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Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II
Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II
召开年:
2011
召开地:
San Jose, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
The SEMATECH Berkeley MET: extending EUV learning to 16-nm half pitch
机译:
SEMATECH伯克利MET:将EUV学习扩展到16纳米半节距
作者:
Christopher N. Anderson
;
Lorie Mae Baclea-An
;
Paul E. Denham
;
Simi A. George
;
Kenneth A. Goldberg
;
Michael S. Jones
;
Nathan S. Smith
;
Thomas A. Wallow
;
Warren Montgomery
;
Patrick P. Naulleau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
MET;
resist;
lithography;
berkeley;
phase-shift-mask;
frequency doubling;
SEMATECH;
22 nm;
16 nm;
2.
High-brightness LPP source for actinic mask inspection
机译:
高亮度LPP光源用于光化面罩检查
作者:
S. Ellwi
;
F. Abreau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV source;
EUV lithography;
high brightness;
cost of ownership;
laser produced plasma;
tin droplet;
actinic mask inspection;
AIMS;
3.
Influence of environments on the footprint of particle contamination on EUV mask
机译:
环境对EUV面罩上的颗粒污染足迹的影响
作者:
Tae-Gon Kim
;
Els Kesters
;
Herbert Struyf
;
Paul W. Mertens
;
Stefan De Gendt
;
Marc Heyns
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV mask;
cleaning;
defects;
particles;
footprint;
storage;
4.
Development of new FIB technology for EUVL mask repair
机译:
开发用于EUVL面膜修复的新FIB技术
作者:
Fumio Aramaki
;
Takashi Ogawa
;
Osamu Matsuda
;
Tomokazu Kozakai
;
Yasuhiko Sugiyama
;
Hiroshi Oba
;
Anto Yasaka
;
Tsuyoshi Amano
;
Hiroyuki Shigemura
;
Osamu Suga
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL;
mask;
defect;
repair;
ion beam;
FIB;
GFIS;
hydrogen;
5.
Combined effects of pre-pulsing and target geometry on efficient EUV production from laser produced plasma experiments and modeling
机译:
预脉冲和目标几何形状对激光产生的等离子体实验和建模有效产生EUV的综合影响
作者:
A. Hassanein
;
T. Sizyuk
;
V. Sizyuk
;
S. S. Harilal
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
nanolithography;
EUV;
LPP;
HEIGHTS;
debris mitigation;
CO_2 lasers;
6.
SEMATECH's infrastructure for defect metrology and failure analysis to support its EUV mask defect reduction program
机译:
SEMATECH用于缺陷计量和故障分析的基础架构,以支持其EUV掩模缺陷减少计划
作者:
V. Jindal
;
C. C. Lin
;
J. Harris-Jones
;
J. Kageyama
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV mask defect reduction;
EUV lithography;
EUV mask blank defect failure analysis;
defect characterization;
7.
The NIST EUV facility for advanced photoresist qualification using the witness-sample test
机译:
NIST EUV设施使用见证样品测试对光刻胶进行高级鉴定
作者:
S. Grantham
;
C. Tarrio
;
S. B. Hill
;
L. J. Richter
;
T. B. Lucatorto
;
J. van Dijk
;
C. Kaya
;
N. Harneed
;
R. Hoefnagels
;
M. Silova
;
J. Steinhoff
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultraviolet;
EUV lithography;
photoresist;
multilayer mirror;
contamination;
witness-plate;
8.
Development of EUV lithography tools at Nikon
机译:
尼康开发EUV光刻工具
作者:
Katsuhiko Murakami
;
Tetsuya Oshino
;
Hiroyuki Kondo
;
Hiroshi Chiba
;
Kazushi Nomura
;
Hidemi Kawai
;
Yoshiaki Kohama
;
Kenji Morita
;
Kazunari Hada
;
ukiharu Ohkubo
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL;
extreme ultraviolet lithography;
EUV exposure tool;
projection optics;
carbon contamination;
wavefront metrology;
9.
