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International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
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1.
5G and IoT
机译:
5G和物联网
作者:
Li Fung Chang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
2.
IMEC enables: Technology services for emerging economies, startups, academia
机译:
IMEC能够:为新兴经济体,初创企业,学术界提供技术服务
作者:
Peter Lemmens
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
3.
For your eyes only? UAV and DJI
机译:
只为你的眼睛?无人机和大疆
作者:
Zexiang Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
4.
Foudnry technology and service
机译:
铸造技术与服务
作者:
Jerry C. Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
5.
Foundry solutions enabling next wave of SoC innovations
机译:
代工解决方案支持下一波SoC创新
作者:
Subramani Kengeri
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
6.
Integrated Group IV photodetectors via rapid melt growth method
机译:
通过快速熔体生长方法集成的IV组光电探测器
作者:
Ming-Chang Lee
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
7.
Key enablers for 3D sequential integration
机译:
3D顺序集成的关键推动力
作者:
Laurent Brunet
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
8.
More than Moore's law ??? Scaling with silicon photonics
机译:
不仅仅是摩尔定律???使用硅光子学进行缩放
作者:
Young-Kai Chen
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
9.
New systems opportunities in cloud-scale data center
机译:
云规模数据中心的新系统机会
作者:
Tzi-Cker Chiueh
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
10.
Self assembled ordered phthalocyanine monolayers on 2D semiconductors for subnanometer dielectric ALD nucleation
机译:
自组装有序酞菁单分子层在2D半导体上用于亚纳米电介质ALD成核
作者:
Andrew C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
11.
On the continuation of IC innovation against all odds
机译:
关于IC创新的持续发展
作者:
Paolo A. Gargini
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
12.
Recent progress of 850nm VCSEL for oeic application
机译:
850nm VCSEL光学应用的最新进展
作者:
Hao-Chung Kuo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
13.
Review of negative capacitance transistors
机译:
负极电容晶体管的回顾
作者:
Sayeef Salahuddin
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
14.
Taiwan 4G progress and 5G evolution
机译:
台湾4G进步与5G演进
作者:
Mu-Piao Shih
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
15.
The opportunity for bulk GaN power device ??? Technology and application
机译:
批量氮化镓功率器件的机会技术与应用
作者:
Zhen-Yu Li
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
16.
The present and future of Moore's law
机译:
摩尔定律的现在和未来
作者:
Peng Bai
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
17.
Ultra-low power SoC for wearable IoT
机译:
适用于可穿戴设备和物联网的超低功耗SoC
作者:
Uming Ko
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
18.
Ultra-low-energy IOT memory architectures based on embedded STT-MRAM
机译:
基于嵌入式STT-MRAM的超低能耗IOT存储器架构
作者:
Yu Lu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
19.
???More than Moore??? expands the semiconductor world
机译:
超过摩尔扩展半导体世界
作者:
Hidemi Hank Takasu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
20.
A compact model for the SET parameter variations of oxide RRAM array
机译:
氧化物RRAM阵列SET参数变化的紧凑模型
作者:
Lingjun Dai
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
He Qian
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
21.
Band structure engineered Germanium-Tin (GeSn) p-channel tunnel transistors
机译:
带结构工程锗锡(GeSn)p沟道隧道晶体管
作者:
Rahul Pandey
;
Ramkrishna Ghosh
;
Suman Datta
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
22.
Corner spacer design for performance optimization of multi-gate InGaAs-OI FinFET with gate-to-source/drain underlap
机译:
角间隔器设计可优化具有栅-源/漏重叠的多栅InGaAs-OI FinFET的性能
作者:
Vita Pi-Ho Hu
;
Chang-Ting Lo
;
Angada B. Sachid
;
Pin Su
;
Chenming Hu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
23.
Comprehensive study of intrinsic unipolar SiOx-based ReRAM characteristics in AC frequency response and low voltage (< 2V) operation
机译:
交流频率响应和低电压(<2V)操作中基于单极性SiOx的固有ReRAM特性的综合研究
作者:
Ying-Chen Chen
;
Yao-Feng Chang
;
Burt Fowler
;
Fei Zhou
;
Xiaohan Wu
;
Cheng-Chih Hsieh
;
Heng-Lu Chang
;
Chih-Hung Pan
;
Min-Chen Chen
;
Kuan-Chang Chang
;
Tsung-Ming Tsai
;
Ting-Chang Chang
;
Jack C. Lee
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
关键词:
Low Voltage Operation;
ReRAM;
SiOx;
Unipolar;
24.
