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Electron Devices Meeting (IEDM), 2009
Electron Devices Meeting (IEDM), 2009
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1.
Design challenges for 22nm CMOS and beyond
机译:
22nm CMOS及更高工艺的设计挑战
作者:
Borkar S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
2.
Design and process co-optimization for 28nm/22nm and beyond - A foundry's perspective
机译:
面向28nm / 22nm及更高工艺的设计和工艺协同优化
作者:
Hou C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
3.
Co-optimizing process development, layout and circuit design for cost-effective 22nm technology platform
机译:
共同优化具有成本效益的22nm技术平台的工艺开发,布局和电路设计
作者:
Michaels K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
4.
Analog and RF design issues in high-k on6; multi-gate CMOS technologies
机译:
高k on6中的模拟和RF设计问题;多栅极CMOS技术
作者:
Fulde M.
;
Schmitt-Landsiedel D.
;
Knoblinger G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
5.
Design issues and possible solutions for low-cost and high-efficiency LSIs
机译:
低成本和高效率LSI的设计问题和可能的解决方案
作者:
Mizuno M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
6.
Beyond innovation: Dealing with the risks and complexity of processor design in 22nm
机译:
超越创新:处理22nm处理器设计的风险和复杂性
作者:
Anderson C.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
7.
Welcome from the general chair
机译:
董事长致辞
作者:
Subramanian Vivek
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
8.
Copyright
机译:
版权
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
9.
Silicon spintronics: Spin injection, manipulation and electrical detection
机译:
硅自旋电子器件:自旋注入,操纵和电检测
作者:
Jonker B.T.
;
van t Erve O.M.
;
Kioseoglou G.
;
Hanbicki A.T.
;
Li C.H.
;
Holub M.
;
Awo-Affouda C.
;
Thompson P.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
10.
Award presentations plenary session award
机译:
颁奖典礼全体会议奖
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
11.
Normally-off 5A/1100V GaN-on-silicon device for high voltage applications
机译:
常关5A / 1100V硅上氮化镓器件,用于高压应用
作者:
Boutros K.S.
;
Burnham S.
;
Wong D.
;
Shinohara K.
;
Hughes B.
;
Zehnder D.
;
McGuire C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
12.
Successful suppression of dielectric relaxation inherent to high-k NAND from both architecture and material points of view
机译:
从架构和材料的角度,成功抑制高k NAND固有的介电弛豫
作者:
Jun Fujiki
;
Yasuda N.
;
Fujitsuka R.
;
Sakamoto W.
;
Muraoka K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
13.
N-polar GaN-based highly scaled self-aligned MIS-HEMTs with state-of-the-art f
T
.L
G
product of 16.8 GHz-µm
机译:
具有最新的16.8GHz-μmf
T inf> .L
G inf>积的基于N极GaN的高比例自对准MIS-HEMT
作者:
Nidhi
;
Dasgupta S.
;
Brown D.F.
;
Keller S.
;
Speck J.S.
;
Mishra U.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
14.
Experimental demonstration of 100nm channel length In
0.53
Ga
0.47
As-based vertical inter-band tunnel field effect transistors (TFETs) for ultra low-power logic and SRAM applications
机译:
基于100nm沟道长度In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As的垂直超宽带逻辑场效应晶体管(TFET)的实验演示,适用于超低功耗逻辑和SRAM应用
作者:
Mookerjea S.
;
Mohata D.
;
Krishnan R.
;
Singh J.
;
Vallett A.
;
Ali A.
;
Mayer T.
;
Narayanan V.
;
Schlom D.
;
Liu A.
;
Datta S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
15.
Trigate 6T SRAM scaling to 0.06 µm
2
机译:
Trigate 6T SRAM缩放至0.06 µm
2 sup>
作者:
Guillorna M.
;
Chang J.
;
Pyzyna A.
;
Engelmann S.
;
Joseph E.
;
Fletcher B.
;
Cabral C.
;
Lin C.-H.
;
Bryant A.
;
Darnon M.
;
Ott J.
;
Lavoie C.
;
Frank M.
;
Gignac L.
;
Newbury J.
;
Wang C.
;
Klaus D.
;
Kratschmer E.
;
Bucchignano J.
;
To B.
;
Graham W.
;
Lauer I.
;
Sikorski E.
;
Carter S.
;
Narayanan V.
;
Fuller N.
;
Zhang Y.
;
Haensch W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
16.
16nm functional 0.039µm
2
6T-SRAM cell with nano injection lithography, nanowire channel, and full TiN gate
机译:
具有纳米注入光刻技术,纳米线通道和完整TiN栅极的16nm功能性0.039µm
2 sup> 6T-SRAM单元
作者:
Hou-Yu Chen
;
Chun-Chi Chen
;
Fu-Kuo Hsueh
;
Jan-Tsai Liu
;
Chih-Yen Shen
;
Chiung-Chih Hsu
;
Shyi-Long Shy
;
Bih-Tiao Lin
;
Hsi-Ta Chuang
;
Cheng-San Wu
;
Chenming Hu
;
Chien-Chao Huang
;
Fu-Liang Yang
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
17.
