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International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application
International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application
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1.
Journey to 5G
机译:
5G之旅
作者:
Li Fung Chang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
2.
Semiconductor for 5G
机译:
5G半导体
作者:
Yujun Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
3.
Electron Enhanced Atomic Layer Deposition (EE-ALD)
机译:
电子增强原子层沉积(EE-ALD)
作者:
Steven M. George
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
4.
Silicon Technologies for Next Generation 5G Architectures and Applications
机译:
下一代5G架构和应用的硅技术
作者:
Shankaran Janardhanan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
5.
RD Activities for 5G Radio Access Technologies Using SHF Bands and Co-Creation of New Services Using 5G
机译:
使用SHF频段进行5G无线电接入技术的研发活动以及使用5G共同创建新服务
作者:
Yukihiko Okumura
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
6.
RD Activities for Capacity Enhancement Using 5G Ultra High-Density Distributed Antenna Systems
机译:
使用5G超高密度分布式天线系统增强容量的研发活动
作者:
Takashi Dateki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
7.
Development and Evaluation of Low-SHF-Band C-RAN Massive MIMO System for 5G
机译:
用于5G的低SHF频带C-RAN大规模MIMO系统的开发和评估
作者:
Yasushi Maruta
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
8.
EUVL Optics: Status and Future Perspectives
机译:
EUVL光学:现状和未来展望
作者:
Winfried Kaiser
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
9.
Autonomous Driving Technologies and Computing Platform
机译:
自动驾驶技术和计算平台
作者:
Peter Hsieh
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
10.
2D Layered Semiconductors beyond MoS
2
机译:
MoS
2 sub>以外的2D分层半导体
作者:
Wen-Hao Chang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
11.
CRISP: Center for Research on Intelligent Storage and Processing-in-memory
机译:
CRISP:内存智能存储和处理研究中心
作者:
Yuan Xie
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
12.
New Memory Technology, Design and Architecture Co-optimization to Enable Future System Needs
机译:
新的内存技术,设计和架构共同优化,可满足未来的系统需求
作者:
Arnaud Furnemont
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
13.
Electronic Devices within Single Atomic Layer - Development of 2D Lateral Junctions
机译:
单个原子层内的电子设备-二维横向连接的发展
作者:
Jr-Hau He
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
14.
Can Magnetic Memory (MRAM) Displace DRAM?
机译:
磁存储器(MRAM)可以取代DRAM吗?
作者:
Denny Tang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
15.
Embedded Memories for Silicon-ln-Package: Optimization of Memory Subsystem from loT to Machine Learning
机译:
封装中的嵌入式存储器:从物联网到机器学习的内存子系统优化
作者:
Fatih Hamzaoglu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
16.
Evolution and Advances of the Nonvolatile Memories and Applications
机译:
非易失性存储器及其应用的发展与进步
作者:
Yan Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
17.
Embedded Memory: The Future of Emerging Memories
机译:
嵌入式内存:新兴内存的未来
作者:
Feng-Min Lee
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
18.
Computational Random Access Memory (CRAM) and Applications
机译:
计算随机存取存储器(CRAM)及其应用
作者:
Jian-Ping Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
19.
3D Integration
机译:
3D整合
作者:
Piyush Gupta
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
20.
Advanced Stacking Technologies for Heterogeneous Device Integration
机译:
先进的堆叠技术,可实现异构设备集成
作者:
Lonut Radu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
21.
Future of Computing and Sensing Systems for Embedded Applications
机译:
嵌入式应用计算和传感系统的未来
作者:
Thomas Ernst
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
22.
Progress in Neuromorphic Computing : Drawing Inspiration from Nature for Gains in AI and Computing
机译:
神经形态计算的进展:从自然中汲取灵感以获取AI和计算的收益
作者:
Mike Davies
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
23.
Advances in Quantum Dot Lasers for Silicon Photonics
机译:
用于硅光子学的量子点激光器的进展
作者:
Yasuhiko Arakawa
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
24.
VLSI Researches for Machine Learning and Neuromorphic Computing
机译:
用于机器学习和神经形态计算的VLSI研究
作者:
Atsuya Okazaki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
25.
