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2011 Symposium on VLSI Technology
2011 Symposium on VLSI Technology
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1.
Session 9A - Ultra thin body FDSOI
机译:
会议9A-超薄机身FDSOI
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
2.
Session 1 - Welcome and plenary session
机译:
第一场-欢迎会和全体会议
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
3.
Session 10A - Focus session - 3D integration
机译:
会议10A-焦点会议-3D集成
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
4.
Session 9B - DRAM and CMOS sensor
机译:
会议9B-DRAM和CMOS传感器
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
5.
Session 5A - Process technology
机译:
分会5A-工艺技术
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
6.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
7.
FOREWORD welcome to the 2011 Symposium on VLSI Technology
机译:
前言欢迎参加2011年VLSI技术研讨会
作者:
Niwa Masaaki
;
Ming-Ren Lin
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
8.
Ataglance
机译:
乍看上去
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
9.
Floor map
机译:
楼层图
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
10.
Blank page
机译:
空白页
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
11.
Session quick index
机译:
会话快速索引
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
12.
Session 2A - FinFETs
机译:
分会2A-FinFET
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
13.
Session 2B - RRAM I
机译:
会议2B-RRAM I
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
14.
Session 3B - RRAM II
机译:
分会3B-RRAM II
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
15.
Session 4A - High mobility channel devices
机译:
会议4A-高移动性通道设备
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
16.
Session 4B - NAND flash memory
机译:
会议4B-NAND闪存
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
17.
Session 7 - Highlights
机译:
第7节-重点
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
18.
Session 12 - Design enablement II
机译:
第十二部分-设计使能II
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
19.
Session 5B - PCRAM
机译:
会议5B-PCRAM
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
20.
Session 6A - Focus session - Design enablement I
机译:
会议6A-焦点会议-设计实现I
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
21.
Session 6B - NOvel Devices
机译:
专场6B-Novel设备
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
22.
Session 8A - 3D integration
机译:
专场8A-3D整合
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
23.
Session 8B - Reliability and stability
机译:
会议8B-可靠性和稳定性
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
24.
Session 10B - Characterization and variability
机译:
会议10B-表征和变异性
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
25.
Session 11A - RTN
机译:
分会11A-RTN
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
26.
Session 11B - MRAM and NAND
机译:
会议11B-MRAM和NAND
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
27.
Title page
机译:
封面
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
28.
From mean values to distributions of BTI lifetime of deeply scaled FETs through atomistic understanding of the degradation
机译:
通过对退化的原子学理解,从深层FET的平均值到BTI寿命的分布
作者:
Toledano-Luque M.
;
Kaczer B.
;
Franco J.
;
Roussel Ph.J.
;
Grasser T.
;
Hoffmann T.Y.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
29.
Investigation of the self-heating effect on hot-carrier characteristics for packaged high voltage devices
机译:
自热对封装高压器件热载流子特性的影响研究
作者:
Huang H.J.
;
Huang Y.-H.
;
Liu C.C.
;
Shih J.R.
;
Lee Y.-H.
;
Ranjan R.
;
Leu L.
;
Wu D.J.
;
Wu Kenneth
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
30.
Demonstration of low temperature 3D sequential FDSOI integration down to 50 nm gate length
机译:
演示低至50 nm栅极长度的低温3D顺序FDSOI集成
作者:
Batude P.
;
Vinet M.
;
Xu C.
;
Previtali B.
;
Tabone C.
;
Le Royer C.
;
Sanchez L.
;
Baud L.
;
Brunet L.
;
Toffoli A.
;
Allain F.
;
Lafond D.
;
Aussenac F.
;
Thomas O.
;
Poiroux T.
;
Faynot O.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
31.
Offset buried metal gate vertical floating body memory technology with excellent retention time for DRAM application
机译:
偏置埋入式金属栅垂直浮体存储技术,具有出色的保留时间,适用于DRAM应用
作者:
Hwang Sang-Min
;
Banna Srinivasa
;
Tang Cathy
;
Bhardwaj Sunil
;
Gupta Mayank
;
Thurgate Tim
;
Kim David
;
Kwon Jungtae
;
Kim Joong-Sik
;
Lee Seung-Hwan
;
Lee J.-Y.
;
Chung S.-J.
;
Park J.-W.
;
Chung Sung-Woong
;
Cho S.-H.
;
Roh J.-S.
;
Lee J.-H.
;
Van Buskirk Michael
;
Hong S.-J.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
1T-DRAM;
Floating body cell;
32.
Electronic global shutter CMOS image sensor using oxide semiconductor FET with extremely low off-state current
机译:
电子全局快门CMOS图像传感器,使用具有极低截止态电流的氧化物半导体FET
作者:
Aoki Takeshi
;
Ikeda Masataka
;
Kozuma Munehiro
;
Tamura Hikaru
;
Kurokawa Yoshiyuki
;
Ikeda Takayuki
;
Endo Yuta
;
Maruyama Tetsunori
;
Matsumoto Noriko
;
Ieda Yoshinori
;
Isobe Atsuo
;
Koyama Jun
;
Yamazaki Shunpei
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
33.
Impact of back bias on ultra-thin body and BOX (UTBB) devices
机译:
反向偏置对超薄机身和BOX(UTBB)器件的影响
作者:
Liu Q.
;
Monsieur F.
;
Kumar A.
;
Yamamoto T.
;
Yagishita A.
;
Kulkarni P.
