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Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on
召开年:
1998
召开地:
Tsukuba
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Expectations for InP-based photonic and electronic devices in future telecommunication systems
机译:
对未来电信系统中基于InP的光电子设备的期望
作者:
Ogawa
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
2.
Reliability of 1.55 /spl mu/m DFB lasers for use in dense-WDM systems
机译:
1.55 / spl mu / m DFB激光器在密集WDM系统中使用的可靠性
作者:
Wilt
;
D.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
3.
An all-epitaxial InP-based 1.55 /spl mu/m VCSEL process with defect-free Al/sub x/O/sub y//GaAs distributed Bragg reflector mirrors
机译:
全外延基于InP的1.55 / spl mu / m VCSEL工艺,具有无缺陷的Al / sub x / O / sub y // GaAs分布式布拉格反射镜
作者:
Gebretsadik
;
H.
;
Kamath
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
4.
Carrier lifetime in p-doped InGaAs and InGaAsP
机译:
p掺杂InGaAs和InGaAsP中的载流子寿命
作者:
Sermage B.
;
Benchimol J.L.
;
Cohen G.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
5.
Carrier relaxation enhanced by optical confinement in InP/InGaAs phase-shifted distributed Bragg reflector
机译:
InP / InGaAs相移分布式布拉格反射器中的光学限制增强了载流子弛豫
作者:
Ogawa
;
K.
;
Matsui
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
6.
Cooling rate dependence of dislocation density in InP/Si from growth temperature to room temperature
机译:
从生长温度到室温,InP / Si中位错密度的冷却速率依赖性
作者:
Tachikawa
;
M.
;
Mori
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
7.
Effect of InP passivation on carrier recombination in In/sub x/Ga/sub 1-x/As/GaAs surface quantum wells
机译:
InP钝化对In / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs表面量子阱中载流子复合的影响
作者:
Lipsanen
;
H.
;
Sopanen
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
8.
Electrical and FT-IR measurements of undoped n-type InP materials grown from various stoichiometric melts
机译:
从各种化学计量的熔体生长的未掺杂n型InP材料的电学和FT-IR测量
作者:
Chen
;
X.D.
;
Sun
;
N.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
9.
High reliability of 1.55 /spl mu/m current-blocking grating complex-coupled DFB lasers
机译:
1.55 / spl mu / m的电流阻挡光栅复耦合DFB激光器的高可靠性
作者:
Hung-Pin Shiao
;
Chi-Yu Wang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
10.
Highly uniform regrown In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/AlAs/InAs resonant tunneling diodes on In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As
机译:
In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As上高度均匀的In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / AlAs / InAs谐振隧穿二极管
作者:
Osaka
;
J.
;
Maczawa
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
11.
Integrated BRS/ridge transmit receive device fabrication using well established III-V material technology
机译:
采用成熟的III-V材料技术的集成BRS /脊式发射接收设备制造
作者:
Plais
;
A.
;
Chaumont
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
12.
Non-destructive photoreflectance characterization of sheet carrier density in InAlAs/InGaAs HEMTs
机译:
InAlAs / InGaAs HEMT中薄层载流子密度的无损光反射特性
作者:
Sugiyama
;
H.
;
Yokoyama
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
13.
Ruthenium a new thermally stable compensator in InP
机译:
钌是InP中的新型热稳定补偿器
作者:
Dadgar A.
;
Stenzel O.
;
Kohne L.
;
Naser A.
;
Strassburg M.
;
Stolz W.
;
Schumann H.
;
Bimberg D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
14.
Technology roadmap for opto-information technology in the 21st century
机译:
21世纪光信息技术的技术路线图
作者:
Arakawa
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
15.
Ultrafast all-optical switching at 1.3 /spl mu/m/1.55 /spl mu/m using a novel InGaAs/AlAsSb/InP coupled double quantum well structure for intersubband transitions
机译:
使用新型InGaAs / AlAsSb / InP耦合双量子阱结构进行子带间跃迁,以1.3 / spl mu / m / 1.55 / spl mu / m的超快全光切换
作者:
Yoskida
;
H.
