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Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on
召开年:
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Princeton, NJ
出版时间:
-
会议文集:
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1.
A New Approach for Feedback Control of Radius and Growth Rate in Czochralski (Cz) Processes Exemplarily Studied on LEC-InP
机译:
以LEC-InP为例研究Czochralski(Cz)过程中半径和增长率的反馈控制的新方法
作者:
Neubert M.
;
Winkler J.
;
Rudolph J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
2.
A Simple, Monolithically Integrated Optical Receiver
机译:
一个简单的单片集成光接收器
作者:
Shiu K.-T.
;
Agashe S.S.
;
Forrest S.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
3.
Compact Wavelength Multiplexers/Semultiplexers using Photonic Wires on Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate
机译:
在绝缘体上硅(SOI)衬底上使用光子线的紧凑型波长多路复用器/多路复用器
作者:
Fengnian Xia
;
OBoyle M.
;
Sekaric L.
;
Vlasov Y.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
4.
High speed integrated InP photonic digital-to-analog converter
机译:
高速集成式InP光子数模转换器
作者:
Leven A.
;
Yang Y.
;
Lin J.
;
Kondratko P.
;
Tate A.
;
Hu T.C.
;
Weimann N.G.
;
Chen Y.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
digital-analogue conversion;
high-speed optical techniques;
indium compounds;
integrated optics;
integrated optoelectronics;
InP;
InP photonic digital-to-analog converter;
digital-to-analog conversion;
high speed digital-to-analog converter;
5.
InGaAsP/InP MQW DBR Laser Diode Fabricated by Selective Area MOVPE and Mass Transport for Monolithic Integration
机译:
通过选择性区域MOVPE和质量传输制造的InGaAsP / InP MQW DBR激光二极管用于单片集成
作者:
Darja J.
;
Sugiyama M.
;
Nakano Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
6.
MBE growth and characteristics of self-assembled InAs/InGaAs/GaAs quantum dots
机译:
MBE生长和自组装InAs / InGaAs / GaAs量子点的特性
作者:
Park C.Y.
;
Kim J.M.
;
Lee Y.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
photoluminescence;
self-assembly;
semiconductor growth;
semiconductor quantum dots;
spectral line breadth;
1266 nm;
14 nm;
30 nm;
FWHM;
InAs-InGaAs-GaAs;
MBE;
MBE growth;
001 Ga;
7.
Ultra-High-Q Photonic Nanocavity
机译:
超高Q光子纳米腔
作者:
Asano T.
;
Noda S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
8.
/spl lambda/ = 1.3 /spl mu/m high density InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
机译:
/ splλ/ = 1.3 / spl mu / m通过分子束外延生长的高密度InGaAs / GaAs量子点
作者:
Feng D.J.
;
Tzeng T.E.
;
Chen C.Y.
;
Lay T.S.
;
Chang T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
photoluminescence;
semiconductor growth;
semiconductor quantum dots;
1.3 mum;
InGaAs-GaAs;
MBE;
capping;
emission;
high density InGaAs/GaAs quantum dots;
molecular beam epitaxy;
9.
0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers
机译:
适用于G波段功率放大器的0.07 um InP HEMT MMIC技术
作者:
Lai R.
;
Huang P.
;
Grundbacher R.
;
Farkas D.
;
Cavus A.
;
Liu P.H.
;
Chin P.
;
Chou Y.C.
;
Barsky M.
;
Tsai R.
;
Raja R.
;
Oki A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
10.
1.55祄 Mach-Zehnder Modulators on InP for Optical 40/80 Gbit/s Transmission Networks
机译:
用于光40/80 Gbit / s传输网络的InP上的1.55 Optical Mach-Zehnder调制器
作者:
Klein
;
H.N.
;
Chen
;
H.
;
Hoffmann
;
D.
;
Staroske
;
S.
;
Steffan
;
A.G.
;
Velthaus
;
K.-O.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
11.
10Gbit/s Amplified Reflective Electroabsorption Modulator for Colourless Access Networks
机译:
适用于无色接入网的10Gbit / s放大反射型电吸收调制器
作者:
Garreau A.
;
Decobert J.
;
Kazmierski C.
;
Cuisin M.-C.
;
Provost J.-G.
;
Sillard H.
;
Blache F.
;
Carpentier D.
;
Landreau J.
;
Chanclou P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
12.
14 GHz InP-based RTD MMIC VCOs with Ultra Low DC Power Consumption
机译:
具有超低直流功耗的基于14 GHz InP的RTD MMIC VCO
作者:
Sunkyu Choi
;
Yongsik Jeong
;
Kyounghoon Yang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
13.
A Manufacturable True E-Mode MHEMT with High Static and Dynamic Performances
机译:
具有高静态和动态性能的可制造真E模式MHEMT
作者:
Maher H.
;
Baudet P.
;
El Makoudi I.
;
Perichaud M.-G.
;
Bellaiche J.
;
Renvoise M.
;
Rouchy U.
;
Frijlink P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
14.
A novel avalanche-free single photon detector
机译:
新型无雪崩单光子探测器
作者:
Mohseni H.
;
Memis O.G.
;
Kong S.C.
会议名称:
《》
|
2006年
关键词:
infrared detectors;
photodetectors;
293 to 298 K;
avalanche-free detector;
infrared detector;
room temperature;
single photon detector;
15.
