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International Conference on Ultimate Integration on Silicon
International Conference on Ultimate Integration on Silicon
召开年:
2013
召开地:
Coventry(GB)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Strain mapping in MOSFETs by transmission electron microscopy
机译:
通过透射电子显微镜测定MOSFET中的应变映射
作者:
Florian Hue
;
Martin Hytch
;
Florent Houdellier
;
Nelson Lou
;
Hugo Bender
;
Alain Claverie
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
2.
Fully depleted SOI- and sSOI-MOSFETs with GdScO{sub}3 as gate dielectric
机译:
用GDSCO {SUB} 3完全耗尽的SOI和SSOI-MOSFET作为栅极电介质
作者:
M. Roeckerath
;
J. M. J. Lopes
;
T. Heeg
;
J. Schubert
;
St. Lenk
;
S. Mantl
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
3.
The role of interface states in the low temperature mobility of hafnium-oxide gated Ge-pMOSFETs and the effect of a hydrogen anneal
机译:
界面状态在氧化铪 - 氧化铪的低温迁移率中的作用及氢气退火的效果
作者:
C. S. Beer
;
T. E. Whall
;
E. H. C. Parker
;
D. R. Leadley
;
B. De Jaeger
;
G. Nicholas
;
P. Zimmerman
;
M. Meuris
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
4.
Characterisation of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs
机译:
用作CMOS FET上的应力衬里的氮化硅薄膜的表征
作者:
G. Raymond
;
P. Morin
;
A. Devos
;
D. A. Hess
;
M. Braccini
;
F. Volpi
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
5.
Alternative Source/Drain Contact-Pad Architectures for Contact Resistance Improvement in Decanano-Scaled CMOS Devices
机译:
替代源/漏极接触焊盘架构,用于癸烷的CMOS器件中的接触电阻改善
作者:
C. Kampen
;
A. Burenkov
;
J. Lorenz
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
6.
Back-Scattering in Quasi Ballistic NanoMOSFETs: The role of Non Thermal Carrier Distributions
机译:
在准弹道纳米射频中的背散射:非热载体分布的作用
作者:
R. Clerc
;
P. Palestri
;
L. Selmi
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
7.
On the sub-nm EOT scaling of high-κ gate stacks
机译:
在高κ门堆栈的子NM EOT尺度上
作者:
S. Markov
;
S. Roy
;
C. Fiegna
;
E. Sangiorgi
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
8.
Impact of Isotropic Plasma Etching on Channel Si Surface Roughness Measured by AFM and on NMOS Inversion Layer Mobility
机译:
通过AFM和NMOS反转层移动测量的各向同性等离子体蚀刻对沟道Si表面粗糙度的影响
作者:
C. Dupre
;
T. Ernst
;
S. Borel
;
Y. Morand
;
S. Descombes
;
B. Guillaumot
;
X. Garros
;
S. Becu
;
X. Mescot
;
G. Ghibaudo
;
S. Deleonibus
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
9.
A New Multi Subband Monte Carlo Simulator for Nano p-MOSFETs
机译:
用于纳米P-MOSFET的新型多子带蒙特卡罗模拟器
作者:
M. De Michielis
;
D. Esseni
;
P. Palestri
;
L. Selmi
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
10.
Extraction of slow oxide trap profiles by low-frequency noise analysis: Application to hot-electron-induced degradation
机译:
低频噪声分析提取慢速氧化阱谱:热电诱导降解的应用
作者:
J. Armand
;
F. Martinez
;
J. Gyani
;
P. Benoit
;
M. Valenza
;
E. Vincent
;
V. Huard
;
C. Guerin
;
K. Rochereau
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
11.
Dielectric characteristics of amorphous and crystalline BaHfO{sub}3 high-k layers on TiN for memory capacitor applications
机译:
无定形和结晶BAHFO {Sub} 3高k层锡的介质特性,用于存储电容器应用
作者:
G. Lupina
;
G. Kozlowski
;
P. Dudek
;
J. Dabrowski
;
Ch. Wenger
;
G. Lippert
;
H. J. Mussig
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
12.