Low-loss MEMS band-pass filters with improved out-of-band rejection by exploiting inductive parasitics
机译:
通过利用电感寄生效应改善带外抑制能力的低损耗MEMS带通滤波器
作者:
Shim Y.
;
Tabrizian R.
;
Ayazi F.
;
Rais-Zadeh M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
18.
Temperature compensation of silicon micromechanical resonators via degenerate doping
机译:
简并掺杂对硅微机械谐振器的温度补偿
作者:
Samarao A.K.
;
Ayazi F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
19.
Self-sustained low power oscillator based on vibrating body field effect transistor
机译:
基于振动体场效应晶体管的自持式低功耗振荡器
作者:
Grogg D.
;
Ayoz S.
;
Ionescu A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
20.
A new and simple experimental approach to characterizing the carrier transport and reliability of strained CMOS devices in the quasi-ballistic regime
机译:
一种新的简单实验方法来表征准弹道状态下应变CMOS器件的载流子传输和可靠性
作者:
Hsieh E.R.
;
Chung S.S.
;
Liu P.W.
;
Chiang W.T.
;
Tsai C.H.
;
Teng W.Y.
;
Li C.I.
;
Kuo T.F.
;
Wang Y.R.
;
Yang C.L.
;
Tsai C.T.
;
Ma G.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
21.
Temperature compensated solidly mounted bulk acoustic wave resonators with optimum piezoelectric coupling coefficient
机译:
具有最佳压电耦合系数的温度补偿固体安装体声波谐振器
作者:
Allah M.A.
;
Kaitila J.
;
Thalhammer R.
;
Weber W.
;
Schmitt-Landsiedel D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
22.
Integrated high performance (100) and (110) oriented single-grain Si TFTs without seed substrate
机译:
集成高性能(100)和(110)取向的单晶Si TFT,无需种子衬底
作者:
Tao Chen
;
Ishihara R.
;
van der Cingel J.
;
Alessandro B.
;
Mofrad M.R.T.
;
Schellevis H.
;
Beenakker K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
23.
A novel five-photo-mask low-temperature polycrystalline-silicon CMOS structure
机译:
一种新颖的五光掩模低温多晶硅CMOS结构
作者:
Sang-Jin Lee
;
Seok-Woo Lee
;
Kum-Mi Oh
;
Kyung-Eon Lee
;
Myoung-Su Yang
;
Yong-Kee Hwang
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
24.
Correlation between DC and rf degradation due to deep levels in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
由于AlGaN / GaN HEMT中的深能级而导致DC和RF退化之间的相关性
作者:
Chini A.
;
Fantini F.
;
Di Lecce V.
;
Esposto M.
;
Stocco A.
;
Ronchi N.
;
Zanon F.
;
Meneghesso G.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
25.
InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond
机译:
InAlN / GaN异质结构,可用于微波及其他领域
作者:
Kohn E.
;
Alomari M.
;
Denisenko A.
;
Dipalo M.
;
Maier D.
;
Medjdoub F.
;
Pietzka C.
;
Delage S.
;
diForte-Poisson M.-A.
;
Morvan E.
;
Sarazin N.
;
Jacquet J.-C.
;
Dua C.
;
Carlin J.-F.
;
Grandjean N.
;
Py M.A.
;
Gonschorek M.
;
Kuzmik J.
;
Pogany D.
;
Pozzovivo G.
;
Ostermaier C.
;
Toth L.
;
Pecz B.
;
De Jaeger J.-C.
;
Gaquiere C.
;
Cico K.
;
Frohlich K.
;
Georgakilas A.I.
;
Iliopoulos E.
;
Konstantinidis G.
;
Giessen C.
;
Heuken M.
;
Schineller B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
26.
A novel damage-free high-k etch technique using neutral beam-assisted atomic layer etching (NBALE) for sub-32nm technology node low power metal gate/high-k dielectric CMOSFETs
机译:
使用中性束辅助原子层刻蚀(NBALE)的新颖无损高k刻蚀技术,用于低于32nm技术节点的低功率金属栅极/高k介电CMOSFET
作者:
Min K.S.
;
Kang C.Y.
;
Park C.
;
Park C.S.
;
Park B.J.
;
Park J.B.
;
Hussain M.M.
;
Lee J.C.
;
Lee B.H.
;
Kirsch P.
;
Tseng H.-H.
;
Jammy R.
;
Yeom G.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
27.
Engineering the complete MANOS-type NVM stack for best in class retention performance
机译:
设计完整的MANOS型NVM堆栈以实现最佳的保留性能
作者:
Gilmer D.C.
;
Goel N.
;
Park H.
;
Park C.
;
Verma S.
;
Bersuker G.
;
Lysaght P.
;
Tseng H.-H.
;
Kirsch P.D.
;
Saraswat K.C.
;
Jammy R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
28.
Ti-capping technique as a breakthrough for achieving low threshold voltage, high mobility, and high reliability of pMOSFET with metal gate and high-k dielectrics technologies
机译:
钛盖技术是实现具有金属栅极和高k介电技术的pMOSFET的低阈值电压,高迁移率和高可靠性的突破
作者:
Takahashi H.