;
Mozume
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
16.
Very low threshold current density 1.3 /spl mu/m-InAsP/InGaAsP strained quantum well GRINSCH lasers grown by gas source MBE
机译:
气体源MBE产生的非常低的阈值电流密度1.3 / spl mu / m-InAsP / InGaAsP应变量子阱GRINSCH激光器
作者:
Chung
;
H.Y.A.
;
Stareev
;
G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
17.
Waveguide-integrated InP/InGaAs/InAlGaAs MSM photodetector for operation at 1.3 and 1.55 /spl mu/m
机译:
集成波导的InP / InGaAs / InAlGaAs MSM光电探测器,工作频率为1.3和1.55 / spl mu / m
作者:
Kollakowski
;
S.
;
Droge
;
E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
18.
Characteristics of a highly mismatched In/sub x/Ga/sub 1-x/As/AlGaAs (0/spl les/x/spl les/0.5) HEMT on a GaAs substrate
机译:
GaAs衬底上高度不匹配的In / sub x / Ga / sub 1-x / As / AlGaAs(0 / spl les / x / spl les / 0.5)HEMT的特性
作者:
Mitsunaka
;
T.
;
Maezawa
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
19.
Complex-coupled DFB lasers based on a current modulation concept
机译:
基于电流调制概念的复耦合DFB激光器
作者:
Tohmon R.
;
Takahashi Y.
;
Kikugawa T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
20.
Design and fabrication of a waveguide photodiode for 1.55-/spl mu/m band access receivers
机译:
用于1.55- / spl mu / m频带访问接收器的波导光电二极管的设计和制造
作者:
Takeuchi
;
T.
;
Nakata
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
21.
Development of a period of three-dimensional photonic crystal operating at optical wavelength region
机译:
在光波长区域工作的三维光子晶体周期的发展
作者:
Yamamoto
;
N.
;
Noda
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
22.
Dry etch recess of an InGaAs/InAlAs/InP HEMT like structure using a low energy high density SiCl/sub 4/ plasma (ICP)
机译:
使用低能量高密度SiCl / sub 4 /等离子体(ICP)的InGaAs / InAlAs / InP HEMT类结构的干法蚀刻凹槽
作者:
Maher
;
H.
;
Etrillard
;
J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
23.
Effect of a p-AlInAs electron stopper layer in 1.3 /spl mu/m AlGaInAs/InP strained multiple quantum well lasers
机译:
p / AlInAs电子阻挡层在1.3 / spl mu / m AlGaInAs / InP应变多量子阱激光器中的作用
作者:
Takemasa
;
K.
;
Munakata
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
24.
Electroabsorption modulator integrated distributed feedback laser with a negative chirp at zero bias voltage
机译:
电吸收调制器集成的分布式反馈激光器,零偏压下具有负chi
作者:
Oshiba
;
S.
;
Nakamura
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
25.
Extended cavity lasers in InGaAs-InGaAsP and InGaAlP-GaAs multi-quantum well structure using a sputtered SiO/sub 2/ technique
机译:
InGaAs-InGaAsP和InGaAlP-GaAs多量子阱结构中的扩展腔激光器,采用溅射SiO / sub 2 /技术
作者:
Qiu
;
B.C.
;
Hamilton
;
C.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
26.
Growth of low EPD and homogeneous 2' InP crystals using a newly developed thermal baffle
机译:
使用新开发的热障板生长低EPD和均质2“ InP晶体
作者:
Hirano
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
27.
Highly uniform waveguide photodiodes fabricated on a 2-inch wafer with low darkcurrent and high responsivity
机译:
在2英寸晶圆上制造的高度均匀的波导光电二极管,具有低暗电流和高响应度
作者:
Funabashi
;
M.
;
Nishikata
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
28.
History and highlights, a chronicle of IPRM
机译:
IPRM的历史和重点
作者:
Lorenzo J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
29.