;
Ponoth S.
;
Loubet N.
;
Cheng K.
;
Khakifirooz A.
;
Haran B.
;
Vinet M.
;
Cai J.
;
Kuss J.
;
Linder B.
;
Grenouillet L.
;
Mehta S.
;
Khare P.
;
Berliner N.
;
Levin T.
;
Kanakasabapathy S.
;
Upham A.
;
Sreenivasan R.
;
Le Tiec Y.
;
Posseme N.
;
Li J.
;
Demarest J.
;
Smalley M.
;
Leobandung E.
;
Monfray S.
;
Boeuf F.
;
Skotnicki T.
;
Ishimaru K.
;
Takayanagi M.
;
Kleemeier W.
;
Bu H.
;
Luning S.
;
Hook T.
;
Khare M.
;
Shahidi G.
;
Doris B.
;
Sampson R.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
34.
Stress-induced performance enhancement in Si ultra-thin body FD-SOI MOSFETs: Impacts of scaling
机译:
硅超薄体FD-SOI MOSFET中应力诱导的性能增强:结垢的影响
作者:
Xu Nuo
;
Andrieu Francois
;
Jeon Jaeseok
;
Sun Xin
;
Weber Olivier
;
Poiroux Thierry
;
Nguyen Bich-Yen
;
Faynot Olivier
;
Liu Tsu-Jae King
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
35.
Ultra-thin buried nitride integration for multi-V
T
, low-variability and power management in planar FDSOI CMOSFETs
机译:
用于平面FDSOI CMOSFET的Multi-V
T inf>的超薄掩埋氮化物集成,低变异性和功率管理
作者:
Nguyen P.
;
Andrieu F.
;
Garros X.
;
Widiez J.
;
Molas G.
;
Tisseur R.
;
Weber O.
;
Toffoli A.
;
Allain F.
;
Lafond D.
;
Dansas H.
;
Tabone C.
;
Brevard L.
;
Dechamp J.
;
Guiot E.
;
Faynot O.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
36.
Towards 1X DRAM: Improved leakage 0.4 nm EOT STO-based MIMcap and explanation of leakage reduction mechanism showing further potential
机译:
迈向1X DRAM:改进了基于EOT STO的0.4 nm泄漏MIMcap,并解释了减少泄漏的机制,显示出更大的潜力
作者:
Pawlak M.A.
;
Kaczer B.
;
Wang Wan-Chih
;
Kim Min-Soo
;
Popovici M.
;
Swerts J.
;
Tomida K.
;
Opsomer K.
;
Schaekers M.
;
Vrancken C.
;
Govoreanu B.
;
Belmonte A.
;
Demeurisse C.
;
Debusschere I.
;
Altimime L.
;
Afanasev V.V.
;
Kittl J.A.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
37.
A highly scalable vertical gate (VG) 3D NAND Flash with robust program disturb immunity using a novel PN diode decoding structure
机译:
使用新型PN二极管解码结构的高度可扩展的垂直门(VG)3D NAND闪存,具有强大的编程抗扰性
作者:
Hung Chun-Hsiung
;
Lue Hang-Ting
;
Chang Kuo-Pin
;
Chen Chih-Ping
;
Hsiao Yi-Hsuan
;
Chen Shih-Hung
;
Shih Yen-Hao
;
Hsieh Kuang-Yeu
;
Yang Mars
;
Lee James
;
Wang Szu-Yu
;
Yang Tahone
;
Chen Kuang-Chao
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
38.
A highly manufacturable integration technology of 20nm generation 64Gb multi-level NAND flash memory
机译:
20nm一代64Gb多级NAND闪存的高度可制造的集成技术
作者:
Lee Keun Woo
;
Choi Se Kyoung
;
Chung Sung Jae
;
Lee Hye Lyoung
;
Yi Su Min
;
Han Byeong Il
;
Lee Byung In
;
Lee Dong Hwan
;
Seo Ji Hyun
;
Park Noh Yong
;
Kim Hae Soo
;
Kim Hyung Seok
;
Youn Tae Un
;
Noh Keum Hwan
;
Lee Min Kyu
;
Lee Ju Yeab
;
Han Kwang Hee
;
Woo Won Sic
;
Cho Seok Won
;
Lee Seung Cheol
;
Kim Sung Soon
;
Hyun Chan Sun
;
Suh Weon Joon
;
Kim Sang Deok
;
Ahn Myung Kyu
;
Kim Hyeon Soo
;
Kim Ki Seog
;
Cho Gyu Seog
;
Park Sung Kye
;
Aritome Seiichi
;
Kim Jin Woong
;
Lee Seok Kiu
;
Hong Sung Joo
;
Park Sung Wook
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
39.
A novel low-voltage hot-carrier (LVHC) programming method for scaled NAND flash cell
机译:
一种用于规模化NAND闪存单元的新型低压热载(LVHC)编程方法
作者:
Tsai Wen-Jer
;
Tsai P.H.
;
Huang J.S.
;
Yan S.G.
;
Cheng C.H.
;
Cheng C.C.
;
Chen Y.J.
;
Lee C.H.
;
Hsu M.C.
;
Han T.T.
;
Lu T.C.
;
Chen K.C.
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
40.
A novel junctionless all-around-gate SONOS device with a quantum nanowire on a bulk substrate for 3D stack NAND flash memory
机译:
一种新颖的无结全能门SONOS器件,该器件在大块基板上具有量子纳米线,用于3D堆栈NAND闪存
作者:
Choi Sung-Jin
;
Moon Dong-Il
;
Duarte J. P.