Silicon Photonics and Integrated Photonic Switches
机译:
硅光子学和集成光子开关
作者:
Ming C. Wu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
26.
Machine Learning Solutions for Process Control in Semiconductor Manufacturing
机译:
用于半导体制造过程控制的机器学习解决方案
作者:
Eugen Foca
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
27.
Slow-Down in Power Scaling and the End of Moore's Law?
机译:
功率缩放放慢和摩尔定律的终结?
作者:
Ghavam Shahidi
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
28.
Silicon Photonic Based High-speed Transceivers for Fiber-optic Short-reach Applications
机译:
基于硅光子的高速收发器,用于光纤短距离应用
作者:
Peter Ossieur
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
29.
Layout Automation for Integrated Photonics
机译:
集成光子学的布局自动化
作者:
Alan Sherman
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
30.
Fabrication of
$Omega$
-gated Negative Capacitance FinFETs and SRAM
机译:
$ Omega $ tex>门控负电容FinFET和SRAM的制造
作者:
P.-J. Sung
;
C.-J. Su
;
D. D. Lu
;
S.-X. Luo
;
K.-H. Kao
;
J.-Y. Ciou
;
C.-Y. Jao
;
H.-S. Hsu
;
C.-J. Wang
;
T.-C. Hong
;
T.-H. Liao
;
C.-C. Fang
;
Y.-S. Wang
;
H.-F. Huang
;
J.-H. Li
;
Y.-C. Huang
;
F.-K. Hsueh
;
C.-T. Wu
;
Y.-C. Huang
;
W. C.-Y. Ma
;
K.-P. Huang
;
Y.-J. Lee
;
T.-S. Chao
;
J.-Y. Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
31.
Origin of fixed charges and dipole in GeO
x
/Al
2
O
3
gate stack based on Ge
机译:
基于Ge的GeO
x inf> / Al
2 inf> O
3 inf>栅堆叠中固定电荷和偶极子的起源
作者:
Lixing Zhou
;
Xiaolei Wang
;
Xueli Ma
;
Jinjuan Xiang
;
Chao Zhao
;
Tianchun Ye
;
Wenwu Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
32.
Hot-Carrier Injection-Induced Disturb and Improvement Methods in 3D NAND Flash Memory
机译:
3D NAND闪存中热载流注入引起的干扰和改善方法
作者:
Wei-Liang Lin
;
Wen-Jer Tsai
;
C.C. Cheng
;
Chun-Chang Lu
;
S.H. Ku
;
Y.W. Chang
;
Guan-Wei Wu
;
Lenvis Liu
;
S.W. Hwang
;
Tao-Cheng Lu
;
Kuang-Chao Chen
;
Tseung-Yuen Tseng
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
33.
High density NV-SRAM using memristor and selector as technology assist
机译:
使用忆阻器和选择器作为技术辅助的高密度NV-SRAM
作者:
S.S. Teja Nibhanupudi
;
Jaydeep P. Kulkarni
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
34.
Defect Localization and Electrical Fault Isolation for Metal Connection Using Helium Ion Microscope
机译:
氦离子显微镜对金属连接的缺陷定位和电气故障隔离
作者:
Deying Xia
;
Shawn McVey
;
Wilhelm Kuehn
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
35.
Analytical Estimation of LER-Like Variability in GAA Nano-Sheet Transistors
机译:
GAA纳米片晶体管的LER类变异性的分析估计
作者:
Amita
;
Ajinkya Gorad
;
Udayan Ganguly
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
36.
Low temperature junctionless device stacking enabled by leading edge sequential 3D integration
机译:
前沿顺序3D集成实现了低温无结器件堆叠
作者:
Guillaume Besnard
;
Gweltaz Gaudin
;
Walter Schwarzenbach
;
Ludovic Ecarnot
;
Ionut Radu
;
Bich-Yen Nguyen
;
Anne Vandooren
;
Nadine Collaert
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
37.
Silicon Process Impact on 5G NR mmWave Front End Design and Performance
机译:
硅工艺对5G NR mmWave前端设计和性能的影响
作者:
Chuan-Cheng Cheng
;
Jeremy Dunworth
;
Sriram Kalpat
;
Haitao Cheng
;
Gang Liu
;
Ming-Ta Yang
;
Wing Sy
;
Joseph Wang
;
Kamal Sahota
;
PR. Chidi Chidambaram
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
38.
