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Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society
Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society
召开年:
2009
召开地:
Vienna(AT);Vienna(AT)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Overwhelming the 0.5 nm EOT Level for CMOS Gate Dielectric
机译:
CMOS栅极电介质的0.5 nm EOT电平不堪重负
作者:
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
H. Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
2.
Integration Challenges in Standard CMOS with Multiple Gate Oxide Thicknesses
机译:
具有多个栅极氧化物厚度的标准CMOS的集成挑战
作者:
J.J. Naughton
;
J.M. Towner
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
3.
Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs with CeO_2/La_2O_3 Gate Stacks
机译:
具有CeO_2 / La_2O_3栅堆叠的MOSFET的远程库仑散射有限迁移率分析
作者:
M. Mamatrishat
;
M. Kouda
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
4.
Variability Headaches in Sub-32 nm CMOS
机译:
低于32 nm CMOS的可变性头痛
作者:
A. Asenov
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
5.
Novel Omega-Shaped-Gated TFT SONOS Memory
机译:
新型Omega型门控TFT SONOS存储器
作者:
Ta-Chuan Liao
;
Sheng-Kai Chen
;
Tsung-Kuei Kang
;
Pang-Yu Hsu
;
Chia-Min Lin
;
Huang-Chung Cheng
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
6.
Silicon:Carbon Source/Drain Stressors: Integration of a Novel Nickel Aluminide- Silicide and Post-Solid-Phase-Epitaxy Anneal for Reduced Schottky-Barrier and Leakage
机译:
硅:碳源/漏极应力源:集成新型铝化硅镍和固相后外延退火,以减少肖特基势垒和泄漏
作者:
S.-M. Koh
;
W. J. Zhou
;
R. T. P. Lee
;
M. Sinha
;
C.-M. Ng
;
Z. Zhao
;
H. Maynard
;
N. Variam
;
Y. Erokhin
;
G. Samudra
;
Y.-C. Yeo
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
7.
Comparison of the Electrochemical Polishing of Copper and Aluminum in Acid and Acid-Free Media
机译:
酸和无酸介质中铜和铝的化学抛光比较
作者:
Tarek M. Abdel-Fattah
;
Jon Derek Loftis
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
8.
Dopant Segregated Schottky (DSS) Source/Drain for Germanium p-MOSFETs with Metal Gate/High-k Dielectric Stack
机译:
具有金属栅极/高k介电层的锗p-MOSFET的掺杂隔离肖特基(DSS)源极/漏极
作者:
Phyllis Shi Ya Lira
;
Dong Zhi Chi
;
Guo Qiang Lo
;
Yee Chia Yeo
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
9.
Emerging Non-Volatile Memories by Exploiting Redox Reactions on the Nanoscale
机译:
通过利用纳米级的氧化还原反应新兴的非易失性内存
作者:
Rainer Waser
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
10.
Influence of Phosphorus Concentrations in a-SiN:H Gate Layer on Electron Mobility in Thin Film Transistors
机译:
a-SiN:H栅极层中的磷浓度对薄膜晶体管中电子迁移率的影响
作者:
Jun-Woo Kim
;
Young-Soo Sohn
;
Sie-Young Choi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
11.
Quasiballistic Transport of Charge Carriers in Nanometer FETs in the Model of Heterogeneous Channel
机译:
异质通道模型中纳米场效应管中载流子的准弹道传输
作者:
V.P. Popov
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
12.
Charge Storage Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gate
机译:
混合纳米点浮栅的电荷存储特性
作者:
S. Miyazaki
;
K. Makihara
;
M. Ikeda
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
13.
Physics of Nano-contact Between Si Quantum Dots and Inversion Layer
机译:
硅量子点与反型层之间的纳米接触物理
作者:
Y. Sakurai
;
S. Nomura
;
Y. Takada
;
J. Iwata
;
K. Shiraishi
;
M. Muraguchi
;
T. Endoh
;
Y. Shigeta
;
M. Ikeda
;
K. Makihara
;
S. Miyazaki
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
14.
