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IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits
IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits
召开年:
2014
召开地:
Chengdu(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Characterization of thermal stability of NiPt germanosilicide films by C+ pre-implantation
机译:
C + sup>植入前表征NiPt锗硅化物薄膜的热稳定性
作者:
Mao S.J.
;
Wang G.L.
;
Yin H.Z.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Ni(Pt)SiGe;
carbon;
thermal stability;
2.
Assessment of the impact of acupuncture on peripheral blood flow with multi-channel photoplethysmography
机译:
多通道光体积描记法评估针灸对外周血流的影响
作者:
Cheng-Chan Yang
;
Wei-You Zhuang
;
Hsien-Tsai Wu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
acupuncture;
peripheral blood flow;
photoplethysmography (PPG);
3.
Co-design of 40Gb/s equalizers for wireline transceiver in 65nm CMOS technology
机译:
用于65nm CMOS技术的有线收发器的40Gb / s均衡器的协同设计
作者:
Linghan Wu
;
Ziqiang Wang
;
Xuqiang Zheng
;
Ke Huang
;
Chun Zhang
;
Zhihua Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
FFE;
SerDes;
T-coil;
adaptive CTLE;
4.
AlGaN/GaN HEMTs on Si(100) substrate
机译:
Si(100)衬底上的AlGaN / GaN HEMT
作者:
Yan Zhao
;
Cen Kong
;
LiShu Wu
;
Wei Cheng
;
Tangsheng Chen
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN HEMT;
Si(100);
heterogeneous integration;
5.
An analytical solution to the grain boundary barrier height in undoped polysilicon thin-film transistors
机译:
非掺杂多晶硅薄膜晶体管晶界势垒高度的解析解
作者:
Zhenning Gong
;
Mingxiang Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Lambert W function;
grain boundary potential barrier;
poly-Si TFTs;
undoped channel;
6.
An improved CMOS ring oscillator PLL applied in RapidIO communications
机译:
在RapidIO通信中应用的改进型CMOS环形振荡器PLL
作者:
Shanliang Gan
;
Yuan Wang
;
Song Jia
;
Ganggang Zhang
;
Xing Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
RapidIO;
low jitter;
phase noise;
phase-locked loop (PLL);
voltage controlled oscillator (VCO);
7.
An improved fast acquisition PFD with zero blind zone for the PLL application
机译:
改进的具有零盲区的快速采集PFD,适用于PLL应用
作者:
Yi He
;
Xiaole Cui
;
Chung Len Lee
;
Dongmei Xue
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Blind zone;
Lock process;
PFD;
PLL;
8.
An InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor
机译:
InP / InGaAs双异质结双极晶体管
作者:
Yu-Qiu Chen
;
Shiou-Ying Cheng
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
double he terojunction bipolar transistor;
linear-graded;
potential spike;
9.
An intelligent and reusable verification platform based on UVM for RFID digital baseband
机译:
基于UVM的RFID数字基带智能可重复使用验证平台
作者:
Chang Liu
;
Zheng Xie
;
Jiting Su
;
Qingqing Liu
;
Xinan Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
RFID;
UVM;
reusability;
test mode;
verification;
10.
Capacitance-Voltage characteristics of In
x
Ga
1−x
As Surface Channel Quantum Well MOSFET: Impact of doping concentration dielectric material
机译:
In
x inf> Ga
1-x inf>作为表面沟道量子阱MOSFET的电容-电压特性:掺杂浓度和介电材料的影响
作者:
Rahman Ehsanur
;
Shadman Abir
;
Biswas Sudipta Romen
;
Datta Kanak
;
Khosru Quazi D. M.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Gate capacitance;
High-K stack;
Quantum Well MOSFET;
Self-consistent analysis;
Surface channel;
11.
Comparative analysis and design of harmonic aware low-power latches and flip-flops
机译:
谐波感知型低功耗锁存器和触发器的比较分析和设计
作者:
Khan Muhammad Imran
;
Fujiang Lin
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
BSIM;
Flip Flop;
Latch;
Transistor Models;
12.
CCII-based current-mode active-RC filter with image rejection in 0.18 µm CMOS
机译:
基于CCII的电流模式有源RC滤波器,在0.18 µm CMOS中具有图像抑制功能
作者:
Ye Zhan
;
Zhigong Wang
;
Yiqiang Wu
;
Jianping Chen
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
CCII;
FDCA;
active-RC;
complex filter;
leapfrog;
13.
Design of high power supply rejection voltage reference with wide input voltage
机译:
宽输入电压的高电源抑制电压基准设计
作者:
Yuheng Han
;
Guojun Zhang
;
Shaomin Zhao
;
Jun Guo
;
Heping Luo
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
bandgap voltage reference;
high power supply rejection;
wide input range;
14.
