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European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)
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1.
Integration and Cell Characteristics for High - Density PRAM
机译:
高密度PRAM的集成和单元特性
作者:
K.C. Ryoo
;
Y.N. Hwang
;
S.H. Lee
;
Suyoun. Lee
;
S.J. Ann
;
Y.J. Song
;
J.H. Park
;
C.W. Jeong
;
J.M. Shin
;
W.C. Jeong
;
K.H. Koh
;
G.T. Jeong
;
H.S. Jeong
;
K.N. Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
2.
Integrated micro-channel cooling in silicon
机译:
硅中集成的微通道冷却
作者:
R.H.W. Pijnenburg
;
R. Dekker
;
C.C.S. Nicole
;
A. Aubry
;
E.H.E.C. Eummelen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
3.
Integrated Circuits for the Biology-to-Silicon Interface
机译:
用于生物与硅的接口的集成电路
作者:
Roland Thewes
;
Christian Paulus
;
Meinrad Schienle
;
Franz Hofmann
;
Alexander Frey
;
Ralf Brederlow
;
Petra Schindler-Bauer
;
Marcin Augustyniak
;
Melanie Atzesberger
;
Birgit Holzapfl
;
Martin Jenkner
;
Bjoern Eversmann
;
Gottfried Beer
;
Michaela Fritz
;
Thomas Ha
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
4.
Injection-limited current in a polymeric heterojunction
机译:
聚合物异质结中的注入限制电流
作者:
T.van Woudenbergh
;
J. Wildeman
;
P.W.M. Blom
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
5.
Impact of STI-Induced Stress, Inverse Narrow Width Effect, and Statistical V_(TH) Variations on Leakage Currents in 120 nm CMOS
机译:
STI引起的应力,反向窄带效应和统计V_(TH)变化对120 nm CMOS中漏电流的影响
作者:
Christian Pacha
;
Martin Bach
;
Klaus von Arnim
;
Ralf Brederlow
;
Doris Schmitt-Landsiedel
;
Peter Seegebrecht
;
Joerg Berthold
;
Roland Thewes
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
6.
High resolution two-dimensional carrier profiling on sub-100nm silicon nano-devices using scanning spreading resistance microscopy
机译:
使用扫描扩展电阻显微镜在100nm以下的硅纳米器件上进行高分辨率二维载流子分析
作者:
P. Eyben
;
H. Fukutome
;
D. Alvarez
;
W. Vandervorst
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
7.
Impact of Thermal Overload Operation on Wirebond and Metallization Reliability in Smart Power Devices
机译:
热过载操作对智能功率器件中的引线键合和金属化可靠性的影响
作者:
Michael Glavanovics
;
Thomas Detzel
;
Karin Weber
会议名称:
《》
|
2004年
8.
High Frequency Characteristics of MOSFETs with Compact Waffle Layout
机译:
紧凑的华夫布局的MOSFET的高频特性
作者:
Wen Wu
;
Sang Lam
;
Ping K. Ko
;
Mansun Chan
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
9.
Gate-Capacitance Extraction from RF C-V Measurements
机译:
从射频C-V测量中提取门电容
作者:
G.T. Sasse
;
R. de Kort
;
J. Schmitz
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
10.
Determination of Band-Gap Narrowing in Heavily Doped n-type GaAs and n-type GaInP from Solar Cell Performance
机译:
从太阳能电池性能确定重掺杂n型GaAs和n型GaInP中的带隙变窄
作者:
M.Y. Ghannam
;
A.S. Al Omar
;
G. Flamand
;
N. Posthuma
;
J. Poortmans
;
R.P. Mertens
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
11.
Depletion-All-Around in SOI G~4-FETs: a Conduction Mechanism with High Performance
机译:
SOI G〜4-FET的全面耗尽:一种高性能的导电机制
作者:
K. Akarvardar
;
S. Cristoloveanu
;
P. Gentil
;
B. J. Blalock
;
B. Dufrene
;
M. M. Mojarradi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
12.
Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study
机译:
体和SOI MOSFET的反型层中基本传输性能的比较分析:蒙特卡洛研究
作者:
Luca Lucci
;
David Esseni
;
Pierpaolo Palestri
;
Luca Selmi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
13.
