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Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International
Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International
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1.
An AlGaN/GaN push-pull HEMT amplifier with 400 MHz bandwidth and 100 W peak output power
机译:
具有400 MHz带宽和100 W峰值输出功率的AlGaN / GaN推挽式HEMT放大器
作者:
Kappeler O.
;
Quay R.
;
van Raay F.
;
Kiefer R.
;
Reiner R.
;
Walcher H.
;
Muller S.
;
Mikulla M.
;
Schlechtweg M.
;
Weimann G.
;
Wiegner D.
;
Seyfried U.
;
Tempi W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
2.
Plenary session
机译:
全会
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
3.
An advanced low power, high performance, strained channel 65nm technology
机译:
先进的低功耗,高性能,应变通道65nm技术
作者:
Tyagi S.
;
Auth C.
;
Bai P.
;
Curello G.
;
Deshpande H.
;
Gannavaram S.
;
Golonzka O.
;
Heussner R.
;
James R.
;
Kenyon C.
;
Lee S.-H.
;
Lindert N.
;
Liu M.
;
Nagisetty R.
;
Natarajan S.
;
Parker C.
;
Sebastian J.
;
Sell B.
;
Sivakumar S.
;
St Amour A.
;
Tone K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
4.
Interconnect issues post 45nm
机译:
45nm后互连问题
作者:
Rossnagel S.M.
;
Wisnieff R.
;
Edelstein D.
;
Kuan T.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
5.
Multi-electrode arrays (meas) with guided network for cell-to-cell communication transduction
机译:
带引导网络的多电极阵列(测量),用于细胞间通信转换
作者:
Yijin Wang
;
Chi-Kong Yeung
;
Ingebrandt S.
;
Offenhaeusser A.
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
6.
Nanoparticle manipulator by a novel designed mems based reactor for physical antibiotics
机译:
新型设计的基于记忆体的反应器用于物理抗生素的纳米粒子操纵器
作者:
Suzuki K.
;
Naruse Y.
;
Funaki H.
;
Itaya K.
;
Uchikoga S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
7.
RFCPUs on glass and plastic substrates fabricated by TFT transfer technology
机译:
通过TFT传输技术在玻璃和塑料基板上制作RFCPU
作者:
Dembo H.
;
Kurokawa Y.
;
Ikeda T.
;
Iwata S.
;
Ohshima K.
;
Ishii J.
;
Tsurume T.
;
Sugiyama E.
;
Yamada D.
;
Isobe A.
;
Saito S.
;
Dairiki K.
;
Kusumoto N.
;
Shionoiri Y.
;
Atsumi T.
;
Fujita M.
;
Kobayashi H.
;
Takashina H.
;
Yamashita Y.
;
Yamazaki S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
8.
Suspended-gate MOSFET: bringing new MEMS functionality into solid-state MOS transistor
机译:
悬浮栅极MOSFET:将新的MEMS功能引入固态MOS晶体管
作者:
Abele N.
;
Fritschi R.
;
Boucart K.
;
Casset F.
;
Ancey P.
;
Ionescu A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
9.
Scaling, power, and the future of CMOS
机译:
CMOS的规模,功率和未来
作者:
Horowitz M.
;
Alon E.
;
Patil D.
;
Naffziger S.
;
Rajesh Kumar
;
Bernstein K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
10.
More than moore: micro-machined products enable new applications and open new markets
机译:
不止是摩尔:微加工产品支持新应用并开拓新市场
作者:
Vigna B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
11.
CMOS and interconnect reliability gate dielectric breakdown - modeling and mechanism
机译:
CMOS和互连可靠性栅极电介质击穿-建模和机理
作者:
Nicollian
;
P.
;
Eriguchi
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
12.
CMOS and interconnect reliability interconnect, plasma damage, and ESD reliability
机译:
CMOS和互连可靠性互连,等离子损坏和ESD可靠性
作者:
Seung Kang
;
Nogami
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
13.
CMOS devices high performance CMOS
机译:
CMOS器件高性能CMOS
作者:
Burnett
;
D.
;
Ohguro
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
14.
CMOS devices mobility enhancement and low resistance source/drain
机译:
CMOS器件迁移率增强和低电阻源/漏
作者:
Boeuf
;
F.
;
Huiling Shang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
15.
CMOS devices strained-silicon technology
机译:
CMOS器件应变硅技术
作者:
Yee-Chia Yeo
;
Wang
;
H.C.-H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
16.
Detectors, sensors, and MEMS - MEMS technologies and applications
机译:
探测器,传感器和MEMS-MEMS技术与应用
作者:
Young
;
D.
;
Brugger
;
J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
17.
Detectors, sensors, and mems organic and flexible electronics
机译:
检测器,传感器和内存有机和柔性电子
作者:
Nathan
;
A.
;
Milne
;
W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
18.
Emerging technologies flexible electronics
机译:
新兴技术柔性电子
作者:
Misra
;
V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
19.
Integrated circuits and manufacturing advanced cmos and platform technology
机译:
集成电路和制造先进的CMOS和平台技术
作者:
Shih-Fen Huang
;
Yee-Chaung See
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
20.
Integrated circuits and manufacturing DRAM and NAND flash
机译:
集成电路及制造DRAM和NAND闪存
作者:
Mazure
;
C.
;
Nakabayashi
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
21.
Modeling and simulation compact models
机译:
建模和仿真紧凑模型
作者:
Joardar
;
K.
;
Jeong-Taek Kong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
22.
Modeling and simulation nanowires and nanotubes
机译:
建模和仿真纳米线和纳米管
作者:
Klimeck
;
G.
;
Stettler
;
M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
23.
