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Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society
Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society
召开年:
2013
召开地:
Toronto(CA)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Preface
机译:
前言
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
2.
Low Leakage Current GaN MIS-HEMT with SiN_x Gate Insulator using N_2 Plasma Treatment
机译:
采用N_2等离子体处理的具有SiN_x栅极绝缘体的低泄漏电流GaN MIS-HEMT
作者:
S. C. Liu
;
H. C. Wang
;
E. Y. Chang
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
3.
Growth and characterization of single crystalline Ga-doped ZnO thin films using metal-organic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长单晶掺镓ZnO薄膜及其表征
作者:
Ray-Hua Horng
;
Chiung-Yi Huang
;
Chen-Yang Yin
;
Parvaneh Ravadgar
;
Dong-Sing Wuu
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
4.
P-side up Thin Film AlGaInP-Based Light Emitting Diodes with Mesh Patterned Ohmic Contact
机译:
具有网状图案欧姆接触的P侧向上薄膜AlGaInP基发光二极管
作者:
Ray-Hua Horng
;
Chi-Feng Weng
;
Bing-Rui Wu
;
Parvaneh Ravadgar
;
Dong-Sing Wuu
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
5.
Confocal Microscopy and TRPL Spectroscopy Study on Spatial Variation of PL in Blue-emitting InGaN/GaN MQWs
机译:
共聚焦显微镜和TRPL光谱研究蓝发射InGaN / GaN MQWs中PL的空间变化
作者:
C. Li
;
E. B. Stokes
;
R. Hefti
;
P. Moyer
;
R. Arif
;
D. Byrnes
;
S. M. Lee
;
E. Armour
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
6.
Gold-free InAlN/GaN Schottky Gate HEMT on Si(111) Substrate with ZrO_2 Passivation
机译:
ZrO_2钝化的Si(111)衬底上的无金InAlN / GaN肖特基栅极HEMT
作者:
L. M. Kyaw
;
Y. Liu
;
M.K. Bera
;
Y. J. Ngoo
;
S. Tripathy
;
E. F. Chor
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
7.
Thickness Dependent Electrical Characteristics of InAlN/GaN-on-Si MOSHEMTs with Y_2O_3 Gate Dielectric and Au-free Ohmic Contact
机译:
具有Y_2O_3栅极电介质和无金欧姆接触的InAlN / GaN-on-Si MOSHEMT的厚度依赖性电学特性
作者:
M. K. Bera
;
Y. Liu
;
L. M. Kyaw
;
Y. J. Ngoo
;
E. F. Chor
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
8.
Biochemical Sensors: comparison of the performance of TiO_2, SnO_2:F and ITO used as the main sensing element
机译:
生化传感器:作为主要传感元件的TiO_2,SnO_2:F和ITO的性能比较
作者:
J. C. Fernandes
;
K. A. F. Torres
;
G. O. Silva
;
T. Heimfarth
;
M. N. P. Carreno
;
I. Pereyra
;
M. Mulato
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
9.
Metal catalyzed porous n-type GaN layers: low resistivity ohmic contacting and single-step MgO/GaN diode formation
机译:
金属催化的多孔n型GaN层:低电阻欧姆接触和单步MgO / GaN二极管形成
作者:
O. V. Bilousov
;
J. J. Carvajal
;
D. Drouin
;
A. Vilalta
;
P. Ruterana
;
M. C. Pujol
;
X. Mateos
;
F. Diaz
;
M. Aguilo
;
C. ODwyer
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
10.
Electrodeposited Wide-bandgap Semiconducting ZnO and CuSCN Thin Films and Nanowires for Interface Engineering of Polymer Solar Cells
机译:
用于聚合物太阳能电池界面工程的电沉积宽带隙半导体ZnO和CuSCN薄膜和纳米线
作者:
C. Chappaz-Gillot
;
S. Berson
;
S. Sanchez
;
R. Salazar
;
B. Lechene
;
D. Aldakov
;
V. Delaye
;
S. Guillerez
;
V. Ivanova
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
11.
Nano-Porous TiO_2 Photoanode for Higher Electrolyte Accessibility Using Micro-fibrillated Cellulose as a Sacrificial Template
机译:
纳米多孔TiO_2光电阳极,以微纤化纤维素为牺牲模板,可实现更高的电解质可达性
作者:
Yan Li
;
Lawrence. T. Drzal
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
12.
Improving the Current Density and the Coulombic Efficiency by a Cascade Reaction of Glucose Oxidizing Enzymes
机译:
通过葡萄糖氧化酶的级联反应提高电流密度和库仑效率
作者:
Muhammad Nadeem Zafar
;
Minling Shao
;
Roland Ludwig
;
Donal Leech
;
Wolfgang Schuhmann
;
Lo Gorton
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
13.