Antimonide based Quantum Well Transistors for High Speed, Low Power Logic Applications
机译:
基于锑化物的量子阱晶体管,用于高速,低功耗逻辑应用
作者:
Datta S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
16.
Broad and flat emission spectrum from InGaAs/InGaAlAs asymmetric multiple quantum wells: effect of well-width and modulation-doping profiles
机译:
InGaAs / InGaAlAs不对称多量子阱的宽而平坦的发射光谱:阱宽和调制掺杂分布的影响
作者:
Chen C.Y.
;
Liang C.F.
;
Feng D.J.
;
Lin E.Y.
;
Lay T.S.
;
Chang T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
doping profiles;
gallium arsenide;
indium compounds;
luminescence;
quantum well lasers;
semiconductor doping;
semiconductor quantum wells;
3 dB;
InGaAs-InGaAlAs;
InGaAs/InGaAlAs asymmetric multiple quantum wells;
bandwidth;
17.
Controllable Switching between Single Modes in Two-Segment Distributed Feedback Quantum-Cascade Lasers
机译:
两段分布式反馈量子级联激光器中单模之间的可控切换
作者:
Hofling S.
;
Seufert J.
;
Rosener B.
;
Reithmaier J.P.
;
Forchel A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
18.
Effect of Schottky layer thickness on DC, RE and noise of 70-nm gate length InP HEMTs
机译:
肖特基层厚度对70nm栅极长度InP HEMT的DC,RE和噪声的影响
作者:
Malmkvist M.
;
Borg M.
;
Shumin Wang
;
Grahn J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
Schottky barriers;
electrical conductivity;
high electron mobility transistors;
indium compounds;
semiconductor device noise;
0.7 V;
1.1 mS/mm;
13 to 14 nm;
140 K;
170 GHz;
200 GHz;
50 ohm;
70 nm;
DC performance;
InP;
InP HEMT;
RF performance;
Schottky layer thickness;
dr;
19.
Emission-wavelength extension of InAs/GaAs quantum dots by controlling lattice-mismatch strain
机译:
通过控制晶格失配应变来扩展InAs / GaAs量子点的发射波长
作者:
Inoue T.
;
Matsushita K.
;
Kikuno M.
;
Kita T.
;
Wada O.
;
Mori H.
;
Yasuda H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
indium compounds;
nitridation;
photoluminescence;
segregation;
semiconductor quantum dots;
transmission electron microscopy;
1.3 mum;
In-segregation;
InAs-GaAs;
InAs/GaAs quantum dots;
emission;
emission-wavelength extension;
la;
20.
Fabrication and Electrical Characterisation of n-InAs Single Nanowhisker Field-Effect Transistors
机译:
n-InAs单纳米晶须场效应晶体管的制备和电学表征
作者:
Do Q.T.
;
Regolin I.
;
Khorenko V.
;
Prost W.
;
Tegude F.-J.
会议名称:
《》
|
2006年
21.
High Frequency Drain Noise in InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistors in Impact Ionization Regime
机译:
碰撞电离条件下InAlAs / InGaAs / InP高电子迁移率晶体管中的高频漏极噪声
作者:
Hong Wang
;
Yuwei Liu
;
Radhakrishnan K.
;
Geok Ing Ng
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
22.
High-Performance of InAlGaAs/InAlAs/InP Multi-Mode Interference Photonic Switch with Partial Index-Modulation Region (MIPS-P)
机译:
具有部分折射率调制区(MIPS-P)的InAlGaAs / InAlAs / InP多模干涉光子开关的高性能
作者:
Ishikawa T.
;
Kumai S.
;
Utaka K.
;
Amanai H.
;
Kurihara K.
;
Shimoyama K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
23.
InGaAlAs/InP Electro Absorption Transceiver with Modulation and Photodetection Bandwidth Exceeding 40GHz
机译:
调制和光检测带宽超过40GHz的InGaAlAs / InP电吸收收发器
作者:
van Dijk F.
;
Enard A.
;
Marceaux A.
;
Carpentier D.
;
Kazmierski C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
24.
Intersubband transitions in novel strained coupled quantum wells based on In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As grown by molecular beam epitaxy
机译:
基于分子束外延生长的In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As的新型应变耦合量子阱中的子带间跃迁
作者:
Nagase M.
;
Mozume T.
;
Simoyama T.
;
Hasama T.
;
Ishikawa H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
band structure;
chemical analysis;
gallium arsenide;
indium compounds;
internal stresses;
molecular beam epitaxial growth;
optical switches;
semiconductor growth;
semiconductor quantum wells;
two-photon spectra;
AlAs layers;
25.
Layer Transfer of FDSOI CMOS to 150mm InP Substrates for Mixed-Material Integration
机译:
FDSOI CMOS到150mm InP基板的层转移,以实现混合材料集成
作者:
Warner K.
;
Oakley D.
;
Donnelly J.
;
Keast C.
;
Shaver D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
26.
Low Linewidth Enhancement Factor ( ?H ~ 0.5) of 9- Layer InAs/InP Quantum Dash Lasers Emitting at 1.55 祄
机译:
9层InAs / InP量子破折号激光器的1.55祄的低线宽增强因子(?H〜0.5)
作者:
Moreau
;
G.
;
Merghem
;
K.
;
Martinez
;
A.