Double Gate Silicon-on-Insulator transistors: n~+-n~+ gate versus n~+-p~+ gate configuration
机译:
双栅极绝缘体上硅晶体管:n〜+ -n〜+栅极与n〜+ -p〜+栅极配置
作者:
F.Gamiz
;
J.B.Roldan
;
A.Godoy
;
F.Jimenez-Molinos
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
14.
Device Design for Sub 90nm MOSFETs for Sample and Hold Circuits
机译:
用于采样和保持电路的90nm以下MOSFET的器件设计
作者:
Mayank Gupta
;
Jason Woo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
15.
Flexible Semiconductor Devices: Fingerprint Sensor and Electrophoretic Display on Plastic
机译:
柔性半导体器件:塑料上的指纹传感器和电泳显示器
作者:
Hiroki Takao
;
Mitsutoshi Miyasaka
;
Hideyuki Kawai
;
Hiroyuki Hara
;
Atsushi Miyazaki
;
Taimei Kodaira
;
Simon.W.B. Tam
;
Satoshi Inoue
;
Tatsuya Shimoda
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
16.
Experimental comparison between Double Gate, Ground Plane, and Single Gate SOI CMOSFETs
机译:
双栅极,地平面和单栅极SOI CMOSFET的实验比较
作者:
J. Lolivier
;
J. Widiez
;
M. Vinet
;
T. Poiroux
;
F. Dauge
;
B. Previtali
;
M. Mouis
;
J. Jommah
;
F. Balestra
;
S. Deleonibus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
17.
Experimental Evidence and Statistical Modeling of Cooperating Defects in Stressed Oxides
机译:
应力氧化物协同缺陷的实验证据和统计模型
作者:
F. Driussi
;
D. Esseni
;
L. Selmi
;
M.J. van Duuren
;
F. Widdershoven
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
18.
FinFET SRAM for High-Performance Low-Power Applications
机译:
用于高性能低功耗应用的FinFET SRAM
作者:
Rajiv V. Joshi
;
Richard Q. Williams
;
Ed Nowak
;
Keunwoo Kim
;
Jochen Beintner
;
T. Ludwig
;
I. Aller
;
C. Chuang
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
19.
Failure rate predictions for 0.35 μm Flash EEPROM memories from accelerated read disturb tests
机译:
根据加速的读取干扰测试对0.35μmFlash EEPROM存储器的故障率预测
作者:
T. Vermeulen
;
T. Yao
;
A. Lowe
;
P. Cacharelis
;
R. Degraeve
;
J. Van Houdt
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
20.
Efficient Simulation Framework for Circuit Design with Future Device Technologies
机译:
利用未来器件技术进行电路设计的高效仿真框架
作者:
R. Goettsche
;
T. Schulz
;
N. Bruels
;
W. Krautschneider
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
21.
Electrical Analysis on the Drain Current of the Ultra Shallow Junction by Laser Annealing
机译:
激光退火超浅结漏极电流的电分析
作者:
Soo Jin Hong
;
Young Pil Kim
;
Jin Hwa Heo
;
Gook-Hyun Yon
;
Gung Ho Buh
;
Yu Gyun Shin
;
Uin Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
22.
A comprehensive study of corner effects in tri-gate transistors
机译:
三栅极晶体管转角效应的综合研究
作者:
M. Staedele
;
R. J. Luyken
;
M. Roosz
;
M. Specht
;
W. Roesner
;
L. Dreeskornfeld
;
J. Hartwich
;
F. Hofmann
;
J. Kretz
;
E. Landgraf
;
L. Risch
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
23.
Electrical characterization and modelling of high-performance SON DG MOSFETs
机译:
高性能SON DG MOSFET的电气特性和建模
作者:
S. Harrison
;
D. Munteanu
;
J.L. Autran
;
A. Cros
;
R. Cerutti
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
24.
Successful Integration of an Ultra Low Thermal Budget Process Solution based on Solid Phase Epitaxy for sub-50nm CMOS Technologies
机译:
成功地集成了基于固相外延的超低热预算工艺解决方案,用于低于50nm的CMOS技术
作者:
R. El Farhane
;
A. Pouydebasque
;
C. Laviron
;
P. Morin
;
F. Arnaud
;
P. Stolk
;
F. Boeuf
;
T. Skotnicki
;
D. Bensahel
;
A. Halimaoui
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
25.
Organic Thin Film Transistors: a DC Model for Circuit Simulation
机译:
有机薄膜晶体管:用于电路仿真的直流模型
作者:
Luigi Colalongo
;
Fabio Romano
;
Zsolt Miklos Kovacs Vajna
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
26.
