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High purity silicon 11
High purity silicon 11
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1.
Combined IV and CV Analysis of Laser Annealed Carbon and Boron Implanted SiGe Epitaxial Layers
机译:
激光退火碳和硼注入的SiGe外延层的IV和CV联合分析
作者:
D. Kobayashi
;
M. Bargallo Gonzalez
;
E. Rosseel
;
A. Hikavyy
;
K. Hirose
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
2.
Modeling of Hydrogen Diffusion And Segregation in Amorphous Silicon During Solid Phase Epitaxy
机译:
固相外延过程中非晶硅中氢扩散和偏析的模型
作者:
B. C. Johnson
;
M. Mastromatteo
;
D. De Salvador
;
E. Napolitani
;
A. Carnera
;
J. C. McCallum
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
3.
Nano-Beam Diffraction: Crystal Structure and Strain Analysis at the Nano-Scale
机译:
纳米束衍射:纳米级的晶体结构和应变分析
作者:
P. Favia
;
M. Popovici
;
G. Eneman
;
G. Wang
;
M. Bargallo Gonzalez
;
E. Simoen
;
N. Menou
;
H. Bender
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
4.
Impact of Stress and Defects on Advanced Junction Leakage
机译:
应力和缺陷对高级结泄漏的影响
作者:
Victor Moroz
;
Munkang Choi
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
5.
Recent Advances in the Smart Cut™ Technology for CMOS Applications
机译:
用于CMOS应用的Smart Cut™技术的最新进展
作者:
O.Kononchuk
;
D.Landru
;
C.Veytizou
;
E.Guiot
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
6.
A DLTS Study of SiO_2 and SiO_2/SiN_x Bi-Layer Surface Passivation of Silicon
机译:
硅的SiO_2和SiO_2 / SiN_x双层表面钝化的DLTS研究
作者:
E. Simoen
;
C. Gong
;
N.E. Posthuma
;
E. Van Kerschaver
;
J. Poortmans
;
R. Mertens
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
7.
Niobium Contamination in Silicon
机译:
硅中的铌污染
作者:
ML. Polignano
;
D. Codegoni
;
G. Borionetti
;
F.Bonoli
;
J. Brivio
;
S. Greco
;
A. Marino
;
P. Monge
;
I. Patoprsta
;
V. Privitera
;
C.Riva
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
8.
Nano Characterization of Materials
机译:
材料的纳米表征
作者:
Dieter K. Schroder
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
9.
Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
机译:
切克劳斯基含硅氧化物中的少数载流子寿命
作者:
J.D. Murphy
;
K. Bothe
;
M. Olmo
;
V.V. Voronkov
;
R. J. Falster
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
10.
Getter Effects in Low Oxygen and High Oxygen Czochralski Silicon Wafers
机译:
低氧和高氧直拉硅片中的吸气剂效应
作者:
G. Krssinger
;
D. Kot
;
W. Hackl
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
11.
Recent Insights in the Diffusion of Boron in Silicon and Germanium
机译:
硼在硅和锗中扩散的最新见解
作者:
S. Mirabella
;
D. De Salvador
;
E. Bruno
;
E. Napolitani
;
G. G. Scapellato
;
M. Mastromatteo
;
G. Impellizzeri
;
G. Bisognin
;
S. Boninelli
;
A. Terrasi
;
A. Carnera
;
F. Priolo
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
12.
Germanium on Sapphire Technology
机译:
蓝宝石技术锗
作者:
H.S. Gamble
;
P.T. Baine
;
Y.H. Low
;
P.V. Rainey
;
J.H. Montgomery
;
M.F. Bain
;
B.M. Armstrong
;
D.W. McNeill
;
N.S.J. Mitchell
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
13.
Point Defects in Silicon Melt Growth from the Experimental Results
机译:
从实验结果看硅熔体生长的点缺陷
作者:
Takao Abe
;
Toru Takahashi
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
14.
Single Ion Implantation Into Si-Based Devices
机译:
单离子注入到硅基器件中
作者:
B. C. Johnson
;
G. C. Tettamanzi
;
C. Yang
;
A. D. C. Alves
;
J. van Donkelaar
;
S. Thompson
;
J. Verduijn
;
J. A. Mol
;
R. Wacquez
;
M. Vinet
;
A. S. Dzurak
;
M. Sanquer
;
S. Rogge
;
D. N. Jamieson
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
15.
Recent Insights In Solid Phase Epitaxy Of Silicon And Germanium
机译:
硅和锗固相外延的最新见解
作者:
B. C. Johnson
;
N. Stravrius
;
S. Kandasamy
;
D. Pyke
;
A. Holland
;
J. C. McCallum
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
16.
Lifetime Degradation in Boron Doped Czochralski Silicon
机译:
掺杂硼的直拉硅片的终身降解
作者:
V. V. Voronkov
;
R. Falster
;
J. Schmidt
;
K. Bothe
;
A. V. Batunina
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
17.
Practical method and physics of evaluation for vacancy concentration of silicon crystals by measuring low-temperature elastic softening
机译:
通过测量低温弹性软化评估硅晶体中空位浓度的实用方法和物理学
作者:
Hiroshi Yamada-Kaneta
;
Shotaro Baba
;
YutaNagai
;
Mitsuhiro Akatsu
;
Keisuke Mitsumoto
;
Takashi Yanase
;
Kazuki Okabe
;
Yasushi Ono
;
Yuichi Nemoto
;
Terutaka Goto
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
18.
The Impact of Helium Co-Implantation on Hydrogen Induced Donor Profiles in Float Zone Silicon
机译:
氦气共注入对浮区硅中氢诱导的给体分布的影响
作者:
J. G. Laven
;
R. Job
;
H.-J. Schulze
;
F.-J. Niedernostheide
;
V. Haublein
;
H. Schulze
;
W. Schustereder
;
H. Ryssel
;
L. Frey
会议名称:
《High purity silicon 11》
|
2010年
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