EUV masks under exposure: practical considerations
机译:
暴露下的EUV面罩:实际考虑
作者:
Emily Gallagher
;
Gregory Mclntyre
;
Tom Wallow
;
Sudharshanan Raghunathan
;
Obert Wood
;
LouisKindt
;
John Whang
;
Monica Barrett
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL mask;
CD budget;
LER;
10.
Feasibility of EUVL thin absorber mask for sub-32nm half pitch patterning
机译:
EUVL薄吸收罩用于低于32nm半间距图案化的可行性
作者:
Yoonsuk Hyun
;
Juntaek Park
;
Sunyoung Koo
;
Yongdae Kim
;
Seokkyun Kim
;
Changmoon Lim
;
Donggyu Yim
;
Sungki Park
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
thin masks;
shadowing effect;
absorber height;
process window;
11.
LWR Improvement in EUV Resist Process
机译:
改善EUV抵抗工艺的轻水堆
作者:
Chawon Koh
;
Hyun-Woo Kim
;
Sumin Kim
;
Hai-Sub Na
;
Chang-Min ParkCheolhong Park
;
Kyoung-Yong Cho
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultraviolet lithography;
LWR(line width roughness);
EUV rinse material;
implant process;
12.
Demonstration of defect free EUV mask for 22nm NAND flash contact layer using electron beam inspection system
机译:
使用电子束检查系统演示用于22nm NAND闪存接触层的无缺陷EUV掩模
作者:
Takeya Shimomura
;
Satoshi Kawashima
;
Yuichi Inazuki
;
Tsukasa Abe
;
Tadahiko Takikawa
;
Hiroshi Mohri
;
Naoya Hayashi
;
Fei Wang
;
Long (Eric) Ma
;
Yan Zhao
;
Chiyan Kuan
;
Hong Xiao
;
Jack Jau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
EUV mask;
electron beam inspection;
lightning scan;
throughput;
defect-free mask;
13.
Printability and Inspectability of Defects on the EUV Mask for sub32nm Half Pitch HVM Application
机译:
低于32nm半间距HVM应用的EUV掩模上的缺陷的可印刷性和可检查性
作者:
Sungmin Huh
;
In-Yong Kang
;
Sang-Hyun Kim
;
Hwan-seok Seo
;
Dongwan Kim
;
Jooon Park
;
Seong-Sue Kim
;
Han-Ku Cho
;
Kenneth Goldberg
;
Iacopo Mochi
;
Tsutomu Shoki
;
Gregg Inderhees
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
mask;
blank defect;
mask inspection;
blank inspection;
wafer inspection;
fiducial mark;
14.
Development status of EUV resist materials and processing at Selete
机译:
Selete EUV抗蚀剂材料和加工的发展状况
作者:
Kentaro Matsunaga
;
Gousuke Shiraishi
;
Julius Joseph Santillian
;
Koji Kaneyama
;
Hiroaki Oizumi
;
Toshiro Itani
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
resolution;
pattern collapse;
developer solution;
tbah;
underlayer;
rinse solution;
15.
Enabling the 22 nm node via grazing incidence collectors integrated into the DPP source for EUVL HVM
机译:
通过集成到EUVL HVM的DPP源中的掠入射收集器来启用22 nm节点
作者:
G. Bianucci
;
A. Bragheri
;
G. L. Cassol
;
R. Ghislanzoni
;
R. Mazzoleni
;
F. E. Zocchi
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
collector;
grazing incidence;
grazing incidence collector;
collection efficiency;
DPP source;
extreme ultraviolet lithography;
EUVL;
EUVL scanner;
16.
