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41st European Solid-State Device Research Conference
41st European Solid-State Device Research Conference
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1.
Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si
0.5
Ge
0.5
source
机译:
具有应变Si沟道和Si
0.5 inf> Ge
0.5 inf>源的隧穿场效应晶体管
作者:
Zhao Q. T.
;
Yu W. J.
;
Zhang B.
;
Schmidt M.
;
Richter S.
;
Buca D.
;
Hartmann J.-M.
;
Luptak R.
;
Fox A.
;
Bourdelle K. K.
;
Mantl S.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
2.
TCAD optimization of a dual N/P-LDMOS transistor
机译:
双N / P-LDMOS晶体管的TCAD优化
作者:
Poli S.
;
Reggiani S.
;
Sharma R. Kr.
;
Baccarani G.
;
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Denison M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
3.
Impact of isolation scheme on thermal resistance and collector-substrate capacitance of SiGe HBTs
机译:
隔离方案对SiGe HBT热阻和集电极-衬底电容的影响
作者:
You Shuzhen
;
Decoutere Stefaan
;
Van Huylenbroeck Stefaan
;
Sibaja-Hernandez Arturo
;
Venegas Rafael
;
De Meyer Kristin
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
4.
Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation
机译:
Si-Ge HBT的电热特性及其脉冲测量和瞬态模拟
作者:
Sahoo Amit Kumar
;
Fregonese Sebastien
;
Weis Mario
;
Malbert Nathalie
;
Zimmer Thomas
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
5.
Fundamentals and current status of steep-slope tunnel field-effect transistors
机译:
陡坡隧道场效应晶体管的基本原理和当前状态
作者:
Seabaugh Alan
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
6.
Analog design trends and challenges in 28 and 20nm CMOS technology
机译:
28和20nm CMOS技术的模拟设计趋势和挑战
作者:
Dautriche Pierre
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
7.
Front matter
机译:
前事
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
8.
High-k / metal gate innovations enabling continued CMOS scaling
机译:
高k /金属栅极创新技术可实现CMOS连续缩放
作者:
Frank Martin M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
9.
Brain-machine interfaces as the new frontier in extreme miniaturization
机译:
脑机接口成为极端小型化的新领域
作者:
Rabaey Jan M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
10.
Photonics — Electronics integration on CMOS
机译:
光子学— CMOS上的电子集成
作者:
Fulbert Laurent
;
Fedeli Jean-Marc
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
11.
Circuit design in organic semiconductor technologies
机译:
有机半导体技术中的电路设计
作者:
Heremans P.
;
Dehaene W.
;
Steyaert M.
;
Myny K.
;
Marien H.
;
Genoe J.
;
Gelinck G.
;
van Veenendaal E.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
12.
ESSDERC 2011 author index
机译:
ESSDERC 2011作者索引
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
13.
Two-stage trigger silicon-controller rectifier (SCR) for radio-frequency (RF) ESD protection in the nanometer technologies
机译:
两级触发式硅控制器整流器(SCR),用于纳米技术中的射频(RF)ESD保护
作者:
Lee Jian-Hsing
;
Huang Shao-Chang
;
Lee Yu-Huei
;
Chen Ke-Horng
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
14.
A sub-ns time-gated CMOS single photon avalanche diode detector for Raman spectroscopy
机译:
亚纳时间门控CMOS单光子雪崩二极管探测器,用于拉曼光谱
作者:
Nissinen I.
;
Nissinen J.
;
Lansman A-K.
;
Hallman L.
;
Kilpela A.
;
Kostamovaara J.
;
Kogler M.
;
Aikio M.
;
Tenhunen J.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
15.
Integration of series-connected on-chip solar battery in a triple-well CMOS LSI
机译:
串联连接的片上太阳能电池在三阱CMOS LSI中的集成
作者:
Horiguchi Fumio
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
16.
Efficent low cost process for single step metal forming of 3D interconnected above-IC inductors
机译:
用于3D互连上方IC电感器的单步金属成型的高效低成本工艺
作者:
Ghannam Ayad
;
Ourak Lamine
;
Bourrier David
;
Viallon Christophe
;
Parra Thierry
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
17.
Gold-doped high resistivity Czochralski-silicon for integrated passive devices and 3D integration
机译:
掺金高电阻率直拉硅,用于集成无源器件和3D集成
作者:
Abuelgasim Ahmed
;
Mallik Kanad
;
de Groot C. H.
