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International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK
International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK
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1.
Metastable defects in Si_3N_4 layers accessed by scanning photoluminescence
机译:
通过扫描光致发光可访问Si_3N_4层中的亚稳态缺陷
作者:
I. Tarasov
;
M. Dybiec
;
S. Ostapenko
;
T.V. Torchynska
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
photoluminescence;
Si_3N_4;
quenching;
metastability;
2.
Investigation of optical metastability in GaN using photoluminescence spectroscopy
机译:
使用光致发光光谱研究GaN中的光学亚稳性
作者:
B.J. Ryan
;
M.O. Henry
;
E. McGlynn
;
J. Fryar
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
metastability;
GaN;
defects;
FT spectroscopy;
3.
Investigation of deep-level luminescence in In_(0.07)Ga_(0.93)N:Mg
机译:
In_(0.07)Ga_(0.93)N:Mg中深层发光的研究
作者:
B. Han
;
M.P. Ulmer
;
B.W. Wessels
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
In_xGa_(1-x)N;
photoluminescence;
self-compensation;
wide-gap semiconductors;
4.
Investigating the nature of Si doping in Al_(0.23)Ga_(0.77)N
机译:
研究Al_(0.23)Ga_(0.77)N中Si掺杂的性质
作者:
G.R. James
;
A.W.R. Leitch
;
M.C. Wagener
;
F. Omnes
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
AlGaN;
photoluminescence;
hall effect;
silicon doping;
5.
Isotope effects in the electronic spectra of singly ionised S~+ and Se~+ donors in silicon
机译:
硅中单电离的S〜+和Se〜+供体的电子光谱中的同位素效应
作者:
B. Pajot
;
B. Clerjaud
;
M.D. McCluskey
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
sulphur;
electronic spectra;
isotope effects;
6.
Iron disilicide formed in a-Si< Fe > thin films by magnetron co-sputtering
机译:
磁控共溅射在a-Si
薄膜中形成二硅化铁
作者:
V.Kh. Kudoyarova
;
E.I. Terukov
;
O.I. Konkov
;
O.B. Gusev
;
V.Yu. Davydov
;
G.N. Mosina
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
magnetron;
iron dicilicide;
thin films;
photoluminescence;
7.
Ion implantation effects in silicon with high carbon content characterised by photoluminescence
机译:
以光致发光为特征的高碳含量硅中的离子注入效应
作者:
Jin Tan
;
Gordon Davies
;
Shusaku Hayama
;
Ruth Harding
;
Jennifer Wong-Leung
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
carbon impurity;
implantation;
photoluminescence;
8.
Infrared absorption spectroscopy of hydrogen-related defects in ZnO
机译:
ZnO中与氢有关的缺陷的红外吸收光谱
作者:
E.V. Lavrov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ZnO;
hydrogen;
IR absorption;
9.
Infrared spectroscopy of hydrogen in annealed zinc oxide
机译:
退火氧化锌中氢的红外光谱
作者:
S.J. Jokela
;
M.D. McCluskey
;
K.G. Lynn
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
zinc oxide;
hydrogen;
FTIR;
polarization;
10.
Interstitial H_2 in Si: are all problems solved?
机译:
Si中的间隙H_2:是否已解决所有问题?
作者:
Michael Stavola
;
E Elinor Chen
;
W. Beall Fowler
;
G. Alvin Shi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
H_2;
Si;
vibrational spectroscopy;
11.
Interstitial-related reactions in silicon doped with isovalent impurities
机译:
掺杂等价杂质的硅中与间隙相关的反应
作者:
L.I. Khirunenko
;
O.O. Kobzar
;
Yu.V. Pomozov
;
M.G. Sosnin
;
M.O. Tripachko
;
N.V. Abrosimov
;
H. Riemann
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
tin;
germanium;
interstitial;
defect;
12.
Intense white luminescence of Sm_2O_3 irradiated with ultraviolet laser light under vacuum
机译:
在真空下用紫外线照射的Sm_2O_3的强烈白色发光
作者:
Shosuke Mochizuki
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defects in oxides;
defects atear surfaces;
white luminescence;
13.
Interaction between oxygen and single self-interstitials in silicon
机译:
氧与硅中的单个自填隙子之间的相互作用
作者:
N. Pinho
;
J. Coutinho
;
R. Jones
;
P.R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
oxygen;
IO;
14.