;
Lelarge
;
F.
;
Ramdane
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
27.
MBE growth and characterization of highly tensile-strained InGaAs/InGaAlAs multi-quantum well for 1.3 /spl mu/m laser diodes
机译:
MBE生长和1.3 / splμm/ m激光二极管的高拉伸应变InGaAs / InGaAlAs多量子阱的表征
作者:
Kim J.M.
;
Park C.Y.
;
Nam S.Y.
;
Lee Y.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
gallium arsenide;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
photoluminescence;
quantum well lasers;
semiconductor growth;
semiconductor quantum wells;
stress effects;
1.3 mum;
E1-HH1 transition;
E1-LH1 transition;
I;
28.
MBE Growth of TlInGaAs/TlInP/InP SCH LDs and Their Laser Operation
机译:
TlInGaAs / TlInP / InP SCH LDs的MBE生长及其激光操作
作者:
Fujiwara A.
;
Matsumoto T.
;
Krishnamurthy D.
;
Hasegawa S.
;
Asahi H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
29.
Monolithically Integrated Differential Mach-Zehnder Filter for 40 Gb/s Wavelength Conversion in High-Confinement Butt-Joint SOAs
机译:
高约束对接SOA中用于40 Gb / s波长转换的单片集成差分马赫曾德尔滤波器
作者:
Bernasconi P.
;
Zhang L.
;
Yang W.
;
Buhl L.
;
Sauer N.
;
Bhardwaj A.
;
Gripp J.
;
Simsarian J.E.
;
Neilson D.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
30.
Monolithically integrated QCSE-tuned InGaAsP MQW ridge waveguide DBR laser
机译:
单片集成QCSE调谐InGaAsP MQW脊形波导DBR激光器
作者:
Pantouvaki M.
;
Liu C.P.
;
Renaud C.C.
;
Cole S.
;
Robertson M.
;
Gwilliam R.
;
Seeds A.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
Stark effect;
distributed Bragg reflector lasers;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
integrated optics;
integrated optoelectronics;
laser tuning;
monolithic integrated circuits;
quantum well lasers;
thermo-optical effects;
w;
31.
Optical and structural properties of metamorphic InGaAs/AlAsSb quantum wells grown on GaAs substrates
机译:
在GaAs衬底上生长的变质InGaAs / AlAsSb量子阱的光学和结构性质
作者:
Gozu S.
;
Ueta A.
;
Yamamoto N.
;
Akahane K.
;
Ohtani N.
;
Tsuchiya M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
X-ray diffraction;
aluminium compounds;
band structure;
carrier density;
gallium arsenide;
indium compounds;
infrared spectra;
light polarisation;
molecular beam epitaxial growth;
photoluminescence;
semiconductor growth;
semiconductor quantum w;
32.
Precision Micro-Cleaving of 1.55 祄 Laser Diode Platelets for Integration with Dielectric Waveguides on Silicon Integrated Circuit Wafers
机译:
与硅集成电路晶片上的电介质波导集成的1.55祄激光二极管血小板的精密微切割
作者:
Rumpler
;
J.
;
Barkley
;
E.
;
Fonstad
;
C.G.
;
Jr.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
33.
Surface morphology and photoluminescence for InAs quantum dots of different growth temperature and capping layer
机译:
不同生长温度和覆盖层的InAs量子点的表面形态和光致发光
作者:
Tzeng T.E.
;
Feng D.J.
;
Chen C.Y.
;
Lay T.S.
;
Chang T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
atomic force microscopy;
gallium arsenide;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
photoluminescence;
semiconductor growth;
semiconductor quantum dots;
surface morphology;
1.306 mum;
510 degC;
AFM;
InAs quantum dots;
InAs-InGaAs;
cappi;
34.
The evolution of InP as a key semiconductor technology
机译:
InP作为关键半导体技术的演变
作者:
Antypas G.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
indium compounds;
semiconductor growth;
InP;
InP crystal growth technology;
InP evolution;
semiconductor technology;
telecommunications revolution;
35.
The wideband light emission around 800 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution
机译:
来自三元InAsP量子点的约800 nm处的宽带光发射,并故意扩大了尺寸和成分分布
作者:
Miyake S.
;
Lee W.S.
;
Ujihara T.
;
Takeda Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
chemical analysis;
indium compounds;
infrared sources;
optical tomography;
photoluminescence;
semiconductor quantum dots;
spectral line breadth;
vapour phase epitaxial growth;
845 nm;
FWHM;
GaAs(001);
GaInP-GaAs;
InAsP-GaInP-GaAs;
InP quant;
36.
Ultra-high speed composition graded InGaAsSb/GaAsSb DHBTs with f/sub T/ = 500 GHz grown by gas-source molecular beam epitaxy
机译:
通过气体源分子束外延生长的f / sub T / = 500 GHz的超高速成分分级InGaAsSb / GaAsSb DHBT
作者:
Bing-Ruey Wu
;
Snodgrass W.
;
Hafez W.
;
Feng M.
;
Cheng K.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
carbon;
gallium arsenide;
gallium compounds;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
semiconductor growth;
250 angstrom;
500 GHz;
InGaAsSb-GaAsSb;
InGaAsSb:C;
InP;
composition graded InGaAsSb/GaAsSb;
37.