;
Ashburn P.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
18.
High-quality p
+
n Ge diodes selectively grown on Si with a sub-300nm transition region
机译:
在具有300nm以下过渡区的Si上选择性生长的高质量p
+ sup> n Ge二极管
作者:
Sammak Amir
;
de Boer Wiebe D.
;
Qi Lin
;
Nanver Lis K.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
19.
Numerical analysis of cosmic radiation-induced failures in power diodes
机译:
宇宙辐射引起的功率二极管故障的数值分析
作者:
Weis Christoph
;
Aschauer Stefan
;
Wachutka Gerhard
;
Hartl Andreas
;
Hille Frank
;
Pfirsch Frank
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
20.
EM-TCAD solving from 0–100 THz: A new implementation of an electromagnetic solver
机译:
EM-TCAD在0–100 THz范围内求解:电磁求解器的新实现
作者:
Chen Quan
;
Schoenmaker Wim
;
Banagaaya Nico
;
Schilders Wil
;
Wong Ngai
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
21.
Numerical analysis of a novel MTJ stack for high readability and writability
机译:
具有高可读性和可写性的新型MTJ堆栈的数值分析
作者:
Raychowdhury A.
;
Augustine C.
;
Somasekhar D.
;
Tschanz J.
;
Roy K.
;
De V.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
22.
A novel technique for extraction of thermal conductivity in metallic thin films
机译:
一种提取金属薄膜导热系数的新技术
作者:
Zong Zhao-Xiang
;
Qiu Zhi-Jun
;
Liu Ran
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
23.
Accurate measurements of the charge pumping current due to individual MOS interface traps and interactions in the carrier capture/emission processes
机译:
由于各个MOS接口陷阱以及载流子捕获/发射过程中的相互作用,因此精确测量了电荷泵浦电流
作者:
Tsuchiya Toshiaki
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
24.
High mobility channel from the prospective of random telegraph noise
机译:
从随机电报噪声的角度看高迁移率信道
作者:
Cheung K. P.
;
Campbell J. P.
;
Oates A.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
25.
Characterization of large-scale non-uniformities in a 20k TDC/SPAD array integrated in a 130nm CMOS process
机译:
集成在130nm CMOS工艺中的20k TDC / SPAD阵列中的大规模不均匀性的表征
作者:
Veerappan C.
;
Richardson J.
;
Walker R.
;
Li D. U.
;
Fishburn M. W.
;
Stoppa D.
;
Borghetti F.
;
Maruyama Y.
;
Gersbach M.
;
Henderson R. K.
;
Bruschini C.
;
Charbon E.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
26.
A low cost multi quantum SiGe/Si/Schottky structure for high performance IR detectors
机译:
用于高性能红外探测器的低成本多量子SiGe / Si /肖特基结构
作者:
Kolahdouz M.
;
Ostling M.
;
Radamson H. H.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
27.
Nanomagnetic Logic: Demonstration of directed signal flow for field-coupled computing devices
机译:
纳米磁逻辑:现场耦合计算设备的定向信号流演示
作者:
Breitkreutz Stephan
;
Kiermaier Josef
;
Ju Xueming
;
Csaba Gyorgy
;
Schmitt-Landsiedel Doris
;
Becherer Markus
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
28.
Gas sensors based on silicon chip-to-chip synthesis of tin oxide nanowires
机译:
基于氧化锡纳米线硅芯片间合成的气体传感器
作者:
Mutinati G. C.
;
Brunet E.
;
Maier T.
;
Steinhauer S.
;
Kock A.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
29.
Self-aligned double-gate suspended-body single-walled carbon nanotube field-effect-transistors
机译:
自对准双栅悬浮体单壁碳纳米管场效应晶体管
作者:
Cao Ji
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
30.
Accumulation-mode GAA Si NW nFET with sub-5 nm cross-section and high uniaxial tensile strain
机译:
截面小于5 nm且单轴拉伸应变高的累积模式GAA Si NW nFET
作者:
Najmzadeh Mohammad
;
Bouvet Didier
;
Grabinski Wladek
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
31.
Phonon limited uniform transport in bilayer graphene transistors
机译:
声子限制了双层石墨烯晶体管中的均匀传输
作者:
Paussa Alan
;
Bresciani Marco
;
Esseni David
;
Palestri Pierpaolo
;
Selmi Luca
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
32.
