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Semi Conductor Silicon 1998

召开年：1998
召开地：San Diego
出版时间：-

会议文集：-

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1.SELF-INTERSTITIALS IN SILICON

机译：硅中的自间质
- 作者：Alfred Seeger
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
2.Growth of Large Diameter (>10mm) Necks for Large Size CZ Silicon

机译：大型CZ硅大直径（> 10mm）颈的生长
- 作者：S. Chandrasekhar;K.M. Kim
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
3.X-RAY TOPOGRAPHY AND DEFECT CONTROL IN SILICON WAFER AND IC PROCESSING

机译：硅晶圆和IC处理中的X射线断层扫描和缺陷控制
- 作者：Gunter Schwuttke
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
4.HOW A PHYSICIST FELL IN LOVE WITH SILICON IN THE EARLY YEARS OF JAPANESE RD

机译：日本研发初期，物理学家如何爱上硅
- 作者：Makoto KIKUCHI
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
5.ORIGINS OF THE INTEGRATED CIRCUIT

机译：集成电路的起源
- 作者：Jack S. Kilby
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
6.CHARACTERIZATION OF NOVEL HIGH DIELECTRIC AND FERROELECTRIC FILMS BY SCANNING PROBE MICROSCOPY (SPM) TECHNIQUES

机译：通过扫描探针显微镜（SPM）技术表征新型高介电和铁电薄膜
- 作者：S. Landau;B.O. Kolbesen;R. Tillmann;R. Bruchhaus;A. Olbrich;E. Fritsch;C. Dehm;G. Schindler;W. Hartner;C. Mazure
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
7.REDUCTION OF GROWN-IN DEFECTS BY HIGH TEMPERATURE ANNEALING

机译：通过高温退火减少长大缺陷
- 作者：N.Adachi;T.Hisatomi;M.Sano;H.Tsuya
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
8.THE ROAD TO SILICON WAS PAVED WITH GERMANIUM

机译：硅之路铺上了锗
- 作者：Michael Riordan
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
9.LOW TEMPERATURE CLEAN FOR Si/SiGe EPITAXY FOR CMOS INTEGRATION OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

机译：Si / SiGe外延剂的低温清洁，用于异质结双极晶体管的CMOS集成
- 作者：D. Wolansky;B. Tillack;K. Blum;K.D. Bolze;K.D. Glowatzki;K. Koepke;D. Krueger;R. Kurps;G. Ritter;P. Schley
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
10.METHOD FOR CLEANING THE SURFACE OF A SILICON SUBSTRATE USING HYDROGEN FLUORIDE GAS AND HYDROGEN CHLORIDE GAS IN HYDROGEN AMBIENT

机译：用氢气中的氟化氢气体和氯化氢气体清洁硅基质表面的方法
- 作者：H. Habuka;T. Otsuka;M. Katayama
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
11.QUALITY ASPECTS OF CHEMICAL ETCHING OF SILICON

机译：硅化学刻蚀的质量方面
- 作者：Th. Bauer;L. Fabry;T. Teuschler;G. Schwab;M. Stadler
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
12.THE DEVELOPMENT OF SILICON IN EUROPE

机译：硅在欧洲的发展
- 作者：Diethard Huber
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
13.RADIAL DISTRIBUTION OF THERMALLY-INDUCED DEFECTS IN HEAVILY BORON-DOPED SILICON WAFERS

机译：掺硼硅片中热诱导缺陷的径向分布
- 作者：E. Asayama;T. Ono;M. Takeshita;M. Hourai;M. Sano;H. Tsuya
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
14.STRESS ANALYSIS OF LARGE DIAMETER SILICON WAFERS UNDER THERMAL PROCESSING

机译：热加工大直径硅晶圆的应力分析
- 作者：Ping Xin
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
15.SUPPRESSION OF DISLOCATION ACTIVITY IN STRAINED EPILAYERS

