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Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE

召开年：1995
召开地：San Diego, CA
出版时间：-

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1.GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium 17th Annual Technical Digest 1995

机译：GaAs IC研讨会IEEE砷化镓集成电路研讨会第17届年度技术摘要1995
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
2.Single-Chip 4 Bit 35 GHz Phase-Shifting Receiver with a Gb/s Digital Interface Circuitry

机译：具有Gb / s数字接口电路的单芯片4位35 GHz相移接收器
- 作者：Wang;Z.-G.;Berroth;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
3.A 2.5 Gb/s 16/spl times/16 bit crosspoint switch with fast programming

机译：具有快速编程功能的2.5 Gb / s 16 / spl次/ 16位交叉点开关
- 作者：Savara;R.;Turudic;A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
4.High PAE pseudomorphic InGaAs/AlGaAs HEMT X-band high power amplifiers

机译：高PAE伪态InGaAs / AlGaAs HEMT X波段大功率放大器
- 作者：Chen;Y.C.;Wu;C.S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
5.Low cost millimeter-wave monolithic integrated circuits using direct ion implanted GaAs MESFETs

机译：使用直接离子注入GaAs MESFET的低成本毫米波单片集成电路
- 作者：Feng;M.;Scherrer;D.R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
6.A 10 Gb/s ATM data synchroniser

机译：10 Gb / s ATM数据同步器
- 作者：Wong T.Y.K.;Sitch J.;McGarry S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
7.The wireless communications market-is there a place for GaAs

机译：无线通信市场-有砷化镓的地方
- 作者：Baughan K.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
8.An 8-bit, 2 gigasample per second analog to digital converter

机译：一个8位，每秒2 gigasample的模数转换器
- 作者：Nary K.R.;Nubling R.;Beccue S.;Colleran W.T.;Penney J.;Keh-Chung Wang
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
9.An InP-based HBT fab for high-speed digital, analog, mixed-signal, and optoelectronic ICs

机译：基于InP的HBT晶圆厂，用于高速数字，模拟，混合信号和光电IC
- 作者：Stanchina;W.E.;Jensen;J.F.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
10.An MMIC chip set for a V-band phase-locked local oscillator

机译：用于V波段锁相本地振荡器的MMIC芯片组
- 作者：Kanda A.;Hirota T.;Okazaki H.;Nakamae M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
11.Complementary GaAs(CGaAs): a high performance BiCMOS alternative

机译：互补GaAs（CGaAs）：高性能BiCMOS替代品
- 作者：Bernhardt B.;LaMacchia M.;Abrokwah J.;Hallmark J.;Lucero R.;Mathes B.;Crawforth B.;Foster D.;Clauss K.;Emmert S.;Lien T.;Lopez E.;Mazzotta V.;Oh B.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
12.Conversion gain enhancement technique for ultra low power Gilbert cell down mixers GaAs MESFET ICs

机译：超低功耗吉尔伯特单元下混频器的转换增益增强技术GaAs MESFET IC
- 作者：Schmatz;M.L.;Biber;C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
13.Double recessed AlInAs/GaInAs/InP HEMTs with high breakdown voltages

机译：具有高击穿电压的双凹槽AlInAs / GaInAs / InP HEMT
- 作者：Hur;K.Y.;McTaggart;R.A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
14.Drain current drift by holes trapped in Schottky contact in WSi gate GaAs MESFETs

机译：WSi栅极GaAs MESFET的肖特基接触中捕获的空穴会导致漏极电流漂移
- 作者：Shiga;T.;Hattori;R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
15.GaAs 10 K gates gate array with digital variable delay macro cell

机译：具有数字可变延迟宏单元的GaAs 10 K栅极门阵列
- 作者：Ohta A.;Higashisaka N.;Shimada M.;Heima T.;Hosogi K.;Ohmura R.;Tanino N.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
16.GaAs multibit delta-sigma A/D converters based upon a new comparator design

机译：基于新型比较器设计的GaAs多位delta-sigma A / D转换器
- 作者：Hickling;R.M.;Yagi;M.N.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
17.GaAs multiplexer chip for ATM switching

机译：用于ATM交换的GaAs多路复用器芯片
- 作者：Jakobsen J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
18.Gradual degradation under RF overdrive of MESFETs and PHEMTs

机译：在MESFET和PHEMT的RF过驱动下逐渐退化
- 作者：Hwang J.C.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
19.High power AlGaAs/GaAs HBTs for Ka-band operation

机译：用于Ka波段操作的高功率AlGaAs / GaAs HBT
- 作者：Chang-Woo Kim;Tanaka S.;Amamiya Y.;Furuhata N.;Shimawaki H.;Miyoshi Y.;Goto N.;Honjo K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
20.High power DPDT antenna switch MMIC for digital cellular systems