;
Minakata H.
;
Morisaki Y.
;
Shiqin Xiao
;
Nakabayashi M.
;
Nishigaya K.
;
Sakoda T.
;
Ikeda K.
;
Morioka H.
;
Tamura N.
;
Kase M.
;
Nara Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
29.
V
th
fluctuation suppression and high performance of HfSiON/metal gate stacks by controlling capping-Y
2
O
3
layers for 22nm bulk devices
机译:
通过控制22nm批量器件的Caping-Y
2 inf> O
3 inf>层,抑制HfSiON /金属栅叠层的第V
inf>波动和高性能
作者:
Kamiyama S.
;
Kurosawa E.
;
Abe S.
;
Kitajima M.
;
Aminaka T.
;
Aoyama T.
;
Ikeda K.
;
Ohji Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
30.
Understanding mobility mechanisms in extremely scaled HfO
2
(EOT 0.42 nm) using remote interfacial layer scavenging technique and V
t
-tuning dipoles with gate-first process
机译:
使用远程界面层清除技术和V
t inf>偶极子与先栅极工艺,了解超大规模HfO
2 inf>(EOT 0.42 nm)中的迁移机理
作者:
Ando T.
;
Frank M.M.
;
Choi K.
;
Choi C.
;
Bruley J.
;
Hopstaken M.
;
Copel M.
;
Cartier E.
;
Kerber A.
;
Callegari A.
;
Lacey D.
;
Brown S.
;
Yang Q.
;
Narayanan V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
31.
Impact of strain engineering and channel orientation on the ESD performance of nanometer scale CMOS devices
机译:
应变工程和沟道方向对纳米级CMOS器件ESD性能的影响
作者:
Jing Lu
;
Duvvury C.
;
Gossner H.
;
Banerjee K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
32.
Filament study of STI type drain extended NMOS device using transient interferometric mapping
机译:
瞬态干涉图绘制STI型漏极扩展NMOS器件的细丝研究
作者:
Shrivastava M.
;
Bychikhin S.
;
Pogany D.
;
Schneider J.
;
Baghini M.S.
;
Gossner H.
;
Gornik E.
;
Rao V.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
33.
High-performance InSb based quantum well field effect transistors for low-power dissipation applications
机译:
用于低功耗应用的基于InSb的高性能量子阱场效应晶体管
作者:
Ashley T.
;
Emeny M.T.
;
Hayes D.G.
;
Hilton K.P.
;
Jefferies R.
;
Maclean J.O.
;
Smith S.J.
;
Tang A.W.-H.
;
Wallis D.J.
;
Webber P.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
34.
Monolithic integration of InSb Hall-effect devices with Si LSI on Si substrate
机译:
InSb霍尔效应器件与Si LSI在Si衬底上的单片集成
作者:
Kunimi Y.
;
Sakurai A.
;
Akiyama S.
;
Fujita H.
;
Shibata Y.
;
Nagakura K.
;
Noma Y.
;
Yamamoto T.
;
Yamaha Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
35.
Understanding STI edge fringing field effect on the scaling of charge-trapping (CT) NAND Flash and modeling of incremental step pulse programming (ISPP)
机译:
了解STI边缘边缘场对电荷陷阱(CT)NAND闪存的缩放比例和增量步进脉冲编程(ISPP)建模的影响
作者:
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Yi-Hsuan Hsiao
;
Sheng-Chih Lai
;
Erh-Kun Lai
;
Shih-Ping Hong
;
Ming-Tsung Wu
;
Hsu F.H.
;
Lien N.Z.
;
Chi-Pin Lu
;
Szu-Yu Wang
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
36.
Program charge effect on random telegraph noise amplitude and its device structural dependence in SONOS flash memory
机译:
程序电荷对SONOS闪存中随机电报噪声幅度的影响及其器件结构依赖性
作者:
Chiu J.P.
;
Chou Y.L.
;
Ma H.C.
;
Tahui Wang
;
Ku S.H.
;
Zou N.K.
;
Chen V.
;
Lu W.P.
;
Chen K.C.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
37.
Reliability improvement in planar MONOS cell for 20nm-node multi-level NAND Flash memory and beyond
机译:
用于20nm节点多级NAND闪存的平面MONOS单元的可靠性提高
作者:
Sakamoto W.
;
Yaegashi T.
;
Okamura T.
;
Toba T.
;
Komiya K.
;
Sakuma K.
;
Matsunaga Y.
;
Ishibashi Y.
;
Nagashima H.
;
Sugi M.
;
Kawada N.
;
Umemura M.
;
Kondo M.
;
Izumida T.
;
Aoki N.
;
Watanabe T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
38.
Potential well engineering by partial oxidation of TiN for high-speed and low-voltage Flash memory with good 125°C data retention and excellent endurance
机译:
通过TiN的部分氧化进行的势阱工程,用于高速和低压闪存,具有出色的125°C数据保持能力和出色的耐久性
作者:
Gang Zhang
;
Chang Ho Ra
;
Hua-Min Li
;
Cheng Yang
;
Won Jong Yoo
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
39.