Determination of Physical Parameters for HfO{sub}2/SiO{sub}x/TiN MOSFET Gate Stacks by Electrical Characterization and Reverse Modeling
机译:
用电学特性和反向建模确定HFO {Sub} 2 / SIO {SUB} X / TIN MOSFET栅极堆的物理参数
作者:
S. Monaghan
;
P. K. Hurley
;
K. Cherkaoui
;
M. A. Negara
;
A. Schenk
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
High-k gate stacks;
HfO{sub}2;
Reverse modeling;
Tunneling;
Electron effective mass;
Electron affinity;
13.
Enhanced Electron Transport by Carrier Overshoot in Ultrascaled Double Gate MOSFETs
机译:
通过载体过冲在超薄双栅MOSFET中的增强电子传输
作者:
Noel Rodriguez
;
Luca Donetti
;
Carlos Sampedro
;
Francisco Martinez-Carricondo
;
Francisco Gamiz
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
14.
Simulation of Self-Heating effects in 30nm gate length FinFET
机译:
30nm栅极长度FINFET中自热效果的仿真
作者:
M. Braccioli
;
G. Curatola
;
Y. Yang
;
E. Sangiorgi
;
C. Fiegna
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
15.
One Mask Architecture for 3D Front-End Integration
机译:
用于3D前端集成的一个面具架构
作者:
P. Coronel
;
F. Arnaud
;
S. Harrison
;
R. Wacquez
;
J. Bustos
;
A. Pouydebasque
;
B. Borot
;
C. Gallon
;
C. Fenouillet-Beranger
;
L. Pain
;
D. Delille
;
H. Bourdon
;
S. Borel
;
V. Arnal
;
P. Ferreira
;
D. Lenoble
;
T. Skotnicki
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
16.
Channel Hot-Carrier degradation under static stress in short channel transistors with high-k/metal gate stacks
机译:
具有高k /金属栅极堆叠的短沟道晶体管的静态应力下的通道热载波劣化
作者:
E. Amat
;
T. Kauerauf
;
R. Degraeve
;
A. De Keersgieter
;
R. Rodriguez
;
M. Nafria
;
X. Aymerich
;
G. Groeseneken
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
17.
The impact of longitudinal nonuniform fin-thickness on quasi-ballistic transport in FinFETs
机译:
纵向非均匀鳍片厚度对鳍状料时的对准弹道运输的影响
作者:
N. Serra
;
P. Palestri
;
G. D. J. Smit
;
L. Selmi
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
18.
Nano Accumulation-Mode Suspended-Gate MOSFET: Impact of adhesion forces on electro-mechanical characteristics
机译:
纳米蓄积模式悬挂门MOSFET:粘附力对电力特性的影响
作者:
Michael Collonge
;
M. Vinet
;
S. Deleonibus
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
19.
Silicide as diffusion source for dopant segregation in 70-nm MOSFETs with PtSi Schottky-barrier source/drain on ultrathin-body SOI
机译:
硅化物作为掺杂剂偏析的扩散源,以70-nm MOSFET在超薄 - 体SOI上的PTSI肖特基 - 屏障源/排水管
作者:
Z. J. Qiu
;
Z. Zhang
;
J. Lu
;
R. Liu
;
M. Ostling
;
S. L. Zhang
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
Schottky-barrier MOSFET;
Dopant segregation;
Threshold voltage;
SADS;
20.
Statistical Simulation of RTS Amplitude Distribution in Realistic Bulk MOSFETs Subject to Random Discreet Dopants
机译:
RTS振幅分布在随机谨慎掺杂剂的现实散装MOSFET中的统计模拟
作者:
Muhammad Faiz Bukhori
;
Scott Roy
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
MOSFET;
Random Telegraph Signals;
Trapping;
Random dopants;
3-D simulation;
21.
On the Validity of the Effective Mass Approximation and the Luttinger k·p Model in Confined and Strained 2D-Holes-Systems
机译:
关于有效质量近似的有效性和狭窄和应变2D孔系统中的Luttinger K·P模型
作者:
D. Rideau
;
M. Feraille
;
M. Szczap
;
C. Tavernier
;
H. Jaouen
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
22.
Pre-Silicon SPICE Modeling of Nano-Scaled SOI MOSFETs
机译:
纳米缩放SOI MOSFET的硅预硅调度造型
作者:
A. Burenkov
;
C. Kampen
;
J. Lorenz
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
23.
