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Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International
Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International
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1.
Interfacial layer dependence of HFSI/sub x/O/sub y/ gate stacks on V/sub T/ instability and charge trapping using ultra-short pulse in characterization
机译:
HFSI / sub x / O / sub y /栅堆叠的界面层依赖性对V / sub T /不稳定性和使用超短脉冲进行电荷俘获的表征
作者:
Young
;
C.D.
;
Choi
;
R.
;
Sim
;
J.H.
;
Lee
;
B.H.
;
Zeitzoff
;
P.
;
Zhao
;
Y.
;
Matthews
;
K.
;
Brown
;
G.A.
;
Bersuker
;
G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
2.
Mechanism of drain disturb in SONOS flash EEPROMs
机译:
SONOS闪存EEPROM中的漏极干扰机制
作者:
Kumar P.B.
;
Sharma R.
;
Nair P.R.
;
Nair D.R.
;
Kamohara S.
;
Mahapatra S.
;
Vasi J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
3.
Melt-segregate-quench programming of electrical fuse
机译:
电熔丝的熔体隔离淬火编程
作者:
Sasaki T.
;
Otsuka N.
;
Hisimo K.
;
Fujii S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
4.
PBTI HCI characteristics for high-k gate dielectrics with poly-si MIPS (metal inserted poly-si stack) gates
机译:
带有多晶硅和MIPS(金属插入的多晶硅堆叠)栅极的高k栅极电介质的PBTI和HCI特性
作者:
Hyung-Suk Jung
;
Sung Kee Han
;
Min Joo Kim
;
Jong Pyo Kim
;
Yun-Seok Kim
;
Ha Jin Lim
;
Seok Jon Doh
;
Jung Hyoung Lee
;
Mi Young Yu
;
Jong-Ho Lee
;
Nae-In Lee
;
Ho-Kyu Kang
;
Seong Geon Park
;
Sang Bom Kang
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
5.
Pseudo-breakdown phenomenon and barrier integrity in cu/porous ultra low-k damascene interconnects
机译:
铜/多孔超低k镶嵌互连中的伪击穿现象和势垒完整性
作者:
Zhe Chen
;
Prasad K.
;
Jiang N.
;
Tang L.J.
;
Babu N.
;
Balakumar S.
;
Li C.Y.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
6.
Reliability assessment of deep trench isolation structures
机译:
深沟隔离结构的可靠性评估
作者:
Moens P.
;
Coppens P.
;
Baele J.
;
Battwens F.
;
Boonen S.
;
De Vleeschouwer H.
;
De Pestel F.
;
Tack M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
7.
Reliability of 4MBIT MRAM
机译:
4MBIT MRAM的可靠性
作者:
Akerman J.
;
Brown P.
;
Gajewski D.
;
Griswold M.
;
Janesky J.
;
Martin M.
;
Mekonnen H.
;
Nahas J.J.
;
Pietambaram S.
;
Slaughter J.M.
;
Tehrani S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
8.
Stress migration and the mechanical properties of copper
机译:
应力迁移和铜的机械性能
作者:
Alers G.B.
;
Sukamto J.
;
Woytowitz P.
;
Lu X.
;
Kailasam S.
;
Reid J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
9.
Structural and thermal investigation for FBAR reliability in wireless applications
机译:
无线应用中FBAR可靠性的结构和热研究
作者:
Fillit R.
;
Ivira B.
;
Boussey J.
;
Forturnier R.
;
Ancey P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
10.
The contribution of HFO/sub 2/ bulk oxide traps to dynamic NBTI in pMOSFETs
机译:
HFO / sub 2 /体氧化物陷阱对pMOSFET中动态NBTI的贡献
作者:
Zhu
;
B.
;
Suehle
;
I.S.
;
Vogel
;
E.
;
Bernstein
;
J.B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
11.
The impact of partially scaled metal barrier shunting on failure criteria for copper electromigration resistance increase in 65nm technology
机译:
在65nm技术中部分缩放金属势垒分流对铜电迁移电阻增加的破坏准则的影响
作者:
Ki-Don Lee
;
Young-Jocin Park
;
Hunter B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
12.
