首页>外文会议>Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93

Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93

召开年：
召开地：
出版时间：-

会议文集：-

会议论文

热门论文

全部论文

全选（0）

1.Current Filamentation and Thermal Instability in a Power BJT Array Cell

机译：功率BJT阵列单元中的电流细丝和热不稳定性
- 作者：Axelrad V.;Rollins J.G.;Motzny S.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
2.Transient analysis of CML and CMOS inverters using Monte Carlo simulation

机译：使用蒙特卡洛模拟对CML和CMOS逆变器进行瞬态分析
- 作者：Galdin S.;Brisset C.;Dollfus P.;Hesto P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
3.Use of Electrothermal Simulation to Analyze Thermal Breakdown on N+/P/P+ Diode During ESD Pulse

机译：使用电热仿真分析ESD脉冲期间N + / P / P +二极管的热击穿
- 作者：Buj C.;Leroux C.;Chante J-P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
4.Application of 2D-Hydrodynamic Energy Modelling to the Optimization of Planar-Doped pseudomorphic HEMTs

机译：二维水动力能量建模在平面掺杂拟晶HEMT优化中的应用
- 作者：Sherif K.;Salmer G.;El-Sayed O.L.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
5.Low Frequency Noise and Excess Currents Due to Trap-Assisted Tunneling in Double Barrier Resonant Tunneling Diodes

机译：双势垒共振隧穿二极管中陷阱辅助隧穿引起的低频噪声和过大电流
- 作者：Deen M.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
6.2D Numerical Investigation of Gate Structure, Band Alignment and Delta-Doping Effects on the Transconductance and Cutoff Frequency of Submicron Si/SiGe FET's

机译：栅极结构，能带对准和Delta掺杂对亚微米Si / SiGe FET的跨导和截止频率的二维数值研究
- 作者：Voinigescu S.P.;Rabkin P.B.;Salama C.A.T.;Blakey P.A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
7.p-MOSFETs and MODFETs with a strained Si1-xGex channel layer

机译：具有应变Si 1-x Ge x 沟道层的p-MOSFET和MODFET
- 作者：Reader A.H.;Colak S.;Montree A.H.;Kersten W.J.;Gravesteijn D.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
8.Reduced Hot Electron Degradation Using Delta-Doped MOSFETs

机译：使用Delta掺杂MOSFET减少热电子降解
- 作者：Wood A.C.G.;ONeill A.G.;Phillips P.J.;Whall T.E.;Parker E.H.C.;Taylor S.;Gundlach A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
9.Dark Current Characterization in CCD's

机译：CCD的暗电流表征
- 作者：Toren Willem Jan;Bisschop Jaap
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
10.A High Density Multi-Bit/Analog DRAM Cell

机译：高密度多位/模拟DRAM单元
- 作者：Kim Wonchan;Kih Joongsik;Kim Gyudong;Jung Sanghun;Ahn Gijung;Oh Kye Hwan
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
11.Optimization of a submicron HIMOS Flash E²PROM cell for implementation in a virtual ground array configuration

机译：优化亚微米HIMOS Flash E ^{2 PROM单元，以在虚拟接地阵列配置中实现}
- 作者：Van Houdt J.;Wellekens D.;Haspeslagh L.;Deferm L.;Groeseneken G.;Maes H.E.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
12.Temperature Cross-Over Effect of Carrier Avalanche Induced by Band-to-Band Tunneling in ULSI Devices

机译：ULSI器件中的带间隧道效应引起的载流子雪崩的温度交叉效应
- 作者：Orlowski Marius;Sun Shih Wei;Burnett David
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
13.Field isolation for the Gigabit era devices

机译：千兆时代设备的现场隔离
- 作者：Deleonibus S.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
14.0.25 ÃÂÃÂ¿mCMOS with N2O nitrided gate oxides

机译：带有N 2 O氮化的栅氧化物的0.25μmmCMOS
- 作者：Pomp H.G.;Lifka H.;Paulzen G.;Montree A.H.;Woerlee P.H.;Woltjer R.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
15.Thermal Oxidation of Lightly- and Heavily-Doped Silicon in Pure N2O

机译：N 2 O中轻重掺杂硅的热氧化
- 作者：Sun S.C.;Chang H.Y.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
16.Comparison of RTP N2O-and NH3-Nitrided Thin SiO2 Films