High-frequency analog GNR-FET design criteria
机译:
高频模拟GNR-FET设计标准
作者:
Imperiale Ilaria
;
Gnudi Antonio
;
Gnani Elena
;
Reggiani Susanna
;
Baccarani Giorgio
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
33.
An investigation on steep-slope and low-power nanowire FETs
机译:
陡坡和低功率纳米线FET的研究
作者:
Gnani E.
;
Maiorano P.
;
Reggiani S.
;
Gnudi A.
;
Baccarani G.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
34.
Octagonal MOSFET: Reliable device for low power analog applications
机译:
八边形MOSFET:低功耗模拟应用的可靠器件
作者:
Joly Y.
;
Lopez L.
;
Portal J.-M.
;
Aziza H.
;
Masson P.
;
Ogier J.-L.
;
Bert Y.
;
Julien F.
;
Fornara P.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
35.
Trench depth optimization for energy efficient discrete power trench MOSFETs
机译:
沟槽深度优化,用于高能效分立功率沟槽MOSFET
作者:
Alatise Olayiwola
;
Parker-Allotey Nii-Adotei
;
Jennings Michael
;
Mawby Phil
;
Kennedy Ian
;
Petkos George
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
36.
Low temperature gate dielectric deposition for recessed AlGaN/GaN MIS-HEMTs
机译:
用于凹陷AlGaN / GaN MIS-HEMT的低温栅极电介质沉积
作者:
Saadat Omair I.
;
Palacios Tomas
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
37.
AlGaN/GaN power amplifiers for ISM frequency applications
机译:
适用于ISM频率应用的AlGaN / GaN功率放大器
作者:
Krausse D.
;
Benkhelifa F.
;
Reiner R.
;
Quay R.
;
Ambacher O.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
38.
Compensation of externally applied mechanical stress by stacking of ultra-thin chips
机译:
通过堆叠超薄芯片来补偿外部施加的机械应力
作者:
Endler Stefan
;
Rempp Horst
;
Harendt Christine
;
Burghartz Joachim N.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
39.
Extracting the conduction band offset in strained FinFETs from subthreshold-current measurements
机译:
从亚阈值电流测量中提取应变FinFET中的导带偏移
作者:
van Hemert T.
;
Kemaneci B. Kaleli
;
Hueting R. J. E.
;
Esseni D.
;
van Dal M. J. H.
;
Schmitz J.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
40.
Noise performance in strained Si Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
应变硅异质结双极晶体管的噪声性能
作者:
Fjer M.
;
Persson S.
;
Escobedo-Cousin E.
;
OrNeill A. G.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
41.
Improved extraction of GIDL in FDSOI devices for proper junction quality analysis
机译:
改进了FDSOI器件中GIDL的提取,以进行正确的结质量分析
作者:
Xu C.
;
Batude P.
;
Romanjek K.
;
Le Royer C.
;
Tabone C.
;
Previtali B.
;
Jaud M-A.
;
Garros X
;
Vinet M.
;
Poiroux T.
;
Rafhay Q.
;
Mouis M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
42.
CMOS without doping: Midgap Schottky-barrier nanowire field-effect-transistors for high-temperature applications
机译:
无需掺杂的CMOS:用于高温应用的Midgap肖特基势垒纳米线场效应晶体管
作者:
Wessely Frank
;
Krauss Tillmann
;
Schwalke Udo
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
43.
Electron-hole bilayer tunnel FET for steep subthreshold swing and improved ON current
机译:
电子空穴双层隧道FET可实现陡峭的亚阈值摆幅并改善导通电流
作者:
Lattanzio Livio
;
De Michielis Luca
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
44.
Electrical results of vertical Si N-Tunnel FETs
机译:
垂直Si N沟道FET的电学结果
作者:
Vandooren A.
;
Leonelli D.
;
Rooyackers R.
;
Arstila K.
;
Groeseneken G.
;
Huyghebaert C.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
45.
N-type doped germanium contact resistance extraction and evaluation for advanced devices
机译:
先进器件的N型掺杂锗接触电阻提取和评估
作者:
Shayesteh M.
;
Daunt C. Ll. M.
;
OrConnell D.
;
Djara V.
;
White M.
;
Long B.
;
Duffy R.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
46.