Low damage dry-etched grating on a MQW active layer and dislocation-free InP regrowth for 1.55 /spl mu/m complex-coupled DFB lasers fabrication
机译:
MQW有源层上的低损伤干蚀刻光栅,无错位InP再生长,用于1.55 / spl mu / m复耦合DFB激光器制造
作者:
Talneau
;
A.
;
Bouadma
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
30.
Molecular beam epitaxial growth of InP using a valved phosphorus cracker cell: optimization of electrical, optical and surface morphology characteristics
机译:
使用带阀磷裂化器池的InP分子束外延生长:电,光学和表面形态特征的优化
作者:
Yoon
;
S.F.
;
Zheng
;
H.Q.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
31.
Monolithically integrated transceivers on InP: the development of a generic integration concept and its technological challenges
机译:
InP上的单片集成收发器:通用集成概念的发展及其技术挑战
作者:
Kaiser
;
R.
;
Hamacher
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
32.
A 25 period InAs/sub 0.54/P/sub 0.46//In/sub 0.89/Ga/sub 0.11/P MQW for 1.55 /spl mu/m modulation grown by solid source MBE
机译:
固态源MBE生长的1.55 / spl mu / m调制的25个周期的InAs / sub 0.54 / P / sub 0.46 // In / sub 0.89 / Ga / sub 0.11 / P MQW
作者:
Farley
;
R.J.
;
Haywood
;
S.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
33.
A high-speed resonant tunneling flip-flop circuit employing a monostable-bistable transition logic element (MOBILE) with an SCFL-type output buffer
机译:
高速谐振隧道触发器电路,采用单稳态-双稳态过渡逻辑元件(MOBILE)和SCFL型输出缓冲器
作者:
Maezawa
;
K.
;
Matsuzaki
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
34.
A new high-pressure system for synthesis and crystal growth of large diameter InP
机译:
一种用于大直径InP合成和晶体生长的新型高压系统
作者:
Bliss
;
D.
;
Bryant
;
G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
35.
A proposal for improving cutoff-frequency breakdown-voltage products of HEMTs
机译:
改善HEMT的截止频率击穿电压产物的建议
作者:
Tsukurimichi
;
H.
;
Hashimoto
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
36.
A surface-normal asymmetric Fabry-Perot modulator at 1.3 /spl mu/m using the Wannier-Stark effect of an InP/InGaAsP superlattice
机译:
利用InP / InGaAsP超晶格的Wannier-Stark效应在1.3 / spl mu / m的表面法向非对称Fabry-Perot调制器
作者:
Tadanaga
;
O.
;
Kagawa
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
37.
A travelling wave electrode Mach-Zehnder 40 Gb/s demultiplexer based on strain compensated GaInAs/AlInAs tunnelling barrier MQW structure
机译:
基于应变补偿的GaInAs / AlInAs隧穿势垒MQW结构的行波电极Mach-Zehnder 40 Gb / s解复用器
作者:
Morl
;
L.
;
Bornholdt
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
38.
Planar selective re-growth around a dry-etched mesa along the 11~0 direction by addition of HCl during MOCVD growth
机译:
在MOCVD生长期间,通过添加HCl,沿11〜0方向在干蚀刻台面周围选择性地重新生长
作者:
Suzuki
;
D.
;
Kimura
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
39.
Room temperature cw operation in GaInAsP/InP microdisk laser with record low threshold of 150 /spl mu/A
机译:
GaInAsP / InP微型光盘激光器在室温下连续工作,记录阈值低至150 / spl mu / A
作者:
Fujita
;
M.
;
Inoshita
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
40.
AlInAs/GaInAs metamorphic HEMT's on GaAs substrate: from material to device
机译:
GaAs衬底上的AlInAs / GaInAs变质HEMT:从材料到器件
作者:
Cordier
;
Y.
;
Bollaert
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
41.
All epitaxial single-fused 1.55 /spl mu/m vertical cavity laser based on an InP Bragg reflector
机译:
基于InP Bragg反射镜的所有外延单熔1.55 / spl mu / m垂直腔激光器
作者:
Rapp
;
S.
;
Salomonsson
;
F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
42.
