deep submicron MOSFETs at100° C
机译:
在深亚微米MOSFET中热载流子引起的退化为100°摄氏度
作者:
Li E.
;
Rosenbaum E.
;
Register L.F.
;
Tao J.
;
Fang P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
28.
A model for evaluating cumulative oxide damage from multiple plasmaprocesses
机译:
用于评估来自多个等离子体的累积氧化物损伤的模型流程
作者:
Noguchi K.
;
Matsumoto A.
;
Oda N.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
29.
Field acceleration for oxide breakdown-can an accurate anode holeinjection model resolve the E vs. 1/E controversy?
机译:
电场加速以分解氧化物-可以准确地形成阳极孔注入模型解决了E与1 / E的争议?
作者:
Alam M.A.
;
Bude J.
;
Ghetti A.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
30.
Neutron-induced boron fission as a major source of soft errors indeep submicron SRAM devices
机译:
中子引起的硼裂变是导致软错误的主要来源深亚微米SRAM器件
作者:
Baumann R.C.
;
Smith E.B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
31.
Leakage and breakdown reliability issues associated with low-kdielectrics in a dual-damascene Cu process
机译:
与低k有关的泄漏和击穿可靠性问题双镶嵌铜工艺中的电介质
作者:
Tsu R.
;
McPherson J.W.
;
McKee W.R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
32.
ESD robustness of smart-power protection structures evaluated bymeans of HBM and TLP tests
机译:
智能电源保护结构的ESD鲁棒性评估HBM和TLP测试的手段
作者:
Meneghesso G.
;
Santirosi S.
;
Novarini E.
;
Contiero C.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
33.
Channel-width dependent hot-carrier degradation of thin-gatepMOSFETs
机译:
取决于通道宽度的薄栅极热载流子退化MOSFET
作者:
Lee Y.-H.
;
Wu K.
;
Linton T.
;
Mielke N.
;
Hu S.
;
Wallace B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
34.
Simulation and experimental study of temperature distributionduring ESD stress in smart-power technology ESD protection structures
机译:
温度分布的模拟与实验研究在智能电源技术中的ESD压力下ESD保护结构
作者:
Esmark K.
;
Furbock C.
;
Gossner H.
;
Groos G.
;
Litzenberger M.
;
Pogany D.
;
Zelsacher R.
;
Stecher M.
;
Gornik E.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
35.
Short and long-term stability problems of Hall plates in plasticpackages
机译:
塑料霍尔板的短期和长期稳定性问题包装
作者:
Manic D.
;
Petr J.
;
Popovic R.S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
36.
Reliability of optical fiber Bragg grating sensors at elevatedtemperature
机译:
高架光纤布拉格光栅传感器的可靠性温度
作者:
Sennhauser U.
;
Frank A.
;
Mauron P.
;
Nellen P.M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
37.
Reliability characterization of thermal micro-structuresimplemented on 0.8 μm CMOS chips
机译:
热微结构的可靠性表征在0.8μmCMOS芯片上实现
作者:
Sheng L.Y.
;
de Tandt C.
;
Ranson W.
;
Vounckx R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
38.
2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings.38th Annual (Cat. No.00CH37059)
机译:
2000年IEEE国际可靠性物理研讨会论文集。第38周年(目录号:00CH37059)
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
39.
High performance deep-submicron n-MOSFETs by nitrogen implantationand in-situ HF vapor clean
机译:
通过氮注入的高性能深亚微米n-MOSFET和原位HF蒸汽清洁
作者:
Jiann Heng Chen
;
Tan Fu Lei
;
Chia Lin Chen
;
Tien Sheng Chao
;
Wen Ying Wen
;
Kuag Ting Chen
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
40.
Transmission line model testing of top-gate amorphous silicon thinfilm transistors
机译:
顶栅非晶硅薄膜的传输线模型测试薄膜晶体管
作者:
Tosic N.
;
Kuper F.G.
;
Mouthaan T.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
41.
Quantitative projections of reliability and performance forlow-k/Cu interconnect systems
机译:
可靠性和性能的定量预测低k / Cu互连系统
作者:
Banerjee K.
;
Mehrotra A.
;
Hunter W.
;
Saraswat K.C.
;
Goodson K.E.
;
Wong S.S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
42.
Temperature effect on the reliability of ZrO
2
gatedielectric deposited directly on silicon
机译:
温度对ZrO
2 sub>门可靠性的影响电介质直接沉积在硅上
作者:
Wen-Jie Qi
;
Nieh R.
;
Onishi R.
;
Byoung Hun Lee
;
Laegu Kang
;
Yongjoo Jeon
;
Gopalan S.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
43.
Charge pumping technique for the evaluation of plasma induced edgedamage in shallow S/D extension thin gate oxide NMOSFETs
机译:
电荷泵技术用于评估等离子体感应边缘浅层S / D扩展薄栅极氧化物NMOSFET的损坏
作者:
Chung S.S.
;
Chen S.J.
;
Kao H.L.
;
Luo S.J.
;
Lin H.C.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
44.
Anode hole injection versus hydrogen release: the mechanism forgate oxide breakdown
机译:
阳极空穴注入与氢释放:机理栅氧化层击穿
作者:
Wu J.
;
Rosenbaum E.
;
MacDonald B.
;
Li E.
;
Tao J.
;
Tracy B.
;
Fang P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
45.
Effect of Ti insertion between Cu and TiN layers onelectromigration reliability in Cu/(Ti)/TiN/Ti layered damasceneinterconnects
机译:
Cu和TiN层之间Ti的插入对金属的影响Cu /(Ti)/ TiN / Ti层状镶嵌金属的电迁移可靠性相互联系
作者:
Abe K.
;
Tokitoh S.
;
Shih-Chang Chen
;
Kanamori J.
;
Onoda H.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
46.
Improved reliability prediction through reduced-stress temperaturecycling
机译:
通过降低应力温度改善可靠性预测循环
作者:
Cory A.R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
47.
Microanalysis of VLSI interconnect failure modes under short-pulsestress conditions
机译:
短脉冲下VLSI互连故障模式的微观分析压力条件
作者:
Banerjee K.
;
Dae-Yong Kim
;
Amerasekera A.
;
Chenming He
;
Wong S.S.
;
Goodson K.E.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2000. Proceedings. 38th Annual 2000 IEEE International》
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