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China Semiconductor Technology International Conference
China Semiconductor Technology International Conference
召开年:
2013
召开地:
Shanghai(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Extraction of oxide traps in Ⅲ-Ⅴ MOSFETs using RF transconductance measurements
机译:
利用射频跨导测量提取Ⅲ-ⅤMOSFET中的氧化物陷阱
作者:
E. Lind
;
S. Johansson
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
2.
Study on improving dishing on STI structure
机译:
改善STI结构凹陷的研究。
作者:
Yi Ding
;
JunHua Yan
;
CongGang Wang
;
Yefang Zhu
;
JingXun Fang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
3.
Low Cost and High Performance CMP Solution for Si polishing in Backside Illumination (BSI) Application
机译:
用于背面照明(BSI)应用中的硅抛光的低成本高性能CMP解决方案
作者:
Yifan Yang
;
Simen Huang
;
James Chan
;
Xucheng Wang
;
Sand Sang
;
Colin Zhao
;
Simon Du
;
Yuchun Wang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
4.
Improvement of electronic characteristic for vertical CNT via interconnection by Focused Ion Beam
机译:
通过聚焦离子束互连改善垂直CNT的电子特性
作者:
Lan Kuibo
;
Tian Li
;
Zhang Kailiang
;
Wang Fang
;
Ren Jun
;
Liu Yuhang
;
Feng Yulin
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
5.
Integration Issue of Tensile SiN Liner for Dual Stress Liner(DSL) in Gate-Last High-k/Metal Gate(HKMG) Process Flow
机译:
前浇口高k /金属浇口(HKMG)工艺流程中双应力衬里(DSL)的拉伸SiN衬里的集成问题
作者:
Changliang Qin
;
Haizhou Yin
;
Huaxiang Yin
;
Guilei Wang
;
Peizhen Hong
;
Tao Yang
;
Yihong Lu
;
Qiang Xu
;
Zhiguo Zhao
;
Hushan Cui
;
Chao Zhao
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
6.
13.56 MHz RFID Tag IC Automatic Testing
机译:
13.56 MHz RFID标签IC自动测试
作者:
Jian Zhang
;
Shenqi Cai
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
7.
Quantitative Index for Prediction of Properties of Process Early Detection Capability
机译:
预测过程早期检测能力特性的定量指标
作者:
Jinyi Jenny Ma
;
Sheng Randy Kang
;
Zhenxiang JS Chen
;
Weiting Kary Chien
;
Xiaoqian Elaine Wang
;
Xinyuan Serena Ji
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
8.
Chinas Markets! - No Option for German SMEs?
机译:
中国市场! -德国中小企业没有选择权吗?
作者:
H.-P. Hippler
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
9.
Simulations of Bulk FinFETs with Body Gate Controlling Punch Through Leakage
机译:
体栅控制击穿穿孔的大体积FinFET的仿真
作者:
M. Xu
;
H. Zhu
;
H. Wu
;
Q. Liang
;
H. Yin
;
D. Cheng
;
T. Ye
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
10.
Development of Mask 3D Virtual Aberration Model to Predict Pattern Best Focus Deviation
机译:
掩模3D虚拟像差模型的开发,以预测图案的最佳聚焦偏差
作者:
K. Fujii
;
M. Imai
;
Lin Qunying
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
11.
Negative Tone Development Process and Resist Materials with ArF Immersion Exposure Process
机译:
负音显影工艺和带有ArF浸入曝光工艺的抗蚀材料
作者:
Shinji Tarutani
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
12.
Demodulation test for WCDMA RF-SOC in ATE
机译:
ATE中WCDMA RF-SOC的解调测试
作者:
Li Xian
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
13.
Package Limited Current Rating Test Methodology
机译:
封装限流额定测试方法
作者:
Yuanzhou Zeng
;
Yafei Lv
;
Zhiping Hu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
14.