The influence of the package environment on the functioning and reliability of RF-MEMS switches
机译:
封装环境对RF-MEMS开关的功能和可靠性的影响
作者:
van Spengen W.M.
;
Czarnecki P.
;
Poets R.
;
van Beek J.T.M.
;
De Wolf I.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
13.
Trap generation and progressive wearout in thin HfSiON
机译:
薄HfSiON中的陷阱产生和逐渐磨损
作者:
Kauerauf T.
;
Degraeve R.
;
Crupi F.
;
Kaezer B.
;
Groeseneken G.
;
Maes H.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
14.
Universality of power-law voltage dependence for TDDB lifetime in thin gate oxide PMOSFETs
机译:
薄栅氧化层PMOSFET中TDDB寿命的幂律电压依赖性通用性
作者:
Ohgata K.
;
Ogasawara M.
;
Shiga K.
;
Tsujikawa S.
;
Murakami E.
;
Kato H.
;
Umeda H.
;
Kubota K.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
15.
A study of electromigration failure in PB-free solder joints
机译:
无铅焊点电迁移失效的研究
作者:
Min Ding
;
Guotao Wang
;
Chao B.
;
Ho P.S.
;
Peng Su
;
Uehling T.
;
Wontor D.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
16.
Anomalous NMOSFET hot carrier degradation due to trapped positive charge in a DGO CMOS process
机译:
由于DGO CMOS工艺中捕获了正电荷,导致异常的NMOSFET热载流子退化
作者:
Brisbin D.
;
Mirgorodski Y.
;
Chaparala P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
17.
Comparison of product failure rate to the component soft error rates in a multi-core digital signal processor
机译:
产品故障率与多核数字信号处理器中组件软错误率的比较
作者:
Xiaowei Zhu
;
Baumann R.
;
Pilch C.
;
Zhou J.
;
Jones J.
;
Cirba C.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
18.
V/sub ox/E/sub ox/-driven breakdown of ultra-thin SiON gate dielectric in p+gate-pMOSFET under low stress voltage of inversion mode
机译:
V / sub ox / E / sub ox /在反向模式的低应力电压下驱动p + gate-pMOSFET中超薄SiON栅极电介质的击穿
作者:
Tsujikawa
;
S.
;
Shiga
;
K.
;
Umeda
;
H.
;
Akamatsu
;
Y.
;
Yugami
;
J.
;
Ohno
;
Y.
;
Yoneda
;
M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
19.
Cancer radiotherapy equipment as a cause of soft-errors in electronic equipment
机译:
癌症放射治疗设备导致电子设备出现软错误
作者:
Wilkinson J.D.
;
Bounds C.
;
Brown T.
;
Gerbi B.
;
Peltier J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
20.
A new neutron facility for single-event effect testing
机译:
用于单事件效应测试的新中子设施
作者:
Prokofiev A.V.
;
Pomp S.
;
Blomgren J.
;
Bystrom O.
;
Ekstrom C.
;
Jonsson O.
;
Reistad D.
;
Tippawan U.
;
Wessman D.
;
Ziemann V.
;
Osterlund M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
21.
A new finding on NBTI lifetime model and an investigation on NBTI degradation characteristic for 1.2nm ultra thin oxide
机译:
NBTI寿命模型的新发现以及1.2nm超薄氧化物的NBTI降解特性研究
作者:
Chia Lin Chen
;
Lin Y.M.
;
Wang C.J.
;
Wu K.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
22.
Novel soft erase and re-fill methods for a P+-poly gate nitride trapping non-volatile memory device with excellent endurance and retention properties
机译:
具有优异耐久性和保留特性的P + sup>-聚栅氮化物捕获非易失性存储器件的新型软擦除和重新填充方法
作者:
Hang-Ting Lue
;
Yen-Hao Shih
;
Kuang Yen Hsieh
;
Liu R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
23.
