首页>外文会议>International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC

International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC

召开年：1997
召开地：Santa Clara, CA(US);Santa Clara, CA(US)
出版时间：-

会议文集：-

会议论文

热门论文

全部论文

全选（0）

1.On the Elimination of Metal Film Peeling Associated with the Application of WCVD

机译：WCVD应用中消除金属膜剥落的研究
- 作者：Raymond Tsai;Elvis Huang;Jim Lou;Enos Ho;Y. R. Shiue;Thomas Chang
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
2.Optimally controlled programmed rate deposition of tungsten

机译：钨的最佳控制编程速率沉积
- 作者：J. J. Kristof;L. J. Song;K. S. Tsakalis
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
3.Particle reduction process for Oxide CMP

机译：氧化物CMP的颗粒还原工艺
- 作者：Youhei YAMADA;Shigeru KOIZUMI;Hidenori OGAWA;Seiichi MORITA;Hiroshi MATUDA;Yasushi KOUBUCHI
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
4.Pecvd oxide cap process integration for optimal hsq performance

机译：PEVCV氧化盖工艺集成可实现最佳的HQQ性能
- 作者：Ishita goswami;M.J. Loboda
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
5.Plasma damage caused by electron shading effect during sputter etch pre-cleaning of via contacts

机译：在通孔触点的溅射蚀刻预清洗过程中，由于电子遮蔽效应而导致的等离子体损坏
- 作者：Takeshi Ito;Masaaki Aoyama;Toshio Taniguchi;Haruyoshi Yagi
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
6.Plasma damage-free multi-level metal backend for a sub-half micron cmos process

机译：亚半微米cmos工艺的等离子无损多层金属后端
- 作者：R. Viswanathan;A. Joshi;D. Young;L. Tsau;S. Hsia;J. Yota;F. tran;M. Brongo
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
7.Poly(arylene ether)s as low dielectric constant materials for ulsi interconnect applications

机译：聚（亚芳基醚）作为ulsi互连应用的低介电常数材料
- 作者：Raymond N. Vrtis;Kelly A. Heap;William F. Burgoyne;Lloyd M. Robeson
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
8.Post w cmp substrate effects on metallization reliability

机译：w cmp衬底对金属化可靠性的影响
- 作者：Stephen Melosky;Shinhwa Li;Jamin Ling;Chuck Spinner
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
9.Process characterization of long throw low pressure titanium sputter process

机译：长距离低压钛溅射工艺的工艺表征
- 作者：H.L. Meng;Alex Lin;Joyce Hu
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
10.Process integration of copper cvd using a cu(I) source precursor blend: optimization of adhesion performance

机译：使用cu（I）源前驱体共混物对cvd铜进行工艺集成：优化粘合性能
- 作者：Gregor Braeckelmann;Dirk Manger;Kaushik Kumar;Sjoerd Nijsten;Soon-Cheon Seo;Scott Beasor;Alain E. Kaloyeros
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
11.Properties of PECVD TEOS Oxides Correlation with Field Inversion in MOS Device

机译：MOS器件中PECVD TEOS氧化物的性质与场反转的关系。
- 作者：Kent Liao;Tuby Tu;K.C. Chen;William Su;Thomas Chang
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
12.PVD System Particle Reduction Using Sprayed Metal Coatings

机译：使用喷涂金属涂层减少PVD系统颗粒
- 作者：F. John Whelan;Menlo Park
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
13.Reliability Improvements of a Sub-#mu#m Double Level Ti/TiN-AlSiCu-TiN Metallization by an Additional Ti Layer

机译：通过额外的Ti层提高亚微米级双层Ti / TiN-AlSiCu-TiN金属化的可靠性
- 作者：K.-H. Stegemann;C. Beyer;V. Heinig;V. Kahlert;J. Pahner
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
14.Reservoir Area Dependence of Electromigration T50 and Sigma Values for Tungsten Via Chains

机译：钨通过链的电迁移T50和Sigma值的储层面积依赖性
- 作者：S. Skala;D. Pramanik;S. Bothra;S. S. Sengupta;S. Nariani
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
15.Residual contaminants after oxide cmp

机译：氧化物cmp后残留的污染物
- 作者：Robert L. Rhoades;Ph.D.
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
16.Salicide and Self-Aligned Barrier Formation Simultaneously in CMOS Process

机译：CMOS工艺中同时形成自对准硅化物和自对准势垒
- 作者：S.J. Chen;C.C. Hsu
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
17.Selective electroless CoWP deposition onto Pd-Activated in-laid Cu lines

机译：选择性化学沉积CoWP沉积到Pd激活的镶嵌Cu线上
- 作者：S. Lopatin;Y. Shacham-Diamand;V. Dubin;P.K. Vasudev
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
18.Semiconductor device developments

机译：半导体器件的发展
- 作者：S. M Sze
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
19.Shallow Trench Isolated CMOS Transistors Fabricated With Atmospheric Pressure CVD Oxide Trench Fill