机译：用于数字蜂窝系统的大功率DPDT天线开关MMIC
- 作者：Kohama K.;Ohgihara T.;Murakami Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
21.Improvement of breakdown voltage in InGaP/InGaAs/GaAs heterostructure MESFETs for MMICs

机译：改善用于MMIC的InGaP / InGaAs / GaAs异质结构MESFET的击穿电压
- 作者：Inoue;K.;Yamane;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
22.Integrating optical receiver transplanted by epitaxial lift off

机译：外延剥离移植的集成光接收机
- 作者：Morf T.;Brys C.;De Dobbelaere P.;Van Daele P.;Demeester P.;Martinson T.;Bachtold W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
23.Ion-implanted WN 0.25 /spl mu/m gate MESFET fabricated using i-line photolithography for application to MMIC and digital IC

机译：使用i线光刻技术制造的离子注入WN 0.25 / spl mu / m栅极MESFET，用于MMIC和数字IC
- 作者：Eung-Gie Oh;Jeon-Wook Yang
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
24.Large diameter III-V substrates-current issues and perspective

机译：大直径III-V基材-当前问题和展望
- 作者：Sawada S.;Oida K.;Miyajima H.;Nambu K.;Nakai R.;Tatsumi M.;Fujita K.;Nishida Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
25.Laterally etched undercut (LEU) technique to reduce base-collector capacitances in heterojunction bipolar transistors

机译：横向蚀刻底切（LEU）技术可减少异质结双极晶体管中的基极-集电极电容
- 作者：Liu;W.;Hill;D.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
26.Low phase noise millimeter-wave frequency sources using InP based HBT technology

机译：使用基于InP的HBT技术的低相位噪声毫米波频率源
- 作者：Wang;H.;Chang;K.W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
27.Low power current mode multi-valued logic interconnect for high speed interchip communications

机译：低功耗电流模式多值逻辑互连，用于高速芯片间通信
- 作者：Zhang;J.Q.;Long;S.I.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
28.Low-noise mm-wave integrated InGaAs-based mixers

机译：低噪声毫米波基于InGaAs的集成混频器
- 作者：Marsh P.;Hong K.;Pavlidis D.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
29.Low-power, high-speed InGaAs/InP photoreceiver for highly-parallel optical data links

机译：低功耗，高速InGaAs / InP光接收器，用于高度并行的光学数据链路
- 作者：Lovejoy;M.L.;Patrizi;G.A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
30.Metastability in SCFL

机译：SCFL中的亚稳定性
- 作者：Cheney B.;Savara R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
31.Microwave power heterojunction bipolar transistors fabricated with thermal shunt and bathtub

机译：带有热分流器和浴缸的微波功率异质结双极晶体管
- 作者：Bozada;C.A.;Barlage;D.W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
32.MMIC-based W-band Dicke switched direct-detection receiver

机译：基于MMIC的W波段Dicke开关直接检测接收机
- 作者：Lo D.C.W.;Lin E.W.;Wang H.;Biedenbender M.;Lai R.;Ng G.;Dow G.S.;Allen B.R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
33.Mobile communications systems trend in Japan and device requirements

机译：日本的移动通信系统趋势和设备要求
- 作者：Mitama;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
34.Monolithic millimeter-wave Schottky-diode-based frequency converters with low drive requirements using an InP HBT-compatible process

机译：使用InP HBT兼容工艺，具有低驱动要求的基于单片毫米波肖特基二极管的变频器
- 作者：Lin;E.W.;Wang;H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
35.0.15 /spl mu/m InGaAs/AlGaAs/GaAs HEMT production process for high performance and high yield V-band power MMICs

机译：0.15 / spl mu / m InGaAs / AlGaAs / GaAs HEMT生产工艺，用于高性能和高产量的V波段功率MMIC
- 作者：Lai;R.;Biedenbender;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
36.110 GHz amplifiers based on compact coplanar W-band receiver technology

机译：基于紧凑型共面W波段接收器技术的110 GHz放大器
- 作者：Schlechtweg;N.;Haydl;W.H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
37.3.4 V operation power amplifier multi-chip IC's for digital cellular phone

机译：用于数字蜂窝电话的3.4 V运算功率放大器多芯片IC
- 作者：Hasegawa;Y.;Ogata;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
38.60-GHz MMIC image-rejection downconverter using InGaP/InGaAs HEMT

机译：使用InGaP / InGaAs HEMT的60GHz MMIC图像抑制下变频器
- 作者：Saito T.;Hidaka N.;Ono K.;Ohashi Y.;Shimura T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
39.A 10 Gb/s AlGaAs/GaAs HBT high power fully-differential limiting distributed amplifier for III-V Mach-Zehnder modulator