The Impact of Forming Temperature and Voltage on the Reliability of Filamentary RRAM
机译:
温度和电压的形成对丝状RRAM可靠性的影响
作者:
G.Y. Chen
;
F.M. Lee
;
Y.Y. Lin
;
P.H. Tseng
;
K.C. Hsu
;
D.Y. Lee
;
M.H. Lee
;
H.L. Lung
;
K.Y. Hsieh
;
K.C. Wang
;
C.Y. Lu
;
M.C Wu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
关键词:
integrated circuit reliability;
random-access storage;
tungsten compounds;
39.
Stochastic Filament Formation on the Cycling Endurance of Backfilled Contact Resistive Random Access Memory Cells
机译:
回填接触电阻随机存取存储单元的循环耐力的随机丝形成
作者:
Yun-Feng Kao
;
Chrong Jung Lin
;
Ya-Chin King
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
40.
Thermal Atomic Layer Etching of Amorphous and Crystalline Hafnium Oxide, Zirconium Oxide, and Hafnium Zirconium Oxide
机译:
非晶和结晶氧化Ox,氧化锆和氧化Z锆的热原子层蚀刻
作者:
Jessica A. Murdzek
;
Steven M. George
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
41.
Thermal Stability of Shallow Ge N
+
-P Junction with Thin GeSn Top Layer
机译:
薄GeSn顶层的浅Ge N
+ sup> -P结的热稳定性
作者:
Hsiu-Hsien Liao
;
Yi-Ju Chen
;
Bing-Yue Tsui
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
42.
New Observation and Analysis of Layout Dependent Effects in Sub-40nm Multi-Ring and Multi-Finger nMOSFETs for High Frequency Applications
机译:
用于高频应用的低于40nm的多环和多指nMOSFET的布局相关效应的新观察和分析
作者:
Zu-Cheng Li
;
Jyh-Chyurn Guo
;
Jinq-Min Lin
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
43.
Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
机译:
背面Si钝化:导致用于单片3D集成的高性能UTB GeOI结构
作者:
Wen Hsin Chang
;
Toshifumi Irisawa
;
Hiroyuki Ishii
;
Noriyuki Uchida
;
Tatsuro Maeda
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
44.
Selective Atomic Layer Deposition of TiO
2
机译:
TiO
2 inf>的选择性原子层沉积
作者:
Christopher Ahles
;
Jong Choi
;
Keith Wong
;
Srinivas Nemani
;
Andrew Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
45.
A Variability Source for Nanosheet GAA Transistors for sub-7nm Nodes
机译:
低于7nm节点的Nanosheet GAA晶体管的可变性来源
作者:
P. Harsha Vardhan
;
Swaroop Ganguly
;
Udayan Ganguly
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
46.
Impact of Multi-Domain Interaction on ON-State Characteristics of MFIS-Type 2D Negative-Capacitance FETs
机译:
多域相互作用对MFIS型2D负电容FET的导通状态特性的影响
作者:
Po-Sheng Lu
;
Chia-Chen Lin
;
Pin Su
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
47.
Hyper-Selective Co Metal ALD on Metals vs. SiO
2
without Passivation
机译:
金属与无钝化的SiO
2 inf>的超选择性Co金属ALD
作者:
Steven Wolf
;
Mike Breeden
;
Scott Ueda
;
Andrew Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
48.
Novel Fine-Grain Back-Bias Assist Techniques for 14nm FDSOI Top-Tier SRAMs integrated in 3D-Monolithic
机译:
用于3D单片集成的14nm FDSOI顶层SRAM的新颖的细粒度背偏置辅助技术
作者:
D. Bosch
;
F. Andrieu
;
L. Ciampolini
;
A. Makosiej
;
O. Weber
;
X. Garros
;
J. Lacord
;
J. Cluzel
;
E. Esmanhotto
;
M. Rios
;
S. Lang
;
B. Giraud
;
R. Berthelon
;
G. Cibrario
;
L. Brunet
;
P. Batude
;
C. Fenouillet-Béranger
;
D. Lattard
;
J. P. Colinge
;
F. Balestra
;
M. Vinet
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
49.