Phase-Change Memory Technology for Embedded Applications
机译:
嵌入式应用的相变存储技术
作者:
F. Ottogalli
;
A. Pirovano
;
F. Pellizzer
;
M. Tosi
;
P. Zuliani
;
P. Bonetalli
;
R. Bez
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
27.
Physical modeling and prediction of the matching properties of MOSFETs
机译:
MOSFET的物理建模和匹配特性预测
作者:
J.A. Croon
;
S. Decoutere
;
W. Sansen
;
H.E. Maes
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
28.
Novel 3-Dimensional 46F~2 SRAM Technology with 0.294um~2 S~3 (Stacked Single-crystal Si) Cell and SSTFT (Stacked Single-crystal Thin Film Transistor)
机译:
具有0.294um〜2 S〜3(堆叠单晶硅)单元和SSTFT(堆叠单晶薄膜晶体管)的新型3D 46F〜2 SRAM技术
作者:
J.H. Jang
;
S.M. Jung
;
Y.H. Kang
;
W.S Cho
;
J.H. Moon
;
C.D. Yeo
;
K.H. Kwak
;
B.H. Choi
;
B.J. Hwang
;
W.R. Jung
;
S.J. Kim
;
J.H. Kim
;
J.H. Na
;
H. Lim
;
J.H. Jeong
;
Kinam Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
29.
Universal Integrated PIN Photodetector
机译:
通用集成PIN光电探测器
作者:
Klaus Oberhauser
;
Alexander Nemecek
;
Christoph Suender
;
Horst Zimmermann
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
30.
Time-dependent dielectric breakdown of HfAlOx/SiON gate dielectric
机译:
HfAlOx / SiON栅极电介质随时间的介电击穿
作者:
K. Torii
;
T. Kawahara
;
R. Mitsuhashi
;
H. Ohji
;
A. Mutoh
;
S. Miyazaki
;
H. Kitajima
;
T. Arikado
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
31.
Triple junctions for reduced impact of offset spacer variation on CMOS device parameters
机译:
三重结减少了偏移间隔物变化对CMOS器件参数的影响
作者:
M.Jurczak
;
R.Rooyackers
;
A. De Keersgieter
;
E.Kunnen
;
K.Henson
;
O. Richard
;
C. Dachs
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
32.
Thermal scaling of ultra-thin SOI: Reduced resistance at low temperature RTA
机译:
超薄SOI的热缩放:降低低温RTA的电阻
作者:
Jong-Heon Yang
;
Jihun Oh
;
Kiju Im
;
In-Bok Back
;
Chang-Geun Ahn
;
Jonghyurk Park
;
Won-ju Cho
;
Seongjae Lee
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
33.
Requirements on CD and Overlay for 200 GHz QSA SiGe:C HBT's
机译:
200 GHz QSA SiGe:C HBT的CD和覆盖要求
作者:
K. Van Wichelen
;
L. Witters
;
S. Van Huylenbroeck
;
P. Leray
;
D. Laidler
;
E. Kunnen
;
S. Decoutere
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
34.
The Electro-Thermal Smoothie Database Model for LDMOS Devices
机译:
LDMOS器件的电热冰沙数据库模型
作者:
V. Cuoco
;
W. C. E. Neo
;
M. Spirito
;
O.Yanson
;
N. Nenadovic
;
L. C .N. de Vreede
;
H. F. F. Jos
;
J. N. Burghartz
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
35.
Novel Gate Concepts for MOS Devices
机译:
MOS器件的新型门概念
作者:
Jean-Pierre Colinge
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
36.
New methodologies of NBTI characterization eliminating recovery effects
机译:
NBTI表征的新方法消除了回收效应
作者:
M.Denais
;
V.Huard
;
C.Parthasarathy
;
G.Ribes
;
F.Perrier
;
N.Revil
;
A.Bravaix
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
37.
Negative differential conductance in silicon nanocrystal single-electron devices
机译:
硅纳米晶体单电子器件中的负微分电导
作者:
Johann See
;
Philippe Dollfus
;
Sylvie Galdin
;
Patrice Hesto
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
38.
NBTI Reliability Analysis for a 90nm CMOS Technology
机译:
90nm CMOS技术的NBTI可靠性分析
作者:
H.Puchner
;
L.Hinh
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
39.