Induced lattice defects in InGaAs photodiodes by high-temperature electron irradiation
机译:
InGaAs光电二极管中高温电子辐照引起的晶格缺陷
作者:
H. Ohyama
;
K. Kobayashi
;
J. Vanhellemont
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
K. Takakura
;
T. Hirao
;
S. Onoda
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
InGaAs photodiode;
radiation damage;
2-MeV electron;
high-temperature irradiation;
15.
Influence of electric field on the photoluminescence of δ-doped
机译:
电场对δ掺杂光致发光的影响
作者:
D.V. Gulyaev
;
A.M. Gilinsky
;
A.I. Toropov
;
A.K. Bakarov
;
A.V. Tsarev
;
K.S. Zhuravlev
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
superlattice;
photoluminescence;
electric field;
16.
Implantation angle dependent study of vacancy related defect profiles in ion implanted silicon
机译:
离子注入硅中空位相关缺陷轮廓的注入角依赖性研究
作者:
M.D.H. Lay
;
J.C. McCallum
;
C. Jagadish
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
deep-level transient spectroscopy;
silicon;
channeling;
ion implantation;
17.
Identification of Ga interstitials in GaAlNP
机译:
GaAlNP中Ga间隙的识别
作者:
I.P. Vorona
;
N.Q. Thinh
;
I.A. Buyanova
;
W.M. Chen
;
Y.G. Hong
;
C.W. Tu
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
GaAlNP;
GaP;
Ga interstitial;
ODMR;
18.
Effects of active layer thickness on Er excitation cross section in GaInP/GaAs:Er,O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes
机译:
有源层厚度对GaInP / GaAs:Er,O / GaInP双异质结构发光二极管中Er激发截面的影响
作者:
A. Koizumi
;
Y. Fujiwara
;
A. Urakami
;
K. Inoue
;
T. Yoshikane
;
Y. Takeda
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
erbium;
oxygen;
double heterostructures;
excitation cross section;
organometallic vapor-phase epitaxy;
19.
Electrical signature for configurational bistability of self-interstitial clusters in ion-damaged silicon
机译:
离子损伤硅中自填隙团簇的构型双稳态的电学特征
作者:
P.K. Giri
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
metastable defects;
interstitial clusters;
DLTS;
ion irradiation;
20.
Electrical and multifrequency EPR study of nonstoichiometric defects in 4H-SiC
机译:
4H-SiC非化学计量缺陷的电和多频EPR研究
作者:
E.N. Kalabukhova
;
S.N. Lukin
;
D.V. Savchenko
;
W.C. Mitchel
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
semi-insulating SiC;
intrinsic defects;
EPR;
hall effect;
21.
Exciton-polariton behaviour in bulk and polyerystalline ZnO
机译:
本体和多结晶ZnO中的激子-极化子行为
作者:
Enda McGlynn
;
James Fryar
;
Martin O. Henry
;
Jean-Paul Mosnier
;
James G. Lunney
;
Donagh O Mahony
;
Eduardo dePosada
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
excitons;
polaritons;
thin films;
ZnO;
22.
Effect of spin-orbit interaction on tunnel ionization of deep centers in electric field
机译:
自旋轨道相互作用对电场深中心隧道电离的影响
作者:
I. N. Yassievich
;
V.I. Perel
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ionization in electric field;
spin;
spin-orbit interaction;
tunneling;
deep center;
23.
Effects of defects and doping on wide band gap ferromagnetic semiconductors
机译:
缺陷和掺杂对宽带隙铁磁半导体的影响
作者:
S.J. Pearton
;
C.R. Abernathy
;
G.T. Thaler
;
R. Frazier
;
F. Ren
;
A.F. Hebard
;
Y.D. Park
;
D.P. Norton
;
W. Tang
;
M. Stavola
;
J.M. Zavada
;
R.G. Wilson
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defects;
doping;
ferromagnetism;
wide band gap;
semiconductors;
24.
Effect of pressure on oxygen diffusion jump in Si: quantum-chemical simulations
机译:
压力对硅中氧扩散跃迁的影响:量子化学模拟
作者:
Vasilii Gusakov
;
Leonid Murin
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
oxygen;
diffusivity;
pressure;
25.
Effect of potential and doping profiles on excitation of stimulated THz emission of SiGe/Si quantum-well structures
机译:
势和掺杂分布对SiGe / Si量子阱结构受激太赫兹发射的激发的影响
作者:
I.V. Altukhov
;
E.G. Chirkova
;
V.P. Sinis
;
M.S. Kagan
;
R.T. Troeger
;
S.K. Ray
;
J. Kolodzey
;
A.A. Prokofiev
;
M.A. Odnoblyudov
;
I.N. Yassievich
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
stimulated THz emission;
SiGe quantum wells;
26.