Synthesis and Electronic Devices of Atom-thin Transition Metal Dichalcogenides
机译:
原子稀过渡金属二硫属元素化物的合成及电子器件
作者:
Jiadong Zhou
;
R. Govindan Kutty
;
Lixing Kang
;
Xiaowei Wang
;
Zheng Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
50.
Accurate Measurement of Sneak Current in ReRAM Crossbar Array with Data Storage Pattern Dependencies
机译:
具有数据存储模式相关性的ReRAM交叉开关阵列中的潜电流的准确测量
作者:
Yaqi Shang
;
Takashi Ohsawa
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
关键词:
ReRAM CBA;
sneak current;
compensation;
data storage pattern dependency;
51.
Selective Etching of Native Silicon Oxide in Preference to Silicon Oxide and Silicon
机译:
相对于氧化硅和硅,本机氧化硅的选择性蚀刻
作者:
Christopher Ahles
;
Jong Choi
;
Raymond Hung
;
Namsung Kim
;
Srinivas Nemani
;
Andrew Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
52.
Interface engineering for 2D layered semiconductors
机译:
二维分层半导体的接口工程
作者:
Kosuke Nagashio
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
53.
Novel Vertically-Stacked Tensily-Strained Ge
0.85
Si
0.15
GAA n-Channels on a Si Channel with
$mathrm{SS}=76mathrm{mV}/mathrm{dec}, mathrm{DIBL} =36mathrm{mV}/mathrm{V}$
, and
$mathrm{I}_{mathrm{on}}/mathrm{I}_{
机译:
Si通道上具有
$ mathrm {SS} = 76 mathrm {mV}的新型垂直堆叠拉伸应变Ge
0.85 inf> Si
0.15 inf> GAA n通道/ mathrm {dec}, mathrm {DIBL} = 36 mathrm {mV} / mathrm {V} $ tex>和
$ mathrm {I} _ { mathrm {on}} / mathrm {I} _ {
作者:
Yu-Shiang Huang
;
Fang-Liang Lu
;
Hung-Yu Ye
;
Ya-Jui Tsou
;
Yi-Chun Liu
;
Chien-Te Tu
;
C. W. Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
54.
A perspective on NVRAM technology for future computing system
机译:
面向未来计算系统的NVRAM技术的观点
作者:
Katsuhiko Hoya
;
Kosuke Hatsuda
;
Kenji Tsuchida
;
Yohji Watanabe
;
Yusuke Shirota
;
Tatsunori Kanai
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
55.
The First GeSn Gate-All-Around Nanowire P-FET on the GeSnOI Substrate with Channel Length of 20 nm and Subthreshold Swing of 74 mV/decade
机译:
GeSnOI衬底上的第一个GeSn全能栅极纳米线P-FET,沟道长度为20 nm,亚阈值摆幅为74 mV /十倍
作者:
Yuye Kang
;
Kaizhen Han
;
Eugene Y.-J. Kong
;
Dian Lei
;
Shengqiang Xu
;
Ying Wu
;
Yi-Chiau Huang
;
Xiao Gong
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
56.
Enhancing IGZO Thin Film Transistor Scalability Through Tunneling Contact
机译:
通过隧道接触提高IGZO薄膜晶体管的可扩展性
作者:
Zichao Ma
;
Xintong Zhang
;
Clarissa Prawoto
;
Lining Zhang
;
Longyan Wang
;
Mansun Chan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
57.
Cell Array Design with Row-Driven Source Line in Block Shunt Architecture Applicable to Future 6F
2
1T1MTJ Memory
机译:
行分流架构中行驱动源线的单元阵列设计适用于未来的6F
2 sup> 1T1MTJ存储器
作者:
Tongshuang Huang
;
Takashi Ohsawa
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
58.
Evaluation of 2D Negative-Capacitance FETs for Low-Voltage SRAM Applications
机译:
用于低压SRAM应用的2D负电容FET的评估
作者:
Kuei-Yang Tseng
;
Wei-Xiang You
;
Pin Su
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
59.