Bake enhanced erratic behavior in gate stress characteristics in flash memories
机译:
烘烤闪存栅极应力特性中增强的不稳定行为
作者:
Guoqiao Tao
;
Scarpa A.
;
van Marwijk L.
;
Dormans D.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
24.
Characterization and modeling of low frequency noise degradation due to NMOS hot electron stress
机译:
NMOS热电子应力引起的低频噪声衰减的表征和建模
作者:
Dey S.
;
Agostinelli M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
25.
Comparison of NMOS and PMOS stress for determining the source of NBTI TiN/HfSiON devices
机译:
比较NMOS和PMOS应力以确定NBTI TiN / HfSiON器件的来源
作者:
Harris H.R.
;
Choi R.
;
Lee B.H.
;
Young C.D.
;
Sim J.H.
;
Mathews K.
;
Zeitzoff P.
;
Majhi P.
;
Bersuker G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
26.
Hot carrier degradation of lateral DMOS transistor capacitance and reliability issues
机译:
横向DMOS晶体管电容的热载流子退化和可靠性问题
作者:
Hefyene N.
;
Anghel C.
;
Gillon R.
;
Ionescu A.M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
27.
Hot carrier generation and reliability of BT(body-tied)-fin type SRAM cell transistors (W/sub fin/=20~70nm)
机译:
BT鳍式SRAM单元晶体管(W / sub fin / = 20〜70nm)的热载流子产生和可靠性
作者:
Young Jomi Ahn
;
Hye Jin Cho
;
Hee Soo Kang
;
Choong-Ho Lee
;
Choi Lee
;
Jac-man Yoon
;
Tac Yong Kim
;
Eno Suk Cho
;
Suk-Kang Sung
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
28.
Impact of proton irradiation on the RF performance of 0.12 //spl mu/m CMOS technology
机译:
质子辐照对0.12 // spl mu / m CMOS技术的RF性能的影响
作者:
Venkataraman
;
S.
;
Haugerud
;
B.M.
;
Enhai Zhao
;
Banerjec
;
B.
;
Sutton
;
A.
;
Marshall
;
P.W.
;
Chang-Ho Lee
;
Cressler
;
J.D.
;
Laskar
;
J.
;
Papapolymerou
;
J.
;
Joseph
;
A.J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
29.
MVHR (multi-vibrational hydrogen release): consistency with bias temperature instability and dielectrics breakdown
机译:
MVHR(多振动氢释放):与偏置温度不稳定性和电介质击穿保持一致
作者:
Ribes G.
;
Bruyere S.
;
Denais M.
;
Roy D.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
30.
New ballasting method for MOS output drivers and power bus clamps
机译:
MOS输出驱动器和电源母线钳的新镇流方法
作者:
Worley E.R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
31.
Porosity content dependence of TDDB lifetime and flat band voltage shift by cu diffusion in porous spin-on low-k
机译:
多孔旋涂低k值中TDDB寿命的孔隙率含量依赖性和铜扩散引起的平带电压偏移
作者:
Sang-Soo Hwang
;
Hee-Chan Lee
;
Hyun Wook Ro
;
Do Yeung Yoon
;
Young-Chang Joe
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
32.
Random charge effects for PMOS NBTI in ultra-small gate area devices
机译:
超小型栅极区域器件中PMOS NBTI的随机电荷效应
作者:
Agostinelli M.
;
Pae S.
;
Yang W.
;
Prasad C.
;
Kencke D.
;
Ramey S.
;
Snyder E.
;
Kashyap S.
;
Jones M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
33.
Reliability investigation upon 30nm gate length ultra-high aspect ratio FinFETs
机译:
30nm栅极长度超高长宽比FinFET的可靠性研究
作者:
Wen-Shiang Liao
;
Shiao-Shien Chen
;
Sinclair Chiang
;
Wei-Tsun Shiau
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
34.
RF reliability subject to dynamic voltage stress in NMOS circuits
机译:
RF可靠性受NMOS电路中动态电压应力的影响
作者:
Chuanzhao Yu
;
Yuan J.S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
35.