;
Kim Sungho
;
Choi Yang-Kyu
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
41.
Extraction of 3-D trap position in NAND flash memory considering channel resistance of pass cells and bit-line interference
机译:
考虑通过单元的通道电阻和位线干扰的NAND闪存中3-D陷阱位置的提取
作者:
Joe S. M.
;
Jung M. K.
;
Lee J. W.
;
Lee M. S.
;
Jo B. S.
;
Bae J. H.
;
Park S. K.
;
Han K. R.
;
Yi J. H.
;
Cho G. S.
;
Lee J. H.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
42.
Rump sessions
机译:
臀部会议
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
43.
Phase transformation kinetics of HfO
2
polymorphs in ultra-thin region
机译:
HfO
2 inf>多晶型物在超薄区域的相变动力学
作者:
Nakajima Y.
;
Kita K.
;
Nishimura T.
;
Nagashio K.
;
Toriumi A.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
Cubic;
HfOinf2/inf;
Higher-k;
Kinetics and Mehl-Avrami-Johnson law;
Martensite;
Phase transformation;
44.
Executive committees
机译:
执行委员会
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
45.
Scaling of SOI FinFETs down to fin width of 4 nm for the 10nm technology node
机译:
针对10nm技术节点将SOI FinFET的尺寸缩小至4nm的鳍宽
作者:
Chang J. B.
;
Guillorn M.
;
Solomon P.M.
;
Lin C.-H.
;
Engelmann S.U.
;
Pyzyna A.
;
Ott J. A.
;
Haensch W.E
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
46.
Sub-25nm FinFET with advanced fin formation and short channel effect engineering
机译:
具有先进鳍形成和短沟道效应工程的低于25nm FinFET
作者:
Yamashita T.
;
Basker V. S.
;
Standaert T.
;
Yeh C.-C.
;
Yamamoto T.
;
Maitra K.
;
Lin C. -H.
;
Faltermeier J.
;
Kanakasabapathy S.
;
Wang M.
;
Sunamura H.
;
Jagannathan H.
;
Reznicek A.
;
Schmitz S.
;
Inada A.
;
Wang J.
;
Adhikari H.
;
Berliner N.
;
Lee K-L.
;
Kulkarni P.
;
Zhu Y.
;
Kumar A.
;
Bryant A.
;
Wu S.
;
Kanarsky T.
;
Cho J.
;
Mclellan E.
;
Holmes S. J.
;
Johnson R. C.
;
Levin T.
;
Demarest J.
;
Li J.
;
Oldiges P.
;
Arnold J.
;
Colburn M.
;
Hane M.
;
Mcherron D.
;
Paruchuri V. K.
;
Doris B.
;
Miller R. J.
;
Bu H.
;
Khare M.
;
ONeill J.
;
Leobandung E.
会议名称:
《》
|
2011年
47.
Modeling of width-quantization-induced variations in logic FinFETs for 22nm and beyond
机译:
针对22nm及以上的逻辑FinFET进行宽度量化引起的变化建模
作者:
Lin Chung-Hsun
;
Haensch Wilfried
;
Oldiges Phil
;
Wang Hailing
;
Williams Richard
;
Chang Josephine
;
Guillorn Michael
;
Bryant Andres
;
Yamashita Tenko
;
Standaert Theodorus
;
Bu Huiming
;
Leobandung Effendi
;
Khare Mukesh
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
48.
Critical discussion on (100) and (110) orientation dependent transport: nMOS planar and FinFET
机译:
关于(100)和(110)取向相关传输的关键讨论:nMOS平面和FinFET
作者:
Young C.D.
;
Baykan M. O.
;
Agrawal A.
;
Madan H.
;
Akarvardar K.
;
Hobbs C.
;
Ok I.
;
Taylor W.
;
Smith C.E.
;
Hussain M.M.
;
Nishida T.
;
Thompson S.
;
Majhi P.
;
Kirsch P.
;
Datta S.
;
Jammy R.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
49.
Forming-free nitrogen-doped AlO
X
RRAM with sub-μA programming current
机译:
低于μA编程电流的无形氮掺杂AlO
X inf> RRAM
作者:
Kim Wanki
;
Park Sung Il
;
Zhang Zhiping
;
Yang-Liauw Young
;
Sekar Deepak
;
Wong H.-S. Philip
;
Wong S. Simon
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
50.
Evidences of anodic-oxidation reset mechanism in TiNNiONi RRAM cells
机译:
TiNNiONi RRAM单元中阳极氧化复位机制的证据
作者:
Goux L.
;
Degraeve R.
;
Govoreanu B.
;
Chou H.-Y.
;
Afanasev V.V.
;
Meersschaut J.
;
Toeller M.
;
Wang X.P.
;
Kubicek S.
;
Richard O.
;
Kittl J.A.
;
Wouters D.J.
;
Jurczak M.
;
Altimime L.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
51.
Resistive switching AlOx-based memory with CNT electrode for ultra-low switching current and high density memory application
机译:
带有CNT电极的电阻式基于AlOx的存储器,用于超低开关电流和高密度存储器应用
作者:
Wu Yi
;
Chai Yang
;
Chen Hong-Yu
;
Yu Shimeng
;
Wong H. -S. Philip
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
52.