Electrothermal Transport in Carbon Nanostructures
机译:
碳纳米结构中的电热传输
作者:
Toshishige Yamada
;
Tsutomu Saito
;
Drazen Fabris
;
Patrick Wilhite
;
Cary Y. Yang
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
15.
Synthesis and Devices of Graphene
机译:
石墨烯的合成及装置
作者:
Jing Zhu
;
Wei Liu
;
Yanjie Wang
;
Bo-Chao Huang
;
Ya-Hong Xie
;
Jason Woo
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
16.
Ultrathin Body Effects in Multiple-Gate SOI Transistors
机译:
多栅极SOI晶体管中的超薄体效应
作者:
F.Gamiz
;
L.Donetti
;
C.Sampedro
;
A.Godoy
;
N.Rodriguez
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
17.
Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors
机译:
硅基IV族半导体掺杂的原子控制CVD工艺
作者:
Junichi Murota
;
Masao Sakuraba
;
Bernd Tillack
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
18.
Low-temperature oxidation of semiconductor surfaces by use of a novel high density microwave plasma apparatus
机译:
通过使用新型高密度微波等离子体设备对半导体表面进行低温氧化
作者:
A. Gschwandtner
;
W. Lerch
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
19.
On the Low-Frequency Noise Performance of Embedded Si:C nMOSFETs
机译:
嵌入式Si:C nMOSFET的低频噪声性能
作者:
E. Simoen
;
P. Verheyen
;
R. Loo
;
C. Claeys
;
V. Machkaoutsan
;
M. Bauer
;
S.G. Thomas
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
20.
Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures
机译:
IV族半导体纳米结构外延生长的原子控制等离子体处理
作者:
Masao Sakuraba
;
Katsutoshi Sugawara
;
Junichi Murota
会议名称:
《》
|
2009年
21.
Charge Trapping Non Volatile Memory
机译:
电荷陷阱非易失性存储器
作者:
P. Lorenzi
;
R. Rao
;
G. Ghidini
;
F. Palma
;
F. Irrera
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
22.
Pt/Ge Schottky-Barrier Reduction by Rapid Thermal Diffusion of P Dopants
机译:
P掺杂剂的快速热扩散降低Pt / Ge肖特基势垒
作者:
C. Henkel
;
S. Abermann
;
O. Bethge
;
E. Bertagnolli
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
23.
High performance InGaAs MOSFETs with high mobility using InP barrier layer
机译:
使用InP势垒层的高迁移率高性能InGaAs MOSFET
作者:
Han Zhao
;
Yen-Ting Chen
;
Jung Hwan Yum
;
Yanzhen Wang
;
Fei Xue
;
Fei Zhou
;
Jack C. Lee
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
24.
Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire
机译:
Si纳米线的Ni硅化退火反应
作者:
H. Arai
;
H. Kamimura
;
S.Sato
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
25.
Tunnel Field-Effect Transistors for Future Low-Power Nano-Electronics
机译:
未来低功耗纳米电子技术的隧道场效应晶体管
作者:
A.S. Verhulst
;
W.G. Vandenberghe
;
D. Leonelli
;
R. Rooyackers
;
A. Vandooren
;
S. De Gendt
;
M.M. Heyns
;
G. Groeseneken
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
26.
3D Suspended Nanowires Integration for CMOS and Beyond
机译:
用于CMOS的3D悬浮纳米线集成及其他
作者:
T. Ernst
;
K. Tachi
;
A. Hubert
;
E. Saracco
;
C. Dupre
;
S. Becu
;
N. Vulliet
;
E. Bernard
;
P. Cherns
;
V. Maffini-Alvaro
;
J.-F. Damlencourt
;
C. Vizioz
;
J. P. Colonna
;
C. Bonafos
;
J. M. Hartmann
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
27.
Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices
机译:
未来硅纳米器件的纳米界面和纳米结构的物理学
作者:
K. Shiraishi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
28.