Endpoint Detection using Principle Component Analysis and Local Outlier Factor in the Double Layer Plasma Etching
机译:
双层等离子刻蚀中基于主成分分析和局部离群因素的端点检测
作者:
Sung-Hwan Shin
;
Yi-Seul Han
;
Young-Kook Park
;
Sang Jeen Hong
;
Seung-Soo Han
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
15.
Endpoint Detection in Plasma Etching Using FFT and SVM
机译:
使用FFT和SVM在等离子蚀刻中进行端点检测
作者:
Yi Seul Han
;
Sung-Hwan Shin
;
Young-Kook Park
;
Sang Jeen Hong
;
Seung-Soo Han
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
16.
Gate-Modulated Photoresponse in Graphene Field-Effect Transistors
机译:
石墨烯场效应晶体管中的门调制光响应
作者:
Zijun Wei
;
Zhigang Wang
;
Huabo Zhao
;
Tianyang Ye
;
Liming Ren
;
Jian Guo
;
Yuehui Jia
;
Zhaohui Zhang
;
Yunyi Fu
;
Ru Huang
;
Xing Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
17.
Solid-state Nanopore Fabrication with Conventional Process
机译:
常规工艺制备固态纳米孔
作者:
Z. Liu
;
T. Deng
;
J. Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
18.
Ti/HfO2 Based RRAM Operation Voltage Scaling for Embedded Memory
机译:
嵌入式存储器基于Ti / HfO2的RRAM操作电压缩放
作者:
C. H. Tsai
;
F. T. Chen
;
H. Y. Lee
;
Y. S. Chen
;
K. H. Tsai
;
T. Y. Wu
;
S. Z. Rahaman
;
P. Y. Gu
;
W. S. Chen
;
P. S. Chen
;
Z. H. Lin
;
P. L. Tseng
;
W. P. Lin
;
C. H. Lin
;
S. S. Sheu
;
M.-J. Tsai
;
T. K. Ku
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
19.
Efficient Mask Synthesis with Augmented Lagrangian Methods in Computational Lithography
机译:
计算平版印刷中增强拉格朗日方法的有效掩模合成
作者:
Jia Li
;
Edmund Y. Lam
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
20.
Substrate Effect on CD Control for Ion Implantation layer lithography beyond 45 nm node
机译:
超过45 nm节点的离子注入层光刻CD控制的衬底效应
作者:
Huayong Hu
;
Lihua Ding
;
Jinhua Pei
;
Manhua Shen
;
Xuelong Shi
;
Qiang Wu
;
Qingwei Liu
;
Yishih Lin
;
Yiming Gu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
21.
Limitation of Layout Correction on Improvement of OPC Model Calibration
机译:
布局校正对改进OPC模型校准的局限性
作者:
Kobe Wang
;
Xuan Shen
;
Jay Xing
;
Qingwei Liu
;
Xuelong Shi
;
Ken Wu
;
Yiming Gu
;
Recco Zhang
;
Yu Zhu
;
Feng Shao
;
Chunshan Du
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
22.
Innovative Wide Band Gap Power Devices Achievements in ITRI
机译:
工研院宽带隙功率器件创新成果
作者:
Chwan-Ying Lee
;
Yung-Hsiang Chen
;
Lurng-Shehng Lee
;
Chien-Chung Hung
;
Cheng-Tyng Yen
;
Suh-Fang Lin
;
Rong Xuan
;
Wei-Hung Kuo
;
Ming-Jinn Tsai
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
23.
Low-Frequency Noise in High-K and SiO_2 UTBOX SOI nMOSFETS
机译:
高K和SiO_2 UTBOX SOI nMOSFET中的低频噪声
作者:
S. D. dos Santos
;
J.A. Martino
;
V. Strobel
;
B. Cretu
;
J.-M. Routoure
;
R. Carin
;
E. Simoen
;
M. Aoulaiche
;
M. Jurczak
;
C. Claeys
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
24.