EUV OPC for 56 nm Metal Pitch
机译:
用于56 nm金属间距的EUV OPC
作者:
Martin Burkhardt
;
Matt Colburn
;
Yunfei Deng
;
Emily Gallagher
;
Hirokazu Kato
;
Greg McIntyre
;
Karen Petrillo
;
Sudhar Raghunathan
;
Adam C. Smith
;
Tom Wallow
;
Obert Wood
;
Yi Zou
;
Christian Zuniga
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
OPC;
SRAM;
56 nm pitch;
pattern distortion;
17.
Phase defect printability and actinic dark-field mask blank inspection capability analyses
机译:
相缺陷可印刷性和光化性暗场空白检测能力分析
作者:
Tsuneo Terasawa
;
Takeshi Yamane
;
Takashi Kamo
;
Toshihiko Tanaka
;
Osamu Suga
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL;
mask blank;
actinic inspection;
phase defect;
printability;
18.
TOWARDS DEFECT FREE EUVL RETICLES: CARBON AND PARTICLE REMOVAL BY SINGLE DRY CLEANING PROCESS, AND PATTERN REPAIR BY HIM
机译:
争取免费的EUVL掩模版:通过单干清洁过程去除碳和颗粒,并由HIM修复图案
作者:
N.B. Koster
;
F.T. Molkenboer
;
E. van Veldhoven
;
S. Oostrom
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL;
reticles;
cleaning;
inspection;
repair;
19.
Modeling the EUV multilayer deposition process on EUV blanks
机译:
对EUV毛坯上的EUV多层沉积过程进行建模
作者:
V. Jindal
;
P. Kearney
;
Jenah Harris-Jones
;
Alan Hayes
;
Jacques Kools
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV mask defect reduction;
EUV lithography;
simulation;
EUV mask blank defect growth;
20.
Modeling the transfer of line edge roughness from an EUV mask to the wafer
机译:
模拟线边缘粗糙度从EUV掩模到晶圆的转移
作者:
Gregg M. Gallatin
;
Patrick P. Naulleau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
21.
Comprehensive EUV Lithography Model
机译:
全面的EUV光刻模型
作者:
Mark D. Smith
;
Trey Graves
;
John Biafore
;
Cheolkyun Kim
;
James Moon
;
Jaeheon Kim
;
Cheolkyu Bok
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
22.
Gas-based spectral filter for mitigating 10.6 um radiation in CO_2 laser produced plasma extreme ultraviolet sources
机译:
基于气体的光谱滤光片,用于减轻CO_2激光产生的等离子体极端紫外线源中的10.6 um辐射
作者:
Chimaobi Mbanaso
;
Gregory Denbeaux
;
Alin Antohe
;
Horace Bull
;
Frank Goodwin
;
Ady Hershcovitch
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
CO_2 laser produced plasma;
vibrational excitation;
sulfur hexafiuoride;
infrared absorption;
out-of-band mitigation;
23.
Cooled EUV collector optics for LPP and DPP sources
机译:
用于LPP和DPP光源的冷却EUV收集器光学器件
作者:
X. Bozec
;
L. Moine
;
R. Wevers
;
S. Djidel
;
R. Merrier Ythier
;
R. Geyl
;
V. Patoz
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme UV;
collector;
normal incidence;
13.5 nm;
EUV source;
lithography;
smooth polishing;
cooled mirrors;
24.
Replicated mask surface roughness effects on EUV lithographic patterning and line edge roughness
机译:
复制的掩模表面粗糙度对EUV光刻图案和线条边缘粗糙度的影响
作者:
Simi A. George
;
Patrick P. Naulleau
;
Eric M. Gullikson
;
Iacopo Mochi
;
Farhad Salmassi
;
Kenneth A. Goldberg
;
Erik H. Anderson
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultraviolet;
EUV mask;
phase roughness;
replicated surface roughness;
speckle;
actinic inspection;
scattering;
multilayer reflectivity;
25.
EUVL Alternating Phase Shift Mask
机译:
EUVL交替相移掩模
作者:
Pei-Yang Yan
;
Alan Myers
;
Yashesh Shroff
;
Manish Chandhok
;
Guojing Zhang
;
Eric Gullikson
;
Farhad Salmassi
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultra-violet lithography (EUVL);
EUVL alternating phase shift mask (EUVL APSM);
phase error;
EUVL mask;
EUVL multilayer;
26.