Process technology advanced integration concepts
机译:
工艺技术高级集成概念
作者:
Deleonibus
;
S.
;
Tyagi
;
S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
24.
Process technology advanced interconnect technology
机译:
工艺技术先进的互连技术
作者:
Wang
;
V.
;
Beyer
;
G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
25.
Process technology high-k i: metal gate stacks
机译:
High-K i工艺技术:金属栅叠
作者:
Arnaud
;
F.
;
Min Yang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
26.
Process technology high-k ii: gate dielectrics
机译:
工艺技术High-K II:栅极电介质
作者:
Watanabe
;
H.
;
Gyo-Young Jin
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
27.
Quantum, power, and compound semiconductor devices high performance si-rf power and power-switching devices
机译:
量子,功率和化合物半导体器件高性能si-rf电源和功率开关器件
作者:
Brech
;
H.
;
Hoshino
;
Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
28.
Solid state and nanoelectronic devices non-volatile memory technologies: MONOS and nanocrystal memories
机译:
固态和纳米电子设备非易失性存储技术:MONOS和纳米晶体存储器
作者:
Yoh
;
K.
;
Uchida
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
29.
Solid-state and nanoelectronic devices nanotubes and nanowires for thermal and electrical applications
机译:
用于热和电应用的固态和纳米电子器件纳米管和纳米线
作者:
Javey
;
A.
;
Kamins
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
30.
Solid-state and nanoelectronic devices novel device concepts
机译:
固态和纳米电子器件新颖的器件概念
作者:
Reed
;
M.
;
Krivokapic
;
Z.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
31.
45-nm node CMOS integration with a novel STI structure and full-NCS/Cu interlayers for low-operation-power (lop) applications
机译:
具有新颖的STI结构和完整NCS / Cu中间层的45-nm节点CMOS集成,适用于低运算功率(lop)应用
作者:
Okuno M.
;
Okabe K.
;
Sakuma T.
;
Suzuki K.
;
Miyashita T.
;
Yao T.
;
Morioka H.
;
Terahara M.
;
Kojima Y.
;
Watatani H.
;
Sugimoto K.
;
Watanabe T.
;
Hayami Y.
;
Mori T.
;
Kubo T.
;
Iba Y.
;
Sugiura I.
;
Fukutome H.
;
Morisaki Y.
;
Minakata H.
;
Ikeda K.
;
Kishii S.
;
Shimizu N.
;
Tanaka T.
;
Asai S.
;
Nakaishi M.
;
Fukuyama S.
;
Tsukune A.
;
Yamabe M.
;
Hanyuu I.
;
Miyajima M.
;
Kase M.
;
Watanabe K.
;
Satoh S.
;
Sugii T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
32.
45-nm node NiSi FUSI on nitrided oxide bulk CMOS fabricated by a novel integration process
机译:
通过新型集成工艺在氮化氧化物体CMOS上制作45nm节点NiSi FUSI
作者:
Yu S.
;
Lu J.-P.
;
Mehrad F.
;
Bu H.
;
Shanware A.
;
Ramin M.
;
Pas M.
;
Visokay R.
;
Vitale S.
;
Yang S.-H.
;
Jiang P.
;
Hall L.
;
Montgomery C.
;
Obeng Y.
;
Bowen C.
;
Hong H.
;
Tran J.
;
Chapman R.
;
Bushman S.
;
Machala S.
;
Blatchford J.
;
Kraft R.
;
Colombo L.
;
Johnson S.
;
McKee B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
33.
A 65nm ultra low power logic platform technology using uni-axial strained silicon transistors
机译:
使用单轴应变硅晶体管的65nm超低功耗逻辑平台技术
作者:
Jan C.-H.
;
Bai P.
;
Choi J.
;
Curello G.
;
Jacobs S.
;
Jeong J.
;
Johnson K.
;
Jones D.
;
Klopcic S.
;
Lin J.
;
Lindert N.
;
Lio A.
;
Natarajan S.
;
Neirynck J.
;
Packan P.
;
Park J.
;
Post I.
;
Patel M.
;
Ramey S.
;
Reese P.
;
Rockford L.
;
Roskowski A.
;
Sacks G.
;
Turkot B.
;
Wang Y.
;
Wei L.
;
Yip J.
;
Young I.
;
Zhang K.
;
Zhang Y.
;
Bohr M.
;
Holt B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
34.
A comprehensive investigation of gate oxide breakdown of P+Poly/PFETs under inversion mode
机译:
反转模式下P + Poly / PFET的栅极氧化物击穿的综合研究
作者:
Wu E.
;
Sune J.
;
Lai W.
;
Vayshenker A.
;
Harmon D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
35.
A flexible, lightweight braille sheet display with plastic actuators driven by an organic field-effect transistor active matrix
机译:
柔性,轻便的盲文显示器,带有由有机场效应晶体管有源矩阵驱动的塑料致动器
作者:
Kato Y.
;
Iba S.
;
Sekitani T.
;
Noguchi Y.
;
Hizu K.
;
Xizhang Wang
;
Takenoshita K.
;
Takamatsu Y.
;
Nakano S.
;
Fukuda K.
;
Nakamura K.
;
Yamaue T.
;
Doi M.
;
Asaka K.
;
Kawaguchi H.
;
Takamiya M.
;
Sakurai T.
;
Someya T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
36.
A floating body cell (FBC) fully compatible with 90nm CMOS technology(CMOS IV) for 128Mb SOI DRAM
机译:
与90nm CMOS技术(CMOS IV)完全兼容的浮体单元(FBC),用于128Mb SOI DRAM
作者:
Minami Y.
;
Shino T.