Hydrogen-nitrogen complexes in GaP_yN_(1-y) alloys
机译:
GaP_yN_(1-y)合金中的氢氮配合物
作者:
Amore Bonapasta
;
F. Filippone
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
hydrogen;
Ⅲ-Ⅴ dilute alloys with nitrogen;
27.
Hydrogen states in CuInSe_2―a μSR study
机译:
CuInSe_2中的氢态-μSR研究
作者:
R.C. Vilao
;
H.V. Alberto
;
J.M. Gil
;
J.P. Piroto Duarte
;
N. Ayres de Campos
;
A. Weidinger
;
M.V. Yakushev
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
hydrogen;
chalcopyrite semiconductors;
muon spin rotation;
28.
Hydrogen behaviour in bulk Si_(1-x)Ge_x alloys as modelled by muonium
机译:
mu模拟的块体Si_(1-x)Ge_x合金中的氢行为
作者:
P.J.C. King
;
R.L. Lichti
;
I. Yonenaga
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
Si_(1-x)Ge_x alloy;
muonium;
hydrogen impurity;
29.
Donor-related defect states in ZnO substrate material
机译:
ZnO衬底材料中供体相关的缺陷状态
作者:
A. Schildknecht
;
R. Sauer
;
K. Thonke
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ZnO;
donors;
PL;
two-electron satellite;
haynes' rule;
30.
Erbium-related centres embedded in silicon microcavities
机译:
嵌入硅微腔的相关中心
作者:
N.T. Bagraev
;
A.D. Bouravleuv
;
W. Gehlhoff
;
L.E. Klyachkin
;
A.M. Malyarenko
;
V.V. Romanov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
self-assembled silicon quantum wells;
erbium-related centres;
microcavity;
31.
DLTS of low-energy hydrogen ion implanted n-Si
机译:
低能氢离子注入n-Si的DLTS
作者:
Prakash N.K. Deenapanray
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
deep level transient spectroscopy;
ion implantation;
defects;
silicon;
32.
Electronic properties of vacancy-oxygen complexes in SiGe alloys
机译:
SiGe合金中空位-氧配合物的电子性质
作者:
V.P. Markevich
;
A.R. Peaker
;
L.I. Murin
;
J. Coutinho
;
V.J.B. Torres
;
R. Jones
;
S. Oeberg
;
P.R. Briddon
;
F.D. Auret
;
N.V. Abrosimov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
SiGe;
vacancy-oxygen complexes;
structure;
electronic properties;
33.
Electronic properties of Mn acceptors in (In,Mn)As grown by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长的(In,Mn)中Mn受体的电子性质
作者:
S.J. May
;
A.J. Blattner
;
B.W. Wessels
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ferromagnetic semiconductors;
impurity levels;
manganese;
thin films;
34.
Dislocation mobility and photoluminescence of plastically deformed GaN
机译:
塑性变形GaN的位错迁移率和光致发光
作者:
I. Yonenaga
;
S. Itoh
;
T. Goto
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
nitrides;
dislocations;
photoluminescence;
structure;
35.
Diffusion of nitrogen in gallium arsenide
机译:
氮在砷化镓中的扩散
作者:
N.A. Stolwijk
;
G. Boesker
;
T.G. Andersson
;
U. Soedervall
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
diffusion;
GaAs;
nitrogen;
interstitials;
36.
Correlation of diffusion length and trap concentration with dislocation density in MOCVD-grown GaN
机译:
MOCVD生长的GaN中扩散长度和陷阱浓度与位错密度的关系
作者:
O.A. Soltanovich
;
E.B. Yakimov
;
N.M. Shmidt
;
A.S. Usikov
;
W.V. Lundin
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
diffusion length;
GaN;
EBIC;
DLTS;
37.
Electron-dipole resonance of impurity centres embedded in silicon microcavities
机译:
嵌入硅微腔中的杂质中心的电子偶极共振
作者:
N.T. Bagraev
;
W. Gehlhoff
;
A.D. Bouravleuv
;
L.E. Klyachkin
;
A.M. Malyarenko
;
V.V. Romanov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon microcavity;
bound exciton;
iron-boron pairs;
38.