Electrical Characterization and Compact Modeling of MOSFET body effect
机译:
MOSFET体效应的电气特性和紧凑型造型
作者:
Vincent Quenette
;
Pascal Lemoigne
;
Denis Rideau
;
Raphael Clerc
;
Lorenzo Ciampolini
;
Michel Minondo
;
Clement Tavernier
;
Herve Jaouen
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
Body effect;
Electrical characterization;
Compact modeling;
Charge sheet model;
24.
Anomalous Ge diffusion effects during Ge-condensation
机译:
电气凝结期间的异常GE扩散效应
作者:
C. S. Beer
;
T. E. Whall
;
R. J. H. Morris
;
E. H. C. Parker
;
D. R. Leadley
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
25.
Measurement and simulation of gate voltage dependence of RTS emission and capture time constants in MOSFETs
机译:
RTS发射栅极电压依赖性的测量和仿真和MOSFET中的捕获时间常数
作者:
N. Zanolla
;
D. Siprak
;
P. Baumgartner
;
E. Sangiorgi
;
C. Fiegna
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
26.
Stress-Induced Valley Splitting in Silicon Thin Films
机译:
硅薄膜中的应力诱导的谷分裂
作者:
Viktor Sverdlov
;
Thomas Windbacher
;
Hans Kosina
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
27.
Effects of Gate Current Stress on Electrical Characteristics of Ge Channel pMOSFETs with Si Passivation
机译:
栅极电流应力对具有Si钝化电气通道PMOSFET电气特性的影响
作者:
Masatomi Harada
;
Noriyuki Taoka
;
Toyoji Yamamoto
;
Yoshimi Yamashita
;
Osamu Kiso
;
Naoharu Sugiyama
;
Shin-ichi Takagi
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
28.
Al{sub}2O{sub}3 optimization for Charge Trap Memory Application
机译:
Al {sub} 2o {sub} 3充电陷阱内存应用的优化
作者:
C. Scozzari
;
G. Albini
;
M. Alessandri
;
S. Amoroso
;
P. Bacciaglia
;
A. Del Vitto
;
G. Ghidini
;
A. Grossi
;
A. Mauri
;
A. Modelli
;
R. Piagge
;
A. Sebastiani
;
P. Tessariol
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
29.
Relaxation of Strained Silicon on Si{sub}0.5Ge{sub}0.5 Virtual Substrates
机译:
Si {sub}上的紧张硅的放松.5ge {sub} 0.5虚拟基板
作者:
J. Parsons
;
R. J. H. Morris
;
D. R. Leadley
;
E. H. C. Parker
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
30.
Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs
机译:
扶手椅碳纳米布罩FET的紧密束缚和有效质量建模
作者:
Roberto Grassi
;
Stefano Poli
;
Elena Gnani
;
Antonio Gnudi
;
Susanna Reggiani
;
Giorgio Baccarani
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
31.
Substrate Bias Effect on Ge pMOSFETs with and without Halo
机译:
用哈洛的GE PMOSFET上的衬底偏置效应
作者:
E. Simoen
;
E. Voroshazi
;
J. Mitard
;
G. Eneman
;
D. P. Brunco
;
B. De Jaeger
;
M. Meuris
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
32.
A model for MOS gate stack quality evaluation based on the gate current 1/f noise
机译:
基于栅极电流1 / F噪声的MOS栅极堆栈质量评估模型
作者:
P. Magnone
;
F. Crupi
;
G. Iannaccone
;
G. Giusi
;
C. Pace
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
33.
Simulation of Strain Enhanced Variability in nMOSFETs
机译:
仿真菌株增强了NMOSFET的可变性
作者:
Xingsheng Wang
;
Binjie Cheng
;
Scott Roy
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
Intrinsic parameter fluctuations;
Line edge roughness;
Strained silicon;
Strain variability;
34.
FEASIBILITY OF SIO{sub}2/AL{sub}2O{sub}3 TUNNEL DIELECTRIC FOR FUTURE FLASH MEMORIES GENERATIONS
机译:
SIO {sub} 2 / al {sub} 2o {sub} 3隧道电介质用于未来闪存几代
作者:
Andrea Padovani
;
Luca Larcher
;
Sarves Verma
;
Paolo Pavan
;
Prashant Majhi
;
Pawan Kapur
;
Krishna Parat
;
Gennadi Bersuker
;
Krishna Saraswat
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
High-κ;
Flash memories;
Modeling;
Leakage current modeling;
Dielectrics;
35.