;
Sakamoto A.
;
Higashi T.
;
Kusunoki N.
;
Fujita K.
;
Hatsuda K.
;
Ohsawa T.
;
Aoki N.
;
Tanimoto H.
;
Morikado M.
;
Nakajima H.
;
Inoh K.
;
Hamamoto T.
;
Nitayama A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
37.
A low on-resistance high voltage soi ligbt with oxide trench in drift region and hole bypass gate configuration
机译:
具有漂移区和空穴旁路栅极配置中的氧化物沟槽的低导通电阻高压半导体
作者:
Hongfei Lu D.
;
Jimbo S.
;
Fujishima N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
38.
A new compact model for junctions in advanced CMOS technologies
机译:
用于先进CMOS技术中结的新型紧凑模型
作者:
Scholten A.J.
;
Smit G.D.J.
;
Durand M.
;
van Langevelde R.
;
Dachs C.J.J.
;
Klaassen D.B.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
39.
A new logic family based on hybrid MOSFET-polysilicon nanowires
机译:
基于混合MOSFET-多晶硅纳米线的新逻辑系列
作者:
Ecoffey S.
;
Mazza M.
;
Pott V.
;
Bouvet D.
;
Schmid A.
;
Leblebici Y.
;
Declereq M.J.
;
Ionescu A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
40.
A new nano-electro-mechanical field effect transistor (NEMFET) design for low-power electronics
机译:
适用于低功率电子产品的新型纳米机电场效应晶体管(NEMFET)设计
作者:
Hei Kam
;
Lee D.T.
;
Howe R.T.
;
Tsu-Jae King
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
41.
A novel capacitor-less DRAM cell using thin capacitively-coupled thyristor (TCCT)
机译:
使用薄电容耦合晶闸管(TCCT)的新型无电容器DRAM单元
作者:
Hyun-Jin Cho
;
Nemati F.
;
Roy R.
;
Gupta R.
;
Yang K.
;
Ershov M.
;
Banna S.
;
Tarabbia M.
;
Sailing C.
;
Hayes D.
;
Mittal A.
;
Robins S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
42.
A novel NAND-type MONOS memory using 63nm process technology for multi-gigabit flash EEPROMs
机译:
一种采用63nm工艺技术的新型NAND型MONOS存储器,用于多千兆位闪速EEPROM
作者:
Yoocheol Shin
;
Jungdal Choi
;
Changseok Kang
;
Changhyun Lee
;
Ki-Tae Park
;
Jang-Sik Lee
;
Jongsun Sel
;
Kim V.
;
Byeongin Choi
;
Jaesung Sim
;
Dongchan Kim
;
Hag-ju Cho
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
43.
A novel nonvolatile memory with spin torque transfer magnetization switching: spin-ram
机译:
具有自旋转矩传递磁化切换的新型非易失性存储器:自旋闸
作者:
Hosomi M.
;
Yamagishi H.
;
Yamamoto T.
;
Bessho K.
;
Higo Y.
;
Yamane K.
;
Yamada H.
;
Shoji M.
;
Hachino H.
;
Fukumoto C.
;
Nagao H.
;
Kano H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
44.
A novel p-channel NAND-type flash memory with 2-bit/cell operation and high programming throughput (>20 MB/sec)
机译:
具有2位/单元操作和高编程吞吐量(> 20 MB /秒)的新型p通道NAND型闪存
作者:
Hang-Ting Lue
;
Szu-Yu Wang
;
Erh-Kun Lai
;
Min-Ta Wu
;
Ling-Wu Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Joseph Ku
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Liu
;
R.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
45.
A robust 45 nm-node, dual damascene interconnects with high quality cu/barrier interface by a novel oxygen absorption process
机译:
坚固的45 nm节点,双镶嵌互连,通过新颖的吸氧工艺,具有高质量的cu / barrier接口
作者:
Abe M.
;
Tada M.
;
Ohtake H.
;
Furutake N.
;
Narihiro M.
;
Arai K.
;
Takeuchi T.
;
Saito S.
;
Tayi T.
;
Motoyama K.
;
Kasama Y.
;
Arita K.
;
Ito F.
;
Yamamoto H.
;
Tagami M.
;
Tonegawa T.
;
Tsuchiya Y.
;
Fujii K.
;
Oda N.
;
Sekine M.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
46.
A thermally-stable sub-0.9nm EOT TaSix/HfSiON gate stack with high electron mobility, suitable for gate-first fabrciation of hp45 LOP devices
机译:
热稳定性低于0.9nm的EOT TaSix / HfSiON热稳定栅极堆叠,具有高电子迁移率,适用于hp45 LOP器件的栅极优先制造
作者:
Inumiya S.
;
Akasaka Y.
;
Matsuki T.
;
Ootsuka F.
;
Torii K.
;
Nara Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
47.
An integrated position-sensing system for a MEMS-based cochlear implant
机译:
用于基于MEMS的人工耳蜗的集成位置感应系统
作者:
Wang J.
;
Gulari M.
;
Wise K.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
48.
Realization of a 5-stage divider circuitry in p-type polymer transistor technology
机译:
在p型聚合物晶体管技术中实现5级分频器电路
作者:
Lackner C.
;
Klauk H.
;
Gut W.
;
Halik M.
;
Spilka R.
;
Zschieschang U.
;
Tanda A.
;
Eder F.
;
Rohde D.
;
Ostermanir T.
;
Schmid G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
49.
Theory of 'current-ratio' method for oxide reliability: proposal and validation of a new class two-dimensional breakdown-spot characterization techniques
机译:
氧化物可靠性的“电流比”方法理论:新型二维击穿点表征技术的建议和验证
作者:
Alam M.A.