Monolithic CMOS Detector Module for Photon Counting and Picosecond Timing
机译:
用于光子计数和皮秒计时的单片CMOS检测器模块
作者:
F. Zappa
;
S. Tisa
;
A. Gulinatti
;
A. Gallivanoni
;
S. Cova
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
40.
Mobility Issues in Ultra-Thin SOI MOSFETs: Thickness Variations, GIFBE and Coupling Effects
机译:
超薄SOI MOSFET的迁移率问题:厚度变化,GIFBE和耦合效应
作者:
Akiko Ohata
;
Mikaeel Casse
;
Sorin Cristoloveanu
;
T. Poiroux
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
41.
Magnetoresistance Mobility Measurements in sub 0.1μm Si MOSFETs
机译:
0.1μm以下Si MOSFET的磁阻迁移率测量
作者:
Y.M. Meziani
;
J.Lusakowski
;
F. Teppe
;
N.Dyakonova
;
W. Knap
;
K. Romanjek
;
M. Ferrier
;
R. Clerc
;
G. Ghibaudo
;
F. Boeuf
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
42.
Investigations on Possible Occurrence of Ballistic Transport in Different NMOS Architectures
机译:
不同NMOS体系结构中弹道运输可能发生的调查
作者:
R. Clerc
;
M. Ferrier
;
F. Dauge
;
G. Ghibaudo
;
F. Boeuf
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
43.
Interface Passivation Mechanisms in Metal Gated Oxide Capacitors
机译:
金属门控氧化物电容器的界面钝化机理
作者:
G.S. Lujan
;
T. Schram
;
G. Sjoblom
;
T. Witters
;
S. Kubicek
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
;
K. De Meyer
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
44.
Investigation about the High-Temperature Impact-Ionization Coefficient in Silicon
机译:
硅中高温冲击电离系数的研究
作者:
S. Reggiani
;
M. Rudan
;
E. Gnani
;
G. Baccarani
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
45.
Investigation of InP/InGaAs pnp δ-Doped Heterojunction Bipolar Transistor
机译:
InP / InGaAs pnpδ掺杂异质结双极晶体管的研究
作者:
Jung-Hui Tsai
;
King-Poul Zhu
;
Ying-Cheng Chu
;
Shao-Yen Chiu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
46.
Influence of Metal Gate Materials and Processing on Planar CMOS Device Characteristics with High-k Gate Dielectrics
机译:
金属栅极材料和工艺对高k栅极电介质的平面CMOS器件特性的影响
作者:
P. Majhi
;
C. Young
;
G. Bersuker
;
H. C. Wen
;
G. A. Brown
;
B. Foran
;
R. Choi
;
P. M. Zeitzoff
;
H. R. Huff
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
47.
Electrostatic effect of localised charge in dual bit memory cells with discrete traps
机译:
具有离散陷阱的双位存储单元中局部电荷的静电效应
作者:
L. Perniola
;
S. Bernardini
;
G. Iannaccone
;
B. De Salvo
;
G. Ghibaudo
;
P. Masson
;
C. Gerardi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
48.
90nm RF CMOS technology for low-power 900MHz applications
机译:
适用于低功耗900MHz应用的90nm RF CMOS技术
作者:
J. Ramos
;
A. Mercha
;
W. Jeamsaksiri
;
D. Linten
;
S. Jenei
;
R. Rooyackers
;
R. Verbeeck
;
S. Thijs
;
A.J. Scholten
;
P. Wambacq
;
I. Debusschere
;
S. Decoutere
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
49.
ESD Protection of Double-Diffusion Devices in Submicron CMOS Processes
机译:
亚微米CMOS工艺中双扩散器件的ESD保护
作者:
Ann Concannon
;
V.A. Vashchenko
;
P. Hopper
;
M. Ter Beek
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
50.
Bias stress in pentacene transistors measured by four probe transistor structures
机译:
通过四个探针晶体管结构测量并五苯晶体管的偏置应力
作者:
J. Genoe
;
S. Steudel
;
S. De Vusser
;
S. Verlaak
;
D. Janssen
;
P. Heremans
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
51.
Back-Gated SOI Technology: Power-Adaptive Logic and Non-Volatile Memory Using Identical Processing
机译:
Back-Gated SOI技术:使用相同处理的功率自适应逻辑和非易失性存储器
作者:
Uygar Avci
;
Arvind Kumar
;
Haitao Liu
;
Sandip Tiwari
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
52.