Schottky Barrier Height Modulation by Arsenic Dopant Segregation
机译:
肖特基势垒高度调制由砷掺杂剂分离
作者:
C. Urban
;
Q. T. Zhao
;
C. Sandow
;
M. Muller
;
U. Breuer
;
S. Mantl
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
36.
Low-Voltage Scaling Limitations for Nano-Scale CMOS LSIs
机译:
纳米级CMOS LSIS的低压缩放限制
作者:
Kiyoo Itoh
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
37.
Unified model for low-field electron mobility in bulk and SOI-MOSFETs with different substrate orientations and its application to quantum drift-diffusion simulation
机译:
具有不同基板取向的散装和SOI-MOSFET中低场电子迁移率的统一模型及其在量子漂移 - 扩散仿真中的应用
作者:
L. Silvestri
;
S. Reggiani
;
E. Gnani
;
A. Gnudi
;
G. Baccarani
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
38.
Series Resistance in Vertical MOSFETs with Reduced Drain/Source Overlap Capacitance
机译:
垂直MOSFET中的串联电阻降低漏极/源重叠电容
作者:
L. Tan
;
S. Hall
;
O. Buiu
;
M. M. A. Hakim
;
T. Uchino
;
P. Ashburn
;
W. Redman-White
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
39.
A generalised methodology for oxide leakage current metric
机译:
氧化物漏电流度量的广义方法
作者:
O. Engstrom
;
J. Piscator
;
B. Raeissi
;
P. K. Hurley
;
K. Cherkaoui
;
S. Hall
;
M. C. Lemme
;
H. D. B. Gottlob
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
40.
Selective Import of Biomolecules through Nanopored Silicon Nitride Membranes
机译:
通过纳米孔氮化硅膜选择性进口生物分子
作者:
Manola Moretti
;
Enzo Di Fabrizio
;
Francesco De Angelis
;
Giuseppe Firrao
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
41.
HF Characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO{sub}2 Gate Stack
机译:
具有TIN / HFO {SUB} 2栅极堆栈的SUB-100NM UTB-FDSOI的HF表征
作者:
T. C. Lim
;
O. Rozeau
;
C. Buj
;
M. Paccaud
;
G. Dambrine
;
F. Danneville
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
42.
Using a cell manipulation biochip to investigate the adhesion characteristics of single mammalian cells
机译:
使用细胞操作Biochip来研究单一哺乳动物细胞的粘附特性
作者:
G. Cellere
;
M. Borgo
;
A. De Toni
;
L. Bandiera
;
L. Santoni
;
L. Biondato
;
A. Paccagnella
;
L. Lorenzelli
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
43.
Electron/phonon interaction in silicon quantum dots
机译:
硅量子点中的电子/声子相互作用
作者:
A. Valentin
;
J. See
;
S. Galdin-Retailleau
;
P. Dollfus
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
44.
Threshold Voltage in Ultra Thin FDSOI CMOS: Advanced Triple Interface Model and Experimental Devices
机译:
超薄FDSOI CMOS中的阈值电压:高级三界面模型和实验装置
作者:
J. P. Mazellier
;
F. Andrieu
;
O. Faynot
;
L. Brevard
;
C. Buj
;
S. Cristoloveanu
;
Y. Le Tiec
;
S. Deleonibus
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
45.
Role of Si implantation in control of underlap length in Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultrathin body SOI
机译:
SI植入控制肖特基势垒源/漏极MOSFET在超细屏蔽MOSE中控制的作用
作者:
Z. J. Qiu
;
Z. Zhang
;
J. Olsson
;
J. Lu
;
P. E. Hellstrom
;
R. Liu
;
M. Ostling
;
S. L. Zhang
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
Si implantation;
Underlap length;
PtSi;
Schottky barrier-MOSFET;
Dopant segregation;
46.
Circuits with Innovative Devices - Challenges and Chances
机译:
具有创新设备的电路 - 挑战和机会
作者:
D. Schmitt-Landsiedel
;
C. Werner
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
47.