Design of ka-band high-performance circulator
机译:
KA波段高性能环行器的设计
作者:
Chen Huang
;
Xiaoguang Wang
;
Longjiang Deng
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Circulator;
SIW;
impedance matching network;
ka-band;
reduce the insertion;
15.
Characterization of anodic bonding induced diaphragm deflection in pressure sensor
机译:
阳极键引起的膜片挠度在压力传感器中的表征
作者:
Xian Huang
;
Dacheng Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
anodic bonding;
diaphragm deflection;
finite element analysis;
pressure sensor;
thermal expansion coefficient mismatch;
16.
Backside silicon-embedded inductor using porous silicon layer for substrate effect suppression
机译:
使用多孔硅层抑制衬底效应的背面硅嵌入式电感器
作者:
Jiyang Zhou
;
Rongxiang Wu
;
Billoue Jerome
;
Gautier Gael
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
on-chip inductors;
porous silicon;
power integrated circuits;
17.
Development of low temperature amorphous tin-doped indium oxide thin-film transistors technology
机译:
低温非晶掺杂锡的氧化铟薄膜晶体管技术的发展
作者:
Yang Liu
;
Longyan Wang
;
Shengdong Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Tin-doped Indium oxide TFT;
amorphous;
low temperature;
post-annealing;
18.
Double-gate tunneling FET with asymmetric gate structure and pocket source
机译:
具有非对称栅极结构和口袋型源极的双栅极隧道FET
作者:
Dan Li
;
Haijun Lou
;
Xinnan Lin
;
Lining Zhang
;
Mansun Chan
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
asymmetric structure;
double-gate tunneling FET;
volume tunneling;
19.
Analysis of 2-TFTs AMOLED pixel circuit based on an on-current model of poly-Si TFTs
机译:
基于多晶硅TFT导通电流模型的2-TFT AMOLED像素电路分析
作者:
Jieyun Zhou
;
Mingxiang Wang
;
Dongli Zhang
;
Meng Tang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AMOLED;
charge injection;
clock feedthrough;
pixel circuit;
poly-Si TFTs;
20.
Effects of depletion region in GaN-based metal-semiconductor-metal planar inter-digitated varactor
机译:
GaN基金属-半导体-金属平面叉指变容二极管中的耗尽区效应
作者:
Bo Zhang
;
Jinyan Wang
;
Xiaoping Li
;
Chunyan Jin
;
Haisang Jiang
;
Min Yu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
2DEG channel;
GaN;
depletion region;
minimum capacitance;
21.
Early effect exposing performance of 28nm HK/MG pMOSFETs under PDA or DPN nitridation treatment
机译:
PDA或DPN氮化处理下28nm HK / MG pMOSFET的早期效应暴露性能
作者:
Mu-Chun Wang
;
Po-Kai Chen
;
Win-Der Lee
;
Yi-Hong Yu
;
Shea-Jue Wang
;
Fang Hsu
;
Cheng Osbert
;
Huang L.S.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
DPN;
Early voltage;
PDA;
high-k;
metal gate;
22.
Design of low-voltage CMOS amplifier with high EMI immunity
机译:
具有高EMI抗扰度的低压CMOS放大器的设计
作者:
Huixin Bai
;
Hongge Li
;
Shuguo Xie
;
Donglin Su
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
DC nonlinearity;
bulk-driven amplifier;
electromagnetic interference (EMI) immunity;
low-voltage;
23.
Design of power management chip for piezoelectric energy harvesting
机译:
压电能量收集电源管理芯片的设计
作者:
Hua Yu
;
Shibo Yang
;
Wei Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AC/DC rectifier;
LDO;
active diode;
piezoelectric energy harvesting;
power management chip;
24.
Efficient implementation of high performance Read out Integrated Circuit
机译:
高效实现高性能读出集成电路
作者:
Gupta Hari Shanker
;
Chakrabarti Subhananda
;
Baghini Maryam Shojaei
;
Sharma D.K.
;
Kiran Kumar A.S.
;
Mehta Sanjeev
;
Paul Sandip
;
Chaurasia Ravi Shankar
;
Roychowdhury A.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Fast spice;
ROIC;
charge handling capacity;
detectors;
25.
Magnesium-doped Indium Oxide thin film transistors for ultraviolet detection
机译:
镁掺杂的氧化铟薄膜晶体管用于紫外线检测
作者:
Xiaobin Bi
;
Jianke Yao
;
Shengdong Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Magnesium-doped Indium Oxide (MIO);
RF-magnetron sputtering;
Thin film transistors;
Ultraviolet detection;
26.