Low-Frequency Noise Analysis of the Impact of an LaO Cap Layer in HfSiON/Ta_2C Gate Stack nMOSFETs
机译:
低频噪声分析对HfSiON / Ta_2C栅堆叠nMOSFET中LaO帽层的影响
作者:
E. Simoen
;
A. Akheyar
;
E. Rohr
;
A. Mercha
;
C. Claeys
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
29.
Novel Materials and Integration Schemes for CMOS-Based Circuits for Flexible Electronics
机译:
柔性电子基于CMOS电路的新型材料和集成方案
作者:
M.A. Quevedo-Lopez
;
S. Gowrisanker
;
D.R. Allee
;
S. Venugopal
;
R. Krishna
;
K. Kaftanoglu
;
H. N. Alshareef
;
B. E Gnade
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
30.
A roadmap for nano-CMOS
机译:
纳米CMOS的路线图
作者:
Hiroshi Iwai
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
31.
SiGe SEG Growth For Buried Channel p-MOS Devices
机译:
嵌入式沟道p-MOS器件的SiGe SEG增长
作者:
A.Hikavyy
;
R.Loo
;
L.Witters
;
S. Takeoka
;
J. Geypen
;
B.Brijs
;
C. Merckling
;
M.Caymax
;
J. Dekoster
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
32.
Fast Detrapping Transients In High-K Dielectric Films
机译:
高介电常数薄膜中的快速去陷瞬态
作者:
R. Rao
;
F. Irrera
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
33.
Stress Characterization of Selective Epitaxial Si_(1-x)Ge_x Deposition for Embedded Source/Drain Before and After Millisecond Laser Anneal
机译:
毫秒激光退火前后嵌入式源/漏的选择性外延Si_(1-x)Ge_x沉积的应力表征
作者:
M. Bargallo Gonzalez
;
T. Femandez-Lanas
;
E. Rosseel
;
A. Hikavyy
;
H. Dekkers
;
G. Eneman
;
P. Verheyen
;
R. Loo
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
34.
The Effect of Material and Process Interactions on BEOL Integration
机译:
材料和过程相互作用对BEOL集成的影响
作者:
T. A. Spooner
;
J. C. Arnold
;
D. Canaperi
;
H.-C. Chen
;
S.-T. Chen
;
S.M. Gates
;
A. Isobayashi
;
P. Leung
;
S. S. Papa Rao
;
M. Sankarapandian
;
H. Shobha
;
O. van der Straten
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
35.
Development of III-V MOSFET Process Modules Compatible with Silicon ULSI Manufacture
机译:
开发与硅ULSI制造兼容的III-V MOSFET工艺模块
作者:
Iain Thayne
;
Xu Li
;
Wout Jansen
;
Oleysa Ignatova
;
Stephen Bentley
;
Haiping Zhou
;
Douglas Macintyre
;
Stephen Thorns
;
Richard Hill
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
36.
Computation from Devices to System level Thermodynamics
机译:
从设备到系统级的热力学计算
作者:
S. Shankar
;
V. Zhirnov
;
R. Cavin
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
37.
Organic Semiconductor Lasers
机译:
有机半导体激光器
作者:
G. A. Turnbull
;
Y. Yang
;
A. E. Vasdekis
;
A. Ruseckas
;
I.D.W. Samuel
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
38.
Advanced Charge Storage Memories: From Silicon Nanocrystals to Molecular Devices
机译:
先进的电荷存储记忆:从硅纳米晶体到分子器件
作者:
B.De Salvo
;
G.Molas
;
L.Perniola
;
C.Jahan
;
J.Buckley
;
E.Jalaguier
;
M.Gely
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
39.
Advanced Contact Technology for MOSFETs: Integration of New Materials for Series Resistance Reduction
机译:
MOSFET的先进接触技术:集成新材料以降低串联电阻
作者:
Yee-Chia Yeo
;
Rinus T.-P. Lee
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
40.
Electrochemical Processes for the Production of Copper Interconnects on Non- metallic Barrier Layers
机译:
在非金属阻隔层上生产铜互连的电化学工艺
作者:
D. J. Duquette
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
41.
Metal CMP Optimization Based on Chemically Formed Thin Film Analysis
机译:
基于化学形成薄膜分析的金属CMP优化
作者:
G. B. Basim
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
42.