A new manufacturing method of CMOS logic compatible 1T-CRRAM
机译:
CMOS逻辑兼容1T-CREAM的新制造方法
作者:
Hung-Yu Chen
;
Hsien-Hao Chen
;
Yun-Feng Kao
;
Ping-Yu Chen
;
Ya-Chin King
;
Chrong Jung Lin
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
25.
A novel double-density single-gate vertical-channel (SGVC) 3D NAND flash featuring a flat-channel device with excellent layer uniformity
机译:
一种新颖的双密度单栅极垂直通道(SGVC)3D NAND闪存,其特征在于具有出色层均匀性的平面通道器件
作者:
Hang-Ting Lue
;
Chia-Jung Chiu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
26.
A TiO2-based volatile threshold switching selector device with 107 non linearity and sub 100 pA Off current
机译:
具有107非线性和低于100 pA关断电流的基于TiO2的挥发性阈值开关选择器器件
作者:
Simone Cortese
;
Maria Trapatseli
;
Ali Khiat
;
Themistoklis Prodromakis
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
27.
a-SiGeC thin film photovoltaic enabled self-power monolithic 3D IC under indoor illumination
机译:
室内照明下采用a-SiGeC薄膜光伏技术的自供电单片3D IC
作者:
Ming-Hsuan Kao
;
Chih-Chao Yang
;
Tsung-Ta Wu
;
Tung-Ying Hsieh
;
Wen-Hsien Huang
;
Hsing-Hsiang Wang
;
Chang-Hong Shen
;
Wen-Kuan Yeh
;
Meng-Fan Chang
;
Jia-Min Shieh
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
关键词:
Eenergy harvester;
Low thermal budget;
Monolithic 3D;
28.
Advanced metrology and inspection solutions for a 3D world
机译:
适用于3D世界的高级计量和检测解决方案
作者:
Ingo Schulmeyer
;
Lorenz Lechner
;
Allen Gu
;
Raleigh Estrada
;
Diane Stewart
;
Lewis Stern
;
Shawn McVey
;
Bernhard Goetze
;
Ulrich Mantz
;
Raj Jammy
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
29.
An Innovative 1T1R Dipole Dynamic Random Access Memory (DiRAM) featuring high speed, ultra-low power, and low voltage operation
机译:
创新的1T1R偶极动态随机存取存储器(DiRAM)具有高速,超低功耗和低压操作
作者:
E. R. Hsieh
;
C. H. Chuang
;
Steve S. Chung
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
30.
Atomistic simulation of gate-all-around GaSb/InAs nanowire TFETs using a fast full-band mode-space NEGF model
机译:
使用快速全频带模式空间NEGF模型的全栅GaSb / InAs纳米线TFET的原子模拟
作者:
Aryan Afzalian
;
Matthias Passlack
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
31.
Compact modeling and simulation of TSV with experimental verification
机译:
通过实验验证对TSV进行紧凑的建模和仿真
作者:
Jhih-Yang Yan
;
Sun-Rong Jan
;
Yi-Chung Huang
;
Huang-Siang Lan
;
C. W. Liu
;
Y. -H. Huang
;
Bigchoug Hung
;
K. -T. Chan
;
Michael Huang
;
M. -T. Yang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
32.
Industrialization of Si-Photonics into a 300mm CMOS fab
机译:
将Si-Photonics工业化为300mm CMOS晶圆厂
作者:
Frederic Boeuf
;
Kirk Ouellette
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
33.
Deep understanding of random telegraph noise (RTN) effects on SRAM stability
机译:
深入了解随机电报噪声(RTN)对SRAM稳定性的影响
作者:
Dongyuan Mao
;
Shaofeng Guo
;
Runsheng Wang
;
Mulong Luo
;
Ru Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
34.
Doherty techniques for 5G RF and mm-wave power amplifiers
机译:
适用于5G射频和毫米波功率放大器的Doherty技术
作者:
Patrick Reynaert
;
Yuhe Cao
;
Marco Vigilante
;
Paramartha Indirayanti
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
35.
Doping technology for RRAM ??? Opportunities and challenges
机译:
RRAM的掺杂技术机遇与挑战
作者:
Blanka Magyari-Köpe
;
Dan Duncan
;
Liang Zhao
;
Yoshio Nishi
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
36.