Electron-dose dependence of concentrations of vacancy-oxygen pairs and divacancies in electron-irradiated n-type Si crystals
机译:
电子辐照n型硅晶体中空位-氧对浓度和空位的电子剂量依赖性
作者:
M. Suezawa
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
vacancy-oxygen pair;
divacancy;
phosphorus;
oxygen;
silicon;
39.
Exciton trapping in interface defects/quantum dots in narrow quantum wells: magnetic-field effects
机译:
激子在窄量子阱中的界面缺陷/量子点中的俘获:磁场效应
作者:
Z. Barticevic
;
M. Pacheco
;
C.A. Duque
;
L.E. Oliveira
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
exciton;
quantum dots;
interface defects;
40.
Excitonic properties of the polar faces of bulk ZnO after wet etching
机译:
湿法腐蚀后块状ZnO极性表面的激子性质
作者:
J. Fryar
;
E. McGlynn
;
M.O. Henry
;
A.A. Cafolla
;
C.J. Hanson
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
exciton;
etch;
AFM;
ZnO;
41.
A comparison of extended defect formation induced by ion implantation in (0001) and (1120) 4H-SiC
机译:
(0001)和(1120)4H-SiC中离子注入引起的扩展缺陷形成的比较
作者:
J. Wong-Leung
;
M.K. Linnarsson
;
B.G. Svensson
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ion implantation;
silicon carbide;
extended defects;
42.
A molecular dynamics simulation of cluster dissociation process under cluster ion implantation
机译:
团簇离子注入下团簇解离过程的分子动力学模拟
作者:
Yasuhiro Hada
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
lateral straggling;
cluster dissociation;
internal energy;
molecular dynamics;
43.
A model for the formation of lattice defects at silicon oxide precipitates in silicon
机译:
在硅中的氧化硅沉淀处形成晶格缺陷的模型
作者:
J. Vanhellemont
;
O. De Gryse
;
P. Clauws
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
stacking fault;
silicon;
silicon oxide;
precipitate;
{1 1 3}-defect;
dislocation dipole;
44.
A new step in high-frequency EPR of defects in
机译:
高频EPR缺陷的新步骤
作者:
H. Blok
;
J.A.J.M. Disselhorst
;
S.B. Orlinskii
;
J. Schmidt
;
P.G. Baranov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
EPR;
ESE;
high field;
high-frequency;
mm-wave;
45.
Atomic and electronic structure of misfit dislocations in GaSb/GaAs(001)
机译:
GaSb / GaAs(001)中错配位错的原子和电子结构
作者:
Nori Miyagishima
;
Takuya Shinoda
;
Ken Suzuki
;
Tadasuke Kaneko
;
Kyozaburo Takeda
;
Kenji Shiraishi
;
Tomonori Ito
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
misfit dislocation;
first-principle total energy calculations;
semiconductor heteroepitaxy;
46.
A new class of defects in highly n-doped silicon
机译:
高n掺杂硅中的新型缺陷
作者:
P.H. Citrin
;
P.M. Voyles
;
D.J. Chadi
;
D.A. Muller
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
STEM;
EXAFS;
vacancies;
interstitials;
47.
A novel approach to analyse FTIR spectra of precipitates in boron-doped silicon
机译:
分析掺硼硅中沉淀物的FTIR光谱的新方法
作者:
O. De Gryse
;
J. Vanhellemont
;
P. Clauws
;
O. Lebedev
;
J. Van Landuyt
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
spectral function;
FTIR;
silicon;
silicon oxide;
precipitate;
48.
Ab initio modeling of N-H, P-H and As-H defects in ZnSe
机译:
ZnSe中N-H,P-H和As-H缺陷的从头算建模
作者:
V.J.B. Torres
;
J. Coutinho
;
P.R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
zinc selenide;
acceptors;
hydrogen;
doping;
49.
A positron beam study of vacancy-impurity complexes in inert gas ion-implanted silicon
机译:
正电子束研究惰性气体离子注入硅中空位-杂质配合物
作者:
M. Fujinami
;
T. Miyagoe
;
T. Sawada
;
R. Suzuki
;
T. Ohdaira
;
T. Akahane
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
positron;
helium;
argon;
ion implantation;
50.
Ab initio study of neutral vacancies in InP using supercells and finite size scaling
机译:
使用超级单元和有限尺寸缩放从头开始研究InP中的空位
作者:
C.W.M. Castleton
;
S. Mirbt
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defects;
semiconductors;
corrections;
scaling;
51.