Impacting Factors and Improvement for within-shot IDSAT uniformity
机译:
镜头内IDSAT均匀度的影响因素和改进
作者:
Jiajia Tao
;
Yong Li
;
WeiMin Shi
;
Da Jin
;
Helen Li
;
Zhong fan
;
Forrest Fan
;
Tangfeng Chang
;
Star Zhu
;
Jianhua Ju
;
ShaoFeng Yu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
25.
Study of Gate Critical Dimension Uniformity (CDU) Budget and Improvement at 28nm Node
机译:
栅极临界尺寸均匀性(CDU)预算和28nm节点改进的研究
作者:
Qiang Shu
;
Qiang Wu
;
Yanlei Zu
;
Tiezhu Wang
;
Shijian Zhang
;
Tianhui Li
;
Yishih Lin
;
Yiming Gu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
26.
Early Observations between Magnet and Film Properties for AlN Deposition by Reactive Magnetron Sputtering
机译:
反应磁控溅射沉积AlN的磁体和薄膜性能之间的早期观察
作者:
Sha Zhao
;
Yi Yang
;
Michael Cox
;
Dan Deyo
;
Mike Rosa
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
27.
PMD and STI Gap-Fill Challenges For Advanced Technology of Logic and eNVM
机译:
PMD和STI填补逻辑和eNVM先进技术的挑战
作者:
H. Liu
;
S. Srivathanakul
;
H-W. Liu
;
S. Gaan
;
X-Y. Cai
;
X-S. Rao
;
J. Shu
;
S. Kim
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
28.
Characteristics of HfLaON/SiCO_2 Gate Stack prepared using Reactive Sputtering
机译:
反应溅射制备HfLaON / SiCO_2栅叠层的特性
作者:
Gaobo Xu
;
Qiuxia Xu
;
Huajie Zhou
;
Jianfeng Gao
;
Jinjuan Xiang
;
Jinbiao Liu
;
Wenjuan Xiong
;
Yihong Lu
;
Guilei Wang
;
Junfeng Li
;
Chao Zhao
;
Dapeng Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
29.
Resistive switching characteristics based on Cu/VOx/Al structure
机译:
基于Cu / VOx / Al结构的电阻开关特性
作者:
Sun Kuo
;
Zhang Kailiang
;
Wang Fang
;
Miao Yinping
;
Liu Kai
;
Lu Tao
;
Sun Wenxiang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
30.
The Challenges of IC Substrate Materials for Advanced Node Silicon
机译:
IC基板材料对先进节点硅的挑战
作者:
Dyi-Chung Hu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
31.
Solder Volume Effect on Interfacial Reaction between Sn-3.0Ag-0.5Cu Solder Balls and Cu Substrates - Experiment Simulation
机译:
焊锡体积对Sn-3.0Ag-0.5Cu焊球与Cu基板界面反应的影响-实验与仿真
作者:
Mingliang Huang
;
Fan Yang
;
Ning Zhao
;
Xiaoying Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
32.
Efficient Failure Data Collection for Memory BIST Diagnosis in Production Test
机译:
用于生产测试中的内存BIST诊断的有效故障数据收集
作者:
Wu Yang
;
Ruifeng Guo
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
33.
An On-Chip EMI Sensor Array
机译:
片上EMI传感器阵列
作者:
T. Su
;
Y. Huang
;
Z. Wang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
34.
Effect of Low-Temperature on Endurance Characteristics of SONOS Memory
机译:
低温对SONOS记忆体耐力特性的影响
作者:
Lijuan Liu
;
Guofei Shen
;
Gang Cao
;
Shunbin Zhang
;
Yanling Shi
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
35.
Electrical Properties and Conduction Mechanism of RRAM with Al/WOx/Cu Structure
机译:
具有Al / WOx / Cu结构的RRAM的电性能和导电机理
作者:
Lu Tao
;
Zhang Kailiang
;
Wang Fang
;
Sun Kuo
;
Sun Wenxiang
;
Zhao Jinshi
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
36.