All-solid-source MBE growth of AlGaInAsP-based optoelectronic devices
机译:
基于AlGaInAsP的光电器件的全固态MBE增长
作者:
Pessa
;
M.
;
Toivonen
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
43.
An effect of size fluctuation on photoluminescence peak width of closely stacked InAs self-assembled quantum dot structures
机译:
尺寸波动对紧密堆积的InAs自组装量子点结构的光致发光峰宽的影响
作者:
Endoh
;
A.
;
Nakata
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
44.
An experimental study of the relaxation behaviour of strained Ga/sub 1-x/In/sub x/P layers grown on GaAs
机译:
GaAs上生长的应变Ga / sub 1-x / In / sub x / P层弛豫行为的实验研究
作者:
Schuler
;
O.
;
Wallart
;
X.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
45.
Analysis of the photoreflectance spectra of GaInAsP/GaInAsP multi-quantum well structures
机译:
GaInAsP / GaInAsP多量子阱结构的光反射光谱分析
作者:
Glew
;
R.W.
;
Gray
;
M.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
46.
Analytic simulation of impact ionization in InAlAs/InGaAs HFET's
机译:
InAlAs / InGaAs HFET中碰撞电离的解析模拟
作者:
Auer U.
;
Brockerhoff W.
;
Prost W.
;
Tegude F.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
47.
Angled facet spot-size-converter integrated SOA with S-shaped waveguide
机译:
带S形波导的成角度小平面点尺寸转换器集成SOA
作者:
Tamanuki
;
T.
;
Kitamura
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
48.
Anomalous reactivity of InAs-deposited GaAs surfaces
机译:
InAs沉积GaAs表面的反常反应性
作者:
Sasaki M.
;
Yamamoto S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
49.
Broadband noise model for InP/InGaAs HBTs
机译:
InP / InGaAs HBT的宽带噪声模型
作者:
Huber A.
;
Bergamasch C.
;
Morf T.
;
Jackel H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
50.
Carrier transport effects in 1.3 /spl mu/m MQW InGaAsP laser design
机译:
1.3 / spl mu / m MQW InGaAsP激光器设计中的载流子传输效应
作者:
Silfvenius
;
C.
;
Landgren
;
G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
51.
Comparative investigation of gate leakage current in single and double channel InP HEMT
机译:
单通道和双通道InP HEMT栅极泄漏电流的比较研究
作者:
Ladner
;
C.
;
Berthelemot-Aupetit
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
52.
Composite channel HEMTs for millimeter-wave power applications
机译:
毫米波功率应用的复合通道HEMT
作者:
Chevalier P.
;
Wallart X.
;
Mollot F.
;
Bonte B.
;
Fauquembergue R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
53.
Controlled formation of high Schottky barriers on InP and related materials
机译:
在InP和相关材料上受控形成高肖特基势垒
作者:
Hasegawa
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
54.
Dark current optimisation of 2.5 /spl mu/m wavelength, 2 mismatched InGaAs photodetectors on InP
机译:
优化InP上2.5 / spl mu / m波长的暗电流,2%不匹配的InGaAs光电探测器
作者:
DHondt
;
M.
;
Moerman
;
I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
55.
Development of 4-inch diameter InP single crystal with low dislocation density using VCZ method
机译:
用VCZ方法开发低位错密度的4英寸直径InP单晶
作者:
Hosokawa
;
Y.
;
Yabuhara
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
56.
DLTS and current transport studies of metal/InGaAs Schottky contacts
机译:
DLTS和金属/ InGaAs肖特基接触的电流传输研究
作者:
He
;
L.
;
Cheng
;
K.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
57.
Does quantum well with mass-dependent width work well in long wavelength?
机译:
质量与宽度有关的量子阱在长波长下是否工作良好?
作者:
Kato
;
M.
;
Tada
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
58.
Dry etching process in InP Gunn device technology utilizing inductively coupled plasma (ICP) system
机译:
InP Gunn器件技术中的干法蚀刻工艺,采用感应耦合等离子体(ICP)系统
作者:
Liu
;
J.Q.
;
Zybura
;
M.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
59.
