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外文会议
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IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
召开年:
2016
召开地:
Miami(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
THz bandwidth InP HBT technologies and heterogeneous integration with Si CMOS
机译:
太赫兹带宽InP HBT技术以及与Si CMOS的异构集成
作者:
M. Urteaga
;
A. Carter
;
Z. Griffith
;
R. Pierson
;
J. Bergman
;
A. Arias
;
P. Rowell
;
J. Hacker
;
B. Brar
;
M.J.W. Rodwell
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Heterojunction bipolar transistors;
Periodic structures;
2.
Advantages of SiGe-pnp over Si-pnp for analog and RF enhanced CBiCMOS and Complementary Bipolar design usage
机译:
SiGe-pnp与Si-pnp相比在模拟和RF增强型CBiCMOS和互补双极设计使用方面的优势
作者:
Jeff A. Babcock
;
Joel Halbert
;
Hiroshi Yasuda
;
Alexei Sadovnikov
;
Jonggook Kim
;
Alan Buchholz
;
Robert Malone
;
Marco Corsi
;
Greg Cestra
;
Mattias Dahlstrom
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Reliability;
Calculators;
Silicon germanium;
Radio frequency;
Ions;
Manufacturing;
3.
A 4-GHz 32-bit direct digital frequency synthesizer in 0.25 µm SiGe HBT with SFDR > 46 dBc up to Nyquist bandwidth
机译:
0.25 µm SiGe HBT中的4 GHz 32位直接数字频率合成器,SFDR> 46 dBc,高达奈奎斯特带宽
作者:
Xuan Guo
;
Danyu Wu
;
Lei Zhou
;
Huasen Liu
;
Jin Wu
;
Xinyu Liu
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Decoding;
Read only memory;
Time-frequency analysis;
Silicon germanium;
Heterojunction bipolar transistors;
4.
A passive total power radiometer in 0.25 µm SiGe BiCMOS for millimeter-wave imaging
机译:
0.25 µm SiGe BiCMOS无源总功率辐射计,用于毫米波成像
作者:
E.S. Malotaux
;
M. Spirito
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
BiCMOS integrated circuits;
Silicon germanium;
Capacitance;
Detectors;
Noise measurement;
Presence network agents;
Nickel;
5.
A 76- to 81-GHz packaged single-chip transceiver for automotive radar
机译:
用于汽车雷达的76至81 GHz封装单芯片收发器
作者:
Takeji Fujibayashi
;
Yohsuke Takeda
;
Weihu Wang
;
Yi-Shin Yeh
;
Willem Stapelbroek
;
Seiji Takeuchi
;
Brian Floyd
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Couplers;
Mixers;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
Temperature measurement;
Radio frequency;
Voltage-controlled oscillators;
6.
A 90nm BiCMOS technology featuring 400GHz fMAX SiGe:C HBT
机译:
具有400GHz fMAX SiGe:C HBT的90nm BiCMOS技术
作者:
V. P. Trivedi
;
J. P. John
;
J. Young
;
T. Dao
;
D. Morgan
;
I. To
;
R. Ma
;
D. Hammock
;
S. Mehrotra
;
L. Radic
;
B. Grote
;
T. Roggenbauer
;
J. Kirchgessner
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Heterojunction bipolar transistors;
Implants;
BiCMOS integrated circuits;
Resistance;
CMOS technology;
Silicon germanium;
Optimization;
7.
A HICUM/L2 model for high-voltage BJTs
机译:
高压BJT的HICUM / L2模型
作者:
Andreas Pawlak
;
Breandán Ó hAnnaidh
;
Michael Schroter
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Heating;
8.
The broadband Darlington amplifier as a simple benchmark circuit for compact model verification at mm-wave frequency
机译:
宽带达林顿放大器是用于毫米波频率紧凑型模型验证的简单基准电路
作者:
Anindya Mukherjee
;
Chenye Lin
;
Michael Schröter
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Transmission line measurements;
Integrated circuit modeling;
Frequency measurement;
Admittance;
Analytical models;
Inductors;
Circuit stability;
9.