;
Monroe D.
;
Weir B.E.
;
Silverman P.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
50.
20nm gate bulk-finFET SONOS flash
机译:
20nm栅极块式FinFET SONOS闪存
作者:
Jiunn-Ren Hwang
;
Tsung-Lin Lee
;
Huan-Chi Ma
;
Tzyh-Cheang Lee
;
Tang-Hsuan Chung
;
Chang-Yun Chang
;
Sheng-Da Liu
;
Baw-Ching Perng
;
Ju-Wang Hsu
;
Ming-Yong Lee
;
Chih-Yuan Ting
;
Chien-Chao Huang
;
Ji-Hua Wang
;
Jyu-Horng Shieh
;
Fu-Liang Yang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
51.
65nm cmos technology for low power applications
机译:
适用于低功耗应用的65nm cmos技术
作者:
Steegen A.
;
Mo R.
;
Mann R.
;
Sun M.-C.
;
Eller M.
;
Leake G.
;
Vietzke D.
;
Tilke A.
;
Guarin F.
;
Fischer A.
;
Pompl T.
;
Massey G.
;
Vayshenker A.
;
Tan W.L.
;
Ebert A.
;
Lin W.
;
Gao W.
;
Lian J.
;
Kim J.-P.
;
Wrschka P.
;
Yang J.-H.
;
Ajmera A.
;
Knoefler R.
;
Teh Y.-W.
;
Jamin F.
;
Park J.E.
;
Hooper K.
;
Griffin C.
;
Nguyen P.
;
Klee V.
;
Ku V.
;
Baiocco C.
;
Johnson G.
;
Tai L.
;
Benedict J.
;
Scheer S.
;
Zhuang H.
;
Ramanchandran V.
;
Matusiewicz G.
;
Lin Y.-H.
;
Siew Y.K.
;
Zhang F.
;
Leong L.S.
;
Liew S.L.
;
Park K.C.
;
Lee K.-W.
;
Hong D.H.
;
Choi S.-M.
;
Kaltalioglu E.
;
Kim S.O.
;
Naujok M.
;
Sherony M.
;
Cowley A.
;
Thomas A.
;
Sudijohno J.
;
Schiml T.
;
Ku J.-H.
;
Yang I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
52.
Advanced MOSFETs using HfTaON/SiO/sub 2/ gate dielectric and TaN metal gate with excellent performances for low standby power application
机译:
使用HfTaON / SiO / sub 2 /栅极电介质和TaN金属栅极的先进MOSFET具有出色的性能,适用于低待机功耗应用
作者:
Xiongfei Yu
;
Chunxiang Zhu
;
Mingbin Yu
;
Li M.F.
;
Chin A.
;
Tung C.H.
;
Gui D.
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
53.
Advanced scalable ultralow-k/cu interconnect technology for 32 nm CMOS ULSI using self-assembled porous silica and self-aligned CoWP barrier
机译:
先进的可扩展超低k / cu互连技术,用于使用自组装多孔二氧化硅和自对准CoWP势垒的32 nm CMOS ULSI
作者:
Kikkawa T.
;
Chikaki S.
;
Yagi R.
;
Shimoyama M.
;
Shishida Y.
;
Fujii N.
;
Kohmura K.
;
Tanaka H.
;
Nakayama T.
;
Hishiya S.
;
Ono T.
;
Yamanishi T.
;
Ishikawa A.
;
Matsuo H.
;
Seino Y.
;
Hata N.
;
Yoshino T.
;
Takada S.
;
Kawahara J.
;
Kinoshita K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
54.
AlGaN/GaN devices for future power switching systems
机译:
适用于未来功率开关系统的AlGaN / GaN器件
作者:
Ueda D.
;
Murata T.
;
Hikita M.
;
Nakazawa S.
;
Kuroda M.
;
Ishida H.
;
Yanagihara M.
;
Inoue K.
;
Ueda T.
;
Uemoto Y.
;
Tanaka T.
;
Egawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
55.
An integrated methodology for accurate extraction of S/D series resistance components in nanoscale MOSFETs
机译:
精确提取纳米级MOSFET中S / D串联电阻成分的集成方法
作者:
Seong-Dong Kim
;
Narasimha S.
;
Ken Rim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
56.
Application of on-chip MIM decoupling capacitor for 90nm SOI microprocessor
机译:
片上MIM去耦电容器在90nm SOI微处理器中的应用
作者:
Roberts D.
;
Johnstone W.
;
Sanchez H.
;
Mandhana O.
;
Spilo D.
;
Hayden J.
;
Travis E.
;
Melnick B.
;
Celik M.
;
Byoung Woon Min
;
Edgerton J.
;
Raymond M.
;
Luckowski E.
;
Happ C.
;
Martinez A.
;
Wilson B.
;
Pak Leung
;
Garnett T.
;
Goedeke D.
;
Remmel T.
;
Ramakrishna K.
;
White B.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
57.
Carbon nanotube interconnects: implications for performance, power dissipation and thermal management
机译:
碳纳米管互连:对性能,功耗和热管理的影响
作者:
Srivastava N.
;
Joshi R.V.
;
Banerjee K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
58.
Challenges for the DRAM cell scaling to 40nm
机译:
DRAM单元扩展到40nm的挑战
作者:
Mueller W.
;
Aichmayr G.
;
Bergner W.
;
Erben E.
;
Hecht T.
;
Kapteyn C.
;
Kersch A.
;
Kudelka S.
;
Lau F.
;
Luetzen J.
;
Orth A.
;
Nuetzel J.
;
Schloesser T.