Dimensional scaling effects on transport properties of ultrathin body p-i-n diodes
机译:
超薄体P-IN二极管传输性能的尺寸缩放效果
作者:
B. Rajasekharan
;
C. Salm
;
R. J. E. Hueting
;
T. Hoang
;
J. Schmitz
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
关键词:
Diode;
p-i-n diode;
Charge plasma (CP) diode;
Silicon-on-insulator (SOI);
Buried oxide (BOX);
Quantum confinement;
Band gap widening;
48.
Channel Backscattering Characteristics of High Performance Germanium pMOSFETs
机译:
高性能锗PMOSFET的频道反向散射特性
作者:
A. Dobbie
;
B. De Jaeger
;
M. Meuris
;
T. E. Whall
;
E. H. C. Parker
;
D. R. Leadley
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
49.
Variability in SOI Schottky Barrier MOSFETs
机译:
SOI肖特基障屏幕MOSFET中的变异性
作者:
S. F. Feste
;
M. Zhang
;
J. Knoch
;
S. L. Zhang
;
S. Mantl
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
50.
The Theory and Practice of Modern Nanobiosensors
机译:
现代纳米极具传感器的理论与实践
作者:
Muhammad A. Alam
;
Pradeep R. Nair
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2008年
51.
Organizing committee
机译:
组织委员会
作者:
{missing}
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
52.
Welcome — F#x00E1;ilte
机译:
欢迎 - 欢迎
作者:
{missing}
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
53.
Nanocarbon structures for electronic applications — A critical review
机译:
用于电子应用的纳米碳结构 - 一个关键评论
作者:
Duesberg Georg S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
54.
From bulk toward FDSOI and silicon nanowire transistors: Challenges and opportunities
机译:
从散装到FDSOI和硅纳米线晶体管:挑战和机遇
作者:
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
55.
Ge quantum dot Schottky diode operated in a 89GHz Rectenna
机译:
GE量子点肖特基二极管在89GHz indenna中操作
作者:
Karmous A.
;
Xu H.
;
Oehme M.
;
Kasper E.
;
Schulze J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
56.
Bulk FinFET fabrication with new approaches for oxide topography control using dry removal techniques
机译:
使用干式移除技术,具有新方法的散装FinFET制造具有新的氧化物形貌控制
作者:
Redolfi A.
;
Sleeckx E.
;
Devriendt K.
;
Shamiryan D.
;
Vandeweyer T.
;
Horiguchi N.
;
Togo M.
;
Wouter J. M. D.
;
Jurczak M.
;
Hoffmann T.
;
Cockburn A.
;
Gravey V.
;
Diehl D. L.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
57.
Performance investigation of short-channel junctionless multigate transistors
机译:
短通道连接络晶体管的性能调查
作者:
Razavi P.
;
Fagas G.
;
Ferain I.
;
Akhavan N. Dehdashti
;
Yu R.
;
Colinge J. P.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
58.
Atomic scale simulation of a junctionless silicon nanowire transistor
机译:
连接硅纳米线晶体管的原子尺度模拟
作者:
Ansari Lida
;
Feldman Baruch
;
Fagas Giorgos
;
Colinge Jean-Pierre
;
Greer James C.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
59.
Fabrication of ZnO nanowire device using top-down approach
机译:
使用自上而下方法制造ZnO纳米线装置
作者:
Sultan S. M.
;
Sun K.
;
Partridge J.
;
Allen M.
;
Ashburn P.
;
Chong H. M. H.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
60.
Giant mobility enhancement in highly strained, direct gap Ge
机译:
巨大的流动性在高度紧张,直接差距GE
作者:
Murphy-Armando F.
;
Fahy S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
61.
Atomic scale simulation of a junctionless silicon nanowire transistor
机译:
连接硅纳米线晶体管的原子尺度模拟
作者:
Ansari Lida
;
Feldman Baruch
;
Fagas Giorgos
;
Colinge Jean-Pierre
;
Greer James C.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
62.
Toy model for the progressive breakdown dynamics of ultrathin gate dielectrics
机译:
超薄栅极电介质逐步击穿动力学的玩具模型
作者:
Miranda E.
;
Jimenez D.
;
Sune J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
63.
Extraction of channel mobility in nanowire MOSFETs using I
d
(Vg) characteristics and random telegraph noise amplitude
机译:
使用I
D IM>(VG)特性和随机电报噪声幅度提取纳米线MOSFET中的信道移动性
作者:
Nazarov A. N.
;
Lee C. W.
;
Kranti A.
;
Ferain I.