Effect of carrier dynamics on quantum-dot laser performance
机译:
载流子动力学对量子点激光性能的影响
作者:
Sugawara M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
60.
Effect of growth conditions on Si doping into InAlAs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
机译:
生长条件对金属有机气相外延生长Si掺杂InAlAs的影响
作者:
Goto
;
S.
;
Ueda
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
61.
Effect of phosphine plasma on suppression of plasma-induced defects in InGaAs
机译:
磷化氢等离子体对InGaAs等离子体诱导的缺陷抑制的影响
作者:
Sugino
;
T.
;
Miyazaki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
62.
Effects of an InGaP electron barrier layer on 1.55 /spl mu/m laser diode performance
机译:
InGaP电子阻挡层对1.55 / spl mu / m激光二极管性能的影响
作者:
Abraham
;
P.
;
Piprek
;
J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
63.
Effects of thermal annealing on InAsP/GaInP strain-compensated multiple quantum wells
机译:
热退火对InAsP / GaInP应变补偿多量子阱的影响
作者:
Mei
;
X.B.
;
Tu
;
C.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
64.
Efficiency of photoluminescence up-conversion at (Al/sub 0.5/Ga/sub 0.5/)/sub 0.5/In/sub 0.5/P and GaAs heterointerface
机译:
Ga(Al / sub 0.5 / Ga / sub 0.5 /)/ sub 0.5 / In / sub 0.5 / P和GaAs异质界面的光致发光上转换效率
作者:
Yamashita
;
K.
;
Kita
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
65.
Electrical characterization of CdS passivation on InP
机译:
InP上CdS钝化的电学表征
作者:
He L.
;
Dauplaise H.
;
Davis A.
;
Martin E.
;
Spaziani S.
;
Vaccaro K.
;
Waters W.
;
Lorenzo J.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
66.
Electrical evaluation of dry etching damage on the side wall of mesa structure
机译:
台面结构侧壁干蚀刻损伤的电学评估
作者:
Yamamoto
;
N.
;
Mawatari
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
67.
Electrochemical etching in wet-chemical gate recess for InAlAs/InGaAs heterojunction FETs
机译:
InAlAs / InGaAs异质结FET的湿化学栅凹槽中的电化学蚀刻
作者:
Dong Xu
;
Enoki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
68.
Enhancement of characteristic temperature in In/sub 0.81/Ga/sub 0.19/As/InGaAsP multiple quantum well laser operating at 1.74 /spl mu/m for laser monitor
机译:
In / sub 0.81 / Ga / sub 0.19 / As / InGaAsP多量子阱激光器中以1.74 / spl mu / m工作的特征温度的增强,用于激光监控器
作者:
Ubukata
;
A.
;
Jie Dong
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
69.
Enhancement-mode InP-based HEMT devices and applications
机译:
基于InP的增强模式HEMT设备和应用
作者:
Adesida I.
;
Mahajan A.
;
Cueva G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
70.
Evaluation of differential gain of 1.3 /spl mu/m AlGaInAs/InP strained MQW lasers
机译:
评估1.3 / spl mu / m AlGaInAs / InP应变MQW激光器的差分增益
作者:
Ishikawa
;
T.
;
Higashi
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
71.
Evaluation of InAlAs Schottky characteristics grown by MOCVD
机译:
MOCVD法生长InAlAs肖特基特性的评估
作者:
Ohshima T.
;
Moriguchi H.
;
Shigemasa R.
;
Gotoh S.
;
Tsunotani M.
;
Kimura T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
72.
Evaluation of internal efficiency and waveguide loss of 50 nm-period GaInAsP/InP quantum-wire lasers
机译:
评估50 nm周期GaInAsP / InP量子线激光器的内部效率和波导损耗
作者:
Kojima
;
T.
;
Nakaya
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
73.
Experimental development and incorporation of strain in p-type GaAsSb/InAlAs single metal heterostructure field effect transistors
机译:
p型GaAsSb / InAlAs单金属异质结构场效应晶体管的实验开发和应变吸收
作者:
Cerny
;
C.