;
Scholz A.
;
Schroeder U.
;
Sieck A.
;
Spitzer A.
;
Strasser M.
;
Wang P.-F.
;
Wege S.
;
Weis R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
59.
Channel backscattering characteristics of strained PMOSFETs with embedded SiGe source/drain
机译:
具有嵌入式SiGe源极/漏极的应变PMOSFET的沟道反向散射特性
作者:
Hong-Nien Lin
;
Hung-Wei Chen
;
Chih-Hsin Ko
;
Chung-Hu Ge
;
Horng-Chih Lin
;
Tiao-Yuan Huang
;
Wen-Chin Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
60.
CMOS-MEMS resonant mixer-filters
机译:
CMOS-MEMS谐振混频器-滤波器
作者:
Fedder G.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
61.
Computational study of carbon nanotube p-i-n tunnel FETs
机译:
碳纳米管p-i-n隧道FET的计算研究
作者:
Koswatta S.O.
;
Nikonov D.E.
;
Lundstrom M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
62.
Degradation and breakdown of 0.9 nm EOT SiO/sub 2/ ALD HfO/sub 2/metal gate stacks under positive constant voltage stress
机译:
在正恒定电压应力下0.9 nm EOT SiO / sub 2 / ALD HfO / sub 2 /金属栅叠层的降解和击穿
作者:
Degraeve R.
;
Kauerauf T.
;
Cho M.
;
Zahid M.
;
Ragnarsson L.A.
;
Brunco D.P.
;
Kaczer B.
;
Roussel Ph.
;
De Gendt S.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
63.
Dependence of pmos metal work functions on surface conditions of high-k gate dielectrics
机译:
PMOS金属功函数对高k栅极电介质表面条件的依赖性
作者:
Rashmi Jha
;
Bongmook Lee
;
Bei Chen
;
Novak S.
;
Prashant Majhi
;
Veena Misra
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
64.
Design of high performance PFETs with strained si channel and laser anneal
机译:
具有应变Si通道和激光退火的高性能PFET的设计
作者:
Luo Z.
;
Chong Y.F.
;
Kim J.
;
Rovedo N.
;
Greene B.
;
Panda S.
;
Sato T.
;
Holt J.
;
Chidambarrao D.
;
Li J.
;
Davis R.
;
Madan A.
;
Turansky A.
;
Gluschenkov O.
;
Lindsay R.
;
Ajmera A.
;
Lee J.
;
Mishra S.
;
Amos R.
;
Schepis D.
;
Ng H.
;
Rim K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
65.
Dielectric resurf: breakdown voltage control by STI layout in standard CMOS
机译:
介电恢复:通过标准CMOS中的STI布局来控制击穿电压
作者:
Sonsky J.
;
Heringa A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
66.
Dislocation engineering in strained mos materials
机译:
应变mos材料的位错工程
作者:
Fitzgerald E.A.
;
Lee M.L.
;
Yu B.
;
Lee K.L.
;
Dohrman C.L.
;
Isaacson D.
;
Langdo T.A.
;
Antoniadis D.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
67.
Dramatic improvement of Ge p-MOSFET characteristics realized by amorphous zr-silicate/ge gate stack with excellent structural stability through process temperatures
机译:
通过非晶Zr-硅酸盐/ Ge栅堆叠实现的Ge p-MOSFET特性的显着改善,在整个工艺温度下具有出色的结构稳定性
作者:
Kamata Y.
;
Kamimuta Y.
;
Ino T.
;
Iijima R.
;
Koyama M.
;
Nishiyama A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
68.
Electro-thermal transport in metallic single-wall carbon nanotubes for interconnect applications
机译:
金属单壁碳纳米管中用于互连应用的电热传输
作者:
Pop E.
;
Mann D.
;
Reifenberg J.
;
Goodson K.
;
Hongjie Dai
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
69.
Embedded MEMS filter chip and its fabrication for VHF applications
机译:
嵌入式MEMS滤波器芯片及其在VHF应用中的制造
作者:
Mitarai S.
;
Tada M.
;
Yanagawa S.
;
Yamaguchi T.
;
Kinoshita T.
;
Tanaka M.
;
Ikeda K.
;
Yamashita K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
70.
Enabling SOI-based assembly technology for three-dimensional (3d) integrated circuits (ICs)
机译:
为三维(3d)集成电路(IC)启用基于SOI的组装技术
作者:
Topol A.W.
;
La Tulipe D.C.
;
Shi L.
;
Alam S.M.
;
Frank D.J.
;
Steen S.E.
;
Vichiconti J.
;
Posillico D.
;
Cobb M.
;
Medd S.
;
Patel J.
;
Goma S.
;
DiMilia D.
;
Robson M.T.
;
Duch E.
;
Farinelli M.
;
Wang C.
;
Conti R.A.
;
Canaperi D.M.
;
Deligianni L.
;
Kumar A.
;
Kwietniak K.T.
;
DEmic C.
;
Ott J.
;
Young A.M.
;
Guarini K.W.
;
Ieong M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
71.
Enhancement of memory window in short channel non-volatile memory devices using double layer tungsten nanocrystals
机译:
使用双层钨纳米晶体增强短通道非易失性存储器件中的存储窗口
作者:
Samanta S.K.
;
Singh P.K.
;
Won Jong Yoo
;
Samudra G.
;
Yee-Chia Yeo
;
Bera L.K.
;
Balasubramanian N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
72.
Experimental clarification of mobility determining factors in HfSiON CMISFET with various film compositions
机译:
实验阐明了不同膜组成的HfSiON CMISFET中迁移率决定因素
作者:
Iijima R.