The new program/erase cycling degradation mechanism of NAND flash memory devices
机译:
NAND闪存设备的新编程/擦除循环降级机制
作者:
Fayrushin A.
;
KwangSoo Seol
;
JongHoon Na
;
SungHoi Hur
;
JungDal Choi
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
40.
A novel planar floating-gate (FG) / charge-trapping (CT) NAND device using BE-SONOS inter-poly dielectric (IPD)
机译:
使用BE-SONOS多晶硅间介电层(IPD)的新型平面浮栅(FG)/电荷陷阱(CT)NAND器件
作者:
Hang-Ting Lue
;
Pei-Ying Du
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Yi-Hsuan Hsiao
;
Sheng-Chih Lai
;
Szu-Yu Wang
;
Shih-Ping Hong
;
Ming-Tsung Wu
;
Hsu F.H.
;
Lien N.Z.
;
Chi-Pin Lu
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
41.
Body-biased complementary logic implemented using AlN piezoelectric MEMS switches
机译:
使用AlN压电MEMS开关实现的人体偏置互补逻辑
作者:
Sinha N.
;
Jones T.S.
;
Zhijun Guo
;
Piazza G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
42.
Investigation of ballistic current in scaled Floating-gate NAND FLASH and a solution
机译:
缩放浮栅NAND FLASH中弹道电流的研究及解决方案
作者:
Raghunathan S.
;
Krishnamohan T.
;
Parat K.
;
Saraswat K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
43.
Highly tunable band-stop filters based on AlN RF MEM capacitive switches with inductive arms and zipping capacitive coupling
机译:
基于AlN RF MEM电容式开关的高度可调带阻滤波器,带电感臂和拉链式电容耦合
作者:
Fernandez-Bolaos M.
;
Lisec T.
;
Dehollain C.
;
Tsamados D.
;
Nicole P.
;
Ionescu A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
44.
Design and reliability of a micro-relay technology for zero-standby-power digital logic applications
机译:
用于零待机功率数字逻辑应用的微继电器技术的设计和可靠性
作者:
Hei Kam
;
Pott V.
;
Nathanael R.
;
Jaeseok Jeon
;
Alon E.
;
Tsu-Jae King Liu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
45.
BEOL embedded RF-MEMS switch for mm-wave applications
机译:
适用于毫米波应用的BEOL嵌入式RF-MEMS开关
作者:
Kaynak M.
;
Ehwald K.E.
;
Drews J.
;
Scholz R.
;
Korndorfer F.
;
Knoll D.
;
Tillack B.
;
Barth R.
;
Birkholz M.
;
Schulz K.
;
Sun Y.M.
;
Wolansky D.
;
Leidich S.
;
Kurth S.
;
Gurbuz Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
46.
Reduction of random telegraph noise in High-к / metal-gate stacks for 22 nm generation FETs
机译:
减少22纳米FET的高к/金属栅叠层中的随机电报噪声
作者:
Tega N.
;
Miki H.
;
Ren Z.
;
DEmic C.P.
;
Zhu Y.
;
Frank D.J.
;
Cai J.
;
Guillorn M.A.
;
Park D.-G.
;
Haensch W.
;
Torii K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
47.
Effect of bottom electrode of ReRAM with Ta
2
O
5
/TiO
2
stack on RTN and retention
机译:
Ta
2 inf> O
5 inf> / TiO
2 inf>堆叠的ReRAM底部电极对RTN和保留的影响
作者:
Terai M.
;
Sakotsubo Y.
;
Saito Y.
;
Kotsuji S.
;
Hada H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
48.
Characterization of oxide traps leading to RTN in high-k and metal gate MOSFETs
机译:
在高k和金属栅极MOSFET中导致RTN的氧化物陷阱的表征
作者:
Sanghoon Lee
;
Heung-Jae Cho
;
Younghwan Son
;
Dong Seup Lee
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
49.
Impact of random telegraph signals on V
min
in 45nm SRAM
机译:
随机电报信号对45nm SRAM中V
min inf>的影响
作者:
Seng Oon Toh
;
Tsukamoto Y.
;
Zheng Guo
;
Jones L.
;
Tsu-Jae King Liu
;
Nikolic B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
50.
Understanding amorphous states of phase-change memory using Frenkel-Poole model
机译:
使用Frenkel-Poole模型了解相变存储器的非晶态
作者:
Shih Y.H.
;
Lee M.H.
;
Breitwisch M.
;
Cheek R.
;
Wu J.Y.
;
Rajendran B.
;
Zhu Y.
;
Lai E.K.
;
Chen C.F.
;
Cheng H.Y.
;
Schrott A.
;
Joseph E.
;
Dasaka R.
;
Raoux S.
;
Lung H.L.
;
Lam C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
51.
New analysis methods for comprehensive understanding of Random Telegraph Noise
机译:
全面理解随机电报噪声的新分析方法
作者:
Nagumo T.
;
Takeuchi K.
;
Yokogawa S.
;
Imai K.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
52.
Reliability of barrier engineered charge trapping devices for sub-30nm NAND flash
机译:
用于30纳米以下NAND闪存的势垒工程电荷陷阱设备的可靠性
作者:
Liu R.