Scaling effect on electromigration reliability for CU/low-k interconnects
机译:
缩放比例对CU /低k互连的电迁移可靠性的影响
作者:
Pyun J.W.
;
Lu X.
;
Yoon S.
;
Henis N.
;
Neuman K.
;
Pfeifer K.
;
Ho P.S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
36.
Single-electron emission of traps in HfSiON as high-k gate dielectric for MOSFETs
机译:
HfSiON中陷阱的单电子发射,作为MOSFET的高k栅极电介质
作者:
Chan C.T.
;
Tang C.J.
;
Kuo C.H.
;
Ma H.C.
;
Tsai C.W.
;
Wang H.C.-H.
;
Chi M.H.
;
Wang T.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
37.
Testing to eliminate reliability defects from electronic packages
机译:
测试以消除电子封装中的可靠性缺陷
作者:
Memis I.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
38.
Accurate prediction of the ESD robustness of semiconductor devices through physical simulation
机译:
通过物理模拟准确预测半导体器件的ESD鲁棒性
作者:
Salamanero C.
;
Nolhier N.
;
Bafleur M.
;
Zecri M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
39.
Dynamic thermal laser signal injection microscopy (T-LSIM) on AC propagation failures
机译:
动态热激光信号注入显微镜(T-LSIM)交流传播故障
作者:
LaPierre M.
;
Falk R.A.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
40.
High-K dielectrics breakdown accurate lifetme assessment methodology
机译:
高介电常数击穿精确寿命评估方法
作者:
Ribes Q.
;
Bruyere S.
;
Denais M.
;
Monsieur F.
;
Roy D.
;
Vincent E.
;
Ghibaudo
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
41.
High-k materials for nonvolatile memory applications
机译:
非易失性存储器应用的高k材料
作者:
Van Houdt J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
42.
Interface states in HFO/sub 2/ stacks with metal gate: nature, passivation, generation
机译:
具有金属门的HFO / sub 2 /堆叠中的界面状态:自然,钝化,生成
作者:
Garros
;
X.
;
Reimbold
;
G.
;
Duret
;
D.
;
Leroux
;
C.
;
Guillaumot
;
B.
;
Louveau
;
O.
;
Hobbs
;
C.
;
Martin
;
F.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
43.
Investigation on the thermal distribution of nmosfets under different operation modes by scanning thermal microscopy
机译:
扫描热显微镜研究不同操作模式下nmosfets的热分布
作者:
Heridarto E.
;
Altes A.
;
Heiderhoff R.
;
Phang J.C.H.
;
Balk L.J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
44.
Mass transport of aluminum by momentum exchange with conducting electrons
机译:
通过与传导电子的动量交换进行铝的质量传输
作者:
Black J.R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
45.
Measurement and statistical analysis of single trap current-voltage characteristics in ultrathin SiON
机译:
超薄SiON中单阱电流-电压特性的测量和统计分析
作者:
Degraeve R.
;
Govoreanu B.
;
Kaczer B.
;
Van Houdt J.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
46.
Observation and restoration of negative electromigration activation energy behavior due to thermo-mechanical effects
机译:
热机械效应引起的负电迁移活化能行为的观察和恢复
作者:
Young-Joon Park
;
Ki-Don Lee
;
Hunter W.R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
47.
Reliability assessment of discrete-trap memories for NOR applications
机译:
NOR应用中离散陷阱存储器的可靠性评估
作者:
Monzio Cornpagnoni C.
;
lelmini D.
;
Spinelli A.S.
;
Lacaita A.L.
;
Sotgiu R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
48.
Reliability considerations of strained silicon on relaxed silicon-germanium (SiGe) substrate
机译:
松弛硅锗(SiGe)衬底上应变硅的可靠性考虑
作者:
Shin J.R.
;
Wu K.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
49.
Reliability investigations for manufacturable high density PRAM
机译:
可制造的高密度PRAM的可靠性研究
作者:
Kinam Kim
;
Su Jin Ahn
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
50.