机译：应变外延中位移活动的抑制
- 作者：Kerstin Jurkschat;Steve G. Roberts
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
16.CALCULATION OF SLIP LENGTH IN 300 MM SILICON WAFERS DURING THERMAL PROCESSES

机译：热加工过程中300毫米硅晶片的滑动长度计算
- 作者：M. Akatsuka;K. Sueoka;H. Katahama;N. Adachi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
17.CONTROL OF NITROGEN INCORPORATION IN TUNNEL OXIDES USING IN-LINE NONCONTACT ELECTRICAL CHARACTERIZATION

机译：在线非接触电特性控制隧道氧化物中氮的掺入
- 作者：Brian Letherer;Greg Horner;Richard Cosway;Kelvin Catmull;Megan Peters
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
18.Defect Depth Profile in Si(l00) p/p~- Epitaxial Wafers

机译：Si（100）p / p〜-外延晶片中的缺陷深度分布
- 作者：R. Schmolke;D. Feijoo;R. Ostermeir;R. Schauer;S. Furukawa;D. Graef
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
19.EV-SITU HEAVY DOPING OF P AND B IN LOW-TEMPERATURE Si_(1-x)Ge_x EPITAXIAL GROWTH USING ULTRACLEAN LPCVD

机译：超低压LPCVD在低温Si_（1-x）Ge_x表观生长中P和B的EV-原位重掺杂
- 作者：Junichi MUROTA;Atsushi MORIYA;Masao SAKURABA;Cheol Jin LEE;Takashi MATSUURA
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
20.Modeling and Experiments on Wiresaw for Large Silicon Wafer Manufacturing

机译：大型硅晶圆生产线锯的建模与实验
- 作者：I. Kao;V. Prasad;F. P. Chiang;M. Bhagavat;S. Wei;M. Chandra;M. Costantini;P. Leyvraz;J. Talbott;K. Gupta
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
21.A NUMERICAL STUDY ON THE MACROSCOPIC KINETICS OF THE RING-OSF IN THE SILICON CZ GROWTH BY THE MODEL USING SELF-INTERSTITIALS AS THE DOMINANT DIFFUSORS

机译：以自生间隙为主导扩散模型的硅CZ生长中环-OSF宏观动力学的数值研究
- 作者：Naoki Ono;Kazuhiro Harada;Jun Furukawa;Kazuya Suzuki;Michio Kida;Yasushi Shimanuki
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
22.ROOM TEMPERATURE COPPER OUT-DIFFUSION FROM THE BULK OF SILICON WAFERS AND ITS BEHAVIOR FOLLOWING VARIOUS POSTANNEAL TREATMENTS

机译：各种硅片处理后室温硅铜散装扩散出来的铜及其行为
- 作者：C.McCarthy;M.Miyazaki;H.Horie;S.Okamoto;H.Tsuya
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
23.THE EFFECT OF CUSP CONFIGURATION ON TEMPERATURE AND FLOW FIELDS IN A MCZ MELT

机译：杯状结构对MCZ熔体温度和流场的影响
- 作者：Masahito Watanabe;Minoru Eguchi;Taketoshi Hibiya
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
24.THE INFLUENCE OF STATIC AND ROTATING MAGNETIC FIELDS ON HEAT AND MASS TRANSFER IN SILICON FLOATING ZONES

机译：静态和旋转磁场对硅浮区传热和传质的影响
- 作者：A. Croell;P. Dold;Th. Kaiser;F.R. Szofran;K.W. Benz
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
25.TURBULENT MELT CONVECTION AND ITS IMPLICATION ON LARGE DIAMETER SILICON CZOCHRALSKI CRYSTAL GROWTH

机译：湍流对流及其对大直径硅晶体的晶体生长的影响
- 作者：A. Seidl;G. Mueller;E. Dornberger;E. Tomzig;B. Rexer;W. v. Ammon
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
26.SIMULATION OF NON-UNIFORM GROWN-IN VOID DISTRIBUTIONS IN CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS

机译：直晶硅晶体中非均匀生长的空洞分布的模拟
- 作者：E. Dornberger;J. Esfandyari;J. Vanhellemont;D. Graef;U. Lambert;F. Dupret;W. von Ammon
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
27.FORMATION MECHANISM OF RING-LIKE DISTRIBUTION OF GROWN-IN-DEFECTS IN CZ-Si

机译：CZ-Si中缺陷的环状样分布的形成机理
- 作者：Bong Mo Park
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
28.Inhomogeneous Distributions of Substitutional Transition Metal Defects in Float Zone Silicon Crystals

机译：浮动区硅晶体中取代过渡金属缺陷的不均匀分布
- 作者：H. Lemke;W. Zulehner;B. Hallmann
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
29.Si AND SiGe SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH BY UHV-CVD

机译：通过UHV-CVD进行Si和SiGe选择性表观生长
- 作者：Toru Tatsumi;Keiko Aoyama
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
30.THE INVENTION OF THE POINT-CONTACT TRANSISTOR: A CASE STUDY IN SERENDIPITY

机译：点接触式晶体管的发明：一个偶然性的案例研究
- 作者：Ralph Bray
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
31.CHARACTERIZATION OF 300 MM SILICON POLISHED WAFERS

机译：300毫米硅抛光晶片的特性
- 作者：Chi Au;Troy Messina;Randal K. Goodall;Howard R. Huff
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
32.DIAGNOSTIC BASIS FOR SILICON WAFER ENGINEERING AND DEFECT SCIENCE

机译：硅晶片工程与缺陷科学的诊断基础
- 作者：George Rozgonyi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
33.Growth of Silicon Oxynitride Films in NO-O_2 Gas Mixtures

机译：氮氧化硅膜在NO-O_2混合气体中的生长
- 作者：M. L. Green;D. Brasen;B. J. Sapjeta;T. W. Sorsch;G. Timp;W. N. Lennard;E. Gusev;H. C. Lu;E. Garfunkel;T. Gustafsson
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
34.HIGHLIGHTS OF SILICON THERMAL OXIDATION TECHNOLOGY

机译：硅热氧化技术的重点
- 作者：Bruce E. Deal
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
35.HYDROGEN ANNEAL OF SILICON WAFER FORMATION OF HIGH QUALITY DEVICE ACTIVE LAYER

机译：高质量器件有源层硅晶片形成的氢退火
- 作者：Y. Matsushita;M. Sanada;A. Tanabe;R. Takeda;N. Shimoi;N. Kobayashi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
36.INFLUENCE OF BORON ADDITION INTO SILICON MELTS ON OXYGEN ATOM BEHAVIOR IN CZ PULLING SYSTEM

机译：硅熔体中硼的添加对CZ拉制系统中氧原子行为的影响
- 作者：Kazutaka Terashima;Keisei Abe;Susumu Maeda;Hideo Nakanishi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
37.INTEGRATION OF HIGH PERMITTIVITY FERROELECTRIC MATERIALS WITH SILICON

机译：高介电常数铁电材料与硅的集成
- 作者：Angus I Kingon;Stephen K Streiffer
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
38.INTRINSIC POINT DEFECTS AND REACTIONS IN THE GROWTH OF LARGE SILICON CRYSTALS

机译：大硅晶体生长中的内在缺陷和反应
- 作者：R. Falster;V.V. Voronkov;J.C. Holzer;S. Markgraf;S. McQuaid;L. MuleStagno
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
39.KEY ADVANCES IN Si DEVICE PHYSICS AND TECHNOLOGY ～ ALL ABOUT THE INTRINSIC LAYER ～

机译：硅器件物理和技术的主要进展〜关于本征层〜
- 作者：Jun-ichi Nishizawa
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
40.MATERIALS RESEARCH IN EARLY SILICON VALLEY-AND EARLIER YET

