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International Conference on Emerging Electronics
International Conference on Emerging Electronics
召开年:
2014
召开地:
Bangalore(IN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
2DEG behavior of AlGaN/GaN HEMTs on various transition buffers
机译:
AlGaN / GaN HEMT在各种过渡缓冲液上的2DEG行为
作者:
Singh Manikant
;
Mohan Nagaboopathy
;
Soman Rohith
;
Chandrasaker Hareesh
;
Raghavan Srinivasan
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
2DEG;
AlGaN-GaN HEMT;
HEMT on Si;
effect of surface roughness;
transition layers;
2.
A Drain-side Gate-underlap I-MOS (DGI-MOS) transistor as a label-free biosensor for detection of charged biomolecules
机译:
漏极侧栅极下重叠I-MOS(DGI-MOS)晶体管作为无标签生物传感器,用于检测带电生物分子
作者:
Kannan N.
;
Kumar M. Jagadesh
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Biomolecule;
charge;
field effect transistors;
gate underlap;
impact ionization;
impact ionization MOS (I-MOS);
sensitivity;
sensor;
3.
Admittance spectroscopy and capacitance dispersion of AlGaN/GaN hetero-structures
机译:
AlGaN / GaN异质结构的导纳光谱和电容色散
作者:
Kaushik Janesh K.
;
Balakrishnan V. Raman
;
Panwar Brishbhan Singh
;
Muralidharan Rangarajan
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
4.
A novel FinFET with dynamic threshold voltage
机译:
具有动态阈值电压的新型FinFET
作者:
Pushpadhas Selwin Kumar
;
Nair Deleep R.
;
Gupta Amitava Das
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
5.
A novel partially insulated junctionless transistor for low power nanoscale digital integrated circuits
机译:
用于低功率纳米级数字集成电路的新型部分绝缘无结晶体管
作者:
Patil Ganesh C.
;
Bonge Vijaysinh H.
;
Malode Mayur M.
;
Jain Rahul G.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Junctionless transistor;
Short channel effects;
partially insulated buried oxide;
scaling;
6.
A quick method to realize and characterize bimorph cantilevers
机译:
快速实现和表征双压电晶片悬臂的方法
作者:
Prajesh Rahul
;
Shankar Bhawani
;
Jain Nishit
;
Agarwal Ajay
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Al-SiO2;
Cantilever;
bimorph;
bulk-micromachining;
deflection angle;
7.
Ab-initio study of doping versus adsorption in monolayer M0S2
机译:
从头开始研究单层M0S2中掺杂与吸附的关系
作者:
Rastogi Priyank
;
Kumar Sanjay
;
Bhowmick Somnath
;
Agarwal Amit
;
Chauhan Yogesh Singh
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
2D layers;
DFT;
LDA;
TMD;
8.
An experimental study on current vs. temperature effect of gold ribbon for wire bonding in power devices
机译:
功率器件引线键合金带的电流-温度效应的实验研究
作者:
Prabhu Shreesha
;
Koyili Sankaran
;
Manjunath M.S.
;
Nayak M.M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Gold Ribbon;
Temperature Behavior;
Wire Bonding;
9.
Analysis and modeling of quantum capacitance in III-V transistors
机译:
III-V晶体管中的量子电容的分析和建模
作者:
Dasgupta Avirup
;
Yadav Chandan
;
Rastogi Priyank
;
Agarwal Amit
;
Chauhan Yogesh Singh
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Charge cen-troid;
III-V FETs;
Quantum capacitance;
10.
Analysis of fast and slow trap states on electrical performance of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
快速和慢速陷阱状态对AlGaN / GaN HEMT的电性能的分析
作者:
Kaushik Janesh K.
;
Balakrishnan V. Raman
;
Panwar Brishbhan Singh
;
Muralidharan Rangarajan
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
11.
Analysis of gate leakage current in ultra-thin oxide grown by high water vapor pressure thermal oxidation on 4H-SiC
机译:
高水蒸气压热氧化在4H-SiC上生长的超薄氧化物的栅极泄漏电流分析
作者:
Shukla Madhup
;
DasGupta Nandita
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Direct tunneling;
Schottky emission;
effective barrier height;
high pressure oxidation;
ultra thin oxide;
12.
Analysis of reverse leakage current in differently passivated AlGaN/GaN HEMTs: A case study
机译:
不同钝化AlGaN / GaN HEMT中反向泄漏电流的分析:一个案例研究
作者:
Tomer Anushree
;
Dayal Sindhu
;
Sharma Sunil
;
Arora Henika
;
Kapoor Sonalee
;
Rawal D.S.
;
Vinayak Seema
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
ICPCVD;
PECVD;
Poole-Frenkel emission;
Reverse leakage current;
13.