;
Hang-Ting Lue
;
Chen K.C.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
53.
Resolving fast V
TH
transients after program/erase of flash memory stacks and their relation to electron and hole defects
机译:
解决闪存堆栈编程/擦除后的快速V
TH inf>瞬变及其与电子和空穴缺陷的关系
作者:
Toledano-Luque M.
;
Degraeve R.
;
Zahid M.B.
;
Kaczer B.
;
Kittl J.
;
Jurczak M.
;
Groeseneken G.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
54.
Can the reaction-diffusion model explain generation and recovery of interface states contributing to NBTI?
机译:
反应扩散模型能否解释导致NBTI的界面状态的生成和恢复?
作者:
Teo Z.Q.
;
Ang D.S.
;
See K.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
55.
New degradation mechanisms and reliability performance in tunneling field effect transistors
机译:
隧穿场效应晶体管的新退化机理和可靠性性能
作者:
Jiao G.F.
;
Chen Z.X.
;
Yu H.Y.
;
Huang X.Y.
;
Huang D.M.
;
Singh N.
;
Lo G.Q.
;
Kwong D.-L.
;
Ming-Fu Li
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
56.
Switching oxide traps as the missing link between negative bias temperature instability and random telegraph noise
机译:
切换氧化物陷阱作为负偏置温度不稳定性和随机电报噪声之间的缺失环节
作者:
Grasser T.
;
Reisinger H.
;
Goes W.
;
Aichinger T.
;
Hehenberger P.
;
Wagner P.-J.
;
Nelhiebel M.
;
Franco J.
;
Kaczer B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
57.
On the differences between ultra-fast NBTI measurements and Reaction-Diffusion theory
机译:
超快NBTI测量与反应扩散理论之间的区别
作者:
Islam A.E.
;
Mahapatra S.
;
Deora S.
;
Maheta V.D.
;
Alam M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
58.
Compact modeling of flicker noise variability in small size MOSFETs
机译:
小型MOSFET中闪烁噪声可变性的紧凑模型
作者:
Morshed T.H.
;
Dunga M.V.
;
Zhang J.
;
Lu D.D.
;
Niknejad A.M.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
59.
Distributed-Poole-Frenkel modeling of anomalous resistance scaling and fluctuations in phase-change memory (PCM) devices
机译:
相变存储器(PCM)装置中反常电阻缩放和波动的分布式Poole-Frenkel建模
作者:
Fugazza D.
;
Ielmini D.
;
Lavizzari S.
;
Lacaita A.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
60.
Impact of interface states on MOS transistor mismatch
机译:
接口状态对MOS晶体管失配的影响
作者:
Andricciola P.
;
Tuinhout H.P.
;
De Vries B.
;
Wils N.A.H.
;
Scholten A.J.
;
Klaassen D.B.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
61.
Statistical model for MOSFET low-frequency noise under cyclo-stationary conditions
机译:
循环平稳条件下MOSFET低频噪声的统计模型
作者:
Wirth G.
;
da Silva R.
;
Srinivasan P.
;
Krick J.
;
Brederlow R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
62.
Statistical enhancement of combined simulations of RDD and LER variability: What can simulation of a 10
5
sample teach us?
机译:
RDD和LER变异性组合模拟的统计增强:10
5 sup>样本的模拟能教给我们什么?
作者:
Reid D.
;
Millar C.
;
Roy G.
;
Roy S.
;
Asenov A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
63.
Design space and scalability exploration of 1T-1STT MTJ memory arrays in the presence of variability and disturbances
机译:
1T-1STT MTJ内存阵列在存在可变性和干扰的情况下的设计空间和可扩展性探索
作者:
Raychowdhury A.
;
Somasekhar D.
;
Karnik T.
;
De V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
64.
Comprehensive study of GeO
2
oxidation, GeO desorption and GeO
2
-metal interaction -understanding of Ge processing kinetics for perfect interface control-
机译:
对GeO
2 inf>氧化,GeO解吸和GeO
2 inf>-金属相互作用的综合研究-了解Ge加工动力学以实现完美的界面控制-
作者:
Kita K.
;
Wang S.K.
;
Yoshida M.
;
Lee C.H.
;
Nagashio K.
;
Nishimura T.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
65.
Compact model for layout dependent variability
机译:
紧凑的模型,用于取决于布局的可变性
作者:
Aikawa H.
;
Sanuki T.
;
Sakata A.
;
Morifuji E.
;
Yoshimura H.
;
Asami T.
;
Otani H.
;
Oyamatsu H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
66.
High performance n-MOSFETs with novel source/drain on selectively grown Ge on Si for monolithic integration
机译:
高性能n-MOSFET,在Si上选择性生长的Ge上具有新颖的源/漏,用于单片集成
作者:
Hyun-Yong Yu
;
Kobayashi M.
;
Woo Shik Jung
;
Okyay A.K.
;
Yoshio Nishi
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
67.
