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2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium
2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium
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1.
Physical and electrical characteristics for Si-doped GeSb
9
phase-change memory
机译:
掺Si的GeSb
9 inf>相变存储器的物理和电学特性
作者:
Perng Yu Hsun
;
Lin Shu Yu
;
Lai Wen Yen.
;
Chou Lih Hsin
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Ge-Sb alloy;
crystallization;
electrical properties;
failure analysis;
phase change random access memory;
silicon doping;
thermal propertied;
2.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
3.
From dielectric failure to memory function: Learning from oxide breakdown for improved understanding of resistive switching memories
机译:
从介电故障到存储功能:从氧化物击穿中学习,以更好地理解电阻式开关存储器
作者:
Sune Jordi
;
Miranda Enrique
;
Jimenez David
;
Long Shibing
;
Liu Ming
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
RRAM;
Resistive switching;
dielectric breakdown;
non-volatile memories;
percolation;
quantum point contact;
switching statistics;
threshold switching;
4.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
5.
Crystallinity and its influence on physical and magnetic properties in phase change magnetic materials
机译:
相变磁性材料的结晶度及其对物理和磁性能的影响
作者:
Huang J. C.
;
Song W. D.
;
Shi L. P.
;
Zhao R.
;
Chong T. C.
;
Bain J. A.
;
Schlesinger T. E.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Fe-doped;
FeGST;
Magnetic;
Phase-change;
6.
Sponsors
机译:
赞助商
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
7.
Characteristics of atomic layer deposition-derived all-high-k-based structures for flash memory application
机译:
原子层沉积衍生的全高k结构的闪存应用特性
作者:
Fu Y. Y.
;
Li A. D.
;
Liu X. J.
;
Li X. F.
;
Wu D.
;
Tang Z. J.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
ALD;
charge trapping flash memory;
nanocrystals;
8.
Circuit design for 128Mb PCRAM based on 40nm technology
机译:
基于40nm技术的128Mb PCRAM的电路设计
作者:
Cai Daolin
;
Chen Houpeng
;
Li Xi
;
Wang Qian
;
Song Zhitang
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
1D1R;
Geinf2/infSbinf2/infTeinf5/inf alloy;
PCRAM;
circuit design;
diode;
9.
Device model of phase change memory
机译:
相变存储器的设备型号
作者:
Gong Yuefeng
;
Rao Feng
;
Song Zhitang
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Finite Element Method;
modeling;
phase change memory;
simulation;
10.
Evaluation of OxRAM cell variability impact on memory performances through electrical simulations
机译:
通过电子仿真评估OxRAM单元的可变性对存储器性能的影响
作者:
Aziza H.
;
Bocquet M.
;
Portal J-M.
;
Muller C.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Oxide Resistive RAM (OxRRAM);
electrical simulation;
memory testing;
reliability;
variability;
11.
Materials engineering for Phase Change Random Access Memory
机译:
相变随机存取存储器的材料工程
作者:
Raoux Simone
;
Cheng Huai-Yu
;
Sandrini Jury
;
Li Jing
;
Jordan-Sweet Jean
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Phase Change Materials;
Phase Change Random Access Memory;
12.
Nonvolatile memories with controllable nanogap structures
机译:
具有可控纳米间隙结构的非易失性存储器
作者:
Furuta Shigeo
;
Masuda Yuichiro
;
Takahashi Tsuyoshi
;
Kumaragurubaran Somu
;
Ono Masatoshi
;
Suga Hiroshi
;
Naitoh Yasuhisa
;
Shimizu Tetsuo
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
13.
Fast pulse analysis of TiO
2
based RRAM nano-crossbar devices
机译:
TiO
2 inf>基RRAM纳米交叉开关器件的快速脉冲分析
作者:
Hermes C.
;
Lentz F.
;
Waser R.
;
Bruchhaus R.
;
Menzel S.
;
Fleck K.
;
Bottger U.
;
Wimmer M.
;
Salinga M.
;
Wuttig M.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Resistive switching;
TiOinf2/inf;
electroforming;
fast-pulse operation;
14.