Charge-based modeling of channel material-engineered P-type double gate MOSFET
机译:
基于电荷的沟道材料工程P型双栅MOSFET建模
作者:
Kumari Vandana
;
Ilango Aravindan
;
Saxena Manoj
;
Gupta Mridula
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
ATLAS;
Gaussian doping;
germanium;
interface charges;
modeling;
14.
Comprehensive modeling of gas sensor based on Si
3
N
4
-passivated AlGaN/GaN Schottky diode
机译:
基于Si
3 inf> N
4 inf>钝化的AlGaN / GaN肖特基二极管的气体传感器的综合建模
作者:
Das Subhashis
;
Majumder S.
;
Kumar R.
;
Mahata M.K.
;
Dinara S.M.
;
Biswas D.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
2DEG;
AlGaN/GaN heterostructure;
Schottky diode;
gas sensor;
modeling;
passivation;
15.
Comprehensive study of AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE: Structural and compositional analysis
机译:
MBE生长的AlGaAs / GaAs异质结构的综合研究:结构和组成分析
作者:
Kumar Rahul
;
Mukhopadhyay P.
;
Jana S.K.
;
Bag A.
;
Ghosh S.
;
Das S.
;
Mahata M.K.
;
Biswas D.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
AlGaAs/GaAs heterostructure;
ECV;
HRXRD;
MBE;
strain;
16.
Day-ahead prediction of solar power output for grid-connected solar photovoltaic installations using Artificial Neural Networks
机译:
使用人工神经网络对并网太阳能光伏装置的太阳能输出进行日间预测
作者:
Ehsan R. Muhammad
;
Simon Sishaj P.
;
Venkateswaran P.R.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Artificial neural network;
Day-Ahead Prediction;
Photovoltaic system;
17.
Dependence of field plate parameters on dielectric constant in a 4H-SiC Schottky diode
机译:
场板参数对4H-SiC肖特基二极管中介电常数的依赖性
作者:
Shankar Bhawani
;
Gupta Sanjeev K.
;
Taube William R.
;
Akhtar Jamil
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
Breakdown Voltage;
Field plate termination;
High-k;
Schottky diode;
18.
Design and simulation of a high performance dopingless p-tunnel field effect transistor
机译:
高性能无掺杂p隧道场效应晶体管的设计与仿真
作者:
Bashir Faisal
;
Loan Sajad /A/.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Dopingless;
ion implantation;
random dopant;
tunneling field effect transistor;
19.
Detection of multiple trap distribution from steady state current-voltage characteristics of organic diode
机译:
根据有机二极管的稳态电流-电压特性检测多陷阱分布
作者:
Rizvi S.M.H.
;
Mazhari B.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
current-voltage;
multiple traps;
organic semiconductors;
20.
Dielectric optimization for inkjet-printed TIPS-pentacene organic thin-film transistors
机译:
喷墨印刷TIPS并五苯有机薄膜晶体管的介电优化
作者:
Singh Subhash
;
Mohapatra Y.N.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS);
6;
Inkjet-printed;
dielectric;
thin-film transistor;
21.
Dispersion relation of surface magneto-plasmons
机译:
表面磁等离子体的色散关系
作者:
Deepika
;
Chauhan Prashant
;
Varshney Anshu
;
Sajal Vivek
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Dispersion relation;
Surface plasma wave;
22.
Dopingless tunnel FET with a hetero-material gate: Design and analysis
机译:
具有异质材料栅极的无掺杂隧道FET:设计与分析
作者:
Ram M. Saketh
;
Abdi Dawit Burusie
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
ON-state current;
TFET;
dopingless;
hetero-gate-dielectric;
simulation;
subthreshold swing;
tunneling;
23.
Drain current model for SOI TFET considering source and drain side tunneling
机译:
考虑源极和漏极侧隧穿的SOI TFET漏极电流模型
作者:
Pandey Pratyush
;
Vishnoi Rajat
;
Kumar M. Jagadesh
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Analytical modeling;
short channel devices;
silicon on insulator (SOI);
tunnel field effect transistor (TFET);
24.
Effect of Ga flux and rf-power on homoepitaxial growth of single crystalline GaN films
机译:
Ga通量和rf功率对单晶GaN薄膜同质外延生长的影响
作者:
Shibin Krishna T.C.
;
Aggarwal Neha
;
Mishra Monu
;
Gupta Govind
;
Maurya K.K.
;
Kaur Mandeep
;
Singh Sandeep
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Crystallinity;
GaN Homoepitaxy;
Plasma power;
Surface morphology;
25.
Effect of size on the scattering properties of silica nanoparticles
机译:
尺寸对二氧化硅纳米粒子散射特性的影响
作者:
Das Sonali
;
Kundu Avra
;
Hossain S.M.
;
Saha Hiranmay
;
Datta Swapan K.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
FWHM;
scattering;
silica nanoparticles;
solar cells;
26.