Deterministic and stochastic component in RESET transient of HfSiO/FUSI gate RRAM stack
机译:
HfSiO / FUSI栅极RRAM堆栈的RESET瞬变中的确定性和随机成分
作者:
Degraeve R.
;
Goux L.
;
Roussel Ph.
;
Wouters D.J.
;
Kittl J.A.
;
Altimime L.
;
Jurczak M.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
53.
Aggressively scaled high-k last metal gate stack with low variability for 20nm logic high performance and low power applications
机译:
大幅降低高可变性的高k最后金属栅堆叠,适用于20nm逻辑高性能和低功耗应用
作者:
Hyun S.
;
Han J.-H.
;
Park H.-B.
;
Na H.-J.
;
Son H.J.
;
Lee H.Y.
;
Hong H.-S.
;
Lee H.-L.
;
Song J.
;
Kim J.J.
;
Lee J.
;
Jeong W.C.
;
Cho H.J.
;
Seo K.I.
;
Kim D.W.
;
Sim S.P.
;
Kang S.B.
;
Sohn D.K.
;
Choi Siyoung
;
Kang Hokyu
;
Chung Chilhee
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
54.
Gate-last vs. gate-first technology for aggressively scaled EOT logic/RF CMOS
机译:
后栅极与前栅极技术可大幅扩展EOT逻辑/ RF CMOS
作者:
Veloso A.
;
Ragnarsson L.-A.
;
Cho M. J.
;
Devriendt K.
;
Kellens K.
;
Sebaai F.
;
Suhard S.
;
Brus S.
;
Crabbe Y.
;
Schram T.
;
Rohr E.
;
Paraschiv V.
;
Eneman G.
;
Kauerauf T.
;
Dehan M.
;
Hong S.-H.
;
Yamaguchi S.
;
Takeoka S.
;
Higuchi Y.
;
Tielens H.
;
Van Ammel A.
;
Favia P.
;
Bender H.
;
Franquet A.
;
Conard T.
;
Li X.
;
Pey K.-L.
;
Struyf H.
;
Mertens P.
;
Absil P. P.
;
Horiguchi N.
;
Hoffmann T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
55.
Full metal gate with borderless contact for 14 nm and beyond
机译:
全金属栅极具有14 nm及以上的无边界接触
作者:
Seo S.-C.
;
Edge L.F.
;
Kanakasabapathy S.
;
Frank M.
;
Inada A.
;
Adam L.
;
Wang M.M.
;
Watanabe K.
;
Jamison P.
;
Ariyoshi K.
;
Sankarapandian M.
;
Fan S.
;
Horak D.
;
Li J.T.
;
Vo T.
;
Haran B.
;
Bruley J.
;
Hopstaken M.
;
Brown S.L.
;
Chang J.
;
Cartier E.A.
;
Park D.-G.
;
Stathis J.H.
;
Doris B.
;
Divakaruni R.
;
Khare M.
;
Narayanan V.
;
Paruchuri V.K.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
56.
A 28nm poly/SiON CMOS technology for low-power SoC applications
机译:
适用于低功耗SoC应用的28nm poly / SiON CMOS技术
作者:
Liang C. W.
;
Chen M. T.
;
Jenq J. S.
;
Lien W. Y.
;
Huang C. C.
;
Lin Y. S.
;
Tzau B. J.
;
Wu W. J.
;
Fu Z. H.
;
Wang I. C.
;
Chou P. Y.
;
Fu C. S.
;
Tzeng C. Y.
;
Chiu K. L.
;
Huang L. S.
;
You J. W.
;
Hung J. G.
;
Cheng Z. M.
;
Hsu B. C.
;
Wang H. Y.
;
Ye Y. H.
;
Wu J. Y.
;
Yang C. L.
;
Huang C. C.
;
Chien C. C.
;
Wang Y. R.
;
Liu C. C.
;
Tzou S. F.
;
Huang Y. H.
;
Yu C. C.
;
Liao J. H.
;
Lin C. L.
;
Chen D. F.
;
Chien S. C.
;
Chen I. C.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
57.
RF and mixed-signal performances of a low cost 28nm low-power CMOS technology for wireless system-on-chip applications
机译:
低成本28nm低功耗CMOS技术的RF和混合信号性能,用于无线片上系统应用
作者:
Yang Ming-Ta
;
Liao Ken
;
Welstand Robert
;
Teng Charles
;
Sy Wing
;
Chen Ying
;
Dutta R.
;
Chidambaram PR.
;
Han Michael
;
Du Yang
;
Yeap Geoffrey
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
58.
High performance unipolar AlO
y
/HfO
x
/Ni based RRAM compatible with Si diodes for 3D application
机译:
基于高性能单极AlO
y inf> / HfO
x inf> / Ni的RRAM与3D应用中的Si二极管兼容
作者:
Tran X.A.
;
Gao B.
;
Kang J.F.
;
Wu L.
;
Wang Z.R.
;
Fang Z.
;
Pey K.L.
;
Yeo Y.C.
;
Du A.Y.
;
Nguyen B.Y.
;
Li M.F.
;
Yu H.Y.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
59.
Theoretical study of the resistance switching mechanism in rutile TiO
2−x
for ReRAM: The role of oxygen vacancies and hydrogen impurities
机译:
ReRAM中金红石型TiO
2-x inf>中的电阻转换机理的理论研究:氧空位和氢杂质的作用
作者:
Park S.G.