Comparison of Vertically Double Stacked Poly-Si Nanosheet Junctionless Field Effect Transistors with Gate-all-around and Multi-gate Structure
机译:
垂直双堆叠多晶硅纳米片无结全栅多栅结构的场效应晶体管的比较
作者:
Meng-Ju Tsai
;
Kang-Hui Peng
;
Yu-Ru Lin
;
Yung-Chun Wu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
60.
Virtual Source based I-V Model for Cryogenic CMOS Devices
机译:
基于虚拟源的低温CMOS器件的I-V模型
作者:
Hazem Elgabra
;
Brandon Buonacorsi
;
Christopher Chen
;
Jeff Watt
;
Jonathan Baugh
;
Lan Wei
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
61.
Analysis of Transient Effect on Super-Steep SS PN-Body Tied SOI-FET
机译:
超陡SS PN结绑SOI-FET的瞬态效应分析
作者:
Takayuki Mori
;
Jiro Ida
;
Hiroki Endo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
62.
A Large Dynamic Range Current Sensor Using Magnetic Tunnel Junction on 8” Si process line
机译:
大型动态范围电流传感器,在8英寸Si工艺线上使用磁隧道结
作者:
D. Y. Wang
;
I. J. Wang
;
C. S. Lin
;
J. W. Su
;
H. H. Lee
;
Y. C. Hsin
;
S. Y. Yang
;
Y. J. Chang
;
Y. C. Kuo
;
Y.H. Su
;
S. Z. Rahaman
;
G. L. Chen
;
S. H. Li
;
J. H. Wei
;
K. C. Huang
;
C. I. Wu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
63.
Interfacial engineering of SOT-MRAM to modulate atomic diffusion and enable PMA stability >400 °C
机译:
SOT-MRAM的界面工程可调节原子扩散并实现PMA稳定性> 400°C
作者:
Chong Bi
;
Shy-Jay Lin
;
Xiang Li
;
Telem Simsek
;
M. Song
;
Wilman Tsai
;
Shan X. Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
64.
Core-Shell TFET Developments and TFET Limitations
机译:
核心-外壳TFET的发展和TFET的局限性
作者:
M. Passlack
;
P. Ramvall
;
T. Vasen
;
A. Afzalian
;
C. Thelander
;
K.A. Dick
;
L.-E. Wernersson
;
G. Doornbos
;
M. Holland
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
65.
Comprehensive Reliability Study of STT-MRAM Devices and Chips for Last Level Cache Applications (LLC) at 0x Nodes
机译:
面向0x节点的最后一级缓存应用(LLC)的STT-MRAM器件和芯片的综合可靠性研究
作者:
Jian Zhu
;
Yuan-Jen Lee
;
Huanlong Liu
;
Son Le
;
Jodi Iwata-Harms
;
Sahil Patel
;
Ru-Ying Tong
;
Vignesh Sundar
;
Santiago Serrano-Guisan
;
Dongna Shen
;
Renren He
;
Jesmin Haq
;
Jeffrey Teng
;
Vinh Lam
;
Yi Yang
;
Yu-Jen Wang
;
Tom Zhong
;
Luc Thomas
;
Hideaki Fukuzawa
;
Guenole Jan
;
Po-Kang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
关键词:
cache storage;
magnetic tunnelling;
MRAM devices;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device reliability;
SRAM chips;
66.
Architecture Evaluation for Standalone and Embedded 1T-DRAM
机译:
独立和嵌入式1T-DRAM的体系结构评估
作者:
Md. Hasan Raza Ansari
;
Nupur Navlakha
;
Jyi-Tsong Lin
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
67.
Silicon Photonics as a Post Moore Technology
机译:
硅光子学作为后摩尔技术
作者:
Koji Yamada
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
68.
Spin-Orbit Torque Driven One-Bit Magnetic Racetrack Devices - Memory and Neuromorphic Applications
机译:
自旋轨道转矩驱动的一比特磁性跑道装置-记忆和神经形态应用
作者:
See-Hun Yang
;
Chirag Garg
;
Timothy Phung
;
Charles Rettner
;
Brian Hughes
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
69.