Si/Ni-Silicide Schottky junctions with atomically flat interfaces using NiSi
2
source
机译:
使用NiSi
2 inf>源的原子平面界面的Si / Ni硅化物肖特基结
作者:
Koyama M.
;
Shigemori N.
;
Ozawa K.
;
Tachi K.
;
Kakushima K.
;
Nakatsuka O.
;
Ohmori K.
;
Tsutsui K.
;
Nishiyama A.
;
Sugii N.
;
Yamada K.
;
Iwai H.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
47.
Effect of Be segregation on NiSi/Si Schottky barrier heights
机译:
偏析对NiSi / Si肖特基势垒高度的影响
作者:
Gudmundsson Valur
;
Hellstrom Per-Erik
;
Ostling Mikael
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
48.
Transport characterisation of Ge pMOSFETS in saturation regime
机译:
Ge pMOSFET在饱和状态下的传输特性
作者:
Diouf C.
;
Cros A.
;
Monfray S.
;
Mitard J.
;
Rosa J.
;
Boeuf F.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
49.
Self-aligned S/D regions for InGaAs MOSFETs
机译:
InGaAs MOSFET的自对准S / D区域
作者:
Czornomaz L.
;
Kazzi M. El
;
Caimi D.
;
Machler P.
;
Rossel C.
;
Bjoerk M.
;
Marchiori C.
;
Fompeyrine J.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
50.
Ultra-thin flexible 100 V Chipfilm™ N-LDMOS
机译:
超薄柔性100 V Chipfilm™N-LDMOS
作者:
Asif Ali
;
Richter Harald
;
Comtesse Christoph
;
Burghartz Joachim N.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
51.
Novel 4F
2
DRAM cell with Vertical Pillar Transistor(VPT)
机译:
新型具有垂直支柱晶体管(VPT)的4F
2 sup> DRAM单元
作者:
Chung Hyunwoo
;
Kim Huijung
;
Kim Hyungi
;
Kim Kanguk
;
Kim Sua
;
Song Ki-Whan
;
Kim Jiyoung
;
Oh Yong Chul
;
Hwang Yoosang
;
Hong Hyeongsun
;
Jin Gyo-Young
;
Chung Chilhee
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
52.
Counter-lightly-doped-drain (C-LDD) structure for Multi-level cell (MLC) NOR flash memory free of drain disturb
机译:
适用于无漏极干扰的多层单元(MLC)NOR闪存的轻掺杂漏极(C-LDD)结构
作者:
Cai Yimao
;
Zhang Xing
;
Huang Ru
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
53.
Variability analysis of scaled poly-Si channel FinFETs and tri-gate flash memories for high density and low cost stacked 3D-memory application
机译:
用于高密度和低成本堆叠式3D存储器应用的按比例缩放的多晶硅沟道FinFET和三栅极闪存的可变性分析
作者:
Liu Y. X.
;
Mastukawa T.
;
Endo K.
;
Oruchi S.
;
Tsukada J.
;
Yamauchi H.
;
Ishikawa Y.
;
Sakamoto K.
;
Masahara M.
;
Kamei T.
;
Hayashida T.
;
Ogura A.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
54.
A study on poly-Si thin-film transistor (TFT) SONOS memory cells with source/drain engineering
机译:
用源/漏工程研究多晶硅薄膜晶体管(SONOS)的存储单元
作者:
Tsui Bing-Yue
;
Lai Jui-Yao
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
55.
Impact of lateral charge migration on the retention performance of planar and 3D SONOS devices
机译:
横向电荷迁移对平面和3D SONOS器件的保留性能的影响
作者:
Maconi A.
;
Arreghini A.
;
Compagnoni C. Monzio
;
Van den bosch G.
;
Spinelli A. S.
;
Van Houdt J.
;
Lacaita A. L.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
56.
ALD high-k layer grating couplers for single and double slot on-chip SOI photonics
机译:
用于单槽和双槽片上SOI光子学的ALD高k层光栅耦合器
作者:
Naiini Maziar M.
;
Henkel Christoph
;
Malm Gunnar B.
;
Ostling Mikael
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
57.
High-speed PNP PIN phototransistors in a 0.18 μm CMOS process
机译:
采用0.18μmCMOS工艺的高速PNP PIN光电晶体管
作者:
Kostov Plamen
;
Gaberl Wolfgang
;
Zimmermann Horst
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
58.