A 50 Gb/s TIA in 0.25µm SiGe:C BiCMOS in folded cascode architecture with pnp HBTs
机译:
具有pnp HBT的折叠式共源共栅架构中的0.25µm SiGe:C BiCMOS器件具有50 Gb / s TIA
作者:
I. García López
;
P. Rito
;
A. Awny
;
B. Heinemann
;
D. Kissinger
;
A. C. Ulusoy
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Power measurement;
Stimulated emission;
Optical noise;
Current measurement;
Lead;
Optical switches;
Bandwidth;
10.
A 162 GHz power amplifier with 14 dBm output power
机译:
具有14 dBm输出功率的162 GHz功率放大器
作者:
Jidan Al-Eryani
;
Herbert Knapp
;
Jonas Wursthorn
;
Klaus Aufinger
;
Soran Majied
;
Hao Li
;
Sabine Boguth
;
Rudolf Lachner
;
Josef Böck
;
Linus Maurer
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Impedance matching;
Pins;
Substrates;
Silicon germanium;
Radar;
Heterojunction bipolar transistors;
Reliability;
11.
A low phase noise tri-band LO generation for Ku and E band radios for backhauling Point-to-Point applications
机译:
用于回程点对点应用的Ku和E波段无线电的低相位噪声三波段LO生成
作者:
D. Cabrera
;
JB Begueret
;
N. Verrascina
;
O. Tesson
;
O. Mazouffre
;
P. Gamand
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
BiCMOS integrated circuits;
Phase measurement;
RNA;
Transistors;
Voltage-controlled oscillators;
12.
A 30GS/s 6bit SiGe ADC with input bandwidth over 18GHz and full data rate interface
机译:
一个30GS / s 6位SiZe ADC,输入带宽超过18 GHz,具有完整的数据速率接口
作者:
Danyu Wu
;
Lei Zhou
;
Yinkun Huang
;
Peng Wang
;
Jin Wu
;
Zhi Jin
;
Xinyu Liu
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Field programmable gate arrays;
Clocks;
Latches;
Q measurement;
Semiconductor device measurement;
13.
Side-use of a Ge p-i-n photo diode for electrical application in a photonic BiCMOS technology
机译:
Ge p-i-n光电二极管在光子BiCMOS技术中的电气应用侧用
作者:
S. Lischke
;
D. Knoll
;
S. Tolunay-Wipf
;
C. Wipf
;
C. Mai
;
A. Fox
;
F. Herzel
;
M. Kaynak
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Photonics;
Detectors;
Silicon;
Presses;
Radio frequency;
14.
Co-simulation and co-design of chip-package-board interfaces in highly-integrated RF systems
机译:
高度集成的RF系统中芯片封装板接口的协同仿真和协同设计
作者:
V. Issakov
;
M. Wojnowski
;
H. Knapp
;
S. Trotta
;
H.-P. Forstner
;
K. Pressel
;
A. Hagelauer
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Layout;
Electromagnetic coupling;
Coils;
Inductors;
System-on-chip;
15.
SiGe BiCMOS technologies for high-speed and high-volume optical interconnect applications
机译:
SiGe BiCMOS技术适用于高速和大批量光互连应用
作者:
Thé Linh Nguyen
;
Arash Izadi
;
Gilles Denoyer
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Optical fibers;
Optical modulation;
Stimulated emission;
CMOS technology;
Silicon germanium;
BiCMOS integrated circuits;
16.
Beyond the boundaries: Enabling new circuit opportunities by using SiGe HBTs in counterintuitive ways
机译:
超越界限:以违反直觉的方式使用SiGe HBT创造新的电路机会
作者:
John D. Cressler
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Heterojunction bipolar transistors;
Photonics;
Gallium arsenide;
17.
Injection locking circuit techniques for high-efficiency millimeter-wave transmitter arrays in SiGe and CMOS SOI processes
机译:
用于SiGe和CMOS SOI工艺中的高效毫米波发射器阵列的注入锁定电路技术
作者:
James F. Buckwalter
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Tuning;
BiCMOS integrated circuits;
Technological innovation;
Microwave amplifiers;
Microwave circuits;
18.