Arbitrary conversion ratio switched-capacitor (SC) networks design for SC bandgap reference
机译:
SC带隙参考的任意转换比开关电容器(SC)网络设计
作者:
Bingwei Jiang
;
Jun Feng
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
27.
Area-efficient recursive degree computationless modified Euclid's architecture for Reed-Solomon Decoder
机译:
适用于Reed-Solomon解码器的区域有效递归度无计算修改的Euclid架构
作者:
Wen Guo
;
Weixin Gai
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Reed-Solomon codes;
degree computationless;
error correction;
modified Euclidean (ME) algorithm;
28.
Effect of nitridation of hafnium silicate gate dielectric on positive bias temperature instability in pMOS devices
机译:
硅酸ha栅极电介质氮化对pMOS器件中正偏压温度不稳定性的影响
作者:
Samanta Piyas
;
Heng-Sheng Huang
;
Shuang-Yuan Chen
;
Chuan-Hsi Liu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
PBTI lifetime;
pMOS;
threshold voltage shift;
29.
Comprehensive device mismatch SPICE model for advanced technology nodes
机译:
适用于高级技术节点的全面设备失配SPICE模型
作者:
Zhenghao Gan
;
Waisum Wong
;
An Zhang
;
Haohua Ye
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Pelgrom;
SPICE model;
device mismatch;
30.
Extrapolation of lifetime of high power LEDs under temperature-humidity conditions
机译:
在温度-湿度条件下推断大功率LED的寿命
作者:
Cher Ming Tan
;
Singh Preetpal
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Peck model;
TM-21;
activation energy;
multiple failure mechanisms;
31.
Fabrication and characterization of carbon nanotube interconnect vias for next-generation technology nodes
机译:
下一代技术节点的碳纳米管互连通孔的制造和表征
作者:
Changjian Zhou
;
Vyas Anshul
;
Wang Phillip
;
Mansun Chan
;
Yang Cary Y.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Carbon nanotube;
interconnect;
sub-30 nm technology nodes;
via;
32.
Fabrication of SiGe HBT integrated SOI CMOS
机译:
SiGe HBT集成SOI CMOS的制造
作者:
Jing Zhang
;
Zhaohuan Tang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
CMOS;
HBT;
Integrate;
SOI;
SiGe;
33.
Failure analysis of Gate-all-around Nanowire Field Effect Transistor under TLP test
机译:
TLP测试下的全栅纳米线场效应晶体管的失效分析
作者:
Guoyan Zhang
;
Aihua Dong
;
Nie Liu
;
Rui Tian
;
Xuejiao Yang
;
Zhiwei Liu
;
Kohui Lee
;
Horng-Chih Lin
;
Liou Juin J.
;
Wang Yuxin
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Electrostatic discharge (ESD);
Failure analysis;
Nanowire FET;
TLP;
34.
Data lane design for transmitter of 4.8Gbps serdes in 65nm CMOS
机译:
用于65nm CMOS的4.8Gbps SERDES发射器的数据通道设计
作者:
Peng Wang
;
Ziqiang Wang
;
Chun Zhang
;
Zhihua Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Driving Modes;
FFE;
MUX;
35.
Failure analysis of operational amplifier due to ESD stress in complementary bipolar process
机译:
互补双极工艺中由于ESD应力导致的运算放大器故障分析
作者:
Liu Fan
;
Liu Luncai
;
He Linfeng
;
Wang Yuxin
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
ESD;
IV curves;
bipolar;
failure analysis;
36.
Atomistic simulation of phase change memory during switching
机译:
切换过程中相变存储器的原子模拟
作者:
Yihan Chen
;
Lining Zhang
;
Mansun Chan
;
King Tai Cheung
;
Yin Wang
;
Jian Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
amorphization;
crystallization;
molecular dynamics;
phase change material;
37.
Design of spread spectrum based UHF RFID tag for location system
机译:
基于扩频的UHF RFID定位系统标签设计
作者:
Tian Ding
;
Chun Zhang
;
Zhongqiu Li
;
Wei Zhang
;
Hong Chen
;
Wen Jia
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
CDMA;
RFID;
location;
spread spectrum;
38.
Field-plated GaAs on Si substrate HEMT technology for microwave and power electronics applications (invited)
机译:
用于微波和电力电子应用的Si衬底HEMT技术上的场镀GaAs(受邀)
作者:
Hsien-Chin Chiu
;
Hsiang-Chun Wang
;
Chih-Wei Yang
;
Fan-Hsiu Huang
;
Hsuan-Ling Kao
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
39.