Optimized silicon photomultipliers with optical trenches
机译:
具有光沟槽的优化硅光电倍增管
作者:
Pagano R.
;
Corso D.
;
Lombardo S.
;
Libertino S.
;
Valvo G.
;
Sanfilippo D.
;
Russo A.
;
Fallica P. G.
;
Pappalardo A.
;
Finocchiaro P.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
59.
Low-noise single Photon Avalanche Diodes in 0.15 μm CMOS technology
机译:
采用0.15μmCMOS技术的低噪声单光子雪崩二极管
作者:
Pancheri Lucio
;
Stoppa David
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
60.
Light emission enhancement by geometrical scaling of carrier injectors in Si-based LEDs
机译:
通过硅基载流子中载流子注入器的几何缩放来增强发光
作者:
Piccolo G.
;
Puliyankot V.
;
Kovalgin A. Y.
;
Hueting R. J. E.
;
Heringa A.
;
Schmitz J.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
关键词:
LEDs;
antifuse;
carrier injector;
electroluminescence;
p-i-n diode;
silicon photonics;
61.
Large-signal GaN HEMT electro-thermal model with 3D dynamic description of self-heating
机译:
具有3D自热动态描述的大信号GaN HEMT电热模型
作者:
Bernardoni Mirko
;
Delmonte Nicola
;
Sozzi Giovanna
;
Menozzi Roberto
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
62.
Predictive modeling of parasitic substrate currents in high-voltage smart power IC's
机译:
高压智能功率IC中寄生衬底电流的预测模型
作者:
Conte Fabrizio Lo
;
Sallese Jean-Michel
;
Kayal Maher
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
63.
A general approach for multivariate statistical MOSFET compact modeling preserving correlations
机译:
保留相关性的多元统计MOSFET紧凑模型的通用方法
作者:
Lange Andre
;
Sohrmann Christoph
;
Jancke Roland
;
Haase Joachim
;
Cheng Binjie
;
Kovac Urban
;
Asenov Asen
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
64.
Spice-based performance analysis of ultra-low voltage Si nanowire CMOS circuits
机译:
基于Spice的超低压Si纳米线CMOS电路性能分析
作者:
Tanaka Chika
;
Saitoh Masumi
;
Ota Kensuke
;
Uchida Ken
;
Numata Toshinori
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
65.
X-ray radiation effect on CMOS imagers with in-pixel buried-channel source follower
机译:
像素内掩埋通道源极跟随器对CMOS成像仪的X射线辐射效应
作者:
Chen Yue
;
Tan Jiaming
;
Wang Xinyang
;
Mierop Adri J.
;
Theuwissen Albert J. P.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
66.
Impact of the carrier distribution function on hot-carrier degradation modeling
机译:
载流子分布函数对热载流子退化建模的影响
作者:
Tyaginov Stanislav
;
Starkov Ivan
;
Jungemann Christoph
;
Enichlmair Hubert
;
Park Jong-Mun
;
Grasser Tibor
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
关键词:
Monte-Carlo;
TCAD;
drift-diffusion model;
energy transport model;
hot-carrier degradation;
interface states;
67.
A compact NBTI model for accurate analog integrated circuit reliability simulation
机译:
用于精确模拟集成电路可靠性仿真的紧凑型NBTI模型
作者:
Maricau Elie
;
Zhang Leqi
;
Franco Jacopo
;
Roussel Philippe
;
Groeseneken Guido
;
Gielen Georges
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
68.
A device array for efficient bias-temperature instability measurements
机译:
用于高效偏置温度不稳定性测量的器件阵列
作者:
Sato Takashi
;
Kozaki Tadamichi
;
Uezono Takumi
;
Tsutsui Hiroshi
;
Ochi Hiroyuki
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
69.
Challenges in TCAD simulations of tunneling field effect transistors
机译:
隧道效应晶体管的TCAD模拟中的挑战
作者:
Kampen C.
;
Burenkov A.
;
Lorenz J.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
70.
Understanding device performance by incorporating 2D-carrier profiles from high resolution scanning spreading resistance microscopy into device simulations
机译:
通过将高分辨率扫描扩展电阻显微镜中的2D载流子剖面图纳入器件仿真来了解器件性能
作者:
Nazir Aftab
;
Eyben Pierre
;
Clarysse Trudo
;
Hellings Geert
;
Schulze Andreas
;
Mody Jay
;
De Meyer Kristin
;
Vandervorst Wilfried
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
71.