Resistive Switching Characteristics of Zinc Oxide Resistive RAM Doped with Nickel
机译:
掺镍氧化锌电阻RAM的电阻开关特性
作者:
Sun Wenxiang
;
Zhang Kailiang
;
Wang Fang
;
Sun Kuo
;
Miao Yinping
;
Zhao Jinshi
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
37.
Synthesis of Zinc Oxide Nanowires by Cu-Additive Zinc Acetate Solution with Hydrothermal Method
机译:
铜加乙酸锌溶液水热法合成氧化锌纳米线
作者:
Yuzhu Wang
;
Yunfeng Lai
;
Shuying Cheng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
38.
Optimization of HfO2 Growth Process by Atomic Layer Deposition (ALD) for High Performance Charge Trapping Flash Memory Application
机译:
通过原子层沉积(ALD)优化HfO2的生长过程,用于高性能电荷陷阱闪存应用
作者:
GuoXing Chen
;
Zongliang Huo
;
ShengJie Zhao
;
Xiaonan Yang
;
ZiYu Liu
;
Manhong Zhang
;
Zhong Sun
;
Yulong Han
;
Dong Zhang
;
Chenjie Wang
;
Yuqiong Chu
;
Su Liu
;
Ming Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
39.
Comparative Study for SRAM Cells in Near and Sub-threshold Region
机译:
近阈值和亚阈值区域的SRAM单元的比较研究
作者:
Y. H. Yang
;
J. H. Park
;
S. C. Song
;
F. Yang
;
J. Wang
;
G. Yeap
;
S. O. Jung
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
40.
The focus margin gain and limitation realized by focus drilling in 28 nm hole-like design rules
机译:
通过按28 nm孔状设计规则进行聚焦钻孔可实现聚焦裕度增益和限制
作者:
Tianhui Li
;
Guogui Deng
;
Jingan Hao
;
Gaorong Li
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
41.
Applying Uniform Design of Experiment in Tri-layer-based Trench Etch for EM Lifetime Performance Enhancement
机译:
将实验的统一设计应用于基于三层的沟槽蚀刻中以提高EM的使用寿命
作者:
Jun-Qing Zhou
;
Siyuan Frank Yang
;
Xin-Peng Wang
;
Min-Da Hu
;
Dong-Jiang Wang
;
Cheng-Long Zhang
;
Yi-Bin Cao
;
Zheng-Hao Gan
;
Hai-Yang Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
42.
Fabrication of Silicon Nanopore Arrays with Three-Step Wet Etching
机译:
三步湿法刻蚀硅纳米孔阵列的制备
作者:
J. Chen
;
T. Deng
;
C. N. Wu
;
Z. W. Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
43.
Integration Challenges and Options of Replacement High-k/Metal Gate Technology for (Sub-)22nm Technology Nodes
机译:
(sub-)22nm技术节点的替代高k /金属栅极技术的集成挑战和选择
作者:
A. Veloso
;
L.-A. Ragnarsson
;
T. Schram
;
S. A. Chew
;
G. Boccardi
;
A. Thean
;
N. Horiguchi
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
44.
High Density Copper Nucleation on Ruthenium and its Application to Direct Plating of Advanced Interconnects
机译:
钌上高密度铜成核及其在高级互连件直接镀中的应用
作者:
Ping Shi
;
Jun Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
45.
Surface Adsorption of CMP Slurry Additives on Abrasive Particles
机译:
CMP浆料添加剂在磨料颗粒上的表面吸附
作者:
Mansour Moinpour
;
Ashley Wayman
;
Ashwani Rawat
;
Colin T. Carver
;
Edward E. Remsen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
46.
An overview of recent advances in chemical mechanical polishing (CMP) of sapphire substrates
机译:
蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)的最新进展概述
作者:
Yu-nong Zhang
;
B. Lin
;
Z. C. Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
47.
The Preparation of Nanometer Non Spherical Colloidal Silica and its Polishing Character
机译:
纳米非球形胶体二氧化硅的制备及其抛光性能
作者:
Li Weiwei
;
Diao Jianxin
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
48.