;
Yan R.
;
Akhavan N. Dehdashti
;
Razavi P.
;
Yu R.
;
Colinge J.-P.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
64.
Tunneling path impact on semi-classical numerical simulations of TFET devices
机译:
TFET器件上半古典数值模拟的隧道路径影响
作者:
De Michielis Luca
;
Iellina Matteo
;
Palestri Pierpaolo
;
Ionescu Adrian M.
;
Selmi Luca
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
65.
Statistical comparison of random telegraph noise (RTN) in bulk and fully depleted SOI MOSFETs
机译:
随机电报噪声(RTN)在散装和完全耗尽的SOI MOSFET中的统计比较
作者:
Nishimura Jun
;
Saraya Takuya
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
66.
Analytical model of ballistic current for GAA nanowire MOSFET including band structure effects: Application to ring oscillator
机译:
GAA纳米线MOSFET弹道电流的分析模型,包括带结构效应:环形振荡器的应用
作者:
Dura J.
;
Martinie S.
;
Munteanu D.
;
Triozon F.
;
Barraud S.
;
Niquet Y. M.
;
Barbe J. C.
;
Autran J. L.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
67.
Quantum simulations of electrostatics in Si cylindrical nanowire pinch-off nFETs and pFETs with a homogeneous channel including strain and arbitrary crystallographic orientations
机译:
Si圆柱形纳米线的静电模拟夹紧NFET和PFET的均匀通道,包括应变和任意晶莹剔透的晶体
作者:
Pham A. T.
;
Soree B.
;
Magnus W.
;
Jungemann C.
;
Meinerzhagen B.
;
Pourtois G.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
68.
Amorphous silicon: The other silicon
机译:
无定形硅:其他硅
作者:
Sturm J. C.
;
Huang Y.
;
Han L.
;
Liu T.
;
Hekmatshoar B.
;
Cherenack K.
;
Lausecker E.
;
Wagner S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
69.
Influence of annealing temperature on the performance of graphene / SiC transistors with high-k / metal gate
机译:
退火温度对高k /金属闸门石墨烯/ SiC晶体管性能的影响
作者:
Clavel M.
;
Poiroux T.
;
Mouis M.
;
Becerra L.
;
Thomassin J. L
;
Zenasni A.
;
Lapertot G.
;
Rouchon D.
;
Lafond D.
;
Faynot O.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
70.
Monolithic 3D-ICs with single grain Si thin film transistors
机译:
单颗粒Si薄膜晶体管的单片3D-IC
作者:
Ishihara R.
;
Golshani Negin
;
Derakhshandeh J.
;
Mofrad M. R. Tajari
;
Beenakker C. I. M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
71.
Physically-based, multi-architecture, analytical model for junctionless transistors
机译:
无线晶体管的物理基础,多架构,分析模型
作者:
Berthome Matthieu
;
Barraud Sylvain
;
Ionescu Adrian
;
Ernst Thomas
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
72.
Alloy scattering of substitutional carbon in silicon: A first principles approach
机译:
硅中取代碳的合金散射:第一个原理方法
作者:
Vaughan M. P.
;
Murphy-Armando F.
;
Fahy S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
73.
20nm Gate length Schottky MOSFETs with ultra thin NiSi/epitaxial NiSi
2
source/drain
机译:
20NM门长舒丝MOSFET带超薄NISI /外延NISI
2 INF>源/排水
作者:
Knoll L.
;
Zhao Q. T.
;
Luptak R.
;
Trellenkamp S.
;
Bourdelle K. K.
;
Mantl S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
74.
Lanthanum Lutetium oxide integration in a gate-first process on SOI MOSFETs
机译:
在SOI MOSFET上的栅极第一过程中的镧素氧化钇集成
作者:
Nichau A.
;
Ozben E. Durgun
;
Schnee M.
;
Lopes J. M. J.
;
Besmehn A.
;
Luysberg M.
;
Knoll L.
;
Habicht S.
;
Mussmann V.
;
Luptak R.
;
Lenk St.
;
Rubio-Zuazo J.
;
Castro G. R.
;
Buca D.
;
Zhao Q. T.
;
Schubert J.
;
Mantl S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
75.
On the effective mass of holes in inversion layers
机译:
关于反转层中有效质量的孔
作者:
Donetti L.
;
Gamiz F.