Correlation among structural, electrical, and deep-level properties of Fe centers implanted in InP
机译:
InP中注入的Fe中心的结构,电学和深层特性之间的相关性
作者:
A. Gasparotto
;
T. Cesca
;
B. Fraboni
;
F. Priolo
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
InP;
ion implantation;
electrical properties;
52.
First-principles study of the atomic structure of B-related defects in crystalline Si predoped with phosphorus
机译:
掺杂磷的晶体硅中B相关缺陷的原子结构的第一性原理研究
作者:
Chang-Youn Moon
;
Yong-Sung Kim
;
K.J. Chang
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
B diffusion;
B-P pair;
TED suppression;
53.
Formation of the D1-center in irradiated silicon by room-temperature hydrogenation
机译:
通过室温氢化在辐照硅中形成D1中心
作者:
N. Yarykin
;
J. Weber
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
thermal donors;
radiation defects;
hydrogen;
54.
Formation and properties of In-Te pairs in Si
机译:
Si中In-Te对的形成和性质
作者:
G. Tessema
;
R. Vianden
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
acceptor-donor pair;
silicon;
hyperfine interaction;
55.
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes
机译:
铁和锰原子与碳纳米管相互作用
作者:
Solange B. Fagan
;
R. Mota
;
Antonio. J.R. da Silva
;
A. Fazzio
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
carbon nanotubes;
transition metals;
adsorption;
first-principles calculations;
56.
Features of isotopic shift in the fine structure term of ESR spectra from iron-vacancy pair in silicon
机译:
硅中铁-空位对的ESR谱的精细结构项中的同位素位移特征
作者:
T. Mchedlidze
;
M. Suezawa
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
si;
irradiation defects;
fe;
ESR;
57.
Extended structural defects and their influence on the electroluminescence in efficient Si light-emitting diodes
机译:
高效Si发光二极管中扩展的结构缺陷及其对电致发光的影响
作者:
N.A. Sobolev
;
A.M. Emelyanov
;
E.I. Shek
;
V.I. Vdovin
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
extended defects;
electroluminescence;
light-emitting diodes;
silicon;
58.
Far IR magnetoabsorption in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures
机译:
Ge / GeSi多量子阱异质结构中的远红外磁吸收
作者:
V.Ya. Aleshkin
;
I.V. Erofeeva
;
V.I. Gavrilenko
;
A.V. Ikonnikov
;
D.V. Kozlov
;
O.A. Kuznetsov
;
D.B. Veksler
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
shallow acceptors;
quantum wells;
magnetoabsorption;
far infrared range;
59.
Understanding defects in semiconductors as key to advancing device technology
机译:
了解半导体缺陷是推动器件技术发展的关键
作者:
Eicke R. Weber
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defect identification;
device performance;
deep levels;
hydrogenic levels;
si ― native defects;
si ― diffusion;
si ― transition metals;
si ― gettering;
DX centers;
antisite defects/EL2;
60.
Ultraviolet stimulated emission from bulk and polycrystalline ZnO thin films with varying grain sizes
机译:
不同粒径的块状和多晶ZnO薄膜的紫外线激发发射
作者:
G. Tobin
;
E. McGlynn
;
M.O. Henry
;
J.P. Mosnier
;
J.G. Lunney
;
D. OMahony
;
E. dePosada
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
UV stimulated emission;
photoluminescence;
pulsed laser deposition;
ZnO;
61.
Vacancy-oxygen complex in Ge crystals
机译:
Ge晶体中的空位-氧配合物
作者:
V.P. Markevich
;
V.V. Litvinov
;
L. Dobaczewski
;
J.L. Lindstroem
;
L.I. Murin
;
S.V. Vetrov
;
I.D. Hawkins
;
A.R. Peaker
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
Ge;
vacancy-oxygen;
energy levels;
local vibrational modes;
symmetry;
62.
Vacancy-type defects in brown diamonds investigated by positron annihilation
机译:
通过正电子an灭研究棕色钻石中的空位型缺陷
作者:
V. Avalos
;
S. Dannefaer
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
brown IIa diamond;
positron annihilation;
63.
UV-laser-light-produced defects and reversible blue-white photoluminescence change in silica
机译:
紫外激光产生的缺陷和二氧化硅中可逆的蓝白色光致发光变化
作者:
Shosuke Mochizuki
;
Hiroyuki Araki
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defects in silica;
white-light emission;
photomemory;
64.