机译：大气压CVD氧化物沟槽填充材料制造的浅沟槽隔离CMOS晶体管
- 作者：P. Zhang;R. Mann;G.Menk;A. Khan;J. Ellul;S. Fisher
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
20.Shallow Trench Isolation Using Sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition

机译：低于大气压化学气相沉积的浅沟槽隔离
- 作者：S.M. Jang;Y.H. Chen;C.H.Yu
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
21.Silicide Formation During Titanium Chemical Vapor Deposition

机译：钛化学气相沉积过程中硅化物的形成
- 作者：T.Taguwa;K.Urabe;K.Ohto;H.Gomi
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
22.Simulation and experimental verification of long throw sputtering of Ti

机译：Ti长距离溅射的模拟与实验验证
- 作者：T. Smy;L. Tan;K. Chan;J.N. Broughton;R.N. Tait;S. K. Dew;M. J. Brett
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
23.Simulation of Sputter Deposition at High Pressures

机译：高压溅射沉积的模拟
- 作者：T. Smy;L. Tan;S.S. Winterton;S.K. Dew;M.J. Brett
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
24.SiN As Mobile Ion Diffusion Barrier In Oxide CMP Process

机译：SiN作为氧化物CMP工艺中的移动离子扩散阻挡层
- 作者：K.J. Chen;H.B. Lu;J.T. Lin
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
25.Step coverage and electrical characteristics of collimated sputtered tin films

机译：准直溅射锡膜的阶梯覆盖度和电特性
- 作者：Gyung-Su Cho;Jeong-Gun Lee;Chul-Gi Ko
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
26.Step coverage measurements using a non-contact sheet resistance probe

机译：使用非接触式薄层电阻探针进行阶梯覆盖度测量
- 作者：Walter H. Johnson;Tencor Instruments;Three Technology Dr.;Charlie Hong;Virginia Becnel
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
27.Stress-Induced Ti/TiN Barrier Metal Cracking in Sub-half Micron VLSI Devices

机译：亚半微米VLSI器件中应力诱导的Ti / TiN势垒金属开裂
- 作者：He Ming Li;Chim Seng Seet;Fang Hong Gn;Yih Shung Lin
- 会议名称：《》 | 1997年
28.Structure and Composition Impacts on the Dielectric Constant of Hydrogen-Silsesquioxane

机译：结构和组成对氢倍半硅氧烷的介电常数的影响
- 作者：Youfan Liu;Jeff Bremmer;Ken Gruszynski;Fred Dall
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
29.Study of Long Throw Sputtering for the 0.18 #mu#m ULSI Metallization by DOE and Computer Simulation

机译：用DOE研究0.18＃μ＃m ULSI金属化的长掷溅射及其计算机模拟。
- 作者：Hsueh-Chung Chen;Lai-Juh Chen;Hsiu-Mei Yu
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
30.Surface Topography Effect on Deposition of Pecvd Teos Oxide

机译：表面形貌对Pecvd Teos氧化物沉积的影响
- 作者：G. F. Jeff Feng;San Jose
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
31.The Application of PE-SiN as Cap Layer on Polycide Gate for Self-Aliged Contact Etching

机译：PE-SiN作为多晶硅层盖层在自对准接触刻蚀中的应用
- 作者：Kent Liao;Tuby Tu;K.C. Chen;William Su;Wayne Tan;Chia-Nan Lee;Saysamone Pi;Thomas Chang;Cooper Yu;Adam Chen;Joe Su
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
32.The demonstration of a 0.25 micron dual damascene metallization scheme using forcefill

机译：使用强制填充的0.25微米双镶嵌金属化方案的演示
- 作者：R.C. Iggulden;S.J. Weber;R.F. Schnabel;L.A. Clevenger;E.A. Mehter;M. Hoinkis;M.G.M. Harris;D.C. Butler;P. Rich
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
33.The design of a practical metal interconnect system

机译：实用的金属互连系统的设计
- 作者：K. Hui;S. Bothra;P. Findley
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
34.The effect of an oxygen plasma treated TiN diffusion barrier on the stability of the AlSiCu/TiN contact metallization structure

机译：氧等离子体处理的TiN扩散阻挡层对AlSiCu / TiN接触金属化结构稳定性的影响
- 作者：V. Fortin;G. Gagnon;M. Caron;S. C. Gujrathi;J. F. Currie;L. Ouellet;Y. Tremblay;M. Biberger
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
35.The effect of deposition time, temperature and power on step resistance of aluminum films

机译：沉积时间，温度和功率对铝膜台阶电阻的影响
- 作者：C. Hong;V. Becnel;S. Foster;W. H. Johnson
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
36.The Effect of Plug Size and Underlying Pattern on Dishing in Tungsten CMP: AFM Line Profile Study

机译：钨CMP的塞子尺寸和下垫图案对碟形的影响：AFM线轮廓研究
- 作者：J. B. Choi;S. Hahn;J. W. Park;J. J. Kim
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
37.The effect of Ti/TiN - cap layer in 16m beol process on via resistance and electromigration lifetime