;
Magyari-Kope B.
;
Nishi Y.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
60.
Highly reliable and fast nonvolatile hybrid switching ReRAM memory using thin Al
2
O
3
demonstrated at 54nm memory array
机译:
在54nm存储器阵列上展示了使用薄Al
2 inf> O
3 inf>的高度可靠且快速的非易失性混合开关ReRAM存储器
作者:
Yi Jaeyun
;
Choi Hyejung
;
Lee Seunghwan
;
Lee Jaeyeon
;
Son Donghee
;
Lee Sangkeum
;
Hwang Sangmin
;
Song Seokpyo
;
Park Jinwon
;
Kim Sookjoo
;
Kim Wangee
;
Kim Ja-Yong
;
Lee Sunghoon
;
Moon Jiwon
;
You Jinju
;
Joo Moonsig
;
Roh JaeSung
;
Park Sungki
;
Chung Sung-Woong
;
Lee Junghoon
;
Hong Sung-Joo
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
1T1R;
Resistive switching;
bipolar;
61.
High thermal robust ReRAM with a new method for suppressing read disturb
机译:
具有新的抑制读取干扰的方法的高耐热性ReRAM
作者:
Terai M.
;
Saitoh M.
;
Nagumo T.
;
Sakotsubo Y.
;
Yabe Y.
;
Takeda K.
;
Hase T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
ReRAM;
Tainf2/infOinf5/inf;
TiOinf2/inf;
reverse bias read;
62.
Bi-layered RRAM with unlimited endurance and extremely uniform switching
机译:
双层RRAM具有无限的耐用性和极其均匀的切换
作者:
Kim Young-Bae
;
Lee Seung Ryul
;
Lee Dongsoo
;
Lee Chang Bum
;
Chang Man
;
Hur Ji Hyun
;
Lee Myoung-Jae
;
Park Gyeong-Su
;
Kim Chang Jung
;
Chung U-In
;
Yoo In-Kyeong
;
Kim Kinam
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
RRAM;
material architecture;
nonvolatile memory;
resistive switching;
63.
High mobility Ge pMOSFETs with ∼ 1nm thin EOT using Al
2
O
3
/GeO
x
/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation
机译:
采用等离子后氧化法制备的Al
2 inf> O
3 inf> / GeO
x inf> / Ge栅堆叠的EOT厚度约为1nm的高迁移率Ge pMOSFET
作者:
Zhang R.
;
Iwasaki T.
;
Taoka N.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
64.
High performance extremely-thin body III-V-on-insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS interface buffer engineering
机译:
具有Ni-InGaAs金属S / D和MOS接口缓冲器工程的Si衬底上的高性能极薄绝缘体III-V绝缘体MOSFET
作者:
Kim S. H.
;
Yokoyama M.
;
Taoka N.
;
Iida R.
;
Lee S.
;
Nakane R.
;
Urabe Y.
;
Miyata N.
;
Yasuda T.
;
Yamada H.
;
Fukuhara N.
;
Hata M.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
65.
CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding
机译:
通过直接晶圆键合将InGaAs nMOSFET和Ge pMOSFET与自对准Ni基金属S / D进行CMOS集成
作者:
Yokoyama M.
;
Kim S. H.
;
Zhang R.
;
Taoka N.
;
Urabe Y.
;
Maeda T.
;
Takagi H.
;
Yasuda T.
;
Yamada H.
;
Ichikawa O.
;
Fukuhara N.
;
Hata M.
;
Sugiyama M.
;
Nakano Y.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
66.
Scalable TaN metal source/drain gate InGaAs/Ge n/pMOSFETs
机译:
可扩展的TaN金属源极/漏极和栅极InGaAs / Ge n / pMOSFET
作者:
Maeda T.
;
Urabe Y.
;
Itatani T.
;
Ishii H.
;
Miyata N.
;
Yasuda T.
;
Yamada H.
;
Hata M.
;
Yokoyama M.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
67.
A 0.021 µm
2
trigate SRAM cell with aggressively scaled gate and contact pitch
机译:
一个0.021 µm
2 sup>三栅极SRAM单元,栅极和接触节距显着缩放
作者:
Guillorn M.A.
;
Chang J.
;
Pyzyna A.
;
Engelmann S.
;
Glodde M.
;
Joseph E.
;
Bruce R.
;
Ott J.A.
;
Majumdar A.
;
Liu F.
;
Brink M.
;
Bangsaruntip S.
;
Khater M.
;
Mauer S.
;
Lauer I.
;
Lavoie C.
;
Zhang Z.
;
Newbury J.
;
Kratschmer E.
;
Klaus D.P.
;
Bucchignano J.
;
To B.
;
Graham W.
;
Sikorski E.
;
Narayanan V.
;
Fuller N.
;
Haensch W.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
68.
ETSOI CMOS for system-on-chip applications featuring 22nm gate length, sub-100nm gate pitch, and 0.08µm
2
SRAM cell
机译:
ETSOI CMOS,用于片上系统应用,具有22nm的栅极长度,低于100nm的栅极间距和0.08μm
2 sup> SRAM单元
作者:
Cheng K.
;
Khakifirooz A.
;
Kulkarni P.
;
Ponoth S.
;
Haran B.
;
Kumar A.
;
Adam T.
;
Reznicek A.
;
Loubet N.
;
He H.
;
Kuss J.
;
Wang M.
;
Levin T. M.
;
Monsieur F.