An improved scalable self-consistent iterative model for thermal resistance in SiGe HBTs
机译:
SiGe HBT中热阻的改进的可伸缩自洽迭代模型
作者:
Suresh Balanethiram
;
Anjan Chakravorty
;
Rosario DEsposito
;
Sebastien Fregonese
;
Thomas Zimmer
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
thermal resistance;
cooling;
Ge-Si alloys;
heavily doped semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
semiconductor device models;
thermal conductivity;
19.
Investigation of double-emitter reduced-surface-field horizontal current bipolar transistor breakdown mechanisms
机译:
双发射极减小表面场水平电流双极晶体管的击穿机理研究
作者:
Marko Koričić
;
Josip Žilak
;
Tomislav Suligoj
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Current measurement;
Impact ionization;
Force measurement;
Bipolar transistors;
Length measurement;
Electric breakdown;
20.
Current regulator with energy limitation in the unpowered state featuring bipolar discharge path
机译:
在无电状态下具有能量限制的电流调节器,具有双极放电路径
作者:
Sri Navaneeth Easwaran
;
Sunil Kashyap Venugopal
;
Robert Weigel
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Inductance;
Capacitors;
Discharges (electric);
Logic gates;
Circuit stability;
Transistors;
21.
On the use of vertical superjunction collectors for enhanced breakdown performance in SiGe HBTs
机译:
关于使用垂直超结集电极增强SiGe HBT中的击穿性能
作者:
Brian R. Wier
;
Uppili S. Raghunathan
;
Zachary E. Fleetwood
;
Michael A. Oakley
;
Alvin J. Joseph
;
Vibhor Jain
;
John D. Cressler
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Gain measurement;
Electric breakdown;
Thyristors;
Silicon germanium;
22.
The effect of strong equalization in high-speed VCSEL-based optical communications up to 48 Gbit/s
机译:
高达48 Gbit / s的基于VCSEL的高速光通信中的强均衡效应
作者:
Guido Belfiore
;
Ronny Henker
;
Frank Ellinger
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Optical fibers;
Adders;
Bit error rate;
Oscilloscopes;
Extraterrestrial measurements;
Cathodes;
23.
Hybrid small-signal π-model for the lateral NQS effect in SiGe HBTs
机译:
SiGe HBT中横向NQS效应的混合小信号π模型
作者:
Shon Yadav
;
Anjan Chakravorty
;
Michael Schroter
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Resistance;
Impedance;
24.
The impacts of base bias resistor and LTE 16QAM signal bandwidth on high-efficiency linear SiGe power amplifier design
机译:
基极偏置电阻和LTE 16QAM信号带宽对高效线性SiGe功率放大器设计的影响
作者:
J. Tsay
;
J. Lopez
;
D.Y.C. Lie
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Silicon germanium;
Radio frequency;
Thermal stability;
Gain;
Linearity;
Resistors;
Inductors;
25.
Ge-on-insulator lateral bipolar transistors
机译:
绝缘体上的Ge横向双极晶体管
作者:
J.-B. Yau
;
J. Yoon
;
J. Cai
;
T. H. Ning
;
K. K. Chan
;
S. U. Engelmann
;
D.-G. Park
;
R. T. Mo
;
G. Shahidi
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Presses;
26.
Low gate drive IGBT enabling direct control through Digital Isolator power
机译:
低栅极驱动IGBT可通过数字隔离器电源直接控制
作者:
Edward Coyne
;
Seamus Lynch
;
Pat McGuinness
;
Christine McLoughline
;
Catriona OSullivan
;
Bill Lane
;
Larry OSullivan
;
John Liddy
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Switches;
Capacitance;
27.
Why is there no internal collector resistance in HICUM?
机译:
为什么HICUM没有内部集电极电阻?
作者:
M. Schröter
;
S. Lehmann
;
A. Pawlak
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Lead;
28.