High PSRR low noise CMOS bandgap voltage reference
机译:
高PSRR低噪声CMOS带隙基准电压源
作者:
Dongjun Wang
;
Ping Luo
;
Pengfei Liao
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Bandgap reference;
Cascade current mirror;
PSRR;
PTAT;
Temperature compensate;
40.
Effects of RF impairments on EVM performance of 802.11ac WLAN transmitters
机译:
射频损伤对802.11ac WLAN发射机的EVM性能的影响
作者:
Zhen Li
;
Lingling Sun
;
Lei Zhang
;
Yan Wang
;
Yu Zhiping
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
802.11ac;
EVM;
IQ mismatch;
OFDM;
PA nonlinearity;
phase noise;
41.
Impact of gate shapes on single event transients
机译:
门形状对单事件瞬变的影响
作者:
Zhao Xinyuan
;
Wang liang
;
Yue Suge
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
SET;
enclosed layout;
parasitic bipolar transistor;
pulse width;
42.
Impact of high temperature reverse bias (HTRB) stress on the degradation of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
高温反向偏压(HTRB)应力对AlGaN / GaN HEMT退化的影响
作者:
Li RuGuan
;
Wang YuanSheng
;
Zeng Chang
;
Liao XueYang
;
Lai Ping
;
Huang Yun
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN HEMT;
HTRB stress;
failure mechanisms;
reliability;
43.
Impact of Underlap Channel and Body Thickness on the Performance of DG-MOSFET with Si
3
N
4
spacer
机译:
Si
3 inf> N
4 inf>隔层的下沟道和主体厚度对DG-MOSFET性能的影响
作者:
Kale Sumit
;
Kondekar P.N.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
44.
Gate stress study on High Voltage MOSFET for Non-Volatile Memory applications
机译:
用于非易失性存储应用的高压MOSFET的栅极应力研究
作者:
Carmona M.
;
Lopez L.
;
Ogier J.-L.
;
Goguenheim D.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
45.
Ge channel MOSFETs directly on silicon
机译:
Ge沟道MOSFET直接在硅上
作者:
Che Wei Chen
;
Cheng-Ting Chung
;
Chao Hsin Chien
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
diode;
germanium;
junctionless;
trigate;
46.
Input ESD protection circuit design with special considerations for gate oxide protection in nanoscale technologies
机译:
输入ESD保护电路设计特别考虑了纳米技术中的栅极氧化保护
作者:
Guangyi Lu
;
Yuan Wang
;
Jian Cao
;
Song Jia
;
Ganggang Zhang
;
Xing Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Clamping Voltage;
Electrostatic Discharge (ESD);
Power-rail Clamp Circuit;
Transmission Gate;
Voltage Overshoot;
47.
Device for measuring the flexural fracture strength of etched surface
机译:
测量蚀刻表面弯曲断裂强度的装置
作者:
Jun He
;
Xian Huang
;
Li Zhang
;
Danqi Zhao
;
Fang Yang
;
Dacheng Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
beam of uniform strength;
fracture strength;
microneedle;
on-chip;
48.
Epitaxial graphene FETs on sapphire substrate
机译:
蓝宝石衬底上的外延石墨烯FET
作者:
Liu Q.B.
;
Yu C.
;
Li J.
;
He Z.Z.
;
Song X.B.
;
Lu W.L.
;
Feng Z.H.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
RF performance;
epitaxial graphene;
field-effect transistor (FET);
sapphire substrates;
transconductance;
49.
Investigation of high-temperature-reverse-bias (HTRB) degradation on AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT上高温反向偏压(HTRB)退化的研究
作者:
Liao XueYang
;
Wang YuanSheng
;
Zeng Chang
;
Li RuGuan
;
Chen Yiqiang
;
Lai Ping
;
Huang Yun
;
En YunHui
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN;
HTRB stress;
degradation mechanisms;
gate leakage current;
trapping;
50.
Influence of AlGaN barrier layer on the RF electric characteristics for W-Band AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN势垒层对W波段AlGaN / GaN HEMT的RF电特性的影响
作者:
Yuanjie Lv
;
Zhihong Feng
;
Shaobo Dun
;
Xubo Song
;
Xin Tan
;
Guodong Gu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN;
HEMT;
RF;
W-Band;
short-channel effect;
51.
Influence of O
2
on Al-Zn-Sn-O TFTs in the active layer deposition and annealing process
机译:
O
2 inf>对有源层沉积和退火过程中Al-Zn-Sn-O TFT的影响
作者:
Shuguang Zhang
;
Letao Zhang
;
Xiang Xiao
;
Shengdong Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AZTO;
Ar:O;
ratio;
TFT;
annealing;
52.