;
Liu Q.
;
Sreenivasan R.
;
Cai J.
;
Kimball A.
;
Mehta S.
;
Luning S.
;
Zhu Y.
;
Zhu Z.
;
Yamamoto T.
;
Bryant A.
;
Lin C. -H.
;
Naczas S.
;
Jagannathan H.
;
Edge L. F.
;
Allegret-Maret S.
;
Dube A.
;
Kanakasabapathy S.
;
Schmitz S.
;
Inada A.
;
Seo S.
;
Raymond M.
;
Zhang Z.
;
Yagishita A.
;
Demarest J.
;
Li J.
;
Hopstaken M.
;
Berliner N.
;
Upham A.
;
Johnson R.
;
Holmes S.
;
Standaert T.
;
Smalley M.
;
Zamdmer N.
;
Ren Z.
;
Wu T.
;
Bu H.
;
Paruchuri V.
;
Sadana D.
;
Narayanan V.
;
Haensch W.
;
ONeill J.
;
Hook T.
;
Khare M.
;
Doris B.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
69.
Comprehensive SRAM design methodology for RTN reliability
机译:
全面的SRAM设计方法可提高RTN的可靠性
作者:
Takeuchi Kiyoshi
;
Nagumo Toshiharu
;
Hase Takashi
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
70.
Unified understanding of V
th
and I
d
variability in tri-gate nanowire MOSFETs
机译:
对三栅极纳米线MOSFET中的V
th inf>和I
d inf>变异性的统一理解
作者:
Saitoh M.
;
Ota K.
;
Tanaka C.
;
Nakabayashi Y.
;
Uchida K.
;
Numata T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
71.
1mA/um-I
ON
strained SiGe
45
-IFQW pFETs with raised and embedded S/D
机译:
具有凸起和嵌入式S / D的1mA / um-I
ON inf>应变SiGe
45% inf> -IFQW pFET
作者:
Mitard J.
;
Witters L.
;
Hellings G.
;
Krom R.
;
Franco J.
;
Eneman G.
;
Hikavyy A.
;
Vincent B.
;
Loo R.
;
Favia P.
;
Dekkers H.
;
Altamirano Sanchez E.
;
Vanderheyden A.
;
Vanhaeren D.
;
Eyben P.
;
Takeoka S.
;
Yamaguchi S.
;
Van Dal M.J.H.
;
Wang W.-E
;
Hong S.-H
;
Vandervorst W.
;
De Meyer K.
;
Biesemans S.
;
Absil P.
;
Horiguchi N.
;
Hoffmann T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
72.
Non-Gaussian distribution of SRAM read current and design impact to low power memory using Voltage Acceleration Method
机译:
SRAM读取电流的非高斯分布以及使用电压加速方法对低功耗存储器的设计影响
作者:
Wang Joseph
;
Liu Ping
;
Gao Yandong
;
Deshmukh Pankaj
;
Yang Sam
;
Chen Ying
;
Sy Wing
;
Ge Lixin
;
Terzioglu Esin
;
Abu-Rahma Mohamed
;
Garg Manish
;
Yoon Sei Seung
;
Han Michael
;
Sani Mehdi
;
Yeap Geoffrey
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
73.
Variability and technology aware SRAM Product yield maximization
机译:
具有可变性和技术意识的SRAM产品产量最大化
作者:
Zuber P.
;
Miranda M.
;
Bardon M.
;
Cosemans S.
;
Roussel P.
;
Dobrovolny P.
;
Chiarella T.
;
Horiguchi N.
;
Mercha A.
;
Hoffmann T. Y.
;
Verkest D.
;
Biesemans S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
FinFET;
SRAM;
variability;
74.
An Ultra Low-Noise MOSFET device with improved SNR for DCO-type applications
机译:
超低噪声MOSFET器件,具有改善的SNR,适用于DCO型应用
作者:
Srinivasan P.
;
Tsao A.
;
Nayak N.
;
Marshall A.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
75.
Bridging design and manufacture of analog/mixed-signal circuits in advanced CMOS
机译:
先进CMOS中模拟/混合信号电路的桥接设计和制造
作者:
Feng Jia
;
Loke Alvin L.S.
;
Wee Tin Tin
;
Lackey Chad O.
;
Okada Lynne A.
;
Schwan Christoph T.
;
Mantei Tilo
;
Morgan John H.
;
Herden Marc M.
;
Cooper Jeffrey G.
;
Wu Zhi-Yuan
;
Goo Jung-Suk
;
Li Xin
;
Icel Ali B.
;
Bair Larry A.
;
Fischette Dennis M.
;
Doyle Bruce A.
;
Fang Emerson S.
;
Leary Burton M.
;
Krishnan Srinath
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
76.
Novel tellurium co-implantation and segregation for effective source/drain contact resistance reduction and gate work function modulation in n-FinFETs
机译:
新型碲共注入和隔离,可有效降低n-FinFET中的源/漏接触电阻并调制栅极功函数
作者:
Koh Shao-Ming
;
Ding Yinjie
;
Guo Cheng
;
Leong Kam-Chew
;
Samudra Ganesh S.
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
77.
Exact control of junction position and Schottky barrier height in dopant-segregated epitaxial NiSi
2
for high performance metal source/drain MOSFETs
机译:
高性能金属源极/漏极MOSFET掺杂物隔离的外延NiSi
2 inf>中结位置和肖特基势垒高度的精确控制
作者:
Mizubayashi W.