Back-Etched Super-Junction LDMOST on SOI
机译:
SOI上的回刻超级结LDMOST
作者:
Shahla Honarkhah
;
Sameh Nassif-Khalil
;
C. Andre T. Salama
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
53.
Analysis and application of energy capability characterization methods in power MOSFETs
机译:
功率MOSFET的能量表征方法的分析与应用。
作者:
G. Van den bosch
;
P. Moens
;
P. Gassot
;
D. Wojciechowski
;
G. Groeseneken
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
54.
Analysis of Substrate Noise Propagation in a Lightly Doped Substrate
机译:
轻掺杂衬底中衬底噪声传播的分析
作者:
G. Van der Plas
;
C. Soens
;
G. Vandersteen
;
P. Wambacq
;
S. Donnay
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
55.
Advanced SEU Engineering using a Triple Well Architecture
机译:
使用三井结构的高级SEU工程
作者:
H. Puchner
;
Y. Z. Xu
;
D. Radaelli
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
56.
Source-Gated Transistors for Thin Film Electronics
机译:
薄膜电子的源极门控晶体管
作者:
J. M. Shannon
;
F. Balon
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
57.
Space-Charge-Limited Current Conductions in La_2O_3 Thin Films Deposited by E-Beam Evaporation after Low Temperature Dry-Nitrogen Annealing
机译:
低温干氮退火后电子束蒸发沉积的La_2O_3薄膜中的空间电荷限制电流传导
作者:
Yongshik Kim
;
Shun-ichiro Ohmi
;
Kazuo Tsutsui
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
58.
Stresses in copper blanket films and damascene lines: Measurements and Finite Element Analysis
机译:
铜覆盖膜和镶嵌线中的应力:测量和有限元分析
作者:
A. Baldacci
;
C. Rivero
;
P. Gergaud
;
M. Gregoire
;
O. Sicardy
;
O. Bostrom
;
P. Boivin
;
J. S. Micha
;
O. Thomas
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
59.
Self-Consistent Characterization of Gate Controlled Diodes for CMOS Technology Monitoring
机译:
用于CMOS技术监控的栅极控制二极管的自洽表征
作者:
R. Sorge
;
P. Schley
;
K.E. Ehwald
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
60.
Self-Aligned Recessed Source/Drain Ultra-Thin Body SOI MOSFET Technology
机译:
自对准嵌入式源/漏超薄体SOI MOSFET技术
作者:
Zhikuan Zhang
;
Shengdong Zhang
;
Mansun Chan
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
61.
Self-aligned Access Gate Technology for Compact Embedded Flash Memories
机译:
自对准门禁技术,可实现紧凑的嵌入式闪存
作者:
P. Goarin
;
R. van Schaijk
;
M. Slotboom
;
P.G. Tello
;
M. van Duuren
;
N. Akil
;
W. Baks
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
62.
Silicon oxide formation for TFTs using humid ozone-enriched gas ambient at low temperature
机译:
在低温下使用潮湿的富含臭氧的气体为TFT形成氧化硅
作者:
P. N. Hai
;
S. Nishio
;
S. Horita
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
63.
Reliability of embedded SONOS memories
机译:
嵌入式SONOS存储器的可靠性
作者:
Rob van Schaijk
;
Michiel van Duuren
;
Pierre Goarin
;
Wan Yuet Mei
;
Kees van der Jeugd
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
64.
Plasma Process Induced Damage during Via Etching on PDMOS transistors
机译:
等离子工艺在PDMOS晶体管上的通孔蚀刻过程中引起损坏
作者:
P. Coppens
;
T. Colpaert
;
K. Dhondt
;
P. Bruneel
;
E. De Waele
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
65.
Dynamic Latchup Study using Transmission Line Pulses and Picosecond Imaging Circuit Analysis
机译:
使用传输线脉冲和皮秒成像电路分析的动态闩锁研究
作者:
Franco Stellari
;
Alan J. Weger
;
Peilin Song
;
Moyra K. McManus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
66.
Programmable Virtual Source/Drain MOSFETs
机译:
可编程虚拟源极/漏极MOSFET
作者:
Byung Yong Choi
;
Yong Kyu Lee
;
Woo Young Choi
;
Il Han Park
;
Hyungcheol Shin
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
;
Sung Taeg Kang
;
Chilhee Chung
;
Donggun Park
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
67.