Challenges and Progress in Germanium-on-Insulator Materials and Device Development towards ULSI Integration
机译:
绝缘体上锗材料和器件开发对ULSI集成的挑战和进展
作者:
E. Augendre
;
L. Sanchez
;
L. Benaissa
;
T. Signamarcheix
;
J.-M. Hartmann
;
C. Le Royer
;
M. Vinet
;
W. Van Den Daele
;
J.-F. Damlencourt
;
K. Romanjek
;
A. Pouydebasque
;
P. Batude
;
C. Tabone
;
F. Mazen
;
A. Tauzin
;
N. Blanc
;
M. Pellat
;
J. Dechamp
;
M. Zussy
;
P. Scheiblin
;
M.-A. Jaud
;
C. Drazek
;
C. Maurois
;
M. Piccin
;
A. Abbadie
;
F. Lallement
;
N. Daval
;
E. Guiot
;
A. Rigny
;
B. Ghyselen
;
K. K. Bourdelle
;
F. Boulanger
;
S. Cristoloveanu
;
T. Billon
;
O. Faynot
;
C. Deguet
;
L. Clavelier
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
43.
Integration Challenges and Opportunities of Nanoelectronic Devices
机译:
纳米电子器件的集成挑战与机遇
作者:
Yoshio Nishi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
44.
Comprehensive Study Of The Fabrication Of SGOI Substrates By The Ge Condensation Technique: Oxidation Kinetics And Relaxation Mechanism
机译:
锗缩合技术制备SGOI衬底的综合研究:氧化动力学和弛豫机理
作者:
L. Souriau
;
G. Wang
;
R. Loo
;
M. Caymax
;
M. Meuris
;
M. M. Heyns
;
W. Vandervorst
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
|
2009年
45.
Multi-gate Devices for High Performance, Ultra Low Power and Memory applications
机译:
适用于高性能,超低功耗和存储器应用的多栅极设备
作者:
Francis Balestra
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
46.
Low-Power SiGe HBT and Circuit Technology for Future Quasi-Millimeter-Wave Wireless Communications
机译:
适用于未来准毫米波无线通信的低功耗SiGe HBT和电路技术
作者:
K. Washio
;
N. Shiramizu
;
M. Miura
;
T. Nakamura
;
K. Oda
;
T. Masuda
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
47.
Modeling Techniques for Strained CMOS Technology
机译:
应变CMOS技术的建模技术
作者:
V. Sverdlov
;
O. Baumgartner
;
T. Windbacher
;
S. Selberherr
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
48.
Technology Evolution of Silicon Nano-Electronics
机译:
硅纳米电子技术的发展
作者:
Shigeaki Zaima
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
49.
Bio Inspired Architectures in the Nanoscale Integration Era
机译:
纳米整合时代的生物启发架构
作者:
Tadashi Shibata
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
50.
Optical and Electrical Characterizations of Defects in SiGe-On-Insulator
机译:
绝缘体上硅锗缺陷的光电特性
作者:
Hiroshi Nakashima
;
Dong Wang
;
Haigui Yang
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
51.
Very High Performance CMOS on Si(551) Surface using Radical Oxidation Silicon Flattening Technology and Accumulation-mode SOI Device Structure
机译:
使用自由基氧化硅平坦化技术和累积模式SOI器件结构的Si(551)表面上的超高性能CMOS
作者:
Weitao Cheng
;
Akinobu Teramoto
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
52.
Epitaxial Ge on Standard STI Patterned Si Wafers: High Quality Virtual Substrates for Ge pMOS and III/V nMOS
机译:
标准STI图案化Si晶圆上的外延Ge:Ge pMOS和III / V nMOS的高质量虚拟衬底
作者:
R. Loo
;
G. Wang
;
L. Souriau
;
J.C. Lin
;
S. Takeuchi
;
G. Brammertz
;
M. Caymax
会议名称:
《Symposium on ULSI process integration;Meeting of the Electrochemical Society》
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2009年
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