Effect of traps on small signal equivalent circuit in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
陷阱对AlGaN / GaN HEMT中小信号等效电路的影响
作者:
Mishra Meena
;
Kumar Sudhir
;
Tomar S.K.
;
Vinayak Seema
;
Sehgal B.K.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
GaN HEMTs;
Pulse I-V;
Traps;
27.
Electrical characteristics of Pd/ZnO nanowires (NWs)-based Schottky diodes grown on Zn seed layercoated n-Si substrates
机译:
在Zn种子层涂覆的n-Si衬底上生长的基于Pd / ZnO纳米线(NWs)的肖特基二极管的电学特性
作者:
Somvanshi Divya
;
Jit Satyabrata
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Nanowires;
Schottky barrier diode;
seed layer;
28.
Electrical characteristics of post-gate-annealed AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate
机译:
蓝宝石衬底上栅后退火的AlGaN / GaN HEMT的电学特性
作者:
Mahajan Somna S.
;
Tomer Anushree
;
Malik Amit
;
Laishram Robert
;
Agarwal Vanita R.
;
Naik A.A.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
DC characteristics;
HEMT;
Schottky contact annealing;
29.
Electrostatic forces in fixed-fixed microbeams under direct and fringing field effects
机译:
在直接场效应和边缘场效应下固定的微束中的静电力
作者:
Kambali Prashant N.
;
Pandey Ashok Kumar
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Capacitance;
Electrostatic force;
fringing fields;
30.
Experimental study of boric acid diffused emitters for n-type c-Si solar cells
机译:
n型c-Si太阳能电池中硼酸扩散发射极的实验研究
作者:
Singha Bandana
;
Solanki Chetan Singh
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Czocharalski c-Si wafers;
boron rich layer;
diffusion induced defects;
high purity dopant;
minority carrier lifetime;
31.
Fabrication and characterization of zinc oxide nanowires for high-sensitivity sensing applications
机译:
用于高灵敏度传感应用的氧化锌纳米线的制备与表征
作者:
Paul Brince
;
Sharma Chandra Shekhar
;
Singh Shiv Govind
;
Vanjari Siva Ramakrishna
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Cost-effective;
Electrospinning;
Semiconducting;
Wurtzite;
ZnO;
32.
Fabrication and release of SU-8 structures on soft substrate
机译:
SU-8结构在软基底上的制备和释放
作者:
Mishra Richa
;
Bhattacharyya Tarun Kanti
;
Maiti Tapas Kumar
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
PDMS;
SU-8;
biosensors;
sacrificial layer;
surface modification;
33.
Fabrication of free-standing PEDOT:PSS nanofiber mats using electrospinning
机译:
使用静电纺丝制造独立式PEDOT:PSS纳米纤维垫
作者:
Khanum Khadija Kanwal
;
Hegde Shruti
;
Ramamurthy Praveen C.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Conducting fibers;
Electrospinning;
PEDOT:PSS/PEO/PVA;
34.
Fiber Bragg Grating Tilt Meter
机译:
光纤布拉格光栅倾斜仪
作者:
Umesh Sharath
;
Ambastha Shikha
;
Sundarrajan Asokan
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Fiber Bragg grating sensor;
tilt angle measurement;
35.
Flexible graphite antennas for plastic electronics
机译:
用于塑料电子产品的柔性石墨天线
作者:
Yogeesh Maruthi Nagavalli
;
Parrish Kristen N.
;
Akinwande Deji
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Patch antennas;
carbon;
flexible electronics;
graphene;
graphite;
36.
Functionalised polyaniline nanowires: A prospective biosensing platform
机译:
功能化聚苯胺纳米线:潜在的生物传感平台
作者:
Gangopadhyay Rupali
;
Chowdhury Ankan Dutta
;
De Amitabha
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Lamin A;
biosensor;
glucose oxidase;
polyaniline;
ss-DNA;
37.
Graphene nanobelts films for highly sensitive, transparent and flexible pressure and strain resistive sensors
机译:
石墨烯纳米带薄膜,用于高度灵敏,透明和灵活的压力和应变电阻传感器
作者:
Alaferdov A.V.
;
Savu R.
;
Rackauskas S.
;
Rackauskas T.
;
Canesqui M.A.
;
Moshkalev S.A.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Wearable resistive sensor;
multi-layer graphene;
nanobelts;
pressure and strain sensing;
38.
Graphitic oxide-induced enhanced electrical conductance in CuTCNQ nanorod film
机译:
CuTCNQ纳米棒膜中石墨氧化物诱导的增强电导
作者:
Basori Rabaya
;
Raychaudhuri A.K.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
CuTCNQ;
Graphitic oxide;
charge transfer;
conductance;
39.
Growth mechanism and electron spin resonance studies of Zn
1−x
Ni
x
O/NiO two-phase nanocomposite
机译:
Zn
1-x inf> Ni
x inf> O / NiO两相纳米复合材料的生长机理和电子自旋共振研究
作者:
Joshi D.C.