A comprehensive study of Ge
1−x
Si
x
on Ge for the Ge nMOSFETs with tensile stress, shallow junctions and reduced leakage
机译:
Ge上Ge
1-x inf> Si
x inf>的综合研究
作者:
Guang-Li Luo
;
Shih-Chiang Huang
;
Cheng-Ting Chung
;
Dawei Heh
;
Chao-Hsin Chien
;
Chao-Ching Cheng
;
Yao-Jen Lee
;
Wen-Fa Wu
;
Chiung-Chih Hsu
;
Mei-Ling Kuo
;
Jay-Yi Yao
;
Mao-Nan Chang
;
Chee-Wee Liu
;
Chenming Hu
;
Chun-Yen Chang
;
Fu-Liang Yang
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
68.
First CMOS integration of ultra thin body and BOX (UTB
2
) structures on bulk direct silicon bonded (DSB) wafer with multi-surface orientations
机译:
在具有多表面取向的块状直接硅键合(DSB)晶圆上的超薄体和BOX(UTB
2 sup>)结构的首次CMOS集成
作者:
Bidal G.
;
Boeuf F.
;
Denorme S.
;
Laviron C.
;
Bourdelle K.
;
Loubet N.
;
Campidelli Y.
;
Beneyton R.
;
Moriceau H.
;
Fournel F.
;
Morin P.
;
Barnola S.
;
Salvetat T.
;
Perreau P.
;
Gouraud P.
;
Leverd F.
;
Le-Gratiet B.
;
Huguenin J.L.
;
Fleury D.
;
Kusiaku K.
;
Cros A.
;
Leyris C.
;
Haendler S.
;
Borowiak C.
;
Clement L.
;
Pantel R.
;
Ghibaudo G.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
69.
Future directions of non-volatile memory in compute applications
机译:
计算应用中非易失性存储器的未来发展方向
作者:
Fazio A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
70.
A 32nm SoC platform technology with 2
nd
generation high-k/metal gate transistors optimized for ultra low power, high performance, and high density product applications
机译:
具有第二代高k /金属栅极晶体管的32nm SoC平台技术,针对超低功耗,高性能和高密度产品应用进行了优化
作者:
Jan C.-H.
;
Agostinelli M.
;
Buehler M.
;
Chen Z.-P.
;
Choi S.-J.
;
Curello G.
;
Deshpande H.
;
Gannavaram S.
;
Hafez W.
;
Jalan U.
;
Kang M.
;
Kolar P.
;
Komeyli K.
;
Landau B.
;
Lake A.
;
Lazo N.
;
Lee S.-H.
;
Leo T.
;
Lin J.
;
Lindert N.
;
Ma S.
;
McGill L.
;
Meining C.
;
Paliwal A.
;
Park J.
;
Phoa K.
;
Post I.
;
Pradhan N.
;
Prince M.
;
Rahman A.
;
Rizk J.
;
Rockford L.
;
Sacks G.
;
Schmitz A.
;
Tashiro H.
;
Tsai C.
;
Vandervoorn P.
;
Xu J.
;
Yang L.
;
Yeh J.-Y.
;
Yip J.
;
Zhang K.
;
Zhang Y.
;
Bai P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
71.
One-transistor nonvolatile SRAM (ONSRAM) on silicon nanowire SONOS
机译:
硅纳米线SONOS上的单晶体管非易失性SRAM(ONSRAM)
作者:
Seong-Wan Ryu
;
Jin-Woo Han
;
Dong-Il Moon
;
Yang-Kyu Choi
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
72.
A stacked SONOS technology, up to 4 levels and 6nm crystalline nanowires, with Gate-All-Around or independent gates (Φ-Flash), suitable for full 3D integration
机译:
堆叠式SONOS技术,多达4层和6nm晶体纳米线,具有全能门或独立门(Φ-Flash),适用于全3D集成
作者:
Hubert A.
;
Nowak E.
;
Tachi K.
;
Maffini-Alvaro V.
;
Vizioz C.
;
Arvet C.
;
Colonna J.-P.
;
Hartmann J.-M.
;
Loup V.
;
Baud L.
;
Pauliac S.
;
Delaye V.
;
Carabasse C.
;
Molas G.
;
Ghibaudo G.
;
De Salvo B.
;
Faynot O.
;
Ernst T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
73.
Optimal device structure for Pipe-shaped BiCS Flash memory for ultra high density storage device with excellent performance and reliability
机译:
用于超高密度存储设备的管形BiCS闪存的最佳设备结构,具有出色的性能和可靠性
作者:
Ishiduki M.
;
Fukuzumi Y.
;
Katsumata R.
;
Kito M.
;
Kido M.
;
Tanaka H.
;
Komori Y.
;
Nagata Y.
;
Fujiwara T.
;
Maeda T.
;
Mikajiri Y.
;
Oota S.
;
Honda M.
;
Iwata Y.
;
Kirisawa R.
;
Aochi H.
;
Nitayama A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
74.
Study of sub-30nm thin film transistor (TFT) charge-trapping (CT) devices for 3D NAND flash application
机译:
用于3D NAND闪存应用的30nm以下薄膜晶体管(TFT)电荷捕获(CT)器件的研究
作者:
Tzu-Hsuan Hsu
;
Hang-Ting Lue
;
Chih-Chang Hsieh
;
Erh-Kun Lai
;
Chi-Pin Lu
;
Shih-Ping Hong
;
Ming-Tsung Wu
;
Hsu F.H.