Reliability issues associated with operating voltage constraints in advanced SiGe HBTs
机译:
与高级SiGe HBT中的工作电压限制相关的可靠性问题
作者:
Grens C.M.
;
Cressler J.D.
;
Andrews J.M.
;
Qinqing Liang
;
Joseph A.J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
51.
Role of dielectric and barrier integrity in reliability of sub-100 nm copper low-k interconnects
机译:
介电层和势垒完整性在100 nm以下亚铜低k互连的可靠性中的作用
作者:
Tokei Zs.
;
Van Aelst J.
;
Waldfried C.
;
Escorcia O.
;
Roussel P.
;
Richard O.
;
Travaly Y.
;
Beyer G.P.
;
Maex K.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
52.
Short and long-term safe operating area considerations in LDMOS transistors
机译:
LDMOS晶体管的短期和长期安全工作区注意事项
作者:
Hower P.L.
;
Pendharkar S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
53.
Stress migration reliability of wide CU interconnects with gouging vias
机译:
带气刨过孔的宽CU互连的应力迁移可靠性
作者:
Lim Y.K.
;
Arijit R.
;
Pey K.L.
;
Tan C.M.
;
Seet C.S.
;
Lee T.J.
;
Vigar D.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
54.
The kinetics of degradation of data retention of post-cycled nrom non-volatile memory products
机译:
循环nrom非易失性存储产品的数据保留退化的动力学
作者:
Janai M.
;
Eitan B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
|
2005年
55.
Technical program committee
机译:
技术计划委员会
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
56.
Lifetime study for a poly fuse in a 0.35μM polycide CMOS process
机译:
0.35μM多晶硅CMOS工艺中多晶硅熔丝的寿命研究
作者:
Fellner J.
;
Boesmueller P.
;
Reiter H.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
57.
V
ox
E
ox
-driven breakdown of ultra-thin SiON gate dielectric in p+gate-pMOSFET under low stress voltage of inversion mode
机译:
在反转模式的低应力电压下,V +
ox sub> E
ox sub>驱动的p + gate-pMOSFET中超薄SiON栅极电介质的击穿
作者:
Tsujikawa S.
;
Shiga K.
;
Umeda H.
;
Akamatsu Y.
;
Yugami J.
;
Ohno Y.
;
Yoneda M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
58.
Interfacial layer dependence of HFSI
x
O
y
gate stacks on V
T
instability and charge trapping using ultra-short pulse in characterization
机译:
HFSI
x sub> O
y sub>栅堆叠的界面层依赖性对V
T sub>不稳定性和使用超短脉冲进行电荷俘获的表征
作者:
Young C.D.
;
Choi R.
;
Sim J.H.
;
Lee B.H.
;
Zeitzoff P.
;
Zhao Y.
;
Matthews K.
;
Brown G.A.
;
Bersuker G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
59.
The contribution of HFO
2
bulk oxide traps to dynamic NBTI in pMOSFETs
机译:
HFO
2 sub>体氧化物陷阱对pMOSFET中动态NBTI的贡献
作者:
Zhu B.
;
Suehle I.S.
;
Vogel E.
;
Bernstein J.B.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
60.
Interface states in HFO
2
stacks with metal gate: nature, passivation, generation
机译:
具有金属门的HFO
2 sub>堆栈中的界面状态:自然,钝化,生成
作者:
Garros X.
;
Reimbold G.
;
Duret D.
;
Leroux C.
;
Guillaumot B.
;
Louveau O.
;
Hobbs C.
;
Martin F.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
61.
Blank page
机译:
空白页
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
62.
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 43nd Annual
机译:
2005 IEEE国际可靠性物理研讨会论文集第43届
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
63.
Copyright
机译:
版权
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
64.
Call for papers and call for posters
机译:
征集论文并征集海报
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
65.
Paper and poster submission instructions
机译:
纸和海报提交说明
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
66.
Session/poster paper # to page # cross-reference
机译:
会议/海报纸#到页面#交叉参考
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
67.
2005 IRPS Officers and committees
机译:
2005 IRPS官员和委员会
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
68.