;
Thomas S. M.
;
Whall T. E.
;
Leadley D. R.
;
Hellstrom P.-E.
;
Malm G.
;
Ostling M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
76.
Electron injection from n-type Si substrates into (i) Transition metal high-k dielectrics and (ii) SiO
2
and Si oxynitride alloys: Conduction band edge states and negative ion state electron trap differences
机译:
从N型Si基材的电子注入到(i)过渡金属高k电介质和(ii)SiO
2 IM>和Si氧氮化物合金:导电带边缘状态和负离子状态电子捕集差异
作者:
Lucovsky G.
;
Zeller D.
;
Wu K.
;
Kim J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
77.
The impact of junction angle on tunnel FETs
机译:
结角对隧道FET的影响
作者:
Kao Frank K. H.
;
Verhulst Anne S.
;
Vandenberghe William G.
;
Groeseneken Guido
;
De Meyer Kristin
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
78.
Annealing investigations for high-k first n-channel In
0.53
Ga
0.47
As MOSFET development
机译:
在
0.53 INF> GA
0.47 INM>中的高K第一N沟道的退火调查作为MOSFET开发
作者:
Djara Vladimir
;
Cherkaoui Karim
;
Thomas Kevin
;
Pelucchi Emanuele
;
OConnell Dan
;
Floyd Liam
;
Hurley Paul K.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
79.
Open issues for the numerical simulation of silicon solar cells
机译:
硅太阳能电池数值模拟的开放问题
作者:
De Rose R.
;
Zanuccoli M.
;
Magnone P.
;
Sangiorgi E.
;
Fiegna C.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
80.
Self-heating and substrate effects in ultra-thin body ultra-thin BOX devices
机译:
超薄体超薄盒装置中的自加热和基材效果
作者:
Makovejev S.
;
Kilchytska V.
;
Arshad M. K. Md
;
Flandre D.
;
Andrieu F.
;
Faynot O.
;
Olsen S.
;
Raskin J.-P.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
81.
Brownian dynamics simulation of ion channels embedded in silicon membranes for sensor applications
机译:
用于传感器应用的硅膜中嵌入离子通道的布朗动力学仿真
作者:
Berti C.
;
Furini S.
;
Sangiorgi E.
;
Fiegna C.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
82.
Revisited approach for the characterization of Gate Induced Drain Leakage
机译:
重新检测栅极诱导排水泄漏表征的方法
作者:
Rafhay Quentin
;
Xu Cuiqin
;
Batude Perrine
;
Mouis Mireille
;
Vinet Maud
;
Ghibaudo Gerard
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
83.
Authors list
机译:
作者名单
作者:
{missing}
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
84.
High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs
机译:
UTB SOI MOSFET的高温视角
作者:
Kilchytska V.
;
Andrieu F.
;
Faynot O.
;
Flandre D.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
85.
Source/drain engineered ultra low power analog/RF UTBB MOSFETs
机译:
源/排水工程超低功耗模拟/ RF UTBB MOSFET
作者:
Kranti Abhinav
;
Raskin Jean-Pierre
;
Armstrong G. Alastair
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
86.
Analytical drain current model reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate (DG) MOSFETs
机译:
纳米级双栅极(DG)MOSFET中再现高级运输模型的分析漏极电流模型
作者:
Cheralathan M.
;
Sampedro C.
;
Roldan J. B.
;
Gamiz F.
;
Iannaccone G.
;
Sangiorgi E.
;
Iniguez B.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
87.
Behavior of triple gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation
机译:
三门散装FinFET的行为,没有DTMOS操作
作者:
de Andrade Maria Gloria Cano
;
Martino Joao Antonio
;
Aoulaiche Marc
;
Collaert Nadine
;
Simoen Eddy
;
Claeys Cor
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
88.
Modeling of thermal network in silicon power MOSFETs
机译:
硅功率MOSFET中热网络建模
作者:
Magnone Paolo
;
Fiegna Claudio
;
Greco Giuseppe
;
Bazzano Gaetano
;
Sangiorgi Enrico
;
Rinaudo Salvatore
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
89.
Characterization and modeling of capacitances in FD-SOI devices
机译:
FD-SOI设备电容的表征与建模
作者:
Ben Akkez I.
;
Cros A.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Perreau P.
;
Margain A.
;
Boeuf F.