;
Lien N.Z.
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
75.
A stackable cross point Phase Change Memory
机译:
可堆叠交叉点相变存储器
作者:
DerChang Kau
;
Tang S.
;
Karpov I.V.
;
Dodge R.
;
Klehn B.
;
Kalb J.A.
;
Strand J.
;
Diaz A.
;
Leung N.
;
Wu J.
;
Lee S.
;
Langtry T.
;
Kuo-wei Chang
;
Papagianni C.
;
Jinwook Lee
;
Hirst J.
;
Erra S.
;
Flores E.
;
Righos N.
;
Castro H.
;
Spadini G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
76.
Monolithic integration of NEMS-CMOS with a Fin Flip-flop Actuated Channel Transistor (FinFACT)
机译:
NEMS-CMOS与鳍式触发器驱动通道晶体管(FinFACT)的单片集成
作者:
Jin-Woo Han
;
Jae-Hyuk Ahn
;
Min-Wu Kim
;
Jun-Bo Yoon
;
Yang-Kyu Choi
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
77.
Highly sensitive and selective label-free detection of cardiac biomarkers in blood serum with silicon nanowire biosensors
机译:
硅纳米线生物传感器对血清中心脏生物标志物的高灵敏度和选择性的无标记检测
作者:
Guo-Jun Zhang
;
Luo Z.H.H.
;
Min Joon Huang
;
Tay G.K.I.
;
Lim E.-J.A.
;
Yu Chen
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
78.
A novel model for (percolating) nanonet chemical sensors for microarray-based E-nose applications
机译:
用于基于微阵列电子鼻应用的(渗透)纳米网化学传感器的新型模型
作者:
Go J.
;
Sysoev V.V.
;
Kolmakov A.
;
Pimparkar N.
;
Alam M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
79.
Engineering of strained III–V heterostructures for high hole mobility
机译:
高空穴迁移率的应变III–V异质结构工程
作者:
Nainani A.
;
Raghunathan S.
;
Witte D.
;
Kobayashi M.
;
Irisawa T.
;
Krishnamohan T.
;
Saraswat K.
;
Bennett B.R.
;
Ancona M.G.
;
Boos J.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
80.
Extraction of virtual-source injection velocity in sub-100 nm III–V HFETs
机译:
低于100 nm III–V HFET的虚拟源注入速度的提取
作者:
Kim D.-H.
;
del Alamo J.A.
;
Antoniadis D.A.
;
Brar B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
81.
New insight into Fermi-level unpinning on GaAs: Impact of different surface orientations
机译:
GaAs费米能级不固定的新见解:不同表面取向的影响
作者:
Xu M.
;
Xu K.
;
Contreras R.
;
Milojevic M.
;
Shen T.
;
Koybasi O.
;
Wu Y.Q.
;
Wallace R.M.
;
Ye P.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
82.
Optimization of metallization processes for 32-nm-node highly reliable ultralow-k (k=2.4)/Cu multilevel interconnects incorporating a bilayer low-k barrier cap (k=3.9)
机译:
结合双层低k势垒帽(k = 3.9)的32纳米节点高度可靠的超低k(k = 2.4)/ Cu多层互连的金属化工艺的优化
作者:
Iguchi M.
;
Yokogawa S.
;
Aizawa H.
;
Kakuhara Y.
;
Tsuchiya H.
;
Okada N.
;
Imai K.
;
Tohara M.
;
Fujii K.
;
Watanabe T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
83.
Feasibility study of 70nm pitch Cu/porous low-k D/D integration featuring EUV lithography toward 22nm generation
机译:
70nm节距的铜/多孔低k D / D集成具有22nm世代EUV光刻的可行性研究
作者:
Nakamura N.
;
Oda N.
;
Soda E.
;
Hosoi N.
;
Gawase A.
;
Aoyama H.
;
Tanaka Y.
;
Kawamura D.
;
Chikaki S.
;
Shiohara M.
;
Tarumi N.
;
Kondo S.
;
Mori I.
;
Saito S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
84.
Top-gated FETs/inverters with diblock copolymer self-assembled 20 nm contact holes
机译:
具有双嵌段共聚物自组装20 nm接触孔的顶部栅极FET /逆变器
作者:
Li-Wen Chang
;
Lee T.L.
;
Wann C.H.
;
Chang C.Y.
;
Wong H.-S.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
85.
Chip-level and package-level seamless interconnect technologies for advanced packaging
机译:
用于高级封装的芯片级和封装级无缝互连技术
作者:
Yamamichi S.
;
Mori K.
;
Kikuchi K.
;
Murai H.
;
Ohshima D.
;
Nakashima Y.
;
Soejima K.
;
Kawano M.
;
Murakami T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
86.
RF performance upgrading of low-power 40nm-node CMOS devices by extremely low-resistance partially-thickened local (PTL)-interconnects
机译:
通过极低电阻的局部加厚本地(PTL)互连来提高低功耗40nm节点CMOS器件的RF性能
作者:
Hijioka K.
;
Kawahara J.
;
Narihiro M.