Effect of Ti buffer layer on HfOx-based bipolar and complementary resistive switching for future memory applications
机译:
Ti缓冲层对基于HfOx的双极和互补电阻切换的影响,以用于未来的存储器应用
作者:
Sk. Ziaur Rahaman
;
Yu-De Lin
;
Pei-Yi Gu
;
Heng-Yuan Lee
;
Yu-Sheng Chen
;
Pan-Shiu Chen
;
Kan-Hsueh Tsai
;
Wei-Su Chen
;
Chien-Hua Hsu
;
Po-Tsung Tu
;
Frederick T. Chen
;
Ming-Jinn Tsai
;
Tzu-Kun Ku
;
Pei-Hua Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
37.
Electrical defect spectroscopy and reliability prediction through a novel simulation-based methodology
机译:
通过基于仿真的新型方法进行电缺陷光谱学和可靠性预测
作者:
L. Larcher
;
G. Sereni
;
A. Padovani
;
L. Vandelli
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
38.
Electrical testing structure for stacking error measurement in 3D integration
机译:
用于3D集成中堆叠误差测量的电气测试结构
作者:
Shih-Wei Lee
;
Shu-Chiao Kuo
;
Kuan-Neng Chen
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
39.
Excellent resistance variability control of WOx ReRAM by a smart writing algorithm
机译:
通过智能写入算法出色地控制WOx ReRAM的电阻可变性
作者:
Yu-Hsuan Lin
;
Jau-Yi Wu
;
Ming-Hsiu Lee
;
Tien-Yen Wang
;
Yu-Yu Lin
;
Feng-Ming Lee
;
Dai-Ying Lee
;
Erh-Kun Lai
;
Kuang-Hao Chiang
;
Hsiang-Lan Lung
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Tseung-Yuen Tseng
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
40.
Experimental demonstration of performance improvement with a strain boost technique tailored for 3-Dimensional structure on nano-scaled bulk pFinFETs
机译:
在纳米级块状pFinFET上采用针对3维结构量身定制的应变增强技术提高性能的实验证明
作者:
Ta-Chun Lin
;
Yun-Ju Sun
;
Ming-Huei Lin
;
Tomonari Yamamoto
;
Shyh-Horng Yang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
41.
Fine charge sensing using a silicon nanowire for biodetection
机译:
使用硅纳米线进行生物检测的精细电荷感测
作者:
Corentin Carmignani
;
Olivier Rozeau
;
Pascal Scheiblin
;
Aurélie Thuaire
;
Patrick Reynaud
;
Sylvain Barraud
;
Thomas Ernst
;
Severine Cheramy
;
Maud Vinet
会议名称:
《》
|
2016年
42.
Functionality and reliability of resistive RAM (RRAM) for non-volatile memory applications
机译:
非易失性存储器应用的电阻RAM(RRAM)的功能和可靠性
作者:
G. Molas
;
G. Piccolboni
;
M. Barci
;
B. Traore
;
J. Guy
;
G. Palma
;
E. Vianello
;
P. Blaise
;
J. M. Portal
;
M. Bocquet
;
A. Levisse
;
B. Giraud
;
J. P. Noel
;
M. Harrand
;
M. Bernard
;
A. Roule
;
B. De Salvo
;
L. Perniola
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
43.
High-gain, low-voltage BEOL logic gate inverter built with film profile engineered IGZO transistors
机译:
高增益,低压BEOL逻辑门反相器,采用薄膜轮廓设计的IGZO晶体管构建
作者:
Rong-Jhe Lyu
;
Yun-Hsuan Chiu
;
Horng-Chih Lin
;
Pei-Wen Li
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
44.
Impact of transistor technology on power savings in monolithic 3D ICs
机译:
晶体管技术对单片3D IC节能的影响
作者:
Sandeep Kumar Samal
;
Deepak Kumar Nayak
;
Motoi Ichihashi
;
Srinivasa Banna
;
Sung Kyu Lim
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
45.
Implementation of memory stacking on logic controller by using 3DIC 300mm backside TSV process integration
机译:
使用3DIC 300mm背面TSV流程集成在逻辑控制器上实现存储器堆栈
作者:
Shang-Chun Chen
;
Pei-Jer Tzeng
;
Yu-Chen Hsm
;
Chung-Chih Wang
;
Po-Chih Chang
;
Jui-Chm Chen
;
Yiu-Hsiang Chang
;
Tsuen-Sung Chen
;
Tzu-Chien Hsu
;
Hsiang-Hung Chang
;
Chau-Jie Zhan
;
Chia-Hsin Lee
;
Yung-Fa Chou
;
Ding-Ming Kwai
;
Tzu-Kun Ku
;
Pei-Hua Wang
;
Wei-Chung Lo
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
46.