Device Structural Effects, SPICE Modeling and Circuit Evaluation for Negative-Capacitance FETs
机译:
负电容FET的器件结构效应,SPICE建模和电路评估
作者:
Pin Su
;
Wei-Xiang You
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
70.
Ferroelectric Si-doped HfO
2
Capacitors for Next-Generation Memories
机译:
铁掺杂硅的HfO
2 inf>电容器可用于下一代存储器
作者:
Ava J. Tan
;
Zhongwei Zhu
;
Hwan Sung Choe
;
Chenming Hu
;
Sayeef Salahuddin
;
Alex Yoon
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
71.
Designing and Modeling Analog Neural Network Training Accelerators
机译:
设计和建模模拟神经网络训练加速器
作者:
Sapan Agarwal
;
Robin B. Jacobs-Gedrim
;
Christopher Bennett
;
Alex Hsia
;
Michael S. Van Heukelom
;
David Hughart
;
Elliot Fuller
;
Yiyang Li
;
A. Alec Talin
;
Matthew J. Marinella
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
72.
The Guideline on Designing a High Performance NC MOSFET by Matching the Gate Capacitance and Mobility Enhancement
机译:
通过匹配栅极电容和迁移率增强来设计高性能NC MOSFET的指南
作者:
Y. C. Luo
;
F. L. Li
;
E. R. Hsieh
;
C. H. Liu
;
Steve S. Chung
;
T. P. Chen
;
S. A. Huang
;
T. J. Chen
;
Osbert Chenz
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
73.
Impact of Gate Stack Design on Improving Subthreshold Swing Behaviors in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors
机译:
栅极叠层设计对改善铁电栅极场效应晶体管的亚阈值摆幅行为的影响
作者:
Shinji Migita
;
Hiroyuki Ota
;
Akira Toriumi
;
Takashi Matsukawa
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
74.
Full Memory Encryption with Magnetoelectric In-Memory Computing
机译:
磁电内存计算的全内存加密
作者:
Albert Lee
;
Kang -L. Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
关键词:
cryptography;
magnetoelectric effects;
memory architecture;
random-access storage;
75.
A Novel RRAM Based Watermark Technique Utilizing the Impact of Forming Conditions on Reset Distribution
机译:
利用成形条件对复位分布的影响的基于RRAM的新型水印技术
作者:
Yachuan Pang
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
Bohan Lin
;
He Qian
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
关键词:
error statistics;
resistive RAM;
security of data;
watermarking;
76.
Twin-Bit Resistive Random Access Memory in FinFET CMOS Logic Technologies
机译:
FinFET CMOS逻辑技术中的双位电阻式随机存取存储器
作者:
Chieh Lee
;
Yu-Ting Hung
;
Cheng-Jun Lin
;
Ya-Chin King
;
Chrong Jung Lin
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
77.
Contradiction Behaviors between I-V and C-V Curves after Self-Heating Stress in a-IGZO TFT with Triple-Stacked Channel Layers
机译:
具有三层堆叠沟道层的a-IGZO TFT自热应力后I-V和C-V曲线之间的矛盾行为
作者:
Yu-Ching Tsao
;
Mao Chou Tai
;
Ting-Chang Chang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
78.
Deploying New Nodes Faster with Machine Learning for IC Design and Manufacturing
机译:
通过机器学习更快地部署新节点以进行IC设计和制造
作者:
Chris Schuermyer
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
关键词:
failure analysis;
integrated circuit design;
integrated circuit manufacture;
learning (artificial intelligence);
power engineering computing;
semiconductor device manufacture;
wind turbines;
79.
Integrated Photonics of Transistor Laser, Detector and Active Load for All Optical NOR Gate
机译:
晶体管激光,检测器和所有光学NOR门的有源负载的集成光子学
作者:
Ardy Winoto
;
Junyi Qiu
;
Dufei Wu
;
Yu-Ting Peng
;
Milton Feng
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
80.
TIPS-Pentacene:PS Blend Organic Field-Effect Transistors with Hybrid Gate Dielectric on Paper Substrate
机译:
TIPS-并五苯:PS在纸基板上混合有机场效应晶体管与混合栅电介质
作者:
Vivek Raghuwanshi
;
Deepak Bharti
;
Ajay Kumar Mahato
;
Ishan Varun
;
Shree Prakash Tiwari
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
81.