Best paper award
机译:
最佳论文奖
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
69.
Outstanding paper award
机译:
优秀论文奖
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
70.
Preface
机译:
前言
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
71.
Direct observation of trap behaviors during degradation and breakdown evolution in highly stressed SiO
2
films by conductive atomic force microscopy
机译:
通过导电原子力显微镜直接观察高应力SiO
2 sub>膜在降解和击穿演化过程中的陷阱行为
作者:
Li Zhang
;
Milani Y.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
72.
Investigation of localized breakdown spots in thin SiO
2
using scanning capacitance microscopy
机译:
使用扫描电容显微镜研究薄SiO
2 sub>中的局部击穿点
作者:
Wang S.D.
;
Chang M.N.
;
Chen C.Y.
;
Lei T.F.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
73.
Effects of post metallization annealing on the electrical reliability of ultra-thin HfO
2
films with MoN and WN gate electrodes
机译:
金属化后退火对带有MoN和WN栅电极的超薄HfO
2 sub>薄膜电可靠性的影响
作者:
Chatterjee S.
;
Kuo Y.
;
Lu J.
;
Tewg J.-Y.
;
Majhi P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
74.
Dominant SILC mechanisms in HFO
2
TiN gate nMOS and pMOS transistors
机译:
HFO
2 sub> TiN栅极nMOS和pMOS晶体管中的主要SILC机制
作者:
Krishnan S.A.
;
Peterson J.J.
;
Young C.D.
;
Brown G.
;
Choi R.
;
Harris R.
;
Sim J.H.
;
Zeitzoff P.
;
Kirsch P.
;
Gutt J.
;
Li H.J.
;
Matthews K.
;
Lee J.C.
;
Lee B.H.
;
Bersuker G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
75.
Charge trapping by oxygen-related defects in HfO
2
-based high-k gate dielectrics
机译:
HfO
2 sub>基高k栅极电介质中与氧有关的缺陷引起的电荷俘获
作者:
Yamabe K.
;
Goto M.
;
Higuchi K.
;
Uedono A.
;
Shiraishi K.
;
Miyazaki S.
;
Torii K.
;
Boero M.
;
Chikyow T.
;
Yamasaki S.
;
Kitajima H.
;
Yamada K.
;
Arikado T.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
76.
Method for endurance optimization of the HIMOSTM flash memory cell
机译:
HIMOS TM sup>闪存单元的耐久性优化方法
作者:
Yao T.
;
Lowe A.
;
Vermeulen T.
;
Bellafiore N.
;
Van Hount J.
;
Wellekens D.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
77.
Estimating DPPM during the prototype to product ramp phase
机译:
在原型到产品的投放阶段估算DPPM
作者:
Anderson T.J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
78.
Gettering effect of high-dose arsenic implantation and boron diffusion on gate oxide integrity in trench isolated high voltage silicon-on -insulator process
机译:
沟槽隔离高压绝缘体上硅工艺中大剂量砷注入和硼扩散的吸杂效应对栅氧化物完整性的影响
作者:
Lu D.H.
;
Jimbo S.
;
Fujishima N.
;
Wakimoto S.
;
Ogino M.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
79.
Reliability of MIM HAO capacitor for 70NM DRAM
机译:
用于70NM DRAM的MIM HAO电容器的可靠性
作者:
Kwon Hong
;
Kil D.
;
Hyun-Kyung Woo
;
Joosung Kim
;
Han-Sang Song
;
Ki-Seon Park
;
Seung-Jin Yeom
;
Hong-Seon Yang
;
Jae-Sung Roh
;
Hyun-Chul Sohn
;
Jin-Woong Kim
;
Sung-Wook Park
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
80.
Copper via chain under etching process improvement
机译:
蚀刻过程中铜通孔链的改进
作者:
Ji J.
;
Zhang M.
;
Dong W.
;
Guo A.
;
Liang S.
;
Liao S.
;
Niou C.
;
Chien K.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
81.
Stress migration related reliability concerns
机译:
与应力迁移有关的可靠性问题
作者:
Ma J.J.Y.