AIMS~™ EUV - the actinic aerial image review platform for EUV masks
机译:
AIMS〜™EUV-用于EUV口罩的光化航空图像查看平台
作者:
Dirk Hellweg
;
Johannes Ruoff
;
Alois Herkommer
;
Joachim Stuhler
;
Thomas Ihl
;
Heiko Feldmann
;
Michael Ringel
;
Ulrich Strossner
;
Sascha Perlitz
;
Wolfgang Harnisch
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
mask metrology;
aims;
aerial image review;
EUV;
scanner emulation;
defect review;
EUV optics;
27.
Impact of Polymerization Process and OOB on Lithographic Performance of a EUV Resist
机译:
聚合工艺和OOB对EUV光刻胶光刻性能的影响
作者:
Vipul Jain
;
Suzanne M. Coley
;
Jung June Lee
;
Matthew D. Christianson
;
Daniel J. Arriola
;
Paul LaBeaume
;
Maria E. Danis
;
Nicolas Ortiz
;
Su-Jin Kang
;
Michael D. Wagner
;
Amy Kwok
;
David A.Valeri
;
James W. Thackeray
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
photoresist;
polymer bound PAG (PBP);
radical polymerization;
kinetic modeling;
polymer process optimization;
OOB;
outgassing;
28.
CD uniformity improvement for EUV resists process:EUV resolution enhancement layer
机译:
用于EUV抗蚀剂工艺的CD均匀性改进:EUV分辨率增强层
作者:
Hyun-Woo Kim
;
Hai-Sub Na
;
Chang-Min Park
;
Cheolhong Park
;
Sumin Kim
;
Chawon Koh
;
In-Sung Kim
;
Han-Ku Cho
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
resist;
out of band;
EUV resolution enhancement layer (EREL);
29.
EUV SECONDARY ELECTRON BLUR AT THE 22NM HALF PITCH NODE
机译:
22纳米半节节点处的极紫外二次电子蓝
作者:
Roel Gronheid IMEC
;
Todd R. Younkin
;
Michael J. Leeson
;
Carlos Fonseca
;
Joshua S. Hooge
;
Kathleen Nafus
;
John J. Biafore
;
Mark D. Smith
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
secondary electron blur;
lithography simulation;
resolution;
LWR;
resist sensitivity;
30.
Additive-loaded EUV photoresists: performance enhancement and the underlying physics
机译:
加载添加剂的EUV光刻胶:性能增强和基础物理
作者:
Vikram K. Daga
;
Ying Lin
;
James J. Watkins
;
Karen Petrillo
;
Hua-Gen Peng
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV photolithography;
ESCAP;
molecular glass;
critical dimension;
31.
A simple modeling of carbon contamination on EUV exposure tools based on contamination experiments with synchrotron source
机译:
基于同步加速器源的污染实验,在EUV暴露工具上建立碳污染的简单模型
作者:
M. Shiraishi
;
T. Yamaguchi
;
A. Yamazaki
;
N. Kandaka
;
T. Oshino
;
K. Murakami
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
carbon contamination;
cleaning;
photon-limited;
mass-limited;
hydrocarbon;
fluorocarbon;
EUV1;
32.
Resolution capability of SFET with slit and dipole illumination
机译:
具有缝隙和偶极照明的SFET的分辨能力
作者:
Yuusuke Tanaka
;
Kentaro Matsunaga
;
Shunko Magoshi
;
Seiichiro Shirai
;
Kazuo Tawarayama
;
Hiroyuki Tanaka
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL;
SFET;
annular;
x-slit;
x-dipole;
y-slit;
image contrast;
LWR;
33.