Weak localization of holes in acceptor-doped SiGe quantum wells
机译:
掺杂受体的SiGe量子阱中空穴的弱定位
作者:
M.S. Kagan
;
G.M. Minkov
;
N.G. Zhdanova
;
E.G. Landsberg
;
I.V. Altukhov
;
K.A. Korolev
;
R. Zobl
;
E. Gornik
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
SiGe structures;
quantum well;
negative magnetoresistance;
65.
The VO_2~* defect in silicon
机译:
硅中的VO_2〜*缺陷
作者:
J.L. Lindstroem
;
L.I. Murin
;
B.G. Svensson
;
V.P. Markevich
;
T. Hallberg
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
defects;
vacancy-dioxygen;
LVMs;
66.
The unusual influence of intrinsic defects on the diffusion of Ag and Cu in CdTe
机译:
固有缺陷对CdTe中Ag和Cu扩散的异常影响
作者:
H. Wolf
;
F. Wagner
;
T. Wichert
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
diffusion;
group I elements;
intrinsic defects;
CdTe;
67.
The thermal stability of iron precipitates in silicon after internal gettering
机译:
内部吸气后铁在硅中沉淀的热稳定性
作者:
Peng Zhang
;
Hele Vaeinoelae
;
Andrei A. Istratov
;
Eicke R. Weber
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
internal gettering;
re-dissolution energy barrier;
iron;
silicon;
68.
Trapping of mobile Mu centers in single crystal AlN
机译:
在单晶AlN中捕获移动Mu中心
作者:
R.L. Lichti
;
Y.G. Celebi
;
K.H. Chow
;
B. Hitti
;
S.F.J. Cox
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
muonium;
hydrogen;
AlN;
defect diffusion;
69.
Structural and optical studies on mesoscopic defect structure in highly conductive AgI-ZnO composites
机译:
高导电性AgI-ZnO复合材料介观缺陷结构的结构和光学研究
作者:
Fumito Fujishiro
;
Shosuke Mochizuki
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defects in oxides;
defects atear surfaces and interfaces;
70.
Temperature effect on defect evolution in 800 keV Ge-implanted Si/SiGe multi-layered structure
机译:
温度对800 keV Ge注入Si / SiGe多层结构中缺陷演变的影响
作者:
P.I. Gaiduk
;
A. Nylandsted Larsen
;
J. Lundsgaard Hansen
;
E. Wendler
;
W. Wesch
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
implantation;
defects;
voids;
SiGe alloys;
TEM;
71.
Structures of glide-set 90° partial dislocation cores in diamond cubic semiconductors
机译:
金刚石立方半导体中滑移设置的90°部分位错核的结构
作者:
S.P. Beckman
;
D.C. Chrzan
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
dislocation;
thermodynamics;
72.
Structure of isolated positively charged muonium/hydrogen in GaAs
机译:
GaAs中分离的带正电的hydro /氢的结构
作者:
K.H. Chow
;
B. Hitti
;
R.F. Kiefl
;
R.L. Lichti
;
S.F.J. Cox
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
muonium;
hydrogen;
GaAs;
structure;
73.
Strain release in InGaAs/In_xAl_(1-x)As/InP heterostructures
机译:
InGaAs / In_xAl_(1-x)As / InP异质结构中的应变释放
作者:
O. Yastrubchak
;
J. Bak-Misiuk
;
E. Lusakowska
;
J. Kaniewski
;
J.Z. Domagala
;
T. Wosinski
;
A. Shalimov
;
K. Reginski
;
A. Kudla
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
semiconductor heterostructures;
strain relaxation;
misfit dislocations;
74.
Strain relaxation in LT-GaAs by the agglomeration of As antisites
机译:
As反位团聚在LT-GaAs中的应变弛豫
作者:
T.E.M. Staab
;
R.M. Nieminen
;
M. Luysberg
;
J. Gebauer
;
Th. Frauenheim
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
low-temperature-GaAs;
lattice strain;
antisites;
interstitials;
point defect agglomerations;
75.
Stress-induced-dichroism of the 648.2- and 1819.5-cm~(-1) infrared absorption lines of oxygen in silicon
机译:
硅中氧的648.2-和1819.5-cm〜(-1)红外吸收线的应力诱导二向色性
作者:
Hideki Takahashi
;
Hiroshi Yamada-Kaneta
;
Masashi Suezawa
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
oxygen;
oxygen impurities;
silicon;
infrared absorption;
76.
Spectroscopic observation of the TDD0 in silicon
机译:
硅中TDD0的光谱观察
作者:
L.I. Murin
;
V.P. Markevich
;
J.L. Lindstroem
;
M. Kleverman
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
oxygen;
thermal double donors;
77.