;
Takayanagi M.
;
Yamaguchi T.
;
Koyama M.
;
Nishiyama A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
73.
Fabrication of 3D trench PZT capacitors for 256Mbit FRAM device application
机译:
用于256Mbit FRAM器件应用的3D沟槽PZT电容器的制造
作者:
June-Mo Koo
;
Bum-Seok Seo
;
Sukpil Kim
;
Sangmin Shin
;
Jung-Hyun Lee
;
Hionsuck Baik
;
Jang-Ho Lee
;
Jun Ho Lee
;
Byoung-Jae Bae
;
Ji-Eun Lim
;
Dong-Chul Yoo
;
Soon-Oh Park
;
Hee-Suk Kim
;
Hee Han
;
Sunggi Baik
;
Jae-Young Choi
;
Yong Jun Park
;
Youngsoo Park
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
74.
Flexible, large-area sensors and actuators with organic transistor integrated circuits
机译:
带有有机晶体管集成电路的灵活的大面积传感器和执行器
作者:
Someya T.
;
Sakurai T.
;
Sekitani T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
75.
Fluorine incorporation into HfSiON dielectric for V/sub th/ control and its impact on reliability for poly-Si gate pFET
机译:
氟掺入HfSiON电介质中以进行V / sub th /控制及其对多晶硅栅pFET可靠性的影响
作者:
Inoue M.
;
Tsujikawa S.
;
Mizutani M.
;
Nomura K.
;
Hayashi T.
;
Shiga K.
;
Yugami J.
;
Tsuchimoto J.
;
Ohno Y.
;
Yoneda M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
76.
Frequency tolerance of rf micromechanical disk resonators in polysilicon and nanocrystalline diamond structural materials
机译:
多晶硅和纳米晶金刚石结构材料中的射频微机械盘谐振器的频率容限
作者:
Jing Wang
;
Yuan Xie
;
Nguyen C.T.-C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
77.
GaN on patterned silicon (GPS) technique for GaN-based integrated microsensors
机译:
GaN图案化硅上的GaN(GPS)技术用于基于GaN的集成微传感器
作者:
Zhenchuan Yang
;
Ruonan Wang
;
Deliang Wang
;
Baoshun Zhang
;
Chen K.J.
;
Kei May Lau
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
78.
High density silicon nanocrystal embedded in sin prepared by low energy (<500eV) SiH/sub 4/ plasma immersion ion implantation for non-volatile memory applications
机译:
通过低能量(<500eV)SiH / sub 4 /等离子体浸没离子注入制备的高密度硅纳米晶嵌入正弦波,用于非易失性存储应用
作者:
Sangmoo Choi
;
Hyejung Choi
;
Tae-Wook Kim
;
Hyundeok Yang
;
Takhee Lee
;
Sanghun Jeon
;
Chungwoo Kim
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
79.
High frequency power LDMOS technologies for base station applications status, potential, and benchmarking
机译:
用于基站应用状态,潜力和基准测试的高频功率LDMOS技术
作者:
Ma G.
;
Qiang Chen
;
Tornblad O.
;
Tao Wei
;
Ahrens C.
;
Gerlach R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
80.
High mobility solution-processed OTFTs
机译:
高迁移率溶液处理的OTFT
作者:
Sung Kyu Park
;
Chung-Chen Kuo
;
Anthony J.E.
;
Jackson T.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
81.
High performance 30 nm gate bulk CMOS for 45 nm node with /spl sigma/-shaped SiGe-SD
机译:
具有/ spl sigma /形状的SiGe-SD的适用于45 nm节点的高性能30 nm栅体CMOS
作者:
Ohta H.
;
Kim Y.
;
Shimamune Y.
;
Sakuma T.
;
Hatada A.
;
Katakami A.
;
Soeda T.
;
Kawamura K.
;
Kokura H.
;
Morioka H.
;
Watanabe T.
;
Hayami J.O.Y.
;
Ogura J.
;
Tajima M.
;
Mori T.
;
Tamura N.
;
Kojima M.
;
Hashimoto K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
82.
High performance 35nm L/sub GATE/ CMOS transistors featuring NiSi metal gate (FUSI), uniaxial strained silicon channels and 1.2nm gate oxide
机译:
高性能35nm L / sub GATE / CMOS晶体管,具有NiSi金属栅极(FUSI),单轴应变硅沟道和1.2nm栅极氧化物
作者:
Ranade P.
;
Ghani T.
;
Kuhn K.
;
Mistry K.
;
Pae S.
;
Shifren L.
;
Stettler M.
;
Tone K.
;
Tyagi S.
;
Bohr M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
83.
High performance 65 nm SOI technology with enhanced transistor strain and advanced-low-K BEOL
机译:
高性能65 nm SOI技术,具有增强的晶体管应变和先进的低K BEOL
作者:
Lee W.-H.
;
Waite A.
;
Nii H.
;
Nayfeh H.M.
;
McGahay V.
;
Nakayama H.
;
Fried D.
;
Chen H.
;
Black L.
;
Bolam R.
;
Cheng J.
;
Chidambarrao D.
;
Christiansen C.
;
Cullinan-Scholl M.
;
Davies D.R.
;
Domenicucci A.
;
Fisher P.
;
Fitzsimmons J.
;
Gill J.
;
Gribelyuk M.
;
Harmon D.
;
Holt J.
;
Ida K.
;
Kiene M.
;
Kluth J.
;
Labelle C.
;
Madan A.
;
Malone K.
;
McLaughlin P.V.
;
Minami M.
;
Mocuta D.
;
Murphy R.
;
Muzzy C.
;
Newport M.
;
Panda S.