Optimized Cell Structure for FinFET Array Flash Memory
机译:
FinFET阵列闪存的优化单元结构
作者:
E. S. Cho
;
T. Y. Kim
;
C. H. Lee
;
C. Lee
;
J. M. Yoon
;
H. J. Cho
;
H. S. Kang
;
Y. J. Ahn
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
68.
Perspective of FinFETs for analog applications
机译:
FinFET在模拟应用中的前景
作者:
V. Kilchytska
;
N. Collaert
;
R. Rooyackers
;
D. Lederer
;
J.-P. Raskin
;
D. Flandre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
69.
Work Function Stability of thermal ALD Ta(Si)N Gate Electrodes on HfO_2
机译:
HfO_2上的热ALD Ta(Si)N栅电极的功函数稳定性
作者:
J.C. Hooker
;
N. Perez
;
P. Alen
;
M. Ritala
;
M. Leskela
;
F. Roozeboom
;
J.G.M. van Berkum
;
E.P. Naburgh
;
F.C. van den Heuvel
;
J.W. Maes
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
70.
Vertical Tunnel Field-Effect Transistor with Bandgap Modulation and Workfunction Engineering
机译:
带隙调制和功函数工程的垂直隧道场效应晶体管
作者:
Krishna K Bhuwalka
;
Joerg Schulze
;
Ignaz Eisele
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
71.
The 1/f Noise versus sheet resistance in poly-Si is similar to poly-SiGe resistors and Au-layers
机译:
多晶硅中1 / f噪声与薄层电阻的关系类似于多晶硅SiGe电阻器和金层
作者:
L.K.J. Vandamme
;
H.J. Casier
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
72.
Technology Considerations for Automotive
机译:
汽车技术注意事项
作者:
Herman Casier
;
Peter Moens
;
Koen Appeltans
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
73.
TCAD modelling of PLAD implantations and application to sub-65nm technological nodes
机译:
PLAD植入的TCAD建模及其在65nm以下技术节点中的应用
作者:
Laurent Vet
;
Etienne Robilliart
;
Damien Lenoble
;
Andre Grouillet
;
Fabrice Lallement
;
Alexandre Dray
;
Frederic Salvetti
;
Davy Villanueva
;
Eric Balossier
;
Herve Jaouen
;
S. Walther
;
U. Jeong
;
S. Mehta
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
74.
Study of Electrically Active Defects in High Mobility HfO_2 MOSFETs
机译:
高迁移率HfO_2 MOSFET的电活性缺陷研究
作者:
L. Militant
;
O. Weber
;
M. Mueller
;
F. Ducroquet
;
D. Dusciac
;
C. Plossu
;
T. Ernst
;
B. Guillaumot
;
S. Deleonibus
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
75.
On ambient intelligence, needful things and process technologies
机译:
关于环境智能,必要的事物和过程技术
作者:
C.J. van der Poel
;
F. Pessolano
;
R.Roovers
;
F.Widdershoven
;
G. van de Walle
;
E. Aarts
;
P Christie
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
76.
Off Current Adjustment in Ultra-Thin SOI MOSFETs
机译:
超薄SOI MOSFET的关断电流调整
作者:
J. Hartwich
;
L. Dreeskornfeld
;
F. Hofmann
;
J. Kretz
;
E. Landgraf
;
R.J. Luyken
;
M. Specht
;
M. Staedele
;
T. Schulz
;
W. Roesner
;
L. Risch
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
77.
Modeling of STI-induced stress phenomena in CMOS 90nm Flash technology
机译:
CMOS 90nm Flash技术中STI引起的应力现象的建模
作者:
P. Fantini
;
G. Giuga
;
S. Schippers
;
A. Marmiroli
;
G. Ferrari
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
78.
Low Voltage (1.2V) and High Performance Mobile DRAM Device Technology with Dual Poly-silicon Gate using Plasma Nitrided Gate oxide
机译:
具有等离子氮化栅氧化物的双多晶硅栅的低压(1.2V)和高性能移动DRAM器件技术
作者:
S.H. Hong
;
B.Y. Koo
;
T.S. Jeon
;
S.J. Hyun
;
Y.G. Shin
;
U-In. Chung
;
J.T. Moon
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
79.
Investigation of charge transport in organic single crystals using a 'flip-crystal' field-effect technique
机译:
使用“倒晶”场效应技术研究有机单晶中的电荷传输
作者:
C. Goldmann
;
C. Krellner
;
K. P. Pernstich
;
S. Haas
;
D. J. Gundlach
;
B. Batlogg
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
80.