;
Tseng S.F.C.
;
Chien K.W.T.
;
Ruan V.W.W.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
82.
Unfolding procedure for SER measurements using quasi monoenergetic neutrons
机译:
使用准单能中子进行SER测量的展开程序
作者:
Olmos M.
;
Prokofiev A.
;
Gaillard R.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
83.
Channel soft breakdown enhanced excess low-frequency noise in ultra-thin gate oxide PD analog SOI devices
机译:
通道软击穿增强了超薄栅极氧化物PD模拟SOI器件中的过多低频噪声
作者:
Chiang S.
;
Chen M.C.
;
Liao W.S.
;
You J.M.
;
Lu M.F.
;
Hsieh Y.S.
;
Lin W.M.
;
Huang-Lu S.
;
Shiau W.T.
;
Chien S.C.
;
Wang T.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
84.
Impact of substrate bias on p-MOSFET negative bias temperature instability
机译:
衬底偏置对p-MOSFET负偏置温度不稳定性的影响
作者:
Kurnars P.B.
;
Dalei T.R.
;
Varghese D.
;
Saba D.
;
Mahapatra S.
;
Alam M.A.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
85.
Mechanism of on-current and off-current instabilities under electrical stress in polycrystalline silicon thin-film transistors
机译:
多晶硅薄膜晶体管在电应力作用下通断电流不稳定性的机理
作者:
Shen De Wang
;
Tzu Yon Chang
;
Wei Hsiang Lo
;
Tan Fu Lei
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
86.
New observations on the damage relaxation mechanisms in p-MOSFETs under dynamic NBTI stressing
机译:
动态NBTI应力下p-MOSFET损伤松弛机理的新观察
作者:
Ang D.S.
;
Wang S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
87.
The energy driven paradigm of nMOSFET hot carrier effects
机译:
nMOSFET热载流子效应的能量驱动范例
作者:
Rauch S.E.
;
La Rosa G.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
88.
Localization of NBT hot carrier-induced oxide damage in SOI pMOSFET's
机译:
SOI pMOSFET中NBT热载流子引起的氧化物损伤的局部化
作者:
Chao Sung Lai
;
Shih Cheng Hung
;
Jam Wem Lee
;
Chung S.S.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
89.
Physical mechanism of NBTI relaxation by RF and noise performance of RF CMOS devices
机译:
射频使NBTI弛豫的物理机制和射频CMOS器件的噪声性能
作者:
Zhiyun Luo
;
Walko J.P.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
90.
MOSFET asymmetry and gate-drain/source overlap effects on hot carrier reliability
机译:
MOSFET不对称和栅漏/源极重叠对热载流子可靠性的影响
作者:
Aur S.
;
Shyh-Horng Yang
;
Toan Tran
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
91.
Board of directors
机译:
董事会
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
92.
2005 IRPS Tutorial program
机译:
2005 IRPS教程程序
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
93.
Impact of proton irradiation on the RF performance of 0.12 /μm CMOS technology
机译:
质子辐照对0.12 /μmCMOS技术射频性能的影响
作者:
Venkataraman S.
;
Haugerud B.M.
;
Enhai Zhao
;
Banerjec B.
;
Sutton A.
;
Marshall P.W.
;
Chang-Ho Lee
;
Cressler J.D.
;
Laskar J.
;
Papapolymerou J.
;
Joseph A.J.
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
94.
Hot carrier generation and reliability of BT(body-tied)-fin type SRAM cell transistors (W
fin
=20~70nm)
机译:
BT(鳍片)鳍式SRAM单元晶体管(W
fin sub> = 20〜70nm)的热载流子产生和可靠性
作者:
Young Jomi Ahn
;
Hye Jin Cho
;
Hee Soo Kang
;
Choong-Ho Lee
;
Choi Lee
;
Jac-man Yoon
;
Tac Yong Kim
;
Eno Suk Cho
;
Suk-Kang Sung
;
Donggun Park
;
Kinam Kim
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International》
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