In0.53Ga0.47As(001)???(2x4) and Si0.5Ge0.5(110) surface passivation by self-limiting deposition of silicon containing control layers
机译:
In0.53Ga0.47As(001)???(2x4)和Si0.5Ge0.5(110)表面钝化,通过自限性沉积含硅控制层
作者:
M. Edmonds
;
T. J Kent
;
S. Wolf
;
K. Sardashti
;
M. Chang
;
J. Kachian
;
R. Droopad
;
E. Chagarov
;
A. C. Kummel
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
47.
Investigation of local heating effect for 14nm Ge pFinFETs based on Monte Carlo method
机译:
基于蒙特卡洛方法研究14nm Ge pFinFET的局部加热效应
作者:
Longxiang Yin
;
Hai Jiang
;
Lei Shen
;
JunCheng Wang
;
Gang Du
;
Xiaoyan Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
48.
Low contact resistivity (1.5??10???8 ??-cm2) of phosphorus-doped Ge by in-situ chemical vapor deposition doping and laser annealing
机译:
原位化学气相沉积掺杂和激光退火法制得的磷掺杂锗低接触电阻率(1.5≤10≤10≤8≤cm -2)
作者:
S. -H. Huang
;
F. -L. Lu
;
C. W. Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2016年
49.
Low power/self-compliance of resistive switching elements modified with a conduction Ta-oxide layer through low temperature plasma oxidization of Ta thin film
机译:
通过Ta薄膜的低温等离子体氧化,用导电Ta-氧化物层改性的电阻开关元件的低功率/自相容性
作者:
Yu-Sheng Chen
;
Heng-Yuan Lee
;
Pang-Shiu Chen
;
Y. D. Lin
;
Kan-Hsueh Tsai
;
C. H. Hsu
;
W. S. Chen
;
Ming-Jinn Tsai
;
T. K. Ku
;
P. H. Wang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
50.
Low temperature microwave annealed FinFETs with less Vth variability
机译:
低温微波退火的FinFET,具有较小的Vth变化
作者:
K. Endo
;
Y. -J Lee
;
Y. Ishikawa
;
F. -K. Hsueh
;
P. -J. Sung
;
Y. -X. Liu
;
T. Matsukawa
;
S. Ouchi
;
J. Tsukada
;
H. Yamauchi
;
M. Masahara
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
51.
Simulation of nano-scale double gate In0.53Ga0.47As nMOSFETs by a deterministic BTE solver
机译:
确定性BTE求解器对纳米级双栅极In0.53Ga0.47As nMOSFET的仿真
作者:
Shaoyan Di
;
Kai Zhao
;
Zhiyuan Lun Tiao Lu
;
Gang Du
;
Xiaoyan Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
52.
Mixed analog-digital pulse-width modulator for massive-MIMO transmitters
机译:
适用于大规模MIMO发射机的混合模数脉冲宽度调制器
作者:
Yannis Papananos
;
Nikolaos Alexiou
;
Konstantinos Galanopoulos
;
David Seebacher
;
Franz Dielacher
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
53.
Nickel-phosphide contact for effective Schottky barrier modulation in black phosphorus p-channel transistors
机译:
磷化镍触点可在黑磷p沟道晶体管中有效进行肖特基势垒调制
作者:
Zhi-Peng Ling
;
Kausik Majumdar
;
Soumya Sakar
;
Sinu Mathew
;
Jun-Tao Zhu
;
K. Gopinadhan
;
T. Venkatesan
;
Kah-Wee Ang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
54.
Optimization of fin profile and implant in bulk FinFET technology
机译:
在整体FinFET技术中优化鳍轮廓和注入
作者:
Y. -S. Wu
;
C. -H. Tsai
;
T. Miyashita
;
P. -N. Chen
;
B. -C. Hsu
;
P. -H. Wu
;
H. -H. Hsu
;
C. -Y. Chiang
;
H. -H. Liu
;
H. -L. Yang
;
K. -C Kwong
;
J. -C. Chiang
;
C. -W. Lee
;
Y. -J. Lin
;
C. -A. Lu
;
C. -Y. Lin
;
S. -Y. Wu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
55.
Oxygen chemical potential profile optimization for fast low current (<10??A) resistive switching in oxide-based RRAM
机译:
氧化学势分布的优化,用于基于氧化物的RRAM中的快速低电流(<10?A)电阻切换
作者:
C. Y. Chen
;
L. Goux
;
A. Fantini
;
A. Redolfi
;
G. Groeseneken
;
M. Jurczak
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
56.