Critical parasitic capacitance in nano-scale phase-change memory (PCM) cell
机译:
纳米级相变存储(PCM)单元中的临界寄生电容
作者:
Xinxing Zhang
;
Yiqun Wei
;
Xinnan Lin
;
Xiaole Cui
;
Cheng Peng
;
ZhiTang Song
;
Mansun Chan
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
LHC method;
Numerical model;
PCM;
Parasitic capacitance;
53.
Improved performance of TiN/HfO
2
/Pt resistive switching device by modifying TiN top electrode crystal orientation
机译:
通过改变TiN顶部电极的晶体取向来改善TiN / HfO
2 inf> / Pt电阻开关器件的性能
作者:
Hou Y.
;
Liu R.
;
Zhang W.B.
;
Liu L.F.
;
Chen B.
;
Zhang F.F.
;
Han D.D.
;
Kang J.F.
;
Cheng Y.H.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
HfO;
RRAM;
Resistive switching;
Uniformity;
54.
Improved power conversion efficiency of inverted polymer solar cells by using squaraine additive
机译:
通过使用方酸铝添加剂提高了反向聚合物太阳能电池的功率转换效率
作者:
Hanyu Wang
;
Xiao Wang
;
Yifan Zheng
;
Junsheng Yu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
additive;
inverted device structure;
polymer solar cells (PSCs);
squaraine (SQ);
55.
Improvement on ESD robustness of LDMOS by bulk and source interleaved dotting
机译:
通过体和源交错掺杂提高LDMOS的ESD鲁棒性
作者:
Yang Wang
;
Xiangliang Jin
;
Acheng Zhou
;
Liu Yang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Bulk and source dotting;
Current handling capability;
Electrostatic discharge;
56.
In
x
Ga
1−x
As materials for post CMOS application: Materials and device aspects
机译:
In
x inf> Ga
1-x inf>作为后CMOS应用的材料:材料和器件方面
作者:
Chang Edward Yi
;
Yueh-Chin Lin
;
Quang-Ho Luc
;
Hai-Dang Trinh
;
Jing-Neng Yao
;
Po-Chun Chang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Al;
O;
HfO;
In;
Ga;
As;
La;
O;
MOSCAP;
surfacement;
57.
Indium gallium zinc oxide - Carbon nanotube composite thin film transistor
机译:
铟镓锌氧化物-碳纳米管复合薄膜晶体管
作者:
Yucui Wu
;
Min Zhang
;
Xiang Xiao
;
Shengdong Zhang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
carbon nanotube (CNT);
indium gallium zinc oxide (IGZO);
thin film transistor (TFT);
threshold voltage control;
58.
Indium-zinc-oxide electric-double-layer thin-film transistors for artificial synapse applications
机译:
用于人工突触的氧化铟锌双电层薄膜晶体管
作者:
Li Qiang Zhu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Electric-Double-Layer;
Laterally Coupling;
Synaptic transistor;
59.
Investigation of the influence of duty cycle on the vanadium oxide thin film thermistor deposited by pulsed dc reactvie magnetron sputtering
机译:
占空比对脉冲直流电抗磁控溅射沉积钒氧化物薄膜热敏电阻的影响
作者:
Xiang Dong
;
Zhiming Wu
;
Xiangdong Xu
;
Yu He
;
Deen Gu
;
Xiongbang Wei
;
Tao Wang
;
Yadong Jiang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
duty cycle;
electrical property;
thermistor;
vanadium oxide;
60.
Investigation on Hot-Carrier-Induced degradation of LDMOS transistor fabricated in logic CMOS process
机译:
逻辑CMOS工艺中制造的LDMOS晶体管的热载流子退化研究
作者:
Huixiong Zheng
;
Huaqiang Wu
;
Bin Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
HCI degradation;
LDMOS;
graded-junction;
logic CMOS;
reliability;
61.
Low-power, multi-channel LED driver for portable fNIRS applications
机译:
适用于便携式fNIRS应用的低功耗,多通道LED驱动器
作者:
Fanpeng Kong
;
Yi Huang
;
Najafizadeh Laleh
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
LED Driver;
Low Power;
fINRS System;
62.
Magnetic microscopy for 3D devices failure localization and analysis
机译:
用于3D设备的电磁显微镜故障定位和分析
作者:
Yuan Chen
;
Na Lin
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
63.
Multichannel constant current LED driver with high matching precision
机译:
具有高匹配精度的多通道恒流LED驱动器
作者:
Yu D.J.
;
Liu Y.
;
Yu Q.