Simulation of Thermal Effects on Hydrogen-Terminated Diamond MOSFETs
机译:
氢封端金刚石MOSFET的热效应仿真
作者:
Xi Zhou
;
Frances Williams
;
Sacharia Albin
;
Kalpathy Sundaram
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
14.
A Novel Detection of Non-nucleoside Reverse Transcriptase Inhibitors (NNRTIs) for HIV-1 with AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管对HIV-1的非核苷逆转录酶抑制剂(NNRTIs)的新型检测
作者:
Yen-Wen Kang
;
Geng-Yen Lee
;
Jen-Inn Chyi
;
Chen-Pin Hsu
;
You-Ren Hsu
;
Chih-Cheng Huang
;
Fan Ren
;
Yu-Lin Wang
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
15.
Cathodoluminescence Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structure Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长的InGaN / GaN多量子阱结构的阴极发光研究
作者:
Y. Li
;
F. Lu
;
F. Ramos
;
E. B. Stokes
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
16.
Nonradiative Recombination Mechanism in Phosphor-Free GaN-Based Nanowire White Light Emitting Diodes and the Effect of Ammonium Sulfide Surface Passivation
机译:
不含磷的GaN基纳米线白光发光二极管的非辐射复合机理及硫化铵表面钝化的影响
作者:
H. P. T. Nguyen
;
M. Djavid
;
Z. Mi
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
17.
Development of Reclaimed Pattern Sapphire Substrates Technologies for GaN-Based LEDs
机译:
氮化镓基LED的回收图案蓝宝石衬底技术的开发
作者:
S. Y. Huang
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
18.
Strong visible light emission from zinc-blende InGaN/GaN pn junction on silicon substrate
机译:
硅衬底上的混合锌InGaN / GaN pn结发出的强可见光
作者:
S. Nishimura
;
M. Hirai
;
H. Nagayoshi
;
K. Terashima
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
19.
Polycrystalline CdTe PN diode formed by Au and Al diffusion
机译:
Au和Al扩散形成的多晶CdTe PN二极管
作者:
Jin Sung Kim
;
Pyo Jin Jeon
;
Junyeong Lee
;
Min Je Kim
;
Dong-jin Lee
;
Tae-woo Kim
;
Pung Keun Song
;
Geon-Hwan Lee
;
Seongil Im
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
20.
Various Schottky Contacts of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes (SBDs)
机译:
AlGaN / GaN肖特基势垒二极管(SBD)的各种肖特基接触
作者:
Woojin Ahn
;
Ogyun Seok
;
Min-Woo Ha
;
Young-Shil Kim
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
21.
Effects of Composition Ratio on Solution-processed InGaZnO Thin-Film Transistors
机译:
组成比对固溶处理的InGaZnO薄膜晶体管的影响
作者:
Jeong-Soo Lee
;
Seung-Min Song
;
Soo-Yeon Lee
;
Yong-Hoon Kim
;
Jang-Yeon Kwon
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
22.
Influence of Hydroxylamine concentration on Structural and Electrical Properties of Titanium Oxide Films
机译:
羟胺浓度对氧化钛薄膜结构和电性能的影响
作者:
H. Ishizaki
;
S. Ito
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
23.
Preparation of Substrates Intended for the Growth of Lower Threading Dislocation Densities within Nitride Based UV Multiple Quantum Wells
机译:
准备在基于氮化物的紫外多量子阱中生长较低穿线位错密度的基质
作者:
M.A. Conroy
;
N. Petkov
;
H.N. Li
;
T.C. Sadler
;
V. Zubialevich
;
J.D. Holmes
;
P.J. Parbrook
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
24.
InGaN LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrates with Modified Top-Tip Cone Shapes
机译:
在具有改良顶尖锥体形状的图案化蓝宝石衬底上生长的InGaN LED
作者:
Hsu-Hung Hsueh
;
Sin-Liang Ou
;
Chiao-Yang Cheng
;
Dong-Sing Wuu
;
Ray-Hua Horng
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
25.
Surface Degradation of GaN after Thermal Processes
机译:
热处理后GaN的表面降解
作者:
M.-W. Ha
;
O. Seok
;
W. Ahn
;
M.-K. Han
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
26.
RF-sputtered HfO_2 Gate Insulator in High-Performance AlGaN/GaN MOS-HEMTs
机译:
高性能AlGaN / GaN MOS-HEMT中的射频溅射HfO_2栅极绝缘体
作者:
Ogyun Seok
;
Woojin Ahn
;
Min-Woo Ha
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Symposium on wide bandgap semiconductor materials and devices;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2013年
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