Self-compensation in CdF_2 with Schottky barriers
机译:
具有肖特基势垒的CdF_2中的自补偿
作者:
A.S. Shcheulin
;
A.E. Angervaks
;
A.K. Kupchikov
;
A.I. Ryskin
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
schottky barrier;
interface;
excitation;
78.
Ro-vibrational modes of H_2 in 4H-SiC and 2H-GaN
机译:
4H-SiC和2H-GaN中H_2的Ro振动模式
作者:
T.A.G. Eberlein
;
L. Huggett
;
R. Jones
;
P.R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
hydrogen;
molecule;
SiC;
GaN;
79.
Shallow donor electron spins as qubits in Si and SiGe: a pulsed ESR study
机译:
浅供体电子自旋为Si和SiGe中的量子位:脉冲ESR研究
作者:
M. Fanciulli
;
P. Hoefer
;
A. Ponti
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
shallow donors;
spin echo;
dephasing;
ESEEM;
80.
Shallow donors in diamond: pnictogen and chalcogen hydrogen defects
机译:
钻石中的浅层供体:光气和硫属元素氢缺陷
作者:
S.J. Sque
;
R. Jones
;
J.P. Goss
;
P.R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
diamond;
shallow;
donors;
81.
Recombination-induced formation of hydrogen-defect complexes in 4H and 6H-SiC: electrical and optical characterization
机译:
重组诱导的4H和6H-SiC中氢缺陷络合物的形成:电学和光学表征
作者:
Y. Koshka
;
A. Los
;
M.S. Mazzola
;
I. Sankin
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
SiC;
defect reaction;
luminescence;
hydrogen;
82.
Redistribution of mobile point defects in CdS crystals under ultrasound treatment
机译:
超声处理下CdS晶体中迁移点缺陷的重新分布
作者:
L.V. Borkovska
;
M.P. Baran
;
N.O. Korsunska
;
I.V. Markevich
;
O.F. Singaevsky
;
M.K. Sheinkman
;
T.V. Torchynska
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
point defects;
ultrasound;
dislocations;
83.
Reversible photoinduced spectral transition in Eu_2O_(3-γ)Al_2O_3 composites at room temperature
机译:
Eu_2O_(3-γ)Al_2O_3复合材料在室温下可逆光致光谱跃迁
作者:
Shosuke Mochizuki
;
Hiroyuki Araki
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
defects in oxides;
defects atear surfaces and interfaces;
84.
Piezospectroscopic studies of the re-orientation process of defect complexes
机译:
缺陷配合物重取向过程的压电光谱研究
作者:
L. Dobaczewski
;
O. Andersen
;
K. Bonde Nielsen
;
A.R. Peaker
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defect re-orientation;
piezospectroscopy;
laplace DLTS;
85.
Positron-sensitive vacancy-type centres in the nitrides: 1D-ACAR data
机译:
氮化物中正电子敏感的空位型中心:1D-ACAR数据
作者:
N.Yu. Arutyunov
;
V.V. Emtsev
;
A.V. Mikhailin
;
C.J. Humphreys
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
positron;
annihilation;
nitrides;
defects;
86.
Positron annihilation of defects in silicon deformed at different temperatures
机译:
在不同温度下变形的硅中缺陷的正电子an没
作者:
H.S. Leipner
;
V.V. Mikhnovich Jr.
;
V. Bondarenko
;
Z. Wang
;
H. Gu
;
R. Krause-Rehberg
;
J.-L. Demenet
;
J. Rabier
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
plastic deformation;
silicon;
dislocations;
vacancy clusters;
87.
Positron annihilation spectroscopy of the interface between nanocrystalline Si and SiO_2
机译:
纳米晶Si与SiO_2界面的正电子an没光谱
作者:
X.D. Pi
;
P.G. Coleman
;
R. Harding
;
G. Davies
;
R.M. Gwilliam
;
B.J. Sealy
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon nanocrystal;
silicon dioxide;
interface;
positron annihilation;
88.
Photoluminescence study on defects in pristine anatase and anatase-based composites
机译:
原始锐钛矿和基于锐钛矿的复合材料中的缺陷的光致发光研究
作者:
Shosuke Mochizuki
;
Takashi Shimizu
;
Fumito Fujishiro
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
defects in oxides;
defects atear surfaces and interfaces;
89.
Photoluminescence in platinum doped GaN
机译:
铂掺杂GaN中的光致发光
作者:
A. Stoetzler
;
M. Deicher
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
GaN;
platinum;
photoluminescence;
90.