机译：用于III-V Mach-Zehnder调制器的10 Gb / s AlGaAs / GaAs HBT高功率全差分限制分布式放大器
- 作者：Wong;T.Y.K.;Freundorfer;A.P.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
40.A 2.5 gb/s GaAs ATM Mux Demux ASIC

机译：2.5 gb / s GaAs ATM Mux Demux ASIC
- 作者：Madsen J.K.;Lassen P.S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
41.A 3.3 V front-end receiver GaAs MMIC for the digital/analog dual-mode hand-held phones

机译：用于数字/模拟双模手持电话的3.3 V前端接收器GaAs MMIC
- 作者：Chung-Hwan Kim;Min-Gun Kim
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
42.A 50 efficiency 8 W C-band PHEMT power MMIC amplifier

机译：效率为50％的8 W C波段PHEMT功率MMIC放大器
- 作者：White P.M.;OLeary T.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
43.A 5-10 GHz octave-band AlGaAs/GaAs HBT down-converter MMIC

机译：5-10 GHz倍频带AlGaAs / GaAs HBT下变频器MMIC
- 作者：Kobayashi K.W.;Kasody R.;Oki A.K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
44.A 7 ns cycle, high speed dual compare CAM in 0.6 /spl mu/m GaAs

机译：在0.6 / spl mu / m GaAs中的7 ns周期高速双重比较CAM
- 作者：Venkataraman;M.;Pai;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
45.A GaAs direct-conversion 1/4/spl pi/ shifted QPSK modulator IC with 0-28 dB variable attenuator for 1.9 GHz personal handy phone system

机译：具有1.9 GHz个人手持电话系统的0-28 dB可变衰减器的GaAs直接转换1/4 / spl pi /移位QPSK调制器IC
- 作者：Sasaki;T.;Otaka;S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
46.A high performance 6-18 GHz five bit MMIC phase shifter using MESFETS

机译：高性能6-18 GHz五位MMIC相移器使用MESFETS
- 作者：Boire;D.C.;Marion;R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
47.A high power and high efficiency GaAs BPLDD SAGFET with WSi/W double-layer gate for mobile communication systems

机译：具有WSi / W双层栅极的高功率，高效率GaAs BPLDD SAGFET，用于移动通信系统
- 作者：Kasai;N.;Noda;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
48.A highly manufacturable 0.2 /spl mu/m AlGaAs/InGaAs PHEMT fabricated using the single-layer integrated-metal FET (SLIMFET) process

机译：使用单层集成金属FET（SLIMFET）工艺制造的高度可制造的0.2 / spl mu / m AlGaAs / InGaAs PHEMT
- 作者：Havasy;C.K.;Quach;T.K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
49.A high-voltage, Ka-band power MMIC with 41 efficiency

机译：效率为41％的高压Ka频段功率MMIC
- 作者：Schellenberg J.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
50.A low cost linear AlGaAs/GaAs HBT MMIC power amplifier with active bias sensing for PCS applications

机译：低成本线性AlGaAs / GaAs HBT MMIC功率放大器，具有有源偏置感应，适用于PCS应用
- 作者：Walters;P.;Pok Lau
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
51.A monolithically integrated photoreceiver realized by InP/InGaAs double-heterostructure bipolar transistor technologies for optical/microwave interaction systems

机译：通过InP / InGaAs双异质结构双极晶体管技术实现的单片集成光接收器，用于光/微波相互作用系统
- 作者：Kamitsuna;H.;Matsuoka;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
52.A novel linearizing technique for GaAs power amplifiers

机译：GaAs功率放大器的新型线性化技术
- 作者：Yamaguchi Y.;Muraguchi M.;Nakagawa T.;Nakatsugawa M.;Tsukahara T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
53.A packaged broadband monolithic variable gain amplifier implemented in AlGaAs/GaAs HBT technology

机译：采用AlGaAs / GaAs HBT技术实现的封装宽带单片可变增益放大器
- 作者：Yu;R.;Beccue;S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
54.A Q-band 1 watt 30 power-added-efficiency hetero-junction FET

机译：Q波段1瓦30％功率增加效率的异质结FET
- 作者：Arai S.;Mizuno H.;Tanaka H.;Yoshinaga H.;Masuda K.;Abe B.;Kawano M.;Tokuda H.;Shibata K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
55.A Q-band high gain and low noise variable gain amplifier using dual gate HEMTs

机译：使用双栅极HEMT的Q波段高增益和低噪声可变增益放大器
- 作者：Kashiwa;T.;Komaru;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
56.A two layer hermetic-like coating process for on-wafer encapsulation of GaAs MMICs