Improving the Ambipolar Behavior of Schottky Barrier Carbon Nanotube Field Effect Transistors
机译:
改善肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管的双极行为
作者:
M. Pourfath
;
E. Ungersboeck
;
A. Gehring
;
B.H. Cheong
;
W. Park
;
H. Kosina
;
S. Selberherr
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
81.
Improvement of Data Retention Time in DRAM using Recessed Channel Array Transistors with Asymmetric Channel Doping for 80 nm feature size and beyond
机译:
使用具有非对称沟道掺杂功能的嵌入式沟道阵列晶体管,在DRAM中的数据保留时间得以改善,其特征尺寸为80 nm以上
作者:
J.W. Lee
;
Y.S. Kim
;
J.Y. Kim
;
Y.K. Park
;
S.H. Shin
;
S.H. Lee
;
J.H. Oh
;
J.G. Lee
;
J.Y. Lee
;
D.I. Bae
;
E.-C. Lee
;
C.S. Lee
;
C.J. Yun
;
C.H. Cho
;
K.Y. Jin
;
Y.J. Park
;
T. Y. Chung
;
Kinam Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
82.
Influence of Self Heating in a BiCMOS on SOI Technology
机译:
BiCMOS中的自加热对SOI技术的影响
作者:
Erik Haralson
;
B. Gunnar Malm
;
Ted Johansson
;
Mikael Oestling
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
83.
Low Voltage and Low Power Aspects of Data Converter Design
机译:
数据转换器设计的低电压和低功耗方面
作者:
Qiuting Huang
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
84.
Low Power Digital Circuit Design
机译:
低功耗数字电路设计
作者:
Takayasu Sakurai
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
85.
Low Temperature Process Flow Optimisation for 65nm CMOS mixed-signal applications
机译:
针对65nm CMOS混合信号应用的低温工艺流程优化
作者:
B.Duriez
;
P.Morin
;
B.Tavel
;
B.Froment
;
P.Gouraud
;
D.Roy
;
K.Rochereau
;
R.Difrenza
;
A.Margin
;
M. Denais
;
M. Bidaud
;
P.Stolk
;
M.Woo
;
F.Arnaud
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
86.
Linking Technology-CAD and Physical Design
机译:
链接技术CAD和物理设计
作者:
Stefan Halama
;
Ram Firestone
;
Dafna Talmor
;
Jianping Xun
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
87.
Integration of Photonic Functions in and with Silicon
机译:
在硅中以及与硅集成光子功能
作者:
Roel Baets
;
Wim Bogaerts
;
Pieter Dumon
;
Guenther Roelkens
;
Ilse Christiaens
;
Kurt De Mesel
;
Dirk Taillaert
;
Bert Luyssaert
;
Joris Van Campenhout
;
Peter Bienstman
;
Dries Van Thourhout
;
Vincent Wiaux
;
Johan Wouters
;
Stephan Beckx
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
88.
Influence of an accumulation back-gate voltage on the low-frequency noise spectra of 0.13 μm fully-depleted SOI MOSFETs fabricated on ELTRAN and UNIBOND wafers
机译:
累积背栅电压对在ELTRAN和UNIBOND晶圆上制造的0.13μm全耗尽SOI MOSFET的低频噪声频谱的影响
作者:
N. Lukyanchikova
;
N. Garbar
;
A. Smolanka
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
89.
Demonstration of Threshold Voltage Control Techniques for Vertical-type 4-terminal Double-gate MOSFETs (4T-DGFET)
机译:
演示垂直型4端子双栅极MOSFET(4T-DGFET)的阈值电压控制技术
作者:
Meishoku Masahara
;
Yongxun Liu
;
Toshihiro Sekigawa
;
Shinichi Hosokawa
;
Kenichi Ishii
;
Takashi Matsukawa
;
Hisao Tanoue
;
Kunihiro Sakamoto
;
Hiromi Yamauchi
;
Seigo Kanemaru
;
Hanpei Koike
;
Eiichi Suzuki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
90.