;
Migita S.
;
Morita Y.
;
Ota H.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
78.
An efficient manufacturing technique based on process compact model to reduce characteristic variation beyond process limit for 40 nm node mass production
机译:
一种基于工艺紧凑模型的有效制造技术,可减少超过40 nm节点批量生产的工艺极限的特性变化
作者:
Kakehi K.
;
Aikawa H.
;
Tadokoro T.
;
Eguchi H.
;
Hirayu T.
;
Yoshimura H.
;
Asami T.
;
Ishimaru K.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
79.
Endurance and scaling trends of novel access-devices for multi-layer crosspoint-memory based on mixed-ionic-electronic-conduction (MIEC) materials
机译:
基于混合离子电子导电(MIEC)材料的新型多层交叉点存储器访问设备的耐用性和扩展趋势
作者:
Shenoy R. S.
;
Gopalakrishnan K.
;
Jackson B.
;
Virwani K.
;
Burr G. W.
;
Rettner C. T.
;
Padilla A.
;
Bethune D. S.
;
Shelby R. M.
;
Kellock A. J.
;
Breitwisch M.
;
Joseph E. A.
;
Dasaka R.
;
King R. S.
;
Nguyen K.
;
Bowers A. N.
;
Jurich M.
;
Friz A. M.
;
Topuria T.
;
Rice P. M.
;
Kurdi B. N.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
Access device;
MIEC;
MRAM;
NVM;
PCM;
RRAM;
80.
Phase-change memory driven by poly-Si MOS transistor with low cost and high-programming gigabyte-per-second throughput
机译:
由多晶硅MOS晶体管驱动的相变存储器具有低成本和高编程每秒千兆字节吞吐量
作者:
Sasago Y.
;
Kinoshita M.
;
Minemura H.
;
Anzai Y.
;
Tai M.
;
Kurotsuchi K.
;
Morita S.
;
Takahashi T.
;
Takahama T.
;
Morimoto T.
;
Mine T.
;
Shima A.
;
Kobayashi T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
phase-change memory;
poly-Si MOS;
stackable;
81.
A method to maintain phase-change memory pre-coding data retention after high temperature solder bonding process in embedded systems
机译:
一种在嵌入式系统中进行高温焊接后保持相变存储器预编码数据保留的方法
作者:
Lung H.L.
;
Breitwisch M.
;
Wu J.Y.
;
Du Pei-Ying
;
Zhu Y.
;
Lee M.H.
;
Shih Y.H.
;
Lai E. K.
;
Dasaka R.
;
Wang T.Y.
;
Chen C.F.
;
Cheek R.
;
Schrott A.
;
Joseph E.
;
Cheng H.Y.
;
Raoux S.
;
Lam C.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
82.
A 1.4µA reset current phase change memory cell with integrated carbon nanotube electrodes for cross-point memory application
机译:
具有集成碳纳米管电极的1.4µA复位电流相变存储单元,用于交叉点存储应用
作者:
Liang Jiale
;
Jeyasingh Rakesh Gnana David
;
Chen Hong-Yu
;
Wong H. -S. Philip
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
83.
Design of embedded memory and logic based on pattern constructs
机译:
基于模式构造的嵌入式存储器和逻辑设计
作者:
Morris Daniel
;
Vaidyanathan Kaushik
;
Lafferty Neal
;
Lai Kafai
;
Liebmann Lars
;
Pileggi Larry
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
84.
Circuit techniques to improve disturb and write margin degraded by MOSFET variability in high-density SRAM cells
机译:
电路技术可改善高密度SRAM单元中因MOSFET可变性而降低的干扰和写入余量
作者:
Yabe T.
;
Kawasumi A.
;
Hirabayashi O.
;
Kushida K.
;
Suzuki A.
;
Takeyama Y.
;
Tachibana F.
;
Fujimura Y.
;
Niki Y.
;
Shizuno M.
;
Sasaki S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
85.
Design enablement for yield and area optimization at 20 nm and below
机译:
设计实现20 nm及以下波长的产量和面积优化
作者:
Brotman Andrew
;
Capodieci Luigi
;
Liu Bill
;
Rashed Mahbub
;
Kye Jongwook
;
Kengeri Subramani
;
Venkatesan Suresh
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
86.
Design challenges of low-power and high-speed memory interface in advanced CMOS technology
机译:
先进CMOS技术中低功耗和高速存储器接口的设计挑战
作者:
Frans Yohan
;
Schmitt Ralf
;
Nguyen Nhat
;
Bhardwaj Sunil
;
Bronner Gary
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
87.
Design technology co-optimization in technology definition for 22nm and beyond
机译:
针对22nm及更高工艺的设计技术共同优化设计技术
作者:
Northrop Greg
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
CMOS;
RDR;
design rule;
lithography;
scaling;
88.
High performance graphene FETs with self-aligned buried gates fabricated on scalable patterned ni-catalyzed graphene
机译:
具有可缩放图案化镍催化石墨烯的自对准掩埋栅的高性能石墨烯FET
作者:
Wang Yanjie
;
Huang Bo-Chao
;
Zhang Ming
;
Miao Congqin
;
Xie Ya-Hong
;
Woo Jason C. S.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
buried gate;
graphene;
self-aligned;
transistor;
89.