Photoluminescence characterization of shallow acceptors in n-GaAs using a surface acoustic wave technique
机译:
使用表面声波技术表征n-GaAs中浅受体的光致发光特性
作者:
A.E. Nickolaenko
;
A.M. Gilinsky
;
A.V. Tsarev
;
K.S. Zhuravlev
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
photoluminescence;
surface acoustic waves;
91.
Oxygen vacancies in ZnO
机译:
ZnO中的氧空位
作者:
F. Leiter
;
H. Alves
;
D. Pfisterer
;
N.G. Romanov
;
D.M. Hofmann
;
B.K. Meyer
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
ZnO;
optical properties;
oxygen vacancies;
92.
Peculiarities of extended defect system in III-nitrides with different degrees of order of mosaic structure
机译:
镶嵌结构顺序不同的III族氮化物中扩展缺陷系统的特殊性
作者:
A.V. Ankudinov
;
A.I. Besyulkin
;
A.G. Kolmakov
;
W.V. Lundin
;
V.V. Ratnikov
;
N.M. Shmidt
;
A.A. Sitnikova
;
A.N. Titkov
;
A.S. Usikov
;
E.B. Yakimov
;
E.E. Zavarin
;
R.V. Zolotareva
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
III-nitrides;
mosaic structure;
93.
Peculiarities of vacancy-related defects formation in Si doped with tin
机译:
锡掺杂硅中空位相关缺陷形成的特殊性
作者:
L.I. Khirunenko
;
O.O. Kobzar
;
Yu.V. Pomozov
;
M.G. Sosnin
;
M.O. Tripachko
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon;
tin;
irradiation;
vacancy;
94.
Prediction of XPS spectra of silicon self-interstitials with the all-electron mixed-basis method
机译:
全电子混合基方法预测硅自填隙的XPS光谱
作者:
Takeshi Nishimatsu
;
Marcel Sluiter
;
Hiroshi Mizuseki
;
Yoshiyuki Kawazoe
;
Yuzuru Sato
;
Masayasu Miyata
;
Masamitsu Uehara
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ab initio;
X-ray photoelectron spectroscopy;
defect formation energy;
amorphous silicon;
95.
Radiative defects in CuGaS_2 thin films
机译:
CuGaS_2薄膜中的辐射缺陷
作者:
J.R. Botha
;
M.S. Branch
;
A.W.R. Leitch
;
J. Weber
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
CuGaS_2;
intrinsic defects;
photoluminescence;
96.
Radiation damage in silicon studied in situ by nanocalorimetry
机译:
纳米量热法原位研究硅中的辐射损伤
作者:
J.-F. Mercure
;
R. Karmouch
;
Y. Anahory
;
S. Roorda
;
F. Schiettekatte
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
nanocalorimetry;
damage;
annealing;
DSC;
97.
On the formation of boron-germanium pairs in silicon-germanium mixed crystals
机译:
硅锗混合晶体中硼锗对的形成
作者:
J. Hattendorf
;
W.-D. Zeitz
;
W. Schroeder
;
N.V. Abrosimov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
silicon-germanium crystals;
boron implantation;
β-NMR;
DFT calculations;
98.
On the kinetics of the formation of interstitial Fe-vacancy pairs in silicon at high temperatures
机译:
高温下硅中间隙铁-空位对的形成动力学
作者:
H.P. Gunnlaugsson
;
G. Weyer
;
N.E. Christensen
;
M. Dietrich
;
M. Fanciulli
;
K. Bharuth-Ram
;
R. Sielemann
;
A. Svane
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
fe defects;
vacancy;
silicon;
mossbauer spectroscopy;
99.
Optical absorption of a Li-related impurity in ZnO
机译:
ZnO中锂相关杂质的光吸收
作者:
Deirdre Mc Cabe
;
Karl Johnston
;
Martin O. Henry
;
Enda Mc Glynn
;
Eduardo Alves
;
J. John Davies
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
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2003年
关键词:
photoluminescence;
absorption;
magnetic resonance;
isotope substitution;
100.
Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation
机译:
通过离子注入对Tm进行ZnO光学掺杂
作者:
E. Rita
;
E. Alves
;
U. Wahl
;
J.G. Correia
;
A.J. Neves
;
M.J. Soares
;
T. Monteiro
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-22); 20030728-20030801; Aarhus; DK》
|
2003年
关键词:
ZnO;
tm doping;
RBS/channeling;
PL;
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