TCAD study of the detection mechanisms in silicon nanoribbon-based gas sensors
机译:
TCAD研究基于硅纳米带的气体传感器的检测机制
作者:
Silvestri Luca
;
Reggiani Susanna
;
Passi Vikram
;
Ravaux Florent
;
Dubois Emmanuel
;
Raskin Jean-Pierre
;
Clavaguera Simon
;
Carella Alexandre
;
Celle Caroline
;
Simonato Jean-Pierre
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
72.
3D stack packaging solution for BAW devices: 3D packaging demonstrator and RF performance
机译:
适用于BAW设备的3D堆栈封装解决方案:3D封装演示器和RF性能
作者:
Sun X.
;
Posada G.
;
Majeed B.
;
Zhang W.
;
De Raedt W.
;
Diekmann C.
;
Eggs C.
;
Schmidhammer E.
会议名称:
《》
|
2011年
关键词:
3D stack;
Balun;
FBAR;
IMEC thin film technology;
Inductor;
Packaging;
RF interconnection;
73.
Holed MEM resonators with high aspect ratio, for high accuracy frequency trimming
机译:
高纵横比的带孔MEM谐振器,用于高精度频率调整
作者:
Civet Yoan
;
Basrour Skandar
;
Casset Fabrice
;
Icard Beatrice
;
Mercier Denis
;
Carpentier Jean-Francois
;
Bustos Jessy
;
Leverd Francois
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
74.
AlN-based MEMS devices for vibrational energy harvesting applications
机译:
基于AlN的MEMS器件,用于振动能量收集应用
作者:
Bertacchini A.
;
Scorcioni S.
;
Dondi D.
;
Larcher L.
;
Pavan P.
;
Todaro M. T.
;
Campa A.
;
Caretto G.
;
Petroni S.
;
Passaseo A.
;
De Vittorio M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
75.
On the efficiency of stress techniques in gate-last N-type bulk FinFETs
机译:
后栅极N型体FinFET中应力技术的效率
作者:
Eneman Geert
;
Collaert Nadine
;
Veloso Anabela
;
De Keersgieter An
;
De Meyer Kristin
;
Hoffmann Thomas Y.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
76.
Parasitic bipolar impact in 32nm undoped channel Ultra-Thin BOX (UTBOX) and biased ground plane FDSOI high-k/metal gate technology
机译:
32nm无掺杂沟道超薄BOX(UTBOX)和偏置接地层FDSOI高k /金属栅极技术中的寄生双极影响
作者:
Fenouillet-Beranger C.
;
Perreau P.
;
Boulenc P.
;
Tosti L.
;
Barnola S.
;
Andrieu F.
;
Weber O.
;
Beneyton R.
;
Perrot C.
;
de Buttet C.
;
Abbate F.
;
Campidelli Y.
;
Pinzelli L.
;
Gouraud P.
;
Margain A.
;
Peru S.
;
Bourdelle K. K.
;
Nguyen B. Y.
;
Boedt F.
;
Poiroux T.
;
Faynot O.
;
Skotnicki T.
;
Boeuf F.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
77.
Physical and electrical characterization of Germanium or Tellurium rich Ge
x
Te
1−x
for phase change memories
机译:
相变存储器中富锗或碲的Ge
x inf> Te
1-x inf>的物理和电学表征
作者:
Pashkov N.
;
Navarro G.
;
Bastien J.-C.
;
Suri M.
;
Perniola L.
;
Sousa V.
;
Maitrejean S.
;
Persico A.
;
Roule A.
;
Toffoli A.
;
Reimbold G.
;
De Salvo B.
;
Faynot O.
;
Zuliani P.
;
Annunziata R.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
78.
Contact resistance of TiW to ultra-thin phase change material layers
机译:
TiW与超薄相变材料层的接触电阻
作者:
Roy Deepu
;
Klootwijk Johan H.
;
Gravesteijn Dirk J.
;
Wolters Rob A. M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
79.