100 GHz Operation of a Resonant Tunneling Logic Gate MOBILE Having a Symmetric Configuration
机译:
具有对称配置的谐振隧道逻辑门MOBILE的100 GHz操作
作者:
Maezawa K.
;
Sugiyama H.
;
Kishimoto S.
;
Mizutani T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
38.
A 45 mW RTD/HBT MOBILE D-Flip Flop IC Operating up to 32 Gb/s
机译:
45 mW RTD / HBT移动D触发器IC,最高运行速度为32 Gb / s
作者:
Taeho Kim
;
Yongsik Jeong
;
Kyounghoon Yang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
39.
A band-to-band Coulomb interaction model for refractive indices of Al/sub x/Ga/sub 1-x/As and InGaAs ternary materials at photon energies near and above the band-gap
机译:
Al / sub x / Ga / sub 1-x / As和InGaAs三元材料在带隙附近和上方的光子能量下的折射率的带间库仑相互作用模型
作者:
Lin E.Y.
;
Lay T.S.
;
Chang T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
Kramers-Kronig relations;
aluminium compounds;
energy gap;
gallium arsenide;
indium compounds;
refractive index;
AlGaAs;
InGaAs;
Kramers-Kronig transform;
Vegard law;
absorption model;
band-band Coulomb interaction model;
band-gap;
double-Lorentz;
40.
A Technology for Integrating Active Photonic Devices on SOI Wafers
机译:
在SOI晶圆上集成有源光子器件的技术
作者:
Bowers J.E.
;
Park H.
;
Fang W.
;
Jones R.
;
Cohen O.
;
Paniccia M.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
41.
Buried ridge stripe lasers using InAs/InP (100) quantum dashes based active layer: a step towards low noise sources for high-speed direct modulation
机译:
使用基于InAs / InP(100)量子破折号的有源层的掩埋脊条纹激光器:迈向低噪声源以实现高速直接调制的一步
作者:
Lelarge F.
;
Rousseau B.
;
Martin F.
;
Poingt F.
;
Le Gouezigou L.
;
Pommereau F.
;
Accard A.
;
Make D.
;
Le Gouezigou O.
;
Landreau J.
;
Provost J.G.
;
Van-Dijk F.
;
Renaudier J.
;
Duan G.H.
;
Dagens B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
high-speed optical techniques;
indium compounds;
laser mode locking;
laser noise;
optical modulation;
quantum dot lasers;
spectral line breadth;
10 Gbit/s;
25 to 75 degC;
Fabry-Perot laser;
InAs-InP;
InAs/InP (100) quantum dashes;
RF spectrum;
bu;
42.
Design and Fabrication of a Tunable InP-based VCSEL using a Electro-Optic Index Modulator
机译:
使用电光指数调制器的基于InP的可调谐VCSEL的设计和制造
作者:
Levallois C.
;
Richard S.
;
Le Corre A.
;
Loualiche S.
;
Caillaud B.
;
de Bougrenet de la Tocnaye J.-L.
;
Dupont L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
43.
High-Current-Gain InAlP/AlGaAsSb/InP HBTs with a Compositionally-Graded AlGaAsSb Base Grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的具有组成渐变AlGaAsSb基的高电流增益InAlP / AlGaAsSb / InP HBT
作者:
Oda Y.
;
Kurishima K.
;
Watanabe N.
;
Uchida M.
;
Kobayashi T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
44.
III-V Photonic Integration Outside Telecommunications - Does InP Have A Role?
机译:
电信外部的III-V光子集成-InP是否起作用?
作者:
Marsh J.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
45.
InGaAs/InP DHBTs with a 75nm Collector, 20nm base Demonstrating 544 GHz ft, BVCEO = 3.2V, and BVCBO = 3.4V
机译:
具有75nm集电极,20nm基极的InGaAs / InP DHBT,演示544 GHz英尺,BVCEO = 3.2V和BVCBO = 3.4V
作者:
Griffith Z.
;
Rodwell M.J.W.
;
Xiao-Ming Fang
;
Loubychev D.
;
Ying Wu
;
Fastenau J.M.
;
Liu A.W.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
46.
Performance of Electrodeposited Pt/InP Schottky Diode as a Hydrogen Sensing Head for InP-Based Wireless Sensor Chips
机译:
电沉积Pt / InP肖特基二极管作为基于InP的无线传感器芯片的氢感测头的性能
作者:
Kimura T.
;
Hasegawa H.
;
Sato T.
;
Hashizume T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
47.
Polymer Microrings Integrated with Thin Film InGaAs MSM Photodetectors for Sensor-On-a-Chip Applications
机译:
集成了薄膜InGaAs MSM光电探测器的聚合物微环,用于片上传感器应用
作者:
Sang-Yeon Cho
;
Jokerst N.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
48.
Sub-threshold characteristics of the 0.2 /spl mu/m capless InP/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As p-HEMTs having a self-aligned gate
机译:
具有自对准门的0.2 / spl mu / m无盖InP / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As亚阈值特性
作者:
Tae-Woo Kim
;
Seong June Jo
;
Seung Heon Shin
;
Jae-Hyung Jang
;
Jong-In Song
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
electrical conductivity;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
indium compounds;
1.12 S/mm;
185 GHz;
3.3E7 cm/s;
InP-In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As-In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As;
capless InP/In/sub 0.52/Al/sub 0.;
49.