;
Wu S.Y.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Current Mirror;
Current match;
LED Driver;
Resistance Ratio;
64.
Flexible solid-state fiber-shaped supercapacitors based on organic-inorganic hybrid electrodes for wearable energy storage
机译:
基于有机-无机混合电极的柔性固态纤维状超级电容器,用于可穿戴式储能
作者:
Jin H.Y.
;
Liu Y.
;
Li W.C.
;
Mak C.L.
;
Huang H.T.
;
Tang W.M.
;
Chan H.L.W.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Organic-inorganic;
energy storage;
fiber-shaped supercapacitor;
flexible;
65.
Improving the accuracy of module based thermal modeling method for VLSI circuits design
机译:
提高用于VLSI电路设计的基于模块的热建模方法的准确性
作者:
Hai Wang
;
Ming Zhang
;
Chi Zhang
;
He Tang
;
Xiaowei Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
66.
Negative differential resistance effect in ITO/TiO
2
/ITO based RRAM sandwich structures
机译:
ITO / TiO
2 inf> / ITO基RRAM夹层结构中的负微分电阻效应
作者:
Peijian Zhang
;
Guangbing Chen
;
Yong Liu
;
Gangyi Hu
;
Zhaohuan Tang
;
Guohua Shui
;
Wensuo Chen
;
Yang Meng
;
Xinyu Pan
;
Hongwu Zhao
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Joule heating;
differential resistance;
ion migration;
resistance switching;
67.
Novel extraction of emitter resistance of SiGe HBTs from forward-Gummel measurements
机译:
从正向口香糖测量中新颖提取SiGe HBT的发射极电阻
作者:
Ji Yang
;
Jun Fu
;
Yabin Sun
;
Yudong Wang
;
Wei Zhou
;
Wei Zhang
;
Jie Cui
;
Gaoqing Li
;
Zhihong Liu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Emitter resistance;
Forward-Gummel measurements;
Scalble model;
SiGe HBT;
68.
Novel flexible FBAR on PET substrate
机译:
PET基板上的新型柔性FBAR
作者:
Hu N.N.
;
He X.L.
;
Bian X.L.
;
Chen G.H.
;
Dong S.R.
;
Luo J.K.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
FBAR;
PET;
flexible device;
piezoelectric thin film;
69.
Novel flexible nanogenerators
机译:
新型柔性纳米发电机
作者:
Qing-Tang Xue
;
He Tian
;
Zhe Wang
;
Hai-Ming Zhao
;
Shuo Ma
;
Yi Shu
;
Yu Huan
;
Hui Sun
;
Yi Yang
;
Dan Xie
;
Xiao-Hui Wang
;
Tian-Ling Ren
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
KNN-LTS nanopowder;
ZnO nanoparticles;
grapheme oxide film;
nanogenerator;
70.
Mitigation of soft errors in resistive switching random-access-memories
机译:
减轻电阻切换随机存取存储器中的软错误
作者:
Jinshun Bi
;
Zhengsheng Han
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
RRAM;
resistive switching;
single-event-effect;
soft errors;
71.
On the degradation kinetics and mechanism of AlGaN/GaN HEMTs under high temperature operation(HTO) stress
机译:
高温操作(HTO)应力下AlGaN / GaN HEMT的降解动力学及其机理
作者:
Zeng Chang
;
Wang YuanSheng
;
Liao XueYang
;
Li RuGuan
;
Chen Yiqiang
;
Lai Ping
;
Huang Yun
;
En YunHui
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN;
HEMT;
HTO stress;
degradation kinetics;
photo emission;
structural degradation;
72.
Power conversion efficiency enhancement of polymer solar cells by incorporation of gold nanoparticles
机译:
通过掺入金纳米颗粒提高聚合物太阳能电池的功率转换效率
作者:
Ng Annie
;
Surya Charles
;
Wai Kin Yiu
;
Djurisic Aleksandra
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
gold nanoparticles;
plasmonic effect;
polymer solar cells;
73.
Performance analysis of Tunnel Field Effect Transistor using charge plasma concept
机译:
基于电荷等离子体概念的隧道场效应晶体管性能分析
作者:
Agrawal Ishu
;
Kondekar P.N.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Band to band tunneling;
Gated p+-i-n+ diode;
charge plasma;
double gate (DG);
subthreshold swing (SS);
tunnel field effect transistor (T-FET);
74.
Performance comparison of MIM and MIS diodes for energy harvesting applications
机译:
用于能量收集应用的MIM和MIS二极管的性能比较
作者:
Rawal Yaksh
;
Manik Prashanth P.
;
Bhatt Piyush
;
Anoop C.