Understanding EUV Resist dissolution characteristics and its impact to RLS Limitations
机译:
了解EUV抵抗溶解特性及其对RLS限制的影响
作者:
Carlos Fonseca
;
Brian Head
;
Hideo Shite
;
Kathleen Nafus
;
Roel Gronheid
;
Gustaf Winroth
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
DRM;
simulation;
dissolution;
EUV;
RLS;
resist model calibration;
34.
Line Width Roughness Control and Pattern Collapse Solutions for EUV Patterning
机译:
EUV图案的线宽粗糙度控制和图案塌陷解决方案
作者:
Karen Petrillo
;
George Huang
;
Dominic Ashworth
;
Jacque Georger
;
Liping Ren
;
KY Cho
;
Warren Montgomery
;
Stefan Wurm
;
Shinichiro Kawakami
;
Shannon Dunn
;
Akiteru Ko
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
line width roughness (LWR);
extreme ultraviolet lithography (EUVL);
pattern collapse;
35.
Out of band radiation effects on resist patterning
机译:
带外辐射对抗蚀剂构图的影响
作者:
Simi A. George
;
Patrick P. Naulleau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUVL;
out-of-band;
resists;
flare;
blur;
aerial image modeling;
36.
Directly patterned inorganic hardmask for EUV lithography
机译:
直接图案化的无机硬掩模用于EUV光刻
作者:
Jason K. Stowers
;
Alan Telecky
;
Michael Kocsis
;
Benjamin L. Clark
;
Douglas A. Keszler
;
Andrew Grenville
;
Chris N. Anderson
;
Patrick P. Naulleau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultraviolet lithography;
EUVL;
EUV resist;
patternable hardmask;
inorganic negative tone resist;
37.
Printability of Buried Mask Defects in Extreme-UV Lithography
机译:
极紫外光刻中掩膜掩膜缺陷的可印刷性
作者:
Pei-Cheng Hsu
;
Ming-Jiun Yao
;
Wen-Chang Hsueh
;
Chia-Jen Chen
;
Shin-Chang Lee
;
Ching-Fang Yu
;
Luke Hsu
;
Sheng-Ji Chin
;
Jimmy Hu
;
Shu-Hao Chang
;
Chih-Tsung Shih
;
Yen-Cheng Lu
;
Timothy Wu
;
Shinn-Sheng Yu
;
Anthony Yen
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme-ultraviolet lithography;
EUV;
EUVL;
programmed-defect mask;
PDM;
defect printability;
defect inspectability;
38.
100W 1st Generation Laser-Produced Plasma light source system for HVM EUV lithography
机译:
用于HVM EUV光刻的100W第一代激光产生的等离子光源系统
作者:
Hakaru Mizoguchi
;
Tamotsu Abe
;
ukio Watanabe
;
Takanobu Ishihara
;
Takeshi Ohta
;
Tsukasa Hori
;
Tatsuya Yanagida
;
Hitoshi Nagano
;
Takayuki Yabu
;
Shinji Nagai
;
Georg Soumagne
;
Akihiko Kurosu
;
Krzysztof M. Nowak
;
Takashi Suganuma
;
Masato Moriya
;
Kouji Kakizaki
;
Akira Sumitani
;
Hidenobu Kameda
;
Hiroaki Nakarai
;
Junichi fujimoto
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV light source;
laser produced plasma;
CO_2 laser;
EUV;
lithography;
39.
Evaluation of EUV mask defect using blank inspection, patterned mask inspection, and wafer inspection
机译:
使用空白检查,图案化掩模检查和晶圆检查来评估EUV掩模缺陷
作者:
Takashi Kamo
;
Tsuneo Terasawa
;
Takeshi Yamane
;
Hiroyuki Shigemura
;
Noriaki Takagi
;
Tsuyoshi Amano
;
Kazuo Tawarayama
;
Mari Nozoe
;
Toshihiko Tanaka
;
Osamu Suga
;
Ichiro Mori
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
blank;
mask;
multilayer;
absorber;
phase defect;
light-shield border;
40.