High Gain-Bandwidth InP waveguide Phototransistor
机译:
高增益带宽InP波导光电晶体管
作者:
Houtsma V.E.
;
Leven A.
;
Chen J.
;
Frackoviak J.
;
Tate A.
;
Weimann N.G.
;
Chen Y.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
50.
High Gain-Bandwidth InP Wavequide Phototransistor
机译:
高增益带宽InP波形光电晶体管
作者:
Houtsma V.E.
;
Leven A.
;
Chen J.
;
Frackoviak J.
;
Tate A.
;
Weimann N.G.
;
Chen Y.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
51.
Highly-ordered and highly-stacked (150-layers) quantum dots
机译:
高度有序和高度堆叠(150层)的量子点
作者:
Akahane K.
;
Yamamoto N.
;
Gozu S.
;
Ueta A.
;
Ohtani N.
;
Tsuchiya M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
indium compounds;
photoluminescence;
semiconductor growth;
semiconductor quantum dots;
293 to 298 K;
InAs quantum dots;
InAs-InPB;
InP(311)B substrates;
InPB;
highly-ordered quantum dots;
highly-stacked quantum dots;
ordered structure;
photolumi;
52.
Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of High-Quality InAs/GaSb Type II Superlattices for Mid-IR Photodetector Applications
机译:
用于中红外光电探测器应用的高质量InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
作者:
Zhang X.B.
;
Petschke A.
;
Mou S.
;
Xu C.
;
Ryou J.H.
;
Chuang S.L.
;
Hsieh K.C.
;
Dupuis R.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
53.
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP-application to improve material quality
机译:
半绝缘InP应用中深层缺陷改善材料质量的最新研究成果
作者:
Youwen Zhao
;
Zhiyuan Dong
;
Hongwei Dong
;
Niefeng Sun
;
Tongnian Sun
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
deep levels;
indium compounds;
vacancies (crystal);
apparent defect suppression effect;
deep level defects;
material quality;
quality improvement;
semiinsulating InP materials;
semiinsulating InP-application;
54.
Self-Gating in Nanoelectronic Junctions
机译:
纳米电子结中的自选通
作者:
Worschech L.
;
Hartmann D.
;
Reitzenstein S.
;
Forchel A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
55.
Design and Test of InP DHBT ICs for a 100 Gb/s Demonstrator System
机译:
用于100 Gb / s演示器系统的InP DHBT IC的设计和测试
作者:
Swahn T.
;
Hallin J.
;
Kjellberg T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
56.
10-Gb/s - 120-/spl deg/C operation of 1.3-/spl mu/m AlGaInAs-MQW-FP-LD with Ru-doped InP buried heterostructure
机译:
具有Ru掺杂InP埋入异质结构的1.3- / splμ/ m AlGaInAs-MQW-FP-LD的10-Gb / s-120- / spl deg / C操作
作者:
Tsuruoka K.
;
Kobayashi R.
;
Naniwae K.
;
Tokutome K.
;
Ohsawa Y.
;
Kato T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
aluminium compounds;
diffusion;
gallium arsenide;
indium compounds;
quantum well lasers;
ruthenium;
semiconductor device reliability;
vapour phase epitaxial growth;
zinc;
1.3 mum;
10 Gbit/s;
120 degC;
170 degC;
3500 hour;
85 degC;
AlGaInAs la;
57.
50nm GaAs mHEMTs and MMICs for Ultra-Low Power Distributed Sensor Network Applications
机译:
用于超低功耗分布式传感器网络应用的50nm GaAs mHEMT和MMIC
作者:
Thayne I.
;
Elgaid K.
;
Holland M.
;
McLelland H.
;
Moran D.
;
Thoms S.
;
Stanley C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
58.
An Integrated Waveguide Detector for Power Control in an InP Mach-Zehnder Modulator Based 10 Gb/s Transmitter
机译:
基于InP Mach-Zehnder调制器的10 Gb / s发射机中用于功率控制的集成波导检测器
作者:
Boudreau M.G.
;
Scheer M.
;
Betty I.
;
Langley L.
;
Longone R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
59.
Cathodoluminescence characterization of InP based photonic structures made by dry etching
机译:
干法刻蚀制备的基于InP的光子结构的阴极发光特性
作者:
Avella M.
;
Pommereau F.
;
Jimenez J.
;
Landesman J.P.
;
Liu B.
;
Rhallabi A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
cathodoluminescence;
indium compounds;
internal stresses;
photonic crystals;
plasma materials processing;
sputter etching;
substrates;
vacancies (crystal);
ICP;
InP;
InP based photonic structures;
InP substrates;
RIE;
cathodoluminescence;
defect c;
60.
Dual-Wavelength Quantum Cascade Laser with Two Optical Transitions in Each Active Region
机译:
在每个有源区具有两个光学跃迁的双波长量子级联激光器
作者:
Franz K.J.
;
Shiu K.T.
;
Forrest S.R.
;
Gmachl C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
61.
Experimental and Theoretical Investigations on Spectral Gain Bandwidth of Broadband (>300 nm) InP based Quantum Dash Material
机译:
宽带(> 300 nm)InP基量子破折材料的光谱增益带宽的实验和理论研究
作者:
Somers A.
;
Kaiser W.
;
Reithmaier J.P.
;
Forchel A.
;
Gioaninm M.