;
Harish D.D.
;
Nayak S.
;
Roy D.
;
Qureshi M.
;
Saiprasad R.L.N.
;
Shiyani T.
;
Pamu D.
;
Thota S.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Electron-Spin-Resonance;
Lande's g-splitting factor;
Nano-composite;
Wide band-gap semiconductor;
40.
Growth of high quality GaN nanowalls on Si (111) surface
机译:
Si(111)表面上高质量GaN纳米壁的生长
作者:
Shetty Satish
;
Shivaprasad S.M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Epitaxy;
III-nitrides;
Molecular Beam epitaxy;
Nanowalls;
41.
Growth of high quality InN films and nano-rods grown on GaN nano wall network
机译:
在GaN纳米壁网络上生长高质量的InN薄膜和纳米棒
作者:
Tangi Malleswararao
;
De Arpan
;
Shivaprasad S.M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Epitaxy;
III-nitrides;
InN;
Molecular Beam epitaxy;
Nanowalls;
42.
High field effect mobility of 10,000 cm
2
/V-s and 5,000 cm
2
/V-s in undoped and doped monolayer graphene-based transistors
机译:
在未掺杂和掺杂的单层石墨烯基晶体管中,高场效应迁移率为10,000 cm
2 sup> / V-s和5,000 cm
2 sup> / V-s
作者:
Yadav Premlata
;
Srivastava Pawan Kumar
;
Ghosh Subhasis
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Doping;
FET;
Graphene;
Mobility;
43.
Impact of fringing fields in a p-channel junctionless transistor
机译:
p沟道无结晶体管中边缘场的影响
作者:
Baruah Ratul Kumar
;
Paily Roy P.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Fringing field;
p-channel junctionless transistor (JLT);
scaling;
spacer dielectric;
subthreshold slope;
44.
Impact of morphology on charge carrier mobility in top gate C
60
organic field effect transistors
机译:
形态对顶栅C
60 inf>有机场效应晶体管中载流子迁移率的影响
作者:
Nigam Akash
;
Schwabegger Gunther
;
Ahmed Rizwan
;
Simbrunner Clemens
;
Sitter Helmut
;
Premaratne Malin
;
Rao V. Ramgopal
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
45.
Improved parameter extraction technique for GAN HEMT's small signal model
机译:
GAN HEMT小信号模型的改进参数提取技术
作者:
Goyal Umakant
;
Mishra Meena
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
GAN HEMT;
parameter extraction;
reverse transfer conductance;
small signal model;
46.
Improved structural quality of GaN nanowall network grown on pre-nitrided c-sapphire
机译:
预先氮化的c-蓝宝石上生长的GaN纳米壁网络的结构质量得到改善
作者:
Thakur Varun
;
Nayak Sanjay Kumar
;
Nagaraja K.K.
;
Shivaprasad S.M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
47.
Influence of gate and drain bias on the bias-stress stability of flexible organic thin-film transistors
机译:
栅极和漏极偏置对柔性有机薄膜晶体管偏置应力稳定性的影响
作者:
Bisoyi Sibani
;
Tiwari Shree Prakash
;
Zschieschang Ute
;
Klauk Hagen
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
10-current-decay lifetime;
Bias-stress;
flexible substrate;
organic TFTs;
48.
Influence of growth paramaters on the crystallinity and stress of SiGe films grown by LPCVD
机译:
生长参数对LPCVD生长的SiGe膜的结晶度和应力的影响
作者:
Suresh Madhuri
;
Penmetsa Siva
;
Savitha P.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Scanning electron microscopy;
SiGe thin films;
cystallinity;
stress;
surface morphology;
49.
Non-axisymmetric oscillations of droplets in electrowetting-on-dielectric
机译:
介质电润湿中液滴的非轴对称振动
作者:
Bansal Shubhi
;
Sen Prosenjit
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Parametric oscillations;
electrowetting-on-dielectric;
non-axisymmetric modes;
50.
Intermolecular energy transfer near plasmonic nanoshell
机译:
等离子纳米壳附近的分子间能量转移
作者:
Shishodia Manmohan Singh
;
Juneja Soniya
;
Fainberg Boris D.
;
Nitzan Abraham
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Energy Transfer;
FRET;
Nanojunction;
Nanoshell;
Plasmonics;
Solar Cell;
51.
Investigation on silver nanoparticles-based plasmonic antireflection and its impact on electrical performance of mono c-Si solar cells
机译:
基于银纳米粒子的等离子体抗反射性及其对单晶硅太阳能电池电性能的影响
作者:
Singh Hemant Kumar
;
Sandeep K.
;
Chary Mallikarjuna
;
Balraj A.