CRISP: Center for Research on Intelligent Storage and Processing-in-memory
机译:
清脆:智能存储和内存加工的研究中心
作者:
Yuan Xie
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
82.
Layout Automation for Integrated Photonics
机译:
集成光子学的布局自动化
作者:
Alan Sherman
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
83.
Advanced Stacking Technologies for Heterogeneous Device Integration
机译:
异构设备集成的高级堆叠技术
作者:
Lonut Radu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
84.
RD Activities for Capacity Enhancement Using 5G Ultra High-Density Distributed Antenna Systems
机译:
使用5G超高密度分布式天线系统的容量增强的研发活动
作者:
Takashi Dateki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
85.
Embedded Memories for Silicon-ln-Package: Optimization of Memory Subsystem from loT to Machine Learning
机译:
嵌入式硅-LN包装:从批次到机器学习的存储器子系统的优化
作者:
Fatih Hamzaoglu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
86.
Machine Learning Solutions for Process Control in Semiconductor Manufacturing
机译:
半导体制造过程控制机器学习解决方案
作者:
Eugen Foca
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
87.
Advances in Quantum Dot Lasers for Silicon Photonics
机译:
硅光子的量子点激光器的进展
作者:
Yasuhiko Arakawa
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
88.
Silicon Technologies for Next Generation 5G Architectures and Applications
机译:
下一代5G架构和应用程序的硅技术
作者:
Shankaran Janardhanan
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
89.
Journey to 5G
机译:
前往5G.
作者:
Li Fung Chang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
90.
Silicon Photonic Based High-speed Transceivers for Fiber-optic Short-reach Applications
机译:
基于硅光子的光纤短距离应用的高速收发器
作者:
Peter Ossieur
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
91.
Progress in Neuromorphic Computing : Drawing Inspiration from Nature for Gains in AI and Computing
机译:
神经形态计算的进展:吸引AI和计算中的性质的灵感
作者:
Mike Davies
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
92.
VLSI Researches for Machine Learning and Neuromorphic Computing
机译:
VLSI机器学习和神经形态计算研究
作者:
Atsuya Okazaki
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
93.
RD Activities for 5G Radio Access Technologies Using SHF Bands and Co-Creation of New Services Using 5G
机译:
使用SHF频段的5G无线电接入技术的研发活动以及使用5G的新服务共同创建新服务
作者:
Yukihiko Okumura
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
94.
Semiconductor for 5G
机译:
5G半导体
作者:
Yujun Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
95.
Development and Evaluation of Low-SHF-Band C-RAN Massive MIMO System for 5G
机译:
低SHF频段C-RAN大规模MIMO系统的开发与评价5G
作者:
Yasushi Maruta
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
96.
Future of Computing and Sensing Systems for Embedded Applications
机译:
用于嵌入式应用的计算和传感系统的未来
作者:
Thomas Ernst
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
97.
New Memory Technology, Design and Architecture Co-optimization to Enable Future System Needs
机译:
新的记忆技术,设计和架构协同优化,以实现未来的系统需求
作者:
Arnaud Furnemont
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
98.
Virtual Source based I-V Model for Cryogenic CMOS Devices
机译:
基于虚拟源的低温CMOS设备I-V型号
作者:
Hazem Elgabra
;
Brandon Buonacorsi
;
Christopher Chen
;
Jeff Watt
;
Jonathan Baugh
;
Lan Wei
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
99.
New Observation and Analysis of Layout Dependent Effects in Sub-40nm Multi-Ring and Multi-Finger nMOSFETs for High Frequency Applications
机译:
高频应用亚40nm多环和多指nMOSFET中布局依赖效应的新观察和分析
作者:
Zu-Cheng Li
;
Jyh-Chyurn Guo
;
Jinq-Min Lin
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
100.
Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
机译:
背面Si钝化:导致高性能UTB Geoi结构进行单片3D集成
作者:
Wen Hsin Chang
;
Toshifumi Irisawa
;
Hiroyuki Ishii
;
Noriyuki Uchida
;
Tatsuro Maeda
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application》
|
2019年
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