;
Lodha Saurabh
;
Ganguly Swaroop
;
Baghini Maryam Shojaei
;
Burman Debashree
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Energy Harvesting;
Rectenna;
Rectifier;
75.
GGNMOS as ESD protection in different nanometer CMOS process
机译:
GGNMOS作为不同纳米CMOS工艺中的ESD保护
作者:
Weihuai Wang
;
Shurong Dong
;
Lei Zhong
;
Jie Zeng
;
Zhihui Yu
;
Zhiwei Liu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
ESD metrics;
GGNMOS;
channel width;
76.
Observation of polarization pinning effect in PZT/AlGaN/GaN heterostructure
机译:
观察PZT / AlGaN / GaN异质结构中的极化钉扎效应
作者:
Yuechan Kong
;
Jianjun Zhou
;
Tangsheng Chen
;
Wenbo Luo
;
Lanzhong Hao
;
Huizhong Zeng
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN;
Metal-Ferroelectric-Semiconductor (MPS);
interface coupling;
polar nature;
77.
Small signal modeling of 90 nm gate-length AlGaN/GaN HEMTs considering mesa edge effects
机译:
考虑台面边缘效应的90 nm栅长AlGaN / GaN HEMT的小信号建模
作者:
Jiangfeng Du
;
Kang Wang
;
Chenggong Yin
;
Zhiyuan Bai
;
Qi Yu
;
Zhihong Feng
;
Shaobo Dun
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN HEMTs;
S parameters;
mesa edge effect;
modeling;
small signal;
78.
Physically based modeling for stress assessment in MOS devices
机译:
用于MOS器件应力评估的基于物理的建模
作者:
Chang-Chun Lee
;
Kuei-Chih Lin
;
Yi-Hsien Lin
;
Yu-Cheng Lai
;
Chuan-Hsi Liu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Strained silicon;
contact-etch-stop layer (CESL);
finite element analysis (FEA);
silicon carbon (SiC);
silicon germanium (SiGe);
stress enhanced mobility;
79.
RF electronics of carbon materials
机译:
碳材料的射频电子
作者:
Feng Z.H.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
carbon;
field effect transistors;
high frequency;
high power;
large scale;
80.
Comparative analysis of flip-flops in sub- and near-threshold operations
机译:
亚阈值和近阈值操作中的触发器比较分析
作者:
Jinn-Shyan Wang
;
Shih-Nung Wei
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
flip-flop;
low voltage;
near-threshold;
sub-threshold;
81.
New presepectives on component and system ESD
机译:
组件和系统ESD的新前景
作者:
Duvvury Charvaka
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
CDM;
HBM;
HDMI;
SEED;
System Efficient ESD Design;
System Level ESD;
USB;
82.
Sparsity-aware model reduction for post-layout circuit simulation
机译:
用于布局后电路仿真的稀疏感知模型简化
作者:
Zuochang Ye
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
massive terminal;
model order reduction;
post-layout circuits;
sparsification;
83.
Spatial correlation of conductive filaments for multiple switching cycles in CBRAM
机译:
CBRAM中多个开关周期的导电丝的空间相关性
作者:
Pey K.L.
;
Raghavan N.
;
Wu X.
;
Bosman M.
;
Xi-Xiang Zhang
;
Kun Li
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Conducting bridge memory;
Filament location;
Metal filament;
Nucleation;
Rupture;
Spatial correlation;
84.
Specific absorption rate study for wireless power links in brain-machine interface applications
机译:
脑机接口应用中无线电源链路的特定吸收率研究
作者:
Yuxuan Luo
;
Rongxiang Wu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
brain-machine interface;
specific absorption rate;
wireless power link;
85.
Research on thermal reliability of TWT in working condition
机译:
TWT工作条件下的热可靠性研究
作者:
Zhou Jiajun
;
Song Fangfang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Traveling wave tube(TWT);
finite element;
thermal simulation;
86.
Reliability and instabilities in GaN-based HEMTs
机译:
GaN基HEMT的可靠性和不稳定性
作者:
Meneghesso Gaudenzio
;
Meneghini Matteo
;
Zanoni Enrico
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
GaN;
HEMT;
degradation;
reliability;
transistor;
87.
The fluorescence transformation characteristics research of the CsI(Tl) thin film
机译:
CsI(Tl)薄膜的荧光转变特性研究
作者:
Zhang Hongliu
;
Liu Shuang
;
Guo Lina
;
Chen Jing
;
Li Yao
;
Zhong Zhiyong
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
CsI(Tl) film;
Integrated directly;
X-ray Detection;
fluorescence conversion factor;
88.