;
Sharma Pratibha
;
Solanki C.S.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Anti reflection coating;
EQE;
Plasmonics;
Sun's V;
mono c-Si solar cells;
silver NP's;
52.
Large chiro-optical effect in stacked chiral metamaterials
机译:
堆叠手性超材料中的大手性光学效应
作者:
Bandewad Gangadhar W.
;
Nair Greshma
;
Ghosh Ambarish
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
achiral;
circular dichroism;
metamaterials;
plasmonic;
stacked;
53.
Laser fired ohmic contacts in silicon using pulse modulated CW laser
机译:
使用脉冲调制的连续波激光在硅中激光激发欧姆接触
作者:
Kumar Akash
;
Mondal Som
;
Soman Anishkumar
;
Antony Aldrin
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
crystalline silicon;
laser fired contact;
passivation;
54.
Localized morphological change-induced degradation in organic electronic devices
机译:
有机电子设备中局部形态变化引起的降解
作者:
Jagdish A.K.
;
Pavankumar Gangineni
;
Ramamurthy Praveen C.
;
Mahapatra D. Roy
;
Hegde Gopalkrishna
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
morphology;
rupture;
thermal mismatch;
55.
Low temperature Cu-Cu thermocompression bonding assisted by electrochemical desorption of a self-assembled monolayer
机译:
自组装单层电化学解吸辅助低温Cu-Cu热压键合
作者:
Ghosh Tamal
;
Krishna V. Siva Rama
;
Singh Shiv Govind
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Electrochemical desorption;
Low temperature;
SAM;
Thermocompression bonding;
56.
Material and mechanical characterization of PECVD deposited a-SiC:H with H
2
dilution
机译:
H
2 inf>稀释的PECVD沉积a-SiC:H的材料和力学特性
作者:
Adithi U.
;
Deshpande Sadanand
;
Bhat K.N.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
FTIR;
PECVD;
Residual stress Cantilevers;
SiC;
XPS;
young's modulus;
57.
Material engineering in Cylindrical Surrounding Double Gate (CSDG) MOSFETs for enhanced electrostatic integrity and RF performance
机译:
圆柱形环绕双栅(CSDG)MOSFET的材料工程设计可增强静电完整性和RF性能
作者:
Verma Jay Hind K.
;
Gupta Mridula
;
Haldar Subhasis
;
Gupta R.S.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
CSDG MOSFET;
cut-off frequency;
dielectric constant;
material engineering;
transconductance;
58.
Metal-assisted chemical vertical etching of Si: Effect of catalyst morphology and oxidant concentration
机译:
Si的金属辅助化学垂直蚀刻:催化剂形态和氧化剂浓度的影响
作者:
Deepu B.R.
;
Kallat Sangeeth
;
Suresh A.
;
Savitha P.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Scanning electron microscopy;
Si vertical etching;
reactant ratios;
sputtering rates;
surface morphology;
59.
Microwave pulse-assisted wet chemical synthesis of ZnO nanoparticles with excellent UV emission
机译:
微波脉冲辅助湿化学合成具有优异紫外线发射的ZnO纳米粒子
作者:
Oudhia A.
;
Choudhary A.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Excitonic emission;
Microwave assisted method;
UV emission;
Wet Chemical Method;
ZnO nanoparticles;
60.
Modeling of gate-induced drain leakage mechanisms in silicon-germanium channel pFET
机译:
硅锗沟道pFET中栅极感应的漏极泄漏机理的建模
作者:
Tiwari Vishal /A/.
;
Scholze Andreas
;
Divakaruni Rama
;
Nair Deleep R.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Band-to-band tunneling (BTBT);
gate-induced drain leakage (GIDL);
high-k metal gate;
numerical simulation;
silicon-germanium (SiGe) channel;
technology computer-aided design (TCAD) models;
trap-assisted tunneling (TAT);
61.
Modeling of sheet-concentration and temperature-dependent resistivity of a suspended monolayer graphene
机译:
悬浮单层石墨烯的薄板浓度和与温度相关的电阻率建模
作者:
Saha Dipankar
;
Bhattacharya Sitangshu
;
Mahapatra Santanu
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
SLG;
flexural phonon;
in-plane phonon;
resistivity;
sheet-concentration;
62.
Modeling of temperature effects in a surface-potential based ASM-HEMT model
机译:
基于表面势的ASM-HEMT模型中的温度效应建模
作者:
Ghosh S.
;
Sharma K.
;
Agnihotri S.
;
Chauhan Y.S.
;
Khandelwal S.
;
Fjeldly T.A.
;
Yigletu F.M.
;
Iniguez B.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN HEMTs;
Temperature effects;
compact model;
63.
Nanogap electrode formation by sacrificial layer technique
机译:
牺牲层技术形成纳米间隙电极
作者:
Dhariwal Sachin
;
Prajesh Rahul
;
Agarwal Ajay
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Nano-gap structure;
bio-medical;
biochemical;
lift-off;
under-etching;
64.