P-type surface charge transfer doping of black phosphorus field-effect transistors
机译:
黑磷场效应晶体管的P型表面电荷转移掺杂
作者:
Yuchen Du
;
Lingming Yang
;
Hong Zhou
;
Peide D. Ye
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
57.
Performance benchmarking of monolayer and bilayer two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMD) based logic circuits
机译:
基于单层和双层二维过渡金属二硫化二硫(TMD)的逻辑电路的性能基准测试
作者:
Chang-Hung Yu
;
Pin Su
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
58.
PMOS contact resistance solution compatible to CMOS integration for 7 nm node and beyond
机译:
PMOS接触电阻解决方案与CMOS集成兼容,适用于7 nm及更高的节点
作者:
C. -N. Ni
;
Y. -C. Huang
;
S. Jun
;
S. Sun
;
A. Vyas
;
F. Khaja
;
K. V. Rao
;
S. Sharma
;
N. Breil
;
M. Jin
;
C. Lazik
;
A. Mayur
;
J. Gelatos
;
H. Chung
;
R. Hung
;
M. Chudzik
;
N. Yoshida
;
N. Kim
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
59.
Record high current density and low contact resistance in MoS2 FETs by ion doping
机译:
通过离子掺杂记录MoS2 FET中的高电流密度和低接触电阻
作者:
Sara Fathipour
;
Hua-Min Li
;
Maja Remškar
;
Lingyen Yeh
;
Wilman Tsai
;
Yuming Lin
;
Susan Fullerton-Shirey
;
Alan Seabaugh
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
60.
Reliable high-voltage amorphous InGaZnO TFT for monolithic 3D integration
机译:
用于单片3D集成的可靠的高压非晶InGaZnO TFT
作者:
Ming-Jiue Yu
;
Ruei-Ping Lin
;
Yu-Hong Chang
;
Tuo-Hung Hou
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
61.
ReRAM-based analog synapse and IMT neuron device for neuromorphic system
机译:
基于ReRAM的神经形态系统模拟突触和IMT神经元设备
作者:
Kibong Moon
;
Euijun Cha
;
Daeseok Lee
;
Junwoo Jang
;
Jaesung Park
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
62.
RF performance of passive components on state-of-art trap rich silicon-on-insulator substrates
机译:
最新的富阱绝缘体上硅衬底上无源组件的射频性能
作者:
Lei Zhu
;
Shuangke Liu
;
F. Allibert
;
E. Desbonnets
;
I. Radu
;
Xinen Zhu
;
Yumin Lu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
关键词:
CPW lines;
HR-SOI;
TR-SOI;
attenuation factor;
linearity;
quality factor;
spiral inductor;
63.
Short-channel BEOL ZnON thin-film transistors with superior mobility performance
机译:
具有卓越迁移率性能的短通道BEOL ZnON薄膜晶体管
作者:
Chin-I Kuan
;
Horng-Chih Lin
;
Pei-Wen Li
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
64.
SRAM cell performance analysis beyond 10-nm FinFET technology
机译:
超越10纳米FinFET技术的SRAM单元性能分析
作者:
Motoi Ichihashi
;
Youngtag Woo
;
Sanjay Parihar
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
65.
Transient control of resistive random access memory for high speed and high endurance performance
机译:
电阻式随机存取存储器的瞬态控制,可实现高速和高耐久性
作者:
Weijie Wang
;
Hongxin Yang
;
Victor Yiqian Zhuo
;
Minghua Li
;
Eng Keong Chua
;
Yu Jiang
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
66.
Trend, technology and architecture of small cell in 5G era
机译:
5G时代小型蜂窝的趋势,技术和架构
作者:
Chun-Nan Liu
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
67.
Variable-length gateless transistor for analog one-time-programmable memory applications
机译:
可变长度无栅极晶体管,用于模拟一次性可编程存储应用
作者:
Po-Ruei Cheng
;
Chih-Sung Yang
;
Meng-Yin Hsu
;
Chrong Jung Lin
;
Ya-Chin King
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
68.
Wafer-level MOSFET with submicron photolysis polymer temporary bonding technology using ultra-fast laser ablation for 3DIC application
机译:
晶圆级MOSFET,采用亚微米光解聚合物临时键合技术,采用超快速激光烧蚀技术,用于3DIC应用
作者:
Chuan-An Cheng
;
Yu-Hsiang Huang
;
Chien-Hung Lin
;
Chia-Lin Lee
;
Shan-Chun Yang
;
Kuan-Neng Chen
会议名称:
《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2016年
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