Novel comparator integrated charge pump phased locked loop to eliminate start-up issue
机译:
新型比较器集成了电荷泵锁相环,消除了启动问题
作者:
Agarwal Sanjay
;
Mahesh N.
;
Singh Sarvesh
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Charge Pump (CP);
Phase Frequency Detector (PFD);
Phase Locked Loop (PLL);
Voltage Controlled Oscillator (VCO);
89.
Physical modeling of low temperature polycrystalline Si thin-film transistors
机译:
低温多晶硅薄膜晶体管的物理建模
作者:
Mingxiang Wang
;
Xiaoliang Zhou
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Modeling;
drain current;
effective channel mobility;
polycrystalline Si;
thin film transistors;
90.
The printed Surface Acoustic Wave filter with inkjet technology
机译:
采用喷墨技术的印刷表面声波滤波器
作者:
Yang Cao
;
Kun Li
;
Jianfu Teng
;
Xiuwei Xuan
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
bandpass filter;
inkjet printing;
nano silver ink;
printed electronics (PE);
surface acoustic wave (SAW);
91.
Single-implant, field plate and guard rings assist multi-zone graded JTE for 4H-SiC p-i-n diodes
机译:
单植入物,场板和保护环可为4H-SiC p-i-n二极管提供多区域分级JTE
作者:
Yang Ding
;
Li Zhang
;
Yan Wang
;
Ruifeng Yue
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Junction termination extension (JTE);
dose window;
p-i-n diodes;
silicon carbide (SiC);
92.
Slew rate improved 2×VDD output buffer using leakage and delay compensation
机译:
利用泄漏和延迟补偿,斜率提高了2×VDD输出缓冲器
作者:
Tzung-Je Lee
;
Wei Lin
;
Chua-Chin Wang
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
gate oxide overstress;
leakage compensation;
mixed-voltage;
93.
The pathway to develop an industrial standard device model: From device physics to parameter extraction
机译:
开发工业标准设备模型的途径:从设备物理到参数提取
作者:
Lining Zhang
;
Mansun Chan
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
Compact Model;
Device Physics;
Industrial Model;
Parameter Extraction;
94.
High-temperature general purpose operational amplifier in IBM 0.13 µm CMOS process
机译:
IBM 0.13 µm CMOS工艺的高温通用运算放大器
作者:
Yucai Wang
;
Chodavarapu Vamsy P.
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
CMOS;
amplifier;
high-temperature;
95.
Load-transient enhanced low-dropout regulator based on buffer stage with paralleled current and voltage paths for low-ESR applications
机译:
基于缓冲级的负载瞬态增强型低压降稳压器,具有并行的电流和电压路径,适用于低ESR应用
作者:
Yonggen Liu
;
Chenchang Zhan
;
Jiawei Zheng
;
Wing-Hung Ki
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
low-ESR;
low-dropout regulator;
paralled current and voltage paths;
96.
The Analysis on Transient-Induced Latch-up in output driver circuit
机译:
输出驱动器电路中的瞬态感应闭锁分析
作者:
Qi Jiang
;
Huihui Yuan
;
Yang Wang
;
Xiangliang Jin
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
RS485;
Transient induced latch up (TLU);
output driver;
reliability test;
97.
Poly-silicon wire for biomedical detection
机译:
用于生物医学检测的多晶硅线
作者:
You-Lin Wu
;
Jing-Jenn Lin
;
Chung-Ping Hsu
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
γ-APTES;
DNA;
biomedical detection;
cancer cells;
glucose;
poly-silicon wire;
98.
Study of doping effects on Ta
2
O
5−x
/ TaO
y
based bilayer RRAM devices
机译:
掺杂对基于Ta
2 inf> O
5-x inf> / TaO
y inf>的双层RRAM器件的影响
作者:
Kun Wang
;
Huaqiang Wu
;
Xinyuan Wang
;
Xinyi Li
;
He Qian
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
RRAM;
doping effects;
tantalum oxide;
99.
Study on nucleation characteristic of phase change memory set operation using numerical simulation
机译:
用数值模拟研究相变存储集操作的成核特性
作者:
Peng Gong
;
Yiqun Wei
;
Xinnan Lin
;
Xiaole Cui
;
ZhiTang Song
;
Chan Mansun
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
nucleation characteristics;
numerical simulation;
phase change memory;
set operation;
100.
Power optimization for pipelined ADC design
机译:
流水线ADC设计的功耗优化
作者:
He Tang
;
Hai Wang
;
Hui Zhao
会议名称:
《IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits》
|
2014年
关键词:
optimization;
pipelined ADC;
power ratio;
stage partition;
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