One-dimensional photonic crystal reflector using silicon-rich silicon nitride and silicon oxynitride multilayers for solar cells
机译:
使用富硅氮化硅和氮氧化硅多层材料的一维光子晶体反射器,用于太阳能电池
作者:
Soman Anishkumar
;
Antony Aldrin
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Back reflector;
Bragg reflector;
Photovoltaics;
light trapping;
one dimensional photonic crystal;
65.
Optoelectronic properties of graphene silicon nano-texture
机译:
石墨烯硅纳米结构的光电性能
作者:
Brahmanandam J.
;
Ajmalghan M.
;
Abhilash R.K.
;
Mahapatra D.R.
;
Rahaman M.R.
;
Hegde G.M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Band structure;
Graphene;
Optical conductivity;
Silicon;
Silicon dioxide;
66.
Organic nanocomposite sensor for detection of Escherichia coli
机译:
用于检测大肠杆菌的有机纳米复合传感器
作者:
Mallya Ashwini N.
;
Sowmya P.
;
Ramamurthy Praveen C.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
E. coli;
chemiresistor;
organic molecules;
receptor groups;
67.
Performance comparison of bulk and SOI planar junctionless SONOS memory
机译:
大容量和SOI平面无结SONOS存储器的性能比较
作者:
Lodhi Rajesh Singh
;
Pandey Som Dutt
;
Sahu Chitrakant
;
Singh Jawar
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
2-D simulation;
Bulk;
Junctionless (JL) memory;
Silicon-On-Insulator (SOI);
Silicon-OxideNitride-Oxide-Silicon (SONOS);
68.
Two-dimensional analytical model for threshold voltage of graded-channel SOI MOSFETs
机译:
梯度沟道SOI MOSFET阈值电压的二维分析模型
作者:
Goel Varun
;
Sharma Sanjay
;
Kumar Sanjay
;
Jit S.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Drain Induced Barrier Lowering;
Graded-Channel;
Short-Channel-Effects;
silicon-on-insulator;
69.
Plasmonic enhancement of photocurrent in GaN based UV photodetectors
机译:
等离子体增强GaN基紫外光电探测器中的光电流
作者:
Shetty Arjun
;
Sundar Kamal John
;
Roul Basanta
;
Mukundan Shruti
;
Chandan Greeshma
;
Mohan Lokesh
;
Ghosh Ambarish
;
Vinoy K.J.
;
Krupanidhi S.B.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Gallium nitride;
UV photodetector;
molecular beam epitaxy;
nanosphere lithography;
plasmonics;
70.
Power requirements of sensing nodes and adequacy of piezoelectric energy harvesting
机译:
感测节点的功率要求和压电能量收集的充分性
作者:
Sriramdas Rammohan
;
Rastogi Shreevar
;
Pratap Rudra
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Sensing nodes;
piezoelectric energy harvesters;
vibration absorber;
71.
Process-induced-strain maximization of nano-scale silicon-on-sapphire high-k gate-dielectric MOSFETs by adjusting device aspect ratio
机译:
通过调整器件的长宽比,使纳米级蓝宝石硅高k栅介电MOSFET的工艺诱导应变最大化
作者:
Chatterjee Sulagna
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
aspect ratio;
nanoscale channel;
process-induced stress;
stress-engineering;
uniaxial stress;
72.
Sensitivity analysis of tunable double microring resonator based intensity sensor
机译:
基于可调谐双微环谐振器的强度传感器的灵敏度分析
作者:
Prashanth R.
;
Selvaraja Shankar Kumar
;
Varma Manoj M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Microring resonators;
Silicon photonics;
73.
Silicon on ferroelectric Tunnel FET (SOF-TFET) for low power application
机译:
低功耗应用中的硅铁电隧道FET(SOF-TFET)
作者:
Singh Sangeeta
;
Pal Pawan
;
Mittal Rohit
;
Tamia Anurag
;
Kondekar P.N.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
1-D Landau's model;
Ferroelectric;
negative capacitance;
subthreshold slope (SS);
74.
Simulation study of the electrical behavior of bottom contact organic thin film transistors
机译:
底部接触有机薄膜晶体管电学行为的仿真研究
作者:
Ana Farkhanda
;
Najeeb-ud-Din
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Gain;
OTFT;
Subthreshold;
TCAD;
Transconductance;
Traps;
75.
Single step fabrication of nano-structured superhydrophobic surfaces showing angle dependent colours
机译:
一步制备纳米结构的超疏水表面,呈现出与角度相关的颜色
作者:
Tripathy Abinash
;
Goswami Ankur
;
Sen Prosenjit
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
DRIE;
Superhydrophobic surface;
contact angle;
hysteresis;
nanoparticle;
76.