Studies on nonvolatile resistance memory switching behaviors in InGaZnO thin films
机译:
InGaZnO薄膜中的非易失性电阻存储开关行为的研究
作者:
Chen Min-Chen
;
Chang Ting-Chang
;
Huang Sheng-Yao
;
Sze Simon M.
;
Tsai Ming-Jinn
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
IGZO thin film;
RRAM;
nonvolatile memory;
resistance switching;
15.
Investigation of resistive switching properties in Sm
2
O
3
memory devices
机译:
Sm
2 inf> O
3 inf>存储设备中的电阻开关特性研究
作者:
Huang Sheng-Yao
;
Chang Ting-Chang
;
Chen Min-Chen
;
Sze Simon M.
;
Tsai Ming-Jinn
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
RRAM;
Sminf2/infOinf3/inf thin film;
nonvolatile memory;
resistance switching;
16.
MOCVD GST for high speed and low current Phase Change Memory
机译:
MOCVD GST用于高速和低电流相变存储器
作者:
Zheng J. F.
;
Chen P.
;
Hunks W.
;
Li W.
;
Cleary J.
;
Reed J.
;
Ricker J.
;
Czubatyj W.
;
Schell C.
;
Sandoval R.
;
Hudgens S.
;
Dennison C.
;
Lowrey T.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
DRAM;
GST;
MOCVD;
Nonvolatile;
PCM;
17.
Spin-RAM for Normally-Off Computer
机译:
适用于常关计算机的Spin-RAM
作者:
Ando K.
;
Yakushiji K.
;
Kubota H.
;
Fukushima A.
;
Yuasa S.
;
Kai T.
;
Kishi T.
;
Shimomura N.
;
Aikawa H.
;
Yoshikawa M.
;
Nagase T.
;
Nishiyama K.
;
Kitagawa E.
;
Daibou T.
;
Amano M.
;
Takahashi S.
;
Nakayama M.
;
Ikegawa S.
;
Nagamine M.
;
Ozeki J.
;
Watanabe D.
;
Yoda
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
MTJ;
Spin-RAM;
TMR;
current-induced-magnetization-reversal;
perpendicular magnetization;
18.
Best students
机译:
最好的学生
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
19.
Committee
机译:
委员会
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
20.
Cover page
机译:
封面
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
21.
Front matter
机译:
前事
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
22.
High performance charge-trapping flash memory with highly-scaled trapping layer
机译:
高性能电荷陷阱闪存,具有高度可扩展的陷阱层
作者:
Chin Albert
;
Tsai C. Y.
;
Wang Hong
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
CT flash;
Charge-trapping flash;
ENT;
high-κ;
non-volatile memory;
23.
Overview of FeRAMs: Trends and perspectives
机译:
FeRAM概述:趋势和观点
作者:
Takashima Daisaburo
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
FeRAM;
chain FeRAM;
ferroelectric memory;
memory cell;
scaling;
24.
Information regarding technical inquiries
机译:
有关技术咨询的信息
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
25.
Table of contents
机译:
目录
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
26.
Welcome
机译:
欢迎
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
27.
Performance optimization for TANOS by using pre-treatment of plasma oxygenic ions
机译:
通过等离子体含氧离子预处理优化TANOS的性能
作者:
Xu Zhongguang
;
Huo Zongliang
;
Zhu Chenxin
;
Liu Jing
;
Liu Ming
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
MANOS;
high temperature PDA;
pre-treatment of plasma oxygenic irons;
retention;
28.
Investigation of charge trap and loss characteristics for charge trap memory by electrostatic force microscopy
机译:
用静电力显微镜研究电荷陷阱的电荷陷阱和损耗特性
作者:
Zhu Chenxin
;
Yang Rong
;
Huo Zongliang
;
Xu Zhongguang
;
Shi Dongxia
;
Liu Jing
;
Zhang Guangyu
;
Liu Ming
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
EFM;
PDA;
charge trap and loss;
high-k materials;
trapping layer;
29.
Modeling intrinsic and extrinsic asymmetry of 3D cylindrical gate/gate-all-around FETs for circuit simulations
机译:
为电路仿真建模3D圆柱栅极/全方位栅极FET的本征和非本征不对称
作者:
Venugopalan S.
;
Chauhan Y. S.
;
Lu D. D.
;
Karim M. A.
;
Niknejad Ali M.