机译：早期硅谷和早期的材料研究
- 作者：Hans J. Queisser
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
41.MATHEMATICAL MODELING OF THE GROWTH OF LARGE DIAMETER CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS CONSIDERING MELT DYNAMICS

机译：考虑熔体动力学的大直径CCHOCHRALSKI硅晶体生长的数学模型
- 作者：F. Dupret;N. Van den Bogaert;R. Assaker;V. Regnier
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
42.MODELING MICRODEFECT FORMATION IN CZOCHRALSKI SILICON

机译：直晶硅微缺陷形成模型
- 作者：Talid Sinno;Robert A. Brown
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
43.NATURE AND GENERATION OF GROWN-IN DEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON CRYSTALS

机译：长方体硅晶体长大缺陷的性质和产生
- 作者：M. Hourai;H. Nishikawa;T. Tanaka;S. Umeno;E. Asayama;T. Nomachi;G. Kelly
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
44.A HISTORY AND FUTURE OF SILICON CRYSTAL GROWTH

机译：硅晶体生长的历史和未来
- 作者：Takao Abe
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
45.OXYGEN AGGREGATION AND INTERACTIONS WITH CARBON AND HYDROGEN

机译：氧的聚集以及与碳和氢的相互作用
- 作者：R C Newman
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
46.PATHWAYS TO DRAM DESIGN AND TECHNOLOGY FOR THE 21ST CENTURY

机译：进入21世纪DRAM设计和技术的途径
- 作者：Kiyoo Itoh;Hideo Sunarai;Kazuo Nakazato;Masashi Horiguchi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
47.RESEARCH AND DEVELOPMENT OF SUPER SILICON WAFERS

机译：超级硅晶片的研究与开发
- 作者：K. Takada;H. Yamagishi;H. Minami;M. Imai
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
48.SILICON DEFECTS IN SILICON TECHNOLOGY

机译：硅技术中的硅缺陷
- 作者：S. M. Hu
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
49.Surface States and Device Performance

机译：表面状态和设备性能
- 作者：Yoshio Nishi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
50.The Characterization of 0.lum LPD (Light Point Defect) Patterns in Mass Production of Silicon Wafer

机译：硅片批量生产中0.lum LPD（光点缺陷）图案的表征
- 作者：Han-Seog Oh;Hyun-Jae Maeng;Ki-Man Bae;Jong-Rok Kim;Young-Ki Hong;Ji-Shik Shin;Jae-Hoon Kwon;George A. Rozgonyi;Hong-Lim Lee
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
51.THE FOUR - LAYER DIODE IN THE CRADLE OF SILICON VALLEY

机译：硅谷摇篮中的四层二极管。
- 作者：Kurt Hubner
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
52.THE HISTORY OF LOCOS

机译：洛科斯的历史
- 作者：Else Kooi
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
53.The Invention of the Transistor -'An Example of Creative-Failure Methodology'

机译：晶体管的发明-“创新失败方法论的例子”
- 作者：William Shockley
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
- creative-failure methodology;
- invention of transistor;
- junction transistor;
- patents;
- semicon-ductor amplifiers;
- will-to think;
54.THE TANGLED HISTORY OF SILICON IN ELECTRONICS

机译：电子中硅的纠缠历史
- 作者：Frederick Seitz;Norman G. Einspruch
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
55.Tunnel Current and Wearout Phenomena in Sub-5nm Gate Oxides

机译：5nm以下栅极氧化物中的隧道电流和损耗现象
- 作者：M. Hirose;W. Mizubayashi;M. Fukuda;S. Miyazaki
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年
56.WAFER CLEANING: A QUANTIFIABLE PROCESS STEP

机译：晶圆清洗：可量化的处理步骤
- 作者：P.W. Mertens;L.M. Loewenstein;R. Vos;S. De Gendt;T. Bearda;M.M. Heyns
- 会议名称：《Semi Conductor Silicon 1998》 | 1998年