Size and surrounding medium effects on plasmonic response of Au-Ag-Cu nanospheres
机译:
尺寸和周围介质对Au-Ag-Cu纳米球的等离子体响应的影响
作者:
Bansal Amit
;
Verma S.S.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
FWHM;
Nanospheres;
Surface plasmons;
alloys;
trimetallic nanoparticles;
77.
Study of growth of in situ Ga-catalyzed AlGaAs nanostructures using MOVPE technique
机译:
利用MOVPE技术研究原位Ga催化AlGaAs纳米结构的生长
作者:
Bag Rajesh K.
;
Lohani J.
;
Tyagi R.
;
Pandya D.K.
;
Singh R.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
AlGaAs;
MOVPE;
micro-PL;
nanostructures;
78.
Study of NBE emission enhancement of ZnO nanorods by changing the surface property of ultrathin Ag interlayer
机译:
通过改变超薄银中间层的表面性质来增强ZnO纳米棒的NBE发射的研究
作者:
Pal Anil Kumar
;
Mohan D. Bharathi
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Hydrothermal reaction;
Surface Plasmon enhanced NBE emission;
Thermal Evaporation;
Ultra thin Ag films;
ZnO;
79.
Study of solder based self assembled 3D micro scale structures via surface evolver
机译:
通过表面演化器研究基于焊料的自组装3D微型结构
作者:
Oraon Neha
;
Rao Madhav
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
3D;
self assembly;
solder based self assembly;
surface evolver;
80.
Subthreshold Analog/RF performance estimation of doping-less DGFET for ULP applications
机译:
适用于ULP应用的无掺杂DGFET的亚阈值模拟/ RF性能估计
作者:
Kumar Anup
;
Sahu Chitrakant
;
Singh Jawar
会议名称:
《》
|
2014年
关键词:
Charge-plasma;
doping-less;
intrinsic gain;
sensitivity;
subthreshold;
ultra low power (ULP);
81.
Suitability of sol-gel derived amorphous and crystalline compositions of In-Ga-Zn oxide for thin film transistors
机译:
溶胶-凝胶衍生的In-Ga-Zn氧化物的非晶和晶体成分对薄膜晶体管的适用性
作者:
Choudhary Ishan
;
Deepak
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
IGZO;
amorphous;
polycrystalline;
sol-gel;
82.
Synthesis and characterization of Cd-doped ZnO Nanohybrids
机译:
掺Cd的ZnO纳米杂化物的合成与表征
作者:
Verma Shruti
;
Pandey Sushil K.
;
Mukherjee Shaibal
;
Manna Manoj K.
;
Das Apurba K.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Cd-doped ZnO;
band gap;
electrodeposition;
nanostructures;
photoluminescence;
83.
The effect of different silicon nitride passivation recipes on the DC characteristics of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
不同氮化硅钝化配方对AlGaN / GaN HEMT直流特性的影响
作者:
Laishram Robert
;
Kumar Sunil
;
Dayal Sindhu
;
Chaubey Rupesh K.
;
Raman R.
;
Sehgal B.K.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
AlGaN/GaN HEMTs;
Current Collapse;
Raman analysis;
SiN passivation;
Threshold Voltage Shift;
84.
Thermal stability of single layer pulsed — DC reactive sputtered AlO
X
film and stack of ICP ℄ CVD SiN
X
on AlO
X
for p-type c-Si surface passivation
机译:
p型c的单层脉冲式直流反应溅射AlO
X inf>膜和ICP℄CVD SiN
X inf>叠层的热稳定性-Si表面钝化
作者:
Bhaisare Meenakshi
;
Sandeep S.S.
;
Kottantharayil Anil
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Aluminum Oxide;
Crystalline Silicon Solar cells;
Silicon Nitride;
Surface Passivation;
Thermal Stability;
85.
Thin film anodized titania nanotubes-based oxygen sensor
机译:
薄膜阳极氧化二氧化钛纳米管氧传感器
作者:
Viegas Alison E.
;
Chatterjee Debaditya
;
Choudhury Tanushree H.
;
Raghavan Srinivasan
;
Bhat Navakanta
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Anodization;
Oxygen Sensor;
Thin Film;
Titania;
86.
To expound superconductive quantum transport for C
20
fullerene with disparate electrode material
机译:
用不同的电极材料阐述C
20 inf>富勒烯的超导量子传输
作者:
Kaur Milanpreet
;
Sawhney Ravinder Singh
;
Engles Derick
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
C;
fullerene;
Extended Hückel Theory (EHT) Non-Equilibrium Green's Function (NEGF);
Molecular Orbital (MO);
87.
Traditional graphene and junctionless carbon nanotube field effect transistor for cholesterol sensing
机译:
传统的石墨烯和无结碳纳米管场效应晶体管用于胆固醇传感
作者:
Abdul Barik M.