机译：Ti / TiN覆盖层在16m beol工艺中对通孔电阻和电迁移寿命的影响
- 作者：W. Leiberg;S. Schmidbauer;O. Gehring
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
38.The effects of PVD Ti film thickness and TiSi_2 interlayer formation on the stress of the bonding pad poly glue layer

机译：PVD Ti膜厚和TiSi_2中间层的形成对焊盘多胶层应力的影响
- 作者：Charlie Hong;King Chao;Lam Ta;Ray Talaka;Ray Huang
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
39.The formation of cobalt silicide in two thermal stages

机译：在两个热阶段中形成硅化钴
- 作者：Eliphas Wagner Simoes;Rogerio Furlan;J.J. Santiago-Aviles
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
40.The impact of AlCu stress voiding and TiN arc cracking effect on the metal stacks Ti/TiN/TiAlCu (0.5percent)TiN and Ti/AlCu(0.5percent)/TiN

机译：AlCu应力空化和TiN电弧开裂效果对Ti / TiN / TiAlCu（0.5％）TiN和Ti / AlCu（0.5％）/ TiN金属叠层的影响
- 作者：Ardeshir (ardy) Sidhwa;Stephen Melosky;Steven Saunders;Andrea Ravaglia;Jamin Ling;Scott Guisinger;Hoang Hoang
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
41.The Improvement of Via-filling Capability on Hot AlCu Process by Using Composite Ti/TiN Wetting Layer

机译：Ti / TiN复合润湿层在热AlCu工艺中提高通孔填充能力
- 作者：C. J. Huang;H. D. Pai;Haw Yen
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
42.The Novel TEOS-O_3 CVD USG Process by Chamber Surface Characterization

机译：腔室表面表征的新型TEOS-O_3 CVD USG工艺
- 作者：Joe Li;Alex Chen;Chenson Lai;Adam Chen;Joe Su;C.C Tsan;F.K Yang;B.H Peng;T.M Hsu;Clif Chen
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
43.The removal and suppression of surface defects in sub-atmospheric pressure bpsg films

机译：去除和抑制低于大气压的bpsg膜中的表面缺陷
- 作者：Vladislav Y. Vassiliev;Lu Wei;Jia-Zhen Zheng;Yih Shung Lin
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
44.The Resistance and Morphology of Ni Silicide and Co Silicide

机译：硅化镍和硅化钴的电阻和形貌
- 作者：S.C. Sun;T.T. Win
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
45.The Void Formation Mechanism of High Density Plasma (HDP) CVD

机译：高密度等离子体（HDP）CVD的空洞形成机理
- 作者：J.H. Choi;H.J. Shin;S.J. Kim;J.S. Goo;B.K. Hwang;H. K. Kang;M. Y. Lee
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
46.Tungsten contacts using Ionized Metal Plasma PVD Ti for Very High Aspect Hole

机译：使用离子化金属等离子体PVD Ti的钨触点可实现极高的长孔
- 作者：Tsutomu Hosoda;Yasuji Fukumoto;Satoshi Inagaki;Haruyoshi Yagi
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
47.Ultra low resistivity Ti/TiN diffusion barriers deposited by hollow cathode magnetron sputtering

机译：空心阴极磁控溅射沉积的超低电阻率Ti / TiN扩散势垒
- 作者：K.F. Lai;Q. Lu;G.J. Reynolds;L.M. Tam;C.J. Case;C. B. Case;M.A. Marcus;J.E. Bower
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
48.Underlayer dependence of blanket aluminum-CVD

机译：毯状铝CVD的底层依赖性
- 作者：Takahiro Takahashi;Yukihiro Shimogaki;Takeo Yoshimi;Hitoshi Ito;Junichi Aoyama;Jun Ueda;Hiroshi Komiyama
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
49.Understanding the Microchemical Changes Leading to Delamination of Sputter-Deposited TiN/Ti Liners During W CVD

机译：了解在W CVD期间导致溅射沉积的TiN / Ti衬里分层的微观化学变化
- 作者：G. Ramanath;J.E. Greene;J. R. A. Carlsson;L. H. Allen;V. C. Hornback;D. J. Allman
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
50.Very low temperature flow planarization of psg films at below 650 deg C using a new material source, SiOP-11, Trimethylsilyl-dimethylphosphite: (CH3)3-Si-O-P-(OCH3)2

机译：使用新的材料来源SiOP-11，三甲基甲硅烷基-二甲基亚磷酸酯：（CH3）3-Si-O-P-（OCH3）2，在650℃以下的psg膜进行非常低温的流平处理
- 作者：Tsuyoshi WATANABE;Kazuhisa ONOZAWA;Noboru TOKUMASU;Kazuo MAEDA
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年
51.Warm Al planarization for deep sub-micron structures

机译：深亚微米结构的热铝平面化
- 作者：Bertha Chang;Simon Hui;Chris Cha;Sophia Lee;Mike Nam;Edwin Kim;Hoa Kieu;Ken Ngan;Gongda Yao;Zheng Xu;Fusen Chen
- 会议名称：《International VLSI multilevel interconnection conference;VMIC》 | 1997年