;
Peidous I.
;
Sakamoto A.
;
Sato T.
;
Sudo G.
;
VanMeer H.
;
Yamashita T.
;
Zhu H.
;
Agnello P.
;
Bronner G.
;
Freeman G.
;
Huang S.-F.
;
Ivers T.
;
Luning S.
;
Miyamoto K.
;
Nye H.
;
Pellerin J.
;
Rim K.
;
Schepis D.
;
Spooner T.
;
Chen X.
;
Khare M.
;
Horstmann M.
;
Wei A.
;
Kammler T.
;
Hontschel J.
;
Bierstedt H.
;
Engelmann H.-J.
;
Hellmich A.
;
Hempel K.
;
Koerner G.
;
Neu A.
;
Otterbach R.
;
Reichel C.
;
Trentsch M.
;
Press P.
;
Frohberg K.
;
Schaller M.
;
Salz H.
;
Hohage J.
;
Ruelke H.
;
Klais J.
;
Raab M.
;
Greenlaw D.
;
Kepler N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
84.
High performance cmos bulk technology using direct silicon bond (dsb) mixed crystal orientation substrates
机译:
使用直接硅键合(dsb)混合晶体取向基板的高性能cmos批量技术
作者:
Chun-Yung Sung
;
Haizhou Yin
;
Ng H.Y.
;
Saenger K.L.
;
Chan V.
;
Crowder S.W.
;
Jinghong Li
;
Ott J.A.
;
Bendernagel R.
;
Kempisty J.J.
;
Ku V.
;
Lee H.K.
;
Zhijiong Luo
;
Madan A.
;
Mo R.T.
;
Nguyen P.Y.
;
Pfeiffer G.
;
Raccioppo M.
;
Rovedo N.
;
Sadana D.
;
de Souza J.P.
;
Rong Zhang
;
Zhibin Ren
;
Wann C.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
85.
High performance CMOSFET technology for 45nm generation and scalability of stress-induced mobility enhancement technique
机译:
高性能CMOSFET技术用于45nm世代生产和应力诱导迁移率增强技术的可扩展性
作者:
Oishi A.
;
Fujii O.
;
Yokoyama T.
;
Ota K.
;
Sanuki T.
;
Inokuma H.
;
Eda K.
;
Idaka T.
;
Miyajima H.
;
Iwasa S.
;
Yamasaki H.
;
Oouchi K.
;
Matsuo K.
;
Nagano H.
;
Komoda T.
;
Okayama Y.
;
Matsumoto T.
;
Fukasaku K.
;
Shimizu T.
;
Miyano K.
;
Suzuki T.
;
Yahashi K.
;
Horiuchi A.
;
Takegawa Y.
;
Saki K.
;
Mori S.
;
Ohno K.
;
Mizushima L.
;
Saito M.
;
Iwai M.
;
Yamada S.
;
Nagashima N.
;
Matsuoka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
86.
High performance gate first HfSiON dielectric satisfying 45nm node requirements
机译:
满足45nm节点要求的高性能栅极优先HfSiON电介质
作者:
Quevedo-Lopez M.A.
;
Krishnan S.A.
;
Kirsch D.
;
Li C.H.J.
;
Sim J.H.
;
Huffman C.
;
Peterson J.J.
;
Lee B.H.
;
Pant G.
;
Gnade B.E.
;
Kim M.J.
;
Wallace R.M.
;
Guo D.
;
Bu H.
;
Ma T.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
87.
High performance k=2.5 ULK backend solution using an improved TFHM architecture, extendible to the 45nm technology node
机译:
使用改进的TFHM架构的高性能k = 2.5 ULK后端解决方案,可扩展到45nm技术节点
作者:
Fox R.
;
Hinsinger O.
;
Richard E.
;
Sabouret E.
;
Berger T.
;
Goldberg C.
;
Humbert A.
;
Imbert G.
;
Brun P.
;
Ollier E.
;
Maurice C.
;
Guillermet M.
;
Monget C.
;
Plantier V.
;
Bono H.
;
Zaleski M.
;
Mellier M.
;
Jacquemin J.P.
;
Flake J.
;
Sharma B.G.
;
Broussous L.
;
Farcy A.
;
Arnal V.
;
Gonella R.
;
Maubert S.
;
Girault V.
;
Vannier P.
;
Reber D.
;
Schussler A.
;
Mueller J.
;
Besling W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
88.
High performance nanocrystalline-Si TFT fabricated at 150/spl deg/ C using ICP-CVD
机译:
使用ICP-CVD以150 / spl deg / C的速度制造高性能纳米晶Si TFT
作者:
Sang-Myeon Han
;
Joong-Hyun Park
;
Hee-Sun Shin
;
Young-Hwan Choi
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
89.
High performance RF power LDMOSFETs for cellular handsets formed in thick-strained-Si/relaxed-SiGe structure
机译:
用于厚膜硅/松弛硅锗结构的蜂窝手机的高性能射频功率LDMOSFET
作者:
Kondo M.
;
Sugii N.
;
Hoshino Y.
;
Hirasawa W.
;
Kimura Y.
;
Miyamoto M.
;
Fujioka T.
;
Kamohara S.
;
Kondo Y.
;
Kimura S.
;
Yoshida I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
90.
High performance tantalum carbide metal gate stacks for nMOSFET application
机译:
适用于nMOSFET的高性能碳化钽金属栅极叠层
作者:
Hou Y.T.
;
Yen F.Y.
;
Hsu P.F.
;
Chang V.S.
;
Lim P.S.
;
Hung C.L.
;
Yao L.G.
;
Jiang J.C.
;
Lin H.J.