机译：GaAs MMIC的晶圆上封装的两层类密封涂层工艺
- 作者：Kaleta;T.;Varmazis;C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
57.A very high isolation GaAs SPDT switch IC sealed in an ultra compact plastic package

机译：极高隔离度的GaAs SPDT开关IC密封在超紧凑的塑料封装中
- 作者：Uda;H.;Hirai;T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
58.A very-wide bandwidth digital VCO implemented in GaAs HBTs using frequency multiplication and division

机译：使用倍频和分频在GaAs HBT中实现的超宽带宽数字VCO
- 作者：Campbell;P.M.;Greub;H.J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
59.Novel distributed baseband amplifying techniques for 40-Gbit/s optical communication

机译：用于40 Gbit / s光通信的新型分布式基带放大技术
- 作者：Kimura;S.;Imai;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
60.Over-220-GHz-f/sub T/-and-f/sub max/ InP/InGaAs double-heterojunction bipolar transistors with a new hexagonal-shaped emitter

机译：具有新六角形发射极的220 GHz以上f / sub T / -f / sub max / InP / InGaAs双异质结双极晶体管
- 作者：Yamahata;S.;Kurishima;K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
61.Physical modeling of surface and heterojunction for mesa-structured HBTs

机译：台面结构HBT表面和异质结的物理建模
- 作者：Kan;E.C.;Dutton;R.W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
62.PNP AlGaAs/GaAs HBT low noise amplifiers

机译：PNP AlGaAs / GaAs HBT低噪声放大器
- 作者：Kobayashi K.W.;Tran L.T.;Block T.;Cowles J.;Oki A.K.;Streit D.C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
63.Pseudomorphic Ku-band GaAs HFET linearizer preamplifier front end for satellite TWT-amplifiers

机译：用于卫星TWT放大器的伪形Ku波段GaAs HFET线性化器前置放大器前端
- 作者：Narozny;P.;Tobler;H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
64.Reliability of self-aligned, ledge passivated 7.5 GHz GaAs/AlGaAs HBT power amplifiers under RF bias stress at elevated temperatures

机译：自对准，壁架钝化的7.5 GHz GaAs / AlGaAs HBT HBT功率放大器在升高的RF偏置应力下的可靠性
- 作者：Henderson;T.S.;Ikalainen;P.K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
65.SiGe devices and circuits: where are advantages over III/V ?

机译：SiGe器件和电路：III / V的优势在哪里？
- 作者：Konig U.;Gruhle A.;Schuppen A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
66.Statistical circuit simulation with measurement-based active device models: implications for process control and IC manufacturability

机译：具有基于测量的有源器件模型的统计电路仿真：对过程控制和IC可制造性的影响
- 作者：Root;D.E.;McGinty;D.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
67.The bootstrapped gate FET (BGFET)-a new control transistor

机译：自举栅极FET（BGFET）-一种新型控制晶体管
- 作者：Bayruns R.;Li K.;Osika D.;Stofman D.;Shokrani M.;Fowler P.;Ham E.;Brand J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
68.The effects of hydrogen and deuterium incorporation on the electrical performance of a GaAs MESFET

机译：氢和氘掺入对GaAs MESFET电性能的影响
- 作者：Eng;D.C.;Culbertson;R.J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
69.The use of III-V ICs in WDM optical network equipment

机译：III-V IC在WDM光网络设备中的使用
- 作者：Sitch J.;Dreze C.;Pollex D.;Warbrick K.;Lowe K.;Best E.;Wilson T.;Corr P.;Weston G.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
70.Thermal management to avoid the collapse of current gain in power heterojunction bipolar transistors

机译：通过热管理避免功率异质结双极晶体管中电流增益的崩溃
- 作者：Liu;W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
71.Ultra low power consumption heterojunction FET 8:1 MUX/1:8 DEMUX for 2.4 Gbps optical fiber communication systems

机译：用于2.4 Gbps光纤通信系统的超低功耗异质结FET 8：1 MUX / 1：8 DEMUX
- 作者：Numata;K.;Fujii;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
72.Understanding the cause of IV kink in GaAs MESFETs with two-dimensional numerical simulations

机译：通过二维数值模拟了解GaAs MESFET IV扭结的原因
- 作者：Wilson;M.R.;Zdebel;I.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
73.Use of gallium arsenide in medical applications

机译：砷化镓在医疗应用中的用途
- 作者：Carr K.L.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
74.Managing high IC yields with short cycle times

机译：以短周期管理高IC良率
- 作者：Khetan S.;Fowler P.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年
75.Highly integrated and compact W-band front-end for radiometry application

机译：高度集成且紧凑的W波段前端，适用于辐射测量应用
- 作者：Camiade;M.;Dourlens;C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1995. Technical Digest 1995., 17th Annual IEEE》 | 1995年