;
Sarma Manoj Kumar
;
Dutta Jiten C.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Carbon nanotube;
cholesterol;
cholesterol oxidase;
potassium;
pyrrole;
zinc oxide;
88.
Understanding evolution of electronic energy bands in low turn-on voltage DACz polymer diodes
机译:
了解低导通电压DACz聚合物二极管中电子能带的演变
作者:
Swathi S.K.
;
Ranjith K.
;
Ramamurthy Praveen C.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Energy band;
Mobility;
Polymer diode;
Scanning tunneling microscopy;
Turn on voltage;
89.
Understanding non-Gaussian velocity fluctuations in helical nano-propellers
机译:
了解螺旋纳米螺旋桨中的非高斯速度波动
作者:
Ghosh Arijit
;
Ghosh Ambarish
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Low Reynolds number;
Nanopropellers;
Velocity fluctuations;
Wall effects;
90.
Variability on the chiro-optical response of helically arranged metallic nanoparticles
机译:
螺旋排列的金属纳米粒子的手性光学响应的变异性
作者:
Singh Haobijam Johnson
;
Ghosh Ambarish
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
chiral metamaterials;
chiro-optical response;
coupled dipole model;
process variability;
91.
Vertical nanowire transistor-based CMOS: VTC analysis
机译:
基于垂直纳米线晶体管的CMOS:VTC分析
作者:
Maheshwaram Satish
;
Manhas S.K.
;
Anand B.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Series resistance;
vertical nanowire transistor;
voltage transfer characteristics;
92.
VLS growth of silicon nanowires in cold wall Cat-CVD chamber
机译:
冷壁Cat-CVD室中硅纳米线的VLS生长
作者:
Acharya Sanchar
;
Kottantharayil Anil
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Cat-CVD;
Silicon nanowire;
Vapour-Liquid-Solid (VLS) method;
93.
What decides the mobility of small molecule-based organic semiconductors in organic thin film transistors ?
机译:
是什么决定了有机薄膜晶体管中基于小分子的有机半导体的迁移率?
作者:
Rani Varsha
;
Yadav Sarita
;
Sharma Akanksha
;
Ghosh Subhasis
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
DFT;
OFETs;
Phthalocyanines;
charge carrier mobility;
94.
A novel FinFET with dynamic threshold voltage
机译:
具有动态阈值电压的新型FinFET
作者:
Pushpadhas Selwin Kumar
;
Nair Deleep R.
;
Gupta Amitava Das
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
95.
High field effect mobility of 10,000 cm2/V-s and 5,000 cm2/V-s in undoped and doped monolayer graphene-based transistors
机译:
在未掺杂的和掺杂的单层石墨烯基晶体管中,高电场效应迁移率为10,000cm 2 sup> / v-s和5,000cm 2 sup> / V-s
作者:
Yadav Premlata
;
Srivastava Pawan Kumar
;
Ghosh Subhasis
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Doping;
FET;
Graphene;
Mobility;
96.
Electrical characteristics of post-gate-annealed AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate
机译:
蓝宝石衬底后闸门退火的AlGaN / GaN Hemts的电气特性
作者:
Mahajan Somna S.
;
Tomer Anushree
;
Malik Amit
;
Laishram Robert
;
Agarwal Vanita R.
;
Naik A.A.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
DC characteristics;
HEMT;
Schottky contact annealing;
97.
Silicon on ferroelectric Tunnel FET (SOF-TFET) for low power application
机译:
铁电隧道FET硅(SOF-TFET),用于低功耗应用
作者:
Singh Sangeeta
;
Pal Pawan
;
Mittal Rohit
;
Tamia Anurag
;
Kondekar P.N.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
1-D Landau's model;
Ferroelectric;
negative capacitance;
subthreshold slope (SS);
98.
Dependence of field plate parameters on dielectric constant in a 4H-SiC Schottky diode
机译:
场板参数对4H-SiC肖特基二极管介电常数的依赖性
作者:
Shankar Bhawani
;
Gupta Sanjeev K.
;
Taube William R.
;
Akhtar Jamil
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
4H-SiC;
Breakdown Voltage;
Field plate termination;
High-k;
Schottky diode;
99.
Sensitivity analysis of tunable double microring resonator based intensity sensor
机译:
可调谐双微管谐振器强度传感器的灵敏度分析
作者:
Prashanth R.
;
Selvaraja Shankar Kumar
;
Varma Manoj M.
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Microring resonators;
Silicon photonics;
100.
A quick method to realize and characterize bimorph cantilevers
机译:
一种快速实现和表征Bimorph悬臂的方法
作者:
Prajesh Rahul
;
Shankar Bhawani
;
Jain Nishit
;
Agarwal Ajay
会议名称:
《International Conference on Emerging Electronics》
|
2014年
关键词:
Al-SiO2;
Cantilever;
bimorph;
bulk-micromachining;
deflection angle;
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