;
Balestra F.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
90.
A surface potential based compact model for lightly doped FD SOI MOSFETs with ultra-thin body
机译:
具有超薄体轻掺杂FD SOI MOSFET的表面势基础型号
作者:
Husseini J. El
;
Martinez F.
;
Bawedin M.
;
Valenza M.
;
Ritzenthaler R.
;
Lime F.
;
Iniguez B.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
91.
Influence of drain voltage on MOSFET threshold voltage determination by transconductance change and g
m
/I
d
methods
机译:
漏极电压对跨导变化和G
M IIM> / I
D INF>方法的影响对MOSFET阈值电压测定的影响
作者:
Rudenko T.
;
Kilchytska V.
;
Arshad M. K. Md
;
Raskin J.-P.
;
Nazarov A.
;
Flandre D.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
92.
X-ray absorption studies of elemental and complex transition metal (TM) oxides: Differences between: (i) Chemical, and (ii) Local site symmetry multivalency
机译:
元素和复杂过渡金属(TM)氧化物的X射线吸收研究::(i)化学物质和(ii)局部地点对称多价
作者:
Lucovsky G.
;
Miotti L.
;
Zeller D.
;
Adamo Carolina
;
Scholm Darrell
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
93.
Modeling the breakdown statistics of Al
2
O
3
/HfO
2
nanolaminates grown by atomic-layer-deposition
机译:
模拟Al
2 INF> O
3 INF> / HFO
2 INF>通过原子层沉积种植的纳米胺
作者:
Conde A.
;
Martinez C.
;
Saura X.
;
Jimenez D.
;
Miranda E.
;
Rafi J. M.
;
Campabadal F.
;
Sune J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
94.
2D Analytical calculation of the source/drain access resistance in DG-MOSFET structures
机译:
2D DG-MOSFET结构源/漏电机的分析计算
作者:
Holtij Thomas
;
Schwarz Mike
;
Kloes Alexander
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
关键词:
Double-Gate (DG) MOSFET;
analytical closed-form;
compact modeling;
conformal mapping;
device modeling;
electric field;
parasitic resistances;
raised source drain (RSD);
wrapped contacts;
95.
Transport properties of spin field-effect transistors built on Si and InAs
机译:
Si和InAs内置旋转场效应晶体管的运输属性
作者:
Osintsev D.
;
Sverdlov V.
;
Stanojevic Z.
;
Makarov A.
;
Selberherr S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
96.
Simulation and optimization of Tri-Gates in a 22 nm hybrid Tri-Gate/planar process
机译:
22 nm混合三门/平面过程中三门的仿真与优化
作者:
Baldauf T.
;
Wei A.
;
Illgen R.
;
Flachowsky S.
;
Herrmann T.
;
Feudel T.
;
Hontschel J.
;
Horstmann M.
;
Klix W.
;
Stenzel R.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
97.
A simulation study of N-shell silicon nanowires as biological sensors
机译:
N-壳硅纳米线作为生物传感器的模拟研究
作者:
Rigante Sara
;
Livi Paolo
;
Hierlemann Andreas
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
98.
Two-dimensional carrier mapping at the nanometer-scale on 32nm node targeted p-MOSFETs using high vacuum scanning spreading resistance microscopy
机译:
使用高真空扫描扩展电阻显微镜的32nm节点靶向P-MOSFET的二维载体映射。
作者:
Eyben Pierre
;
Clarysse Trudo
;
Mody Jay
;
Nazir Aftab
;
Schulze Andreas
;
Hantschel Thomas
;
Vandervorst Wilfried
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
99.
2D Analysis of source/drain carrier tunneling in lightly doped Schottky barrier DG-MOSFETs using a fully analytical model
机译:
用全分析模型,2D分析轻掺杂肖特基屏障DG-MOSFET中的源/漏载体隧道
作者:
Schwarz Mike
;
Holtij Thomas
;
Kloes Alexander
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
关键词:
2D Poisson;
Double-Gate (DG) MOSFET;
Schottky barrier;
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation;
compact modeling;
thermionic current;
tunneling current;
100.
The effect of the doping concentration on nanoscale field effect diode performance
机译:
掺杂浓度对纳米级场效应二极管性能的影响
作者:
Manavizadeh N.
;
Raissi F.
;
Soleimani E. Asl
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
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