;
Montrosset I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
62.
Fabrication of InP/InGaAsP Multi-Mode Interference Distributed Bragg Reflector Laser All-Optical Flip-Flops
机译:
InP / InGaAsP多模干涉分布式布拉格反射镜激光全光触发器的制作
作者:
Raburn M.
;
Takenaka M.
;
Takeda K.
;
Xueliang Song
;
Barton J.S.
;
Nakano Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
63.
Gate Sinking Effect of 0. 1 祄 InP HEMT MMICs Using Pt/Ti/Pt/Au
机译:
使用Pt / Ti / Pt / Au的0. 1祄InP HEMT MMIC的栅极下沉效应
作者:
Chou
;
Y.C.
;
Lai
;
R.
;
Leung
;
D.
;
Kan
;
Q.
;
Farkas
;
D.
;
Eng
;
D.
;
Wojtowicz
;
M.
;
Chin
;
P.
;
Block
;
T.
;
Oki
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
64.
High Modal Gain 9- and 12- Layer InAs/InP Quantum Dash Lasers Emitting at 1.55 祄
机译:
高模态增益9层和12层InAs / InP量子破折号激光器发射1.55 1.5
作者:
Moreau
;
G.
;
Merghem
;
K.
;
Cong
;
D.
;
Patriarche
;
G.
;
Lelarge
;
F.
;
Rousseau
;
B.
;
Dagens
;
B.
;
Poingt
;
F.
;
Accard
;
A.
;
Pommereau
;
F.
;
Ramdane
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
65.
High Performance P-doped InAs Tunnel Injection Quantum Dash Lasers on InP
机译:
InP上的高性能P掺杂InAs隧道注入量子破折号激光器
作者:
Mi Z.
;
Yang J.
;
Bhattacharya P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
66.
High T/sub 0/ operation OF 1590 nm GaInAsP/InP quantum-wire DFB lasers by Bragg wavelength detuning
机译:
通过布拉格波长失谐对1590 nm GaInAsP / InP量子线DFB激光器进行高T / sub 0 /操作
作者:
Nishimoto Y.
;
Yagi H.
;
Miura K.
;
Plumwongrot D.
;
Ohira K.
;
Maruyama T.
;
Arai S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
distributed feedback lasers;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
quantum well lasers;
semiconductor quantum wires;
thermo-optical effects;
1590 nm;
20 to 80 degC;
243 K;
95 K;
Bragg wavelength detuning;
DFB lasers;
GaInAsP-InP;
67.
ICP Etching Process Development based on Cl2/H2 Chemistry and Adapted to Non-Thermalized InP Wafers for the Realization of High Aspect Ratio and Vertical Sidewall Deep Ridge Waveguides and Buried Heterostructures
机译:
基于Cl2 / H2化学和适用于非热化InP晶片的ICP刻蚀工艺开发,以实现高纵横比和垂直侧壁深脊波导和埋藏异质结构
作者:
Guilet S.
;
Bouchoule S.
;
Jany C.
;
Corr C.S.
;
Chabert P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
68.
Improved Performance of Distributed-Reflector Laser with Antireflection Coating
机译:
具有抗反射涂层的分布式反射激光器的改进性能
作者:
Ullah S.M.
;
SeungHun Lee
;
Suemitsu R.
;
Ohira K.
;
Arai S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
69.
InP DHBT Technology Development for High Bitrate Mixed-Signal IC Fabrication
机译:
用于高比特率混合信号IC制造的InP DHBT技术开发
作者:
Godin J.
;
Riet M.
;
Berdaguer P.
;
Nodjiadjim V.
;
Konczykowska A.
;
Scavennec A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
70.
InP surface properties under ICP plasma etching using mixtures of chlorides and hydrides
机译:
使用氯化物和氢化物的混合物在ICP等离子刻蚀下的InP表面性质
作者:
Liu B.
;
Landesman J.-P.
;
Leclercq J.-L.
;
Rhallabi A.
;
Avella M.
;
Gonzalez M.A.
;
Jimenez J.
;
Guilet S.
;
Cardinaud C.
;
Pommereau F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
Raman spectra;
X-ray photoelectron spectra;
atomic force microscopy;
carrier density;
indium compounds;
sputter etching;
stoichiometry;
surface phase transformations;
surface recombination;
surface roughness;
AFM;
Atomic Force Microscopy;
ICP et;
71.
Investigation of fast monolithic saturable absorber microcavities on GaAs substrate
机译:
GaAs衬底上快速单片可饱和吸收体微腔的研究
作者:
Le Du M.
;
Harmard J.-C.
;
Oudar J.-L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
72.
Investigation of hetero-interfaces formed in InP/GaInAs/InP structures with different growth rates
机译:
研究具有不同增长率的InP / GaInAs / InP结构中形成的异质界面
作者:
Ohtake Y.
;
Eguchi T.
;
Miyake S.
;
Lee W.S.
;
Tabuchi M.
;
Takeda Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
X-ray scattering;
chemical analysis;
chemical interdiffusion;
gallium arsenide;
gallium compounds;
indium compounds;
interface structure;
semiconductor epitaxial layers;
semiconductor growth;
semiconductor heterojunctions;
surface roughn;
73.
Large Scale InP Photonic Integrated Circuits for High Speed Optical Transport
机译:
用于高速光传输的大规模InP光子集成电路
作者:
Nagarajan R.