;
Hu Chenming
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Asymmetric Transistor Modeling;
BSIM SPICE Compact Model;
Vertical Cylindrical/Surround Gate Transistor;
30.
Phase change and optical band gap behavior of Ge-Zn-Te chalcogenide films
机译:
Ge-Zn-Te硫族化物薄膜的相变和光学带隙行为
作者:
Wang Guoxiang
;
Nie Qiuhua
;
Shen Xiang
;
Xu Tiefeng
;
Dai Shixun
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
chalcogenide film;
optical band gap;
phase change;
31.
Simulation of novel phase change memory cell with Titanium Nitride heating layer
机译:
用氮化钛加热层模拟新型相变存储单元
作者:
Du Xiaofeng
;
Song Sannnian
;
Song Zhitang
;
Liu Weili
;
Gong Yuefeng
;
Gu Yifeng
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Joule-heating;
phase-change momory (PCM);
programming current;
thermal analysis;
titanium nitride (TiN);
32.
The influence of field-dependent carrier mobility and permittivity on space-charge-limited leakage current characteristics in high dielectric constant and ferroelectric thin films
机译:
场相关载流子迁移率和介电常数对高介电常数和铁电薄膜中受空间电荷限制的漏电流特性的影响
作者:
Xiao Y. G.
;
Tang M. H.
;
Li J. C.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Current-voltage characteristics;
Ferroelectric thin films;
Field dependent permittivity;
Space charge limited current;
33.
A novel read-while-write (RWW) algorithm for phase change memory
机译:
一种用于相变存储器的新颖的即写即读(RWW)算法
作者:
Sheng Ding
;
Zhitang Song
;
Houpeng Chen
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
DCW;
PV;
PCM;
RWW;
algorithm;
34.
Novel bipolar TaO
x
-based Resistive Random Access Memory
机译:
基于新型双极TaO
x inf>的电阻式随机存取存储器
作者:
Wu Wenjuan
;
Tong Xin
;
Zhao Rong
;
Shi Luping
;
Yang Hongxin
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
RRAM;
Resistive Random Access Memory;
TaOinfx/inf;
bipolar;
filament;
forming gas anneal (FGA);
35.
Cell-based models for the switching statistics of RRAM
机译:
基于单元的RRAM切换统计模型
作者:
Long Shibing
;
Cagli Carlo
;
Ielmini Daniele
;
Liu Ming
;
Sune Jordi
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
conductive filament cell-based analytical model;
resistive random access memory (RRAM);
resistive switching statistics;
36.
Electrical properties and microscopic structure of amorphous chalcogenides
机译:
非晶硫属化物的电学性质和微观结构
作者:
Ielmini D.
;
Lacaita A. L.
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
phase change materials;
phase change memory;
reliability modeling;
resistance drift;
structural relaxation;
37.
Hybrid SSD with PCM
机译:
PCM混合SSD
作者:
Liu Yining
;
Zhou Chuangshi
;
Cheng Xiaohua
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Hybrid;
PCM;
SSD;
data loss;
mapping information;
power failure;
38.
Thermal conductivity measurements of nitrogen-doped Ge
2
Sb
2
Te
5
机译:
掺杂氮的Ge
2 inf> Sb
2 inf> Te
5 inf>的热导率测量
作者:
Tan Chun Chia
;
Zhao Rong
;
Shi Luping
;
Chong Tow Chong
;
Bain James A.
;
Schlesinger T. E.
;
Malen Jonathan A.
;
Ong Wee Liat
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
Therml conductivity;
phase change materials;
39.
Composition control of Ge
x
Sb
y
Te
z
film for PCRAM application by chemical vapor deposition
机译:
通过化学气相沉积法在PCRAM中应用Ge
x inf> Sb
y inf> Te
z inf>膜的成分控制
作者:
Horiike Takafumi
;
Hamada Seiti
;
Uno Tomohiro
;
Machida Hideaki
;
Ishikawa Masato
;
Sudo Hiroshi
;
Ohshita Yoshio
;
Ogura Atsushi
会议名称:
《2011 11th Annual Non Volatile Memory Technology Symposium》
|
2011年
关键词:
CVD;
GeSbTe;
PCRAM;
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