Investigation of Diamond Films Polished by Thermal Chemical Mechanical Polishing
机译:
热化学机械抛光法抛光金刚石膜的研究
作者:
Ren Jun
;
Zhang Kailiang
;
Wang Fang
;
Liu Yujie
;
Yuan Yujie
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
49.
Material Removal Mechanism of Single and Polycrystalline Silicon in Alkaline Slurry
机译:
碱性浆料中单晶硅和多晶硅的去除机理
作者:
Jin-Goo Park
;
R.Prasanna Venkatesh
;
Tae-Young Kwon
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2013年
50.
The Synthesis of novel polystyrene-SiO_2 composite abrasive for CMP Slurry
机译:
新型CMP浆料用聚苯乙烯-SiO_2复合磨料的合成
作者:
Hongyi Qin
;
Mingu Kim
;
Sunjae Jang
;
Yang Xu
;
Taesung Kim
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
51.
Development of Cu CMP Slurry with High Throughput and Low Dishing
机译:
高通量低成膜Cu CMP浆料的开发
作者:
Jianfen Jing
;
Yuchun Wang
;
Jian Zhang
;
Xinyuan Cai
;
Xucheng Wang
;
Yanting Xu
;
Fengjun Shi
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
52.
Pre-amorphous Implant and Millisecond Annealing for NiPt Sheet Resistance and Junction Leakage Reduction
机译:
预非晶态植入和毫秒退火可降低NiPt薄层电阻并减少结泄漏
作者:
Shi-cheng Ding
;
Larry Chen
;
Cheng-Jui Yang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
53.
Application of self-diagnosis on automation bench test platform
机译:
自诊断在自动化平台测试平台上的应用
作者:
Xian Yang
;
Weijun Qin
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
54.
Simulation and Analysis of High Breakdown Voltage AlGaN/GaN MOSHEMTs with TiO_2/Al_2O_3 Gate Dielectric
机译:
TiO_2 / Al_2O_3栅介质的高击穿电压AlGaN / GaN MOSHEMT的仿真与分析
作者:
X.-P. Li
;
J.-Y. Wang
;
J.-B. Cai
;
Y. Liu
;
Zh. Yang
;
B. Zhang
;
M.-J. Wang
;
M. Yu
;
B. Xie
;
W.-G. Wu
;
J.-Ch. Zhang
;
X.-H. Ma
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
55.
Preferred NV field for arbitrary crossed-gratings with analytic boundary
机译:
具有分析边界的任意交叉光栅的首选NV场
作者:
Hao Deng
;
Shuqiang Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
56.
Defect losses under different processes, stress, recovery, and anneal conditions
机译:
在不同的工艺,应力,恢复和退火条件下的缺陷损失
作者:
M. Duan
;
J. F. Zhang
;
Z. Ji
;
W. Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
57.
Electrical and TDDB Characteristics of High-k/Metal Gate MOS Capacitors with Different RTO temperatures
机译:
具有不同RTO温度的高k /金属栅MOS电容器的电气和TDDB特性
作者:
Hao XU
;
Hong YANG
;
Shangqing REN
;
Weichun LUO
;
Yanrong WANG
;
Kai HAN
;
Jinjuan XIANG
;
Xiaolei WANG
;
Xueli MA
;
Wenwu WANG
;
Chao ZHAO
;
Dapeng CHEN
;
Tianchun YE
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
58.
PowerMEMS based on Semiconductor Technologies and Nano Materials
机译:
基于半导体技术和纳米材料的PowerMEMS
作者:
Xiaohong Wang
;
Caiwei Shen
;
Hexin Xing
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
59.
Unified Automated System Level Test bench to Verify DDR2/3/4 and LPDDR2 Memory Controllers - Layered
机译:
统一的自动化系统级测试平台,可验证DDR2 / 3/4和LPDDR2内存控制器-分层
作者:
J.N Raghavendra
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2013年
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