;
Kato M.
;
Dominic V.
;
Pleumeekers J.
;
Dentai A.
;
Evans P.
;
Hurtt S.
;
Back J.
;
Lambert D.
;
Missey M.
;
Mathur A.
;
Murthy S.
;
Salvatore R.
;
Joyner C.
;
Schneider R.
;
Ziari M.
;
Bostak J.
;
Kauffman M.
;
Huan-Shang Tsai
;
Van Leeuwen M.
;
Nilsson A.
;
Taylor R.
;
Grubb S.
;
Mehuys D.
;
Kish F.
;
Welch D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
74.
Lasing Actions of Octagonal Quasi-Periodic Photonic Crystal Micro-Cavities
机译:
八角准周期光子晶体微腔的激光作用
作者:
Po-Tsung Lee
;
Tsan-Wen Lu
;
Feng-Mao Tsai
;
Tien-Chang Lu
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
75.
Localized growth of InAs quantum dots (QDs) on nanopatterned InP(001) surfaces
机译:
纳米图案InP(001)表面上InAs量子点(QD)的局部生长
作者:
Turala A.
;
Regreny P.
;
Rojo-Romeo P.
;
Priester C.
;
Gendry M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
indium compounds;
molecular beam epitaxial growth;
nanopatterning;
nucleation;
semiconductor growth;
semiconductor quantum dots;
surface structure;
1.55 mum;
InAs quantum dots;
InAs-InP;
InP;
classical devices;
localized growth;
nanopatterned InP;
76.
Low Threshold Current Operation of Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Lasers with GaP Strain-Compensation Layers
机译:
具有GaP应变补偿层的堆叠式InAs / GaAs量子点激光器的低阈值电流操作
作者:
Tatebayashi J.
;
Nuntawong N.
;
Xin Y.C.
;
Wong P.S.
;
Huang S.
;
Huang C.P.
;
Lester L.F.
;
Huffaker D.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
77.
MBE Growth of Thick InGaAsN Layers with Absorption Edge at 1.95?m on InP Substrates
机译:
在InP基片上MBE生长厚度为1.95?m的吸收边的InGaAsN厚层
作者:
Miura K.
;
Nagai Y.
;
Iguchi Y.
;
Okada H.
;
Kawamura Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
78.
Metal-organic vapor-phase epitaxy growth of InP using triethylphosphine with phosphine as phosphorous source
机译:
三乙基膦和膦为磷源的InP金属有机气相外延生长
作者:
Sugiyama H.
;
Sakai R.
;
Araki G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
MOCVD;
etching;
heterojunction bipolar transistors;
high electron mobility transistors;
indium compounds;
semiconductor epitaxial layers;
semiconductor growth;
surface morphology;
vapour phase epitaxial growth;
475 degC;
630 degC;
660 degC;
InP;
79.
Multilayered InAs Quantum Dot Lasers with Different Dot Density
机译:
具有不同点密度的多层InAs量子点激光器
作者:
Shimizu H.
;
Saravanan S.
;
Yoshida J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
80.
Nitrogen Implantation Induced Intermixing in InAs/InAlGaAs/InP Dots-in-Well Laser
机译:
氮注入诱导InAs / InAlGaAs / InP点内井激光混合
作者:
Djie H.S.
;
Yang Wang
;
Ooi B.S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
81.
Non-Abrupt Junctions InP DHBT Power Amplifier in Class-AB CDMA Operation
机译:
AB类CDMA操作中的非突变结InP DHBT功率放大器
作者:
Sawada K.
;
Uemura M.
;
Koizumi E.
;
Hase I.
;
Wada S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
82.
Performance Improvement of InP-based Differential HBT VCO using the Resonant Tunneling Diode
机译:
使用谐振隧穿二极管改善基于InP的差分HBT VCO的性能
作者:
Yongsik Jeong
;
Sunkyu Choi
;
Kyounghoon Yang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
83.
Polarization Sensitivity of Injection-Locked VCSELs
机译:
注入锁定VCSEL的偏振灵敏度
作者:
Homayounfar A.
;
Adams M.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
84.
Quantum-Dot Intermixing Enhancement using UV Laser Irradiation
机译:
使用紫外激光辐照增强量子点混合
作者:
Djie H.S.
;
Dong-Ning Wang
;
Ooi B.S.
;
Hwang J.C.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
85.
Selectively Implanted Subcollector DHBTs
机译:
选择性植入的子收集器DHBT
作者:
Parthasarathy N.
;
Griffith Z.
;
Kadow C.
;
Singisetti U.
;
Rodwell M.J.W.
;
Urteaga M.
;
Shinohara K.
;
Brar B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
86.
Sub-Micrometer InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with fT = 400 GHz and fmax > 500 GHz
机译:
fT = 400 GHz且fmax> 500 GHz的亚微米InP / InGaAs异质结双极晶体管
作者:
Scott D.W.
;
Chang P.C.
;
Sawdai D.
;
Dang L.
;
Wang J.
;
Barsky M.
;
Phan W.
;
Chan B.
;
Oyama B.
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Oki A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
87.
The Impact of Side-Recess Spacing on the Logic Performance of 50 nm InGaAs HEMTs
机译:
侧凹间距对50 nm InGaAs HEMT逻辑性能的影响
作者:
Dae-Hyun Kim
;
del Alamo J.A.