;
Kaspi
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
74.
Extremely large refractive index of strained GaInNAs thin films
机译:
GaInNAs应变薄膜的折射率非常大
作者:
Kitatani T.
;
Kondow M.
;
Shinoda K.
;
Yazawa Y.
;
Okai M.
;
Uomi K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
75.
Fabrication and characterization of InAs/AlGaSb quantum wire transistors
机译:
InAs / AlGaSb量子线晶体管的制备与表征
作者:
Maemoto
;
T.
;
Yamamoto
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
76.
Fabrication of 1.55 /spl mu/m oxidized VCSELs with top metamorphic GaAs/GaAlAs and bottom InP/InGaAsP Bragg reflectors
机译:
用顶部变质GaAs / GaAlAs和底部InP / InGaAsP布拉格反射器制造1.55 / spl mu / m氧化VCSEL
作者:
Starck
;
C.
;
Plais
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
77.
Fabrication of InGaAs quantum-wire field-effect transistor by selective growth in molecular beam epitaxy
机译:
通过选择性生长分子束外延制备InGaAs量子线场效应晶体管
作者:
Sugaya
;
T.
;
Takahashi
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
78.
Fabrication of InGaAs/GaAs DFB quantum wire lasers using V-grooved substrates
机译:
使用V型槽衬底制造InGaAs / GaAs DFB量子线激光器
作者:
Toda
;
T.
;
Reinhardt
;
F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
79.
Fe doping and preparation of semi insulating InP by wafer annealing under Fe phosphide vapor pressure
机译:
铁的掺杂和磷化铁蒸气压下晶片退火制备半绝缘InP
作者:
Uchida
;
M.
;
Asahi
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
80.
First multi-mode interference devices fabricated by metal-organic vapor phase diffusion enhanced selective area epitaxy
机译:
通过金属有机气相扩散制造的首个多模干涉器件增强了选择性区域外延
作者:
Bouda
;
M.
;
Kaida
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
81.
First principles band structure calculation and electron transport for strained InAs
机译:
应变InAs的第一原理能带结构计算和电子传输
作者:
Hori
;
Y.
;
Miyamoto
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
82.
Focused ion beam implantation for gain coupled 1.55 /spl mu/m DFB-laser diodes with improved device characteristics
机译:
聚焦离子束注入用于增益耦合的1.55 / splμ/ m DFB激光二极管,具有改善的器件特性
作者:
Konig
;
H.
;
Reithmaier
;
J.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
83.
Fully quaternary In/sub 0.52/(Al/sub 1-x/Ga/sub x/)/sub 0.48/As/In/sub 0.53/(Al/sub x/Ga/sub 1-x/)/sub 0.47/As (x=0.1, 0.2) heterostructures on InP for HFETs
机译:
完全四元In / sub 0.52 /(Al / sub 1-x / Ga / sub x /)/ sub 0.48 / As / In / sub 0.53 /(Al / sub x / Ga / sub 1-x /)/ sub 0.47 / HFET的InP上的(x = 0.1,0.2)异质结构
作者:
Lai
;
L.S.
;
Chan
;
Y.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
84.
GaAs and InP nano-hole arrays fabricated by reactive beam etching using highly ordered alumina membranes
机译:
通过使用高度有序的氧化铝膜进行反应束刻蚀制造的GaAs和InP纳米孔阵列
作者:
Nakao
;
M.
;
Oku
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
85.
Gain spectral characteristics of GaInAsP/InP quantum-wire lasers
机译:
GaInAsP / InP量子线激光器的光谱特性
作者:
Nakaya H.
;
Kojima T.
;
Tanaka S.
;
Yasumoto H.
;
Tamura S.
;
Arai S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
86.
GaInAsP/InP attenuator integrated waveguide photodetector (AIPD) based on the Franz-Keldysh effect
机译:
基于Franz-Keldysh效应的GaInAsP / InP衰减器集成波导光电探测器(AIPD)
作者:
Yokouchi
;
N.
;
Yoshida
;
J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
87.