Non-volatile graphene channel memory (NVGM) for flexible electronics and 3D multi-stack ultra-high-density data storages
机译:
非易失性石墨烯通道存储器(NVGM),用于柔性电子产品和3D多堆栈超高密度数据存储
作者:
Kim Sung Min
;
Seo Sunae
;
Song Emil B.
;
Seo David H.
;
Seok Hankyu
;
Wang Kang L.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
90.
A novel BEOL transistor (BETr) with InGaZnO embedded in Cu-interconnects for on-chip high voltage I/Os in standard CMOS LSIs
机译:
一种新颖的BEOL晶体管(BETr),其InGaZnO嵌入Cu互连中,用于标准CMOS LSI中的片上高压I / O
作者:
Kaneko Kishou
;
Inoue Naoya
;
Saito Shinobu
;
Furutake Naoya
;
Hayashi Yoshihiro
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
91.
Impact of oxidation induced atomic disorder in narrow Si nanowires on transistor performance
机译:
窄硅纳米线中氧化诱导的原子无序对晶体管性能的影响
作者:
Minari Hideki
;
Zushi Tomofumi
;
Watanabe Takanobu
;
Kamakura Yoshinari
;
Uno Shigeyasu
;
Mori Nobuya
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
92.
Comparison of performance, switching energy and process variations for the TFET and MOSFET in logic
机译:
在逻辑上比较TFET和MOSFET的性能,开关能量和工艺变化
作者:
Avci Uygar E.
;
Rios Rafael
;
Kuhn Kelin
;
Young Ian A.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
93.
TSV process optimization for reduced device impact on 28nm CMOS
机译:
TSV工艺优化可减少器件对28nm CMOS的影响
作者:
Yu C.L.
;
Chang C.H.
;
Wang H.Y.
;
Chang J.H.
;
Huang L.H.
;
Kuo C.W.
;
Tai S.P.
;
Hou S.Y.
;
Lin W.L.
;
Liao E.B.
;
Yang K.F.
;
Wu T.J.
;
Chiou W.C.
;
Tung C.H.
;
Jeng S.P.
;
Yu C.H.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
94.
Yield and reliability of 3DIC technology for advanced 28nm node and beyond
机译:
适用于高级28nm节点及更高版本的3DIC技术的产量和可靠性
作者:
Yang K.F.
;
Wu T.J.
;
Chiou W.C.
;
Chen M.F.
;
Lin Y.C.
;
Tsai F.W.
;
Hsieh C.C.
;
Chang C.H.
;
Wu W.J.
;
Chen Y.H.
;
Chen T.Y.
;
Wang H.R.
;
Lin I.C.
;
Jan S.B.
;
Wang R.D.
;
Lu Y.J.
;
Shih Y.C.
;
Teng H.A.
;
Tsai C.S.
;
Chang M.N.
;
Chen Kim
;
Hou S.Y.
;
Jeng S.P.
;
Yu C.H.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
95.
Novel GAA raised source / drain sub-10-nm poly-Si NW channel TFTs with self-aligned corked gate structure for 3-D IC applications
机译:
新型GAA凸起的具有自对准塞状栅极结构的源/漏极低于10nm的多晶硅NW沟道TFT,用于3-D IC应用
作者:
Lu Yi-Hsien
;
Kuo Po-Yi
;
Wu Yi-Hong
;
Chen Yi-Hsuan
;
Chao Tien-Sheng
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
96.
Hot spot cooling evaluation using closed-channel cooling system (C
3
S) for MPU 3DI application
机译:
使用MPU 3DI应用的闭路冷却系统(C
3 sup> S)进行热点冷却评估
作者:
Kim Y. S.
;
Kitada H.
;
Ohigashi R.
;
Ichiyanagi M.
;
Nakatsuka J.
;
Kinefuchi I.
;
Matsumoto Y.
;
Ohba T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
MEMS;
cooling;
hot spot;
planar type;
97.
Understanding short-term BTI behavior through comprehensive observation of gate-voltage dependence of RTN in highly scaled high-κ / metal-gate pFETs
机译:
通过全面观察大规模规模化的高κ/金属栅极pFET中RTN的栅极电压依赖性来了解短期BTI行为
作者:
Miki H.
;
Yamaoka M.
;
Tega N.
;
Ren Z.
;
Kobayashi M.
;
DEmic C. P.
;
Zhu Y.
;
Frank D. J.
;
Guillorn M. A.
;
Park D.-G.
;
Haensch W.
;
Torii K.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
98.
Suppression of V
T
variability degradation induced by NBTI with RDF control
机译:
RDF控制抑制NBTI诱导的V
T inf>变异性降低
作者:
Tsunomura T.
;
Nishimura J.
;
Kumar A.
;
Nishida A.
;
Inaba S.
;
Takeuchi K.
;
Hiramoto T.
;
Mogami T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
Channel dopant;
Halo;
NBTI;
VinfT/inf variability;
99.
Ultra-low leakage junction engineering of cell transistor by raised source/drain for logic-compatible 28-nm embedded DRAM
机译:
通过提高的源极/漏极实现单元晶体管的超低泄漏结工程,用于逻辑兼容的28 nm嵌入式DRAM
作者:
Uejima K.
;
Hase T.
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
100.
3D approaches for non-volatile memory
机译:
非易失性存储器的3D方法
作者:
Choi Jungdal
;
Seol Kwang Soo
会议名称:
《2011 Symposium on VLSI Technology》
|
2011年
关键词:
NAND flash and 3D NVMs;
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