Atomic layer deposition of 25-nm-thin sidewall spacer for enhancement of FinFET performance
机译:
25纳米薄侧壁间隔层的原子层沉积,可增强FinFET性能
作者:
Endo Kazuhiko
;
Ishikawa Yuki
;
Matsukawa Takashi
;
Liu Yongxum
;
Oruchi Shin-ichi
;
Sakamoto Kunihiro
;
Tsukada Junichi
;
Yamauchi Hiromi
;
Masahara Meishoku
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
80.
The study of flat-band voltage shift using arsenic ion-implantation with High-k/Metal Inserted Poly Si gate stacks
机译:
高k /金属插入多晶硅栅叠层中砷离子注入的平带电压漂移研究
作者:
Kim BeomYong
;
Ji YunHyuck
;
Lee SeungMi
;
Jeon BongSeok
;
Lee KeeJeung
;
Hong Kwon
;
Park SungKi
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
81.
Impact of oxidation and reduction annealing on the electrical properties of Ge/La
2
O
3
/ZrO
2
gate stacks
机译:
氧化和还原退火对Ge / La
2 inf> O
3 inf> / ZrO
2 inf>栅堆叠电学性能的影响
作者:
Henkel C.
;
Hellstrom P.-E.
;
Ostling M.
;
Bethge O.
;
Stoger-Pollach M.
;
Bertagnolli E.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
82.
Thermally robust atomic layer deposited ZrO
2
gate dielectric films upon the post-deposition annealing
机译:
沉积后退火过程中热坚固的原子层沉积的ZrO
2 inf>栅介电膜
作者:
Jung Hyung-Suk
;
Kim Hyo Kyeom
;
Lee Sang Young
;
Lee Nae-in
;
Park Tae Joo
;
Hwang Cheol Seong
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
83.
Metal inserted poly-Si with high temperature annealing for achieving EOT of 0.62nm in La-silicate MOSFET
机译:
La硅酸盐MOSFET的金属插入多晶硅经过高温退火,可实现0.62nm的EOT
作者:
Kawanago T.
;
Lee Y.
;
Kakushima K.
;
Ahmet P.
;
Tsutsui K.
;
Nishiyama A.
;
Sugii N.
;
Natori K.
;
Hattori T.
;
Iwai H.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
84.
DC-DC converters: From discrete towards fully integrated CMOS
机译:
DC-DC转换器:从离散到完全集成的CMOS
作者:
Steyaert M.
;
Van Breussegem T.
;
Meyvaert H.
;
Callemeyn P.
;
Wens M.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
85.
Wireless medical implant technology — Recent advances and future developments
机译:
无线医疗植入技术—最新进展和未来发展
作者:
Bradley Peter D.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
86.
Multimode-multiband transceivers for next generation of wireless communications
机译:
多模多频带收发器,用于下一代无线通信
作者:
Parssinen Aarno
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
87.
Current status on GaN-based RF-power devices
机译:
GaN基射频功率器件的当前状态
作者:
Ueda Tetsuzo
;
Tanaka Tsuyoshi
;
Ueda Daisuke
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
88.
Comparative study of circuit perspectives for multi-gate structures at sub-10nm node
机译:
低于10nm节点的多栅极结构的电路视角比较研究
作者:
Huguenin J.-L.
;
Lacord J.
;
Monfray S.
;
Coquand R.
;
Skotnicki T.
;
Ghibaudo G.
;
Boeuf F.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
89.
Nanowire-based RRAM crossbar memory with metallic core-oxide shell nanostructure
机译:
具有金属芯氧化物壳纳米结构的基于纳米线的RRAM交叉开关存储器
作者:
Cagli C.
;
Nardi F.
;
Ielmini D.
;
Harteneck B.
;
Tan Z.
;
Zhang Y.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
90.
First demonstration of phase change memory device using solution processed GeTe nanoparticles
机译:
使用溶液处理的GeTe纳米粒子的相变存储器件的首次演示
作者:
Jeyasingh Rakesh G. D.
;
Caldwell Marissa A.
;
Milliron Delia J.
;
Wong H.-S. Philip
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
91.
Reset current reduction in phase-change memory cell using a thin interfacial oxide layer
机译:
使用薄界面氧化物层复位相变存储单元中的电流
作者:
Hubert Q.
;
Jahan C.
;
Toffoli A.
;
Perniola L.
;
Sousa V.
;
Persico A.
;
Nodin J-F.
;
Grampeix H.
;
Aussenac F.
;
de Salvo B.
会议名称:
《41st European Solid-State Device Research Conference》
|
2011年
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