Growth and optical properties of self-assembled type II GaSb/GaAs quantum dots
机译:
自组装II型GaSb / GaAs量子点的生长和光学性质
作者:
Suzuki
;
K.
;
Hogg
;
R.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
88.
Growth of AlInGaP in multiwafer planetary reactors(R)
机译:
多晶片行星反应堆中AlInGaP的生长(R)
作者:
Beccard R.
;
Protzmann H.
;
Schmitz D.
;
Strauch D.
;
Heuken M.
;
Juergensen H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
89.
Growth of atomically smooth ultra-thin InSb layers on GaAs substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在GaAs衬底上生长原子光滑的超薄InSb层
作者:
Kanisawa
;
K.
;
Yamaguchi
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
90.
Growth of TlInGaAs on InP by gas source MBE
机译:
气源MBE在InP上生长TlInGaAs
作者:
Takenaka K.
;
Asahi H.
;
Koh H.
;
Asami K.
;
Gonda S.
;
Oe K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
91.
Growth-twinning in zincblende crystals: further insights from studies of liquid encapsulated Czochralski (LEC) grown InP single crystals
机译:
闪锌矿晶体中的孪生增长:液体封装的直拉晶体(LEC)生长的InP单晶研究的进一步见解
作者:
Chung
;
H.
;
Dudley
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
92.
HF characteristics of InP-based HFETs grown at extremely low temperatures of 300/spl deg/C and below
机译:
在300 / spl deg / C和更低的极低温度下生长的InP基HFET的HF特性
作者:
Lee
;
L.H.
;
Kunze
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
93.
High breakdown voltage and high f/sub max/ InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs
机译:
GaAs上的高击穿电压和f / sub max / InAlAs / InGaAs HEMT
作者:
Higuchi
;
K.
;
Matsumoto
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
94.
High output-power operation of 1.3 /spl mu/m gain-coupled DFB laser with narrow spectral-linewidth
机译:
窄谱线宽度的1.3 / splμ/ m增益耦合DFB激光器的高输出功率工作
作者:
Inaba
;
Y.
;
Kito
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
95.
High performance buried heterostructure 1.55 /spl mu/m wavelength AlGaInAs/InP multiple quantum well lasers grown entirely by MOVPE technique
机译:
完全通过MOVPE技术生长的高性能隐埋异质结构1.55 / splμ/ m波长AlGaInAs / InP多量子阱激光器
作者:
Tawee Tanbun-Ek
;
Chu
;
S.N.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
96.
High performance laterally gain coupled InGaAs/AlGaAs DFB lasers
机译:
高性能横向增益耦合InGaAs / AlGaAs DFB激光器
作者:
Kamp M.
;
Hofmann J.
;
Forchel A.
;
Schafer F.
;
Reithmaier J.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
97.
High power 1.48 /spl mu/m DC-PBH LDs fabricated by all selective MOVPE (ASM) technology
机译:
采用全选择性MOVPE(ASM)技术制造的高功率1.48 / splμ/ m DC-PBH LD
作者:
Hosoda
;
T.
;
Sasaki
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
98.
High quality InGaAsN growth by MOVPE using N/sub 2/ carrier gas and dimethylhydrazine, tertiarybutylarsine as group V precursors
机译:
MOVPE使用N / sub 2 /载气和二甲基肼,叔丁基butyl啶作为V组前体的高质量InGaAsN生长
作者:
Ougazzaden
;
A.
;
Rao
;
E.V.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
99.
High reliable InGaAsP buried heterostructure laser diode fabricated by Cl/sub 2//N/sub 2/-RIBE and MOVPE
机译:
Cl / sub 2 // N / sub 2 / -RIBE和MOVPE制成的高可靠性InGaAsP埋入异质结构激光二极管
作者:
Chino
;
T.
;
Ishino
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
100.
High sensitivity 12 Gb/s monolithically integrated pin-HEMT photoreceivers
机译:
高灵敏度12 Gb / s单片集成引脚HEMT光接收器
作者:
Fay
;
P.
;
Adesida
;
I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》
|
1998年
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