Optics contamination studies in support of high-throughput EUV lithography tools
机译:
研究光学污染以支持高通量EUV光刻工具
作者:
S. B. Hill
;
N. S. Faradzhev
;
L. J. Richter
;
S. Grantham
;
C. Tarrio
;
T. B. Lucatorto
;
S. Yulin
;
M. Schurmann
;
V. Nesterenko
;
T. Feigl
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultraviolet lithography (EUVL);
multilayer optics;
optics lifetime;
optics contamination;
ellipsometry;
carbon deposition;
photochemistry;
41.
Investigation of EUV tapeout flow issues, requirements and options for volume manufacturing
机译:
调查量产的EUV出流问题,要求和选项
作者:
Jonathan Cobb
;
Sunghoon Jang
;
Junghoon Ser
;
Insung Kim
;
Johnny Yeap
;
Kevin Lucas
;
Munhoe Do
;
Young-Chang Kim
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
EUV OPC flow;
OPC TAT;
42.
An EUV Fresnel zoneplate mask-imaging microscope for lithography generations reaching 8 nm
机译:
EUV菲涅耳带状区域掩模掩模成像显微镜,光刻世代达到8 nm
作者:
Kenneth A. Goldberg
;
Iacopo Mochi
;
Senajith B. Rekawa
;
Nathan S. Smith
;
James B. Macdougall
;
Patrick P. Naulleau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
extreme ultraviolet lithography;
EUV;
microscope;
actinic;
mask;
reticle;
imaging;
zoneplate;
43.
EUV Flare and Proximity Modeling and Model-based Correction
机译:
EUV眩光和接近度建模以及基于模型的校正
作者:
Christian Zuniga
;
Mohamed Habib
;
James Word
;
Gian F. Lorusso
;
Eric Hendrickx
;
Burak Baylav
;
Raghu Chalasani
;
Michael Lam
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV;
model;
flare;
shadowing;
OPC;
44.
Current status of EUV mask blanks and LTEM substrates defectivity and cleaning of blanks exposed in EUV ADT
机译:
EUV掩模坯料和LTEM基板缺陷的现状以及EUV ADT中暴露的坯料的清洁
作者:
Arun John Kadaksham
;
Byunghoon Lee
;
Matt House
;
Thomas Laursen
;
Brian Niekrewicz
;
Abbas Rastegar
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
EUV lithography;
mask cleaning;
mask chucking contamination;
45.
Photoresist shrinkage effects at EUV
机译:
EUV的光致抗蚀剂收缩效应
作者:
Thomas V. Pistor
;
Thomas I. Wallow
;
Christopher N. Anderson
;
Patrick P. Naulleau
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
photoresist shrinkage;
resist modeling;
SEM-induced shrinkage;
deprotection-induced shrinkage;
simulation;
46.
Compensation for EUV multilayer defects within arbitrary layouts by absorber pattern modification
机译:
通过吸收体图案修改补偿任意布局内的EUV多层缺陷
作者:
Linyong (Leo) Pang
;
Chris Clifford
;
Peter Hu
;
Danping Peng
;
Ying Li
;
Dongxue Chen
;
Masaki Satake
;
Vikram Tolani
;
Lin He
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
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2011年
关键词:
multilayer defect;
mask repair;
multilayer defect compensation;
EUV defect disposition;
fast lithography simulation;
extreme ultraviolet lithography;
EUV mask;
mask defect;
47.
Stochastic Exposure Kinetics of EUV Photoresists:A Simulation Study
机译:
EUV光刻胶的随机曝光动力学:模拟研究
作者:
Chris A. Mack
;
James W. Thackeray
;
John J. Biafore
;
Mark D. Smith
会议名称:
《Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography II》
|
2011年
关键词:
stochastic modeling;
EUV photoresist;
exposure kinetics;
line-edge roughness;
linewidth roughness;
LER;
LWR;
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