;
Jin Y.
;
Jang S.M.
;
Tao H.J.
;
Chen S.C.
;
Liang M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
91.
High performance, sub-50nm MOSFETS for mixed signal applications
机译:
用于混合信号应用的高性能,低于50nm的MOSFET
作者:
Dimitrov V.
;
Heng J.B.
;
Timp K.
;
Dimauro O.
;
Chan R.
;
Feng J.
;
Hafez W.
;
Sorsch T.
;
Mansfield W.
;
Miner J.
;
Kornblit A.
;
Klemens F.
;
Bower J.
;
Cirelli R.
;
Ferry E.
;
Taylor A.
;
Feng M.
;
Timp G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
92.
Highly scalable flash memory with novel deep trench isolation embedded into highperformance cmos for the 90nm node beyond
机译:
高度可扩展的闪存,具有嵌入90nm节点及以后的高性能cmos的新型深沟槽隔离
作者:
Shum D.
;
Tilke A.T.
;
Pescini L.
;
Stiftinger M.
;
Kakoschke R.
;
Han K.J.
;
Kim S.R.
;
Hecht V.
;
Chan N.
;
Yang A.
;
Broze R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
93.
High-voltage LDMOS compact model for RF applications
机译:
适用于RF应用的高压LDMOS紧凑型
作者:
Willemsen M.B.
;
van Langevelde R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
94.
Improved sub-10-nm CMOS devices with elevated source/drain extensions by tunneling si-selective-epitaxial-growth
机译:
通过隧穿si选择外延生长,改进了具有提高的源/漏扩展的10纳米以下CMOS器件
作者:
Wakabayashi H.
;
Tatsumi T.
;
Ikarashi N.
;
Oshida M.
;
Kawamoto H.
;
Ikezawa N.
;
Ikezawa T.
;
Yamamoto T.
;
Hane M.
;
Mochizuki Y.
;
Mogami T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
95.
Improvement in high-k (HfO/sub 2//SiO/sub 2/) reliability by incorporation of fluorine
机译:
通过掺入氟提高高k(HfO / sub 2 // SiO / sub 2 /)可靠性
作者:
Seo K.
;
Sreenivasan R.
;
Mclntyre P.C.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
96.
Integration and optimization of embedded-sige, compressive and tensile stressed liner films, and stress memorization in advanced SOI CMOS technologies
机译:
先进的SOI CMOS技术中嵌入式嵌入,压缩和拉伸应力衬里膜的集成和优化以及应力记忆
作者:
Horstmann M.
;
Wei A.
;
Kammler T.
;
Hontschel J.
;
Bierstedt H.
;
Feudel T.
;
Frohberg K.
;
Gerhardt M.
;
Hellmich A.
;
Hempel K.
;
Hohage J.
;
Javorka P.
;
Klais J.
;
Koerner G.
;
Lenski M.
;
Neu A.
;
Otterbach R.
;
Press P.
;
Reichel C.
;
Trentsch M.
;
Trui B.
;
Salz H.
;
Schaller M.
;
Engelmann H.-J.
;
Herzog O.
;
Ruelke H.
;
Hubler P.
;
Stephan R.
;
Greenlaw D.
;
Raab M.
;
Kepler N.
;
Chen H.
;
Chidambarrao D.
;
Fried D.
;
Holt J.
;
Lee W.
;
Nii H.
;
Panda S.
;
Sato T.
;
Waite A.
;
Liming S.
;
Rim K.
;
Schepis D.
;
Khare M.
;
Huang S.F.
;
Pellerin J.
;
Su L.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
97.
Integration of Cu and extra low-k dielectric (k=2.5~2.2) for 65/45/32nm generations
机译:
集成Cu和65/45 / 32nm世代的超低介电常数(k = 2.5〜2.2)
作者:
Su
;
Y.N.
;
Shieh
;
J.H.
;
Tsai
;
J.S.
;
Ting
;
C.Y.
;
Lin
;
C.H.
;
Chou
;
C.L.
;
Hsu
;
J.W.
;
Jang
;
S.M.
;
Liang
;
M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
98.
Lithography for manufacturing of sub-65nm nodes and beyond
机译:
用于制造65纳米以下节点的光刻技术
作者:
Lin B.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
99.
Local-damascene-finFET DRAM integration with p/sup +/ doped poly-silicon gate technology for sub-60nm device generations
机译:
具有p / sup + /掺杂多晶硅栅极技术的本地大马士革finFET DRAM集成,适用于60nm以下的器件世代
作者:
Yong-Sung Kim
;
Sang-Hyeon Lee
;
Soo-Ho Shin
;
Sung-Hee Han
;
Ju-Yong Lee
;
Jin-Woo Lee
;
Jun Han
;
Seung-Chul Yang
;
Joon-Ho Sung
;
Eun-Cheol Lee
;
Bo-Young Song
;
Dong-Jun Lee
;
Dong-Il Bae
;
Won-Suk Yang
;
Yang-Keun Park
;
Kyu-Hyun Lee
;
Byung-Hyuk Roh
;
Tae-Young Chung
;
Kinam Kim
;
Wonshik Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
100.
Long retention and low voltage operation using IrO/sub 2/HfAlO/HfSiO/HfalO gate stack for memory application
机译:
使用IrO / sub 2 / HfAlO / HfSiO / HfalO栅叠层实现存储器应用的长期保持和低压运行
作者:
Wang Y.Q.
;
Singh P.K.
;
Yoo W.J.
;
Yeo Y.C.
;
Samudra G.
;
Chin A.
;
Hwang W.S.
;
Chen J.H.
;
Wang S.J.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International》
|
2005年
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