Novel npn bipolar transistor with high gain, high Early voltage, and high BVceo in an advanced SmartMOS technology
机译:
新型npn双极晶体管,采用先进的SmartMOS技术,具有高增益,高早期电压和高BVceo
作者:
Xin Lin
;
Ronghua Zhu
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Performance evaluation;
Integrated circuit modeling;
29.
DC and RF breakdown voltage characteristics of SiGe HBTs for WiFi PA applications
机译:
用于WiFi PA应用的SiGe HBT的DC和RF击穿电压特性
作者:
Vibhor Jain
;
Hanyi Ding
;
Renata Camillo-Castillo
;
Alvin Joseph
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Electric breakdown;
Integrated circuits;
Radio frequency;
Semiconductor optical amplifiers;
Power measurement;
Resistors;
Heating;
30.
Scalable sensor platform with multi-purpose fully-differential 61 and 122 GHz transceivers for MIMO radar applications
机译:
具有用于MIMO雷达应用的多功能全差分61和122 GHz收发器的可扩展传感器平台
作者:
Herman Jalli Ng
;
Maciej Kucharski
;
Dietmar Kissinger
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
MIMO;
Electronic mail;
Radar;
Mixers;
Frequency synthesizers;
Signal generators;
Binary phase shift keying;
31.
Advanced Si/SiGe HBT architecture for 28-nm FD-SOI BiCMOS
机译:
适用于28nm FD-SOI BiCMOS的高级Si / SiGe HBT架构
作者:
V.T. Vu
;
D. Celi
;
T. Zimmer
;
S. Fregonese
;
P. Chevalier
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Heterojunction bipolar transistors;
CMOS technology;
BiCMOS integrated circuits;
Epitaxial growth;
Capacitance;
Silicon germanium;
Arsenic;
32.
Analysis and modeling of the long-term ageing rate of SiGe HBTs under mixed-mode stress
机译:
混合模式应力下SiGe HBTs长期老化速率的分析与建模
作者:
G. G. Fischer
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Stress;
Analytical models;
Heterojunction bipolar transistors;
Reliability;
33.
Wideband active bi-directional SiGe digital step attenuator using an active DPDT switch
机译:
使用有源DPDT开关的宽带有源双向SiGe数字步进衰减器
作者:
Moon-Kyu Cho
;
Ickhyun Song
;
Zachary E. Fleetwood
;
John D. Cressler
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Switches;
Attenuation measurement;
Switching circuits;
Gain;
Frequency measurement;
Measurement uncertainty;
Phase measurement;
34.
Linear ultra-broadband NPN-only analog correlator at 33 Gbps in 130 nm SiGe BiCMOS technology
机译:
在130 nm SiGe BiCMOS技术中以33 Gbps速率运行的仅线性超宽带NPN模拟相关器
作者:
A.R. Javed
;
J. C. Scheytt
;
U. v. d. Ahe
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
CMOS technology;
Transistors;
Radar;
Linearity;
Chirp;
Bandwidth;
Fabrication;
35.
Modeling of high-current damage in SiGe HBTs under pulsed stress
机译:
脉冲应力下SiGe HBT中大电流损伤的建模
作者:
Uppili S. Raghunathan
;
Brian Wier
;
Rafael Perez Martinez
;
Zachary E. Fleetwood
;
Anup Omprakash
;
Hanbin Ying
;
Saeed Zeinolabedinzadeh
;
John D. Cressler
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Annealing;
Hot carriers;
Reliability;
Spontaneous emission;
Kinetic energy;
Heating;
36.
BCTM, thirty years of success
机译:
BCTM,三十年的成功
作者:
Paul C. Davis
;
John Shier
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Urban areas;
Europe;
37.
Applying bipolar transistors in dynamic power supply transmitters
机译:
在动态电源发射器中应用双极晶体管
作者:
Earl McCune
会议名称:
《IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》
|
2016年
关键词:
Switches;
Power dissipation;
Silicon germanium;
Heterojunction bipolar transistors;
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