;
Jae-Hak Lee
;
Kwang-Seok Seo
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
88.
Ultrafast All-Optical Switches using Intersubband Transition in Quantum Wells
机译:
在量子阱中使用子带间转换的超快全光开关
作者:
Ishikawa H.
;
Simoyama T.
;
Nagase M.
;
Mozume T.
;
Akimoto R.
;
Li B.
;
Akita K.
;
Hasama T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
89.
Voltage Controlled Harmonic Oscillation around 1THz in Resonant Tunneling Diodes Integrated with Slot Antennas
机译:
集成有缝隙天线的共振隧穿二极管中1THz附近的压控谐波振荡
作者:
Asada M.
;
Orihashi N.
;
Suzuki S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
90.
Metamorphic 6.0 /spl Aring/ narrow band gap HBT technology on InP substrates
机译:
InP基片上的变质6.0 / spl Aring /窄带隙HBT技术
作者:
Cavus A.
;
Sandhu R.
;
Monier C.
;
Pascua D.
;
Cox C.
;
Poust B.
;
Hsing R.
;
Noori A.
;
Hayashi S.
;
Goorsky M.
;
Gutierrez-Aitken A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
aluminium compounds;
buffer layers;
energy gap;
gallium arsenide;
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
leakage currents;
0.45 eV;
6.0 angstrom;
DC characteristics;
In/sub 0.86/Al/sub 0.14/As-In/sub 0.86/Ga/sub 0.14/As;
In/sub 0;
91.
High Power Full-Band External Cavity Wavelength Tunable Laser
机译:
大功率全波段外腔波长可调激光器
作者:
Sato K.
;
Kudo K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
92.
Improved Functionality and Performance in Photonic Integrated Circuits
机译:
光子集成电路中改进的功能和性能
作者:
Coldren L.A.
;
Raring J.
;
Sysak M.
;
Barton J.
;
Johansson L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
93.
InP-based Resonant Tunnelnig Diode/HEMT Integrated Circuits for Ultrahigh-Speed Operation
机译:
基于InP的谐振隧穿二极管/ HEMT集成电路,用于超高速操作
作者:
Maezawa K.
;
Mizutani T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
94.
Nanometer Scale InGaAs HEMT Technology for Ultra High Speed IC
机译:
超高速集成电路的纳米级InGaAs HEMT技术
作者:
Kwang-Seok Seo
;
Dae-Hyun Kim
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
95.
Technologies and applications of two-dimensional InP-based photonic crystals
机译:
二维InP基光子晶体的技术及应用
作者:
Pommereau F.
;
Attali M.
;
Brenot R.
;
Cuisin C.
;
Derouin E.
;
Drisse O.
;
Duan G.H.
;
Landreau J.
;
Le Gouezigou L.
;
Lelarge F.
;
Poingt F.
;
Rousseau B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
indium compounds;
lasers;
optoelectronic devices;
photonic crystals;
InP;
functional optoelectronic devices;
high power lasers;
optical characterisation;
tunable lasers;
two-dimensional InP-based photonic crystals;
wavelength monitor;
96.
The indium phosphide bare substrate: its influence on the epitaxy layer quality
机译:
磷化铟裸衬底:对外延层质量的影响
作者:
Jacob G.
;
Mosel F.
;
Robert P.O.
;
Giraud E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
electrical conductivity;
epitaxial growth;
indium compounds;
photoluminescence;
semiconductor epitaxial layers;
substrates;
surface morphology;
InP;
critical specifications;
electrical properties;
epi growth;
epitaxial layer quality;
indium phos;
97.
Precision Micro-Cleaving of 1.55 ;C;m Laser Diode Platelets for Integration with Dielectric Waveguides on Silicon Integrated Circuit Wafers
机译:
1.55; C; m激光二极管血小板的精密微切割,可与硅集成电路晶片上的介质波导集成
作者:
Rumpler J.
;
Barkley E.
;
Fonstad C.G. Jr.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
98.
Low Linewidth Enhancement Factor (;1;H ~ 0.5) of 9- Layer InAs/InP Quantum Dash Lasers Emitting at 1.55 ;C;m
机译:
9层InAs / InP量子破折号激光器以1.55; C; m发射的低线宽增强因子(; 1; H〜0.5)
作者:
Moreau G.
;
Merghem K.
;
Martinez A.
;
Lelarge F.
;
Ramdane A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
99.
1.55;C;m Mach-Zehnder Modulators on InP for Optical 40/80 Gbit/s Transmission Networks
机译:
InP上用于光40/80 Gbit / s传输网络的1.55; C; m Mach-Zehnder调制器
作者:
Klein H.N.
;
Chen H.
;
Hoffmann D.
;
Staroske S.
;
Steffan A.G.
;
Velthaus K.-O.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
100.
Electrical models for detrimental effects in metamorphic HEMTs
机译:
变质HEMT中有害作用的电气模型
作者:
Pajona O.
;
Aupetit-Berthelemot C.
;
Dumas J.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006 International Conference on》
|
2006年
关键词:
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
impact ionisation;
indium compounds;
optical links;
ADS software;
GaAs substrate;
InP based layers;
MHEMT;
MHEMT burnout;
active layer;
bell shape model representative;
cascade amplifier;
drai;
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