Ge deep sub-micron pFETs with etched TaN metal gate on a High-K dielectric, fabricated in a 200mm silicon prototyping line
机译:
Ge深亚微米pFET,在200mm硅原型生产线上制造,具有在High-K电介质上蚀刻的TaN金属栅极
作者:
B. De Jaeger
;
M.Houssa
;
A.Satta
;
S.Kubicek
;
P.Verheyen
;
J.Van Steenbergen
;
J.Croon
;
B.Kaczer
;
S.Van Elshocht
;
A.Delabie
;
E.Kunnen
;
E.Sleeckx
;
I.Teerlinck
;
R.Lindsay
;
T.Schram
;
T. Chiarella
;
R.Degraeve
;
T.Conard
;
J.Poortmans
;
G.Winderickx
;
W.Boullart
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
91.
Gain and polaron absorption in electrically pumped single-layer organic laser diodes
机译:
电泵单层有机激光二极管的增益和极化子吸收
作者:
C. Pflumm
;
C. Karnutsch
;
M. Gerken
;
U. Lemmer
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
|
2004年
92.
Ge-on-Si Pin-Photodiodes for Vertical and In-Plane Detection of 1300 to 1580 nm Light
机译:
Ge-on-Si PIN光电二极管,用于垂直和平面检测1300至1580 nm的光
作者:
M. Jutzi
;
M. Berroth
;
G. Woehl
;
M. Oehme
;
V. Stefani
;
E. Kasper
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
93.
Evaluation of strain-induced mobility variation in TiN metal gate SOI n-MOSFETs
机译:
TiN金属栅SOI n-MOSFET中应变引起的迁移率变化的评估
作者:
T. Guillaume
;
M. Mouis
;
S. Maitrejean
;
A. Poncet
;
M
;
Vinet
;
S. Deleonibus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
94.
Effects of Wet Cleaning Treatment on Dose of Impurity after Plasma Doping
机译:
湿法清洗处理对等离子掺杂后杂质剂量的影响
作者:
Takahisa Sato
;
Ryota Higaki
;
Hideki Tamura
;
Yuichiro Sasaki
;
Bunji Mizuno
;
Kazuo Tsutsui
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
95.
Electrical Characterization and Mechanical Modeling of Process Induced Strain in 65 nm CMOS Technology
机译:
65 nm CMOS技术中工艺诱导应变的电学表征和力学建模
作者:
C. Ortolland
;
S. Orain
;
J. Rosa
;
P. Morin
;
F. Arnaud
;
M. Woo
;
A. Poncet
;
P. Stolk
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
96.
A New Substrate Current Free nLIGBT for Junction Isolated Technologies
机译:
用于结隔离技术的新型无衬底nLIGBT
作者:
Benoit Bakeroot
;
Jan Doutreloigne
;
Peter Moens
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
97.
A Micro-Scale Hot-Surface Device Based on Non-Radiative Carrier Recombination
机译:
基于无辐射载波复合的微尺度热面装置
作者:
A. Y. Kovalgin
;
J. Holleman
;
G. Iordache
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
98.
A New Approach to the Self-Consistent Solution of the Schrodinger-Poisson Equations in Nanowire MOSFETs
机译:
纳米线MOSFET中Schrodinger-Poisson方程自洽解的新方法
作者:
E. Gnani
;
S. Reggiani
;
M. Rudan
;
G. Baccarani
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
99.
A Two Mask Complementary LDMOS Module Integrated in a 0.25 μm SiGe:C BiCMOS Platform
机译:
集成在0.25μmSiGe:C BiCMOS平台中的两个掩模互补LDMOS模块
作者:
K.E. Ehwald
;
A. Fischer
;
F. Fuernhammer
;
W. Winkler
;
B. Senapati
;
R. Barth
;
D. Bolze
;
B. Heinemann
;
D. Knoll
;
H. Ruecker
;
D. Schmidt
;
I. Shevchenko
;
R. Sorge
;
H.-E. Wulf
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
100.
Electrical Characterization of Partially Insulated MOSFETs with Buried Insulators under Source/Drain Regions
机译:
源/漏区下具有埋入式绝缘子的部分绝缘MOSFET的电学特性
作者:
Chang Woo Oh
;
Kyoung Hwan Yeo
;
Min Sang Kim
;
Chang-Sub Lee
;
Dong Uk Choi
;
Sung Hwan Kim
;
Sung-Young Lee
;
Sung-Min Kim
;
Jung-Dong Choe
;
Yong Kyu Lee
;
Eun-Jung Yoon
;
Ming Li
;
Sung Dae Suk
;
Dong-Won Kim
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference(ESSDERC 2004); 20040921-23; Leuven(BE)》
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2004年
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