;
Kume I.
;
Tanabe A.
;
Nagase H.
;
Yamamoto H.
;
Inoue N.
;
Takeuchi T.
;
Onodera T.
;
Saito S.
;
Furutake N.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
87.
Multilayer graphene nanoribbon for 3D stacking of the transistor channel
机译:
用于晶体管通道3D堆叠的多层石墨烯纳米带
作者:
Yijian Ouyang
;
Hongjie Dai
;
Jing Guo
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
88.
Physical insights on graphene nanoribbon mobility through atomistic simulations
机译:
通过原子模拟对石墨烯纳米带迁移率的物理见解
作者:
Betti A.
;
Fiori G.
;
Iannaccone G.
;
Mao Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
89.
A computational evaluation of the designs of a novel nanoelectromechanical switch based on bilayer graphene nanoribbon
机译:
基于双层石墨烯纳米带的新型纳米机电开关设计的计算评估
作者:
Kai-Tak Lam
;
Gengchiau Liang
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
90.
Simulation study of switching mechanism in carbon-based resistive memory with molecular dynamics and Extended Hückel Theory-based NEGF method
机译:
基于分子动力学和基于扩展Hückel理论的NEGF方法的碳基电阻记忆开关机制的仿真研究
作者:
Ximeng Guan
;
Yu He
;
Liang Zhao
;
Jinyu Zhang
;
Yan Wang
;
He Qian
;
Zhiping Yu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
91.
1D broken-gap tunnel transistor with MOSFET-like on-currents and sub-60mV/dec subthreshold swing
机译:
具有MOSFET导通电流和低于60mV / dec亚阈值摆幅的1D裂隙隧道晶体管
作者:
Koswatta S.O.
;
Koester S.J.
;
Haensch W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
92.
Performance comparisons of tunneling field-effect transistors made of InSb, Carbon, and GaSb-InAs broken gap heterostructures
机译:
由InSb,Carbon和GaSb-InAs断裂间隙异质结构制成的隧穿场效应晶体管的性能比较
作者:
Luisier M.
;
Klimeck G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
93.
A non-iterative compact model for carbon nanotube FETs incorporating source exhaustion effects
机译:
包含源极耗尽效应的碳纳米管FET的非迭代紧凑模型
作者:
Lan Wei
;
Frank D.J.
;
Chang L.
;
Wong H.-S.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
94.
Modeling and optimization of polymer based bulk heterojunction (BH) solar cell
机译:
聚合物基体异质结(BH)太阳能电池的建模和优化
作者:
Ray B.
;
Nair P.R.
;
Garcia R.E.
;
Alam M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
95.
Nanowire based electronics: Challenges and prospects
机译:
基于纳米线的电子产品:挑战与前景
作者:
Wei Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
96.
CMOS compatible Ge/Si core/shell nanowire gate-all-around pMOSFET integrated with HfO
2
/TaN gate stack
机译:
与HfO
2 inf> / TaN栅堆叠集成的CMOS兼容Ge / Si核/壳纳米线全能栅极pMOSFET
作者:
Peng J.W.
;
Singh N.
;
Lo G.Q.
;
Kwong D.L.
;
Lee S.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
97.
Excimer laser-annealed dopant segregated Schottky (ELA-DSS) Si nanowire gate-all-around (GAA) pFET with near zero effective Schottky barrier height (SBH)
机译:
准分子激光退火掺杂物隔离的肖特基(ELA-DSS)Si纳米线全能栅极(GAA)pFET,有效肖特基势垒高度(SBH)接近于零
作者:
Chin Y.K.
;
Pey K.L.
;
Singh N.
;
Lo G.Q.
;
Tan L.H.
;
Zhu G.
;
Zhou X.
;
Wang X.C.
;
Zheng H.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
98.
Integrated circuits using top-gate ZnO nanowire transistors with ultrathin organic gate dielectric
机译:
使用具有超薄有机栅极电介质的顶栅ZnO纳米线晶体管的集成电路
作者:
Kalblein D.
;
Bottcher H.J.
;
Weitz R.T.
;
Zschieschang U.
;
Kern K.
;
Klauk H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
|
2009年
99.
Highly scalable nonvolatile TiOx/TaSiOy solid-electrolyte crossbar switch integrated in local interconnect for low power reconfigurable logic
机译:
高度可扩展的非易失性TiOx / TaSiOy固态电解质纵横开关,集成在本地互连中,可实现低功耗可重配置逻辑
作者:
Tada M.
;
Sakamoto T.
;
Tsuji Y.
;
Banno N.
;
Saito Y.
;
Yabe Y.
;
Ishida S.
;
Terai M.
;
Kotsuji S.
;
Iguchi N.
;
Aono M.
;
Hada H.
;
Kasai N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
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2009年
100.
Novel T-channel nanowire FET with built-in signal amplification for pH sensing
机译:
具有内置信号放大功能的新型T沟道纳米线FET用于pH传感
作者:
Kyeong-Sik Shin
;
Kyunghoon Lee
;
Ji Yoon Kang
;
Chi On Chui
会议名称:
《Electron Devices Meeting (IEDM), 2009》
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2009年
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