机译：RTP N 2 O-和NH 3 -氮化的SiO 2 薄膜的比较
- 作者：Bouvet D.;Novkovski N.;Mi J.;Letoumeau P.;Dutoit M.;Pio F.;Riva C.;Bellafiore N.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
17.A new optimized process for low pressure nitridation of thin thermal gate oxide

机译：薄热栅氧化物的低压氮化新工艺
- 作者：Thirion V.;Barla K.;Straboni A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
18.Reduction of Bulk Oxide Trapping in poly-Si Gated MOS Capacitors by Fluorination

机译：通过氟化减少多晶硅栅MOS电容器中的体氧化物陷阱
- 作者：Afanasev V. V.;de Nijs J.M.M.;Balk P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
19.Electrical Properties of Thin Oxides for MOSFETs in the Poly-Si / SiO2 / 6H Silicon Carbide System

机译：Poly-Si / SiO 2 / 6H碳化硅系统中MOSFET的薄氧化物的电性能
- 作者：Zetterling Carl-Mikael;Ostling Mikael
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
20.STORM: A European Platform for Sub-Micron Technology Simulation and Optimisation

机译：STORM：亚微米技术仿真和优化的欧洲平台
- 作者：Jones S K;Lombardi C;Poncet A;Hill C;Jaouen H;Lorenz J;Lyden C;de Meyer K;Pelka J;Rudan M;Solmi S
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
21.CMOS Device Architecture and Technology for the 0.25 Micron to 0.025 Micron Generations

机译：0.25微米至0.025微米的CMOS器件架构和技术
- 作者：Iwai Hiroshi
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
22.Characterization of Semiconductor Device Structures with Ultrathin Layers by Raman Scattering

机译：拉曼散射表征具有超薄层的半导体器件结构
- 作者：Mintairov A.;Smekalin K.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
23.Charge Pumping At Cryogenic Temperatures

机译：低温下的电荷泵
- 作者：Viswanathan C. R.;Hsu Jen-Tai;Divakaruni R.;Li Xiaoyu
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
24.Cryogenic on-chip high frequency device characterization

机译：低温片上高频器件表征
- 作者：Crozat P.;Bouchon D.;Henaux J.C.;Aniel F.;Adde R.;Vernet G.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
25.Observation and Modelling of the Gate-Source Capacitance Overshoot in Polysilicon TFTs

机译：多晶硅TFT中栅极-源极电容过冲的观察和建模
- 作者：Tam S.W.B.;Migliorato P.;Izzard M.J.;Reita C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
26.Two-dimensional profiling of doped layers bD spreading resistance measurements and atomic force microscopy on chemical etched surfaces

机译：掺杂层的二维轮廓分析bD扩展电阻测量和化学蚀刻表面的原子力显微镜
- 作者：Privitera V.;Raineri V.;Vandervorst W.;Clarysse T.;Hellemans L.;Snauwaert J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
27.A Comprehensive Analysis of the Relaxation Phenomena in MOSFET's after Uniform Fowler-Nordheim Injection

机译：Fowler-Nordheim均匀注入后MOSFET的弛豫现象的综合分析
- 作者：Papadas C.;Revil N.;Ghibaudo G.;Mortini P.;Pananakakis G.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
28.The ADEQUAT project for development and transfer of 0.25 ÃÂÃÂ¿m logic CMOS modules

机译：ADEQUAT项目，用于开发和传输0.25μm逻辑CMOS模块
- 作者：De Keersmaecker R.;Felix P.;Haond M.;Janssen G.;Lorenz J.;Maes H.;Montree A.;Rudan M.;Van den hove L.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
29.Chemical Mechanical Polishing for Planarisation of Advanced IC Processes

机译：用于先进IC工艺平面化的化学机械抛光
- 作者：Lifka H.;Doedel W.;Souts T.;Woerlee P.H.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
30.The effect on overlay of wafer distortion induced by dielectric reflow process

机译：介电回流工艺对晶圆变形叠加的影响
- 作者：Rivera G.;Clementi C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
31.Raman spectroscopy measurement of local stress induced by LOCOS and trench structures in the silicon substrate

机译：拉曼光谱法测量由LOCOS和硅衬底中的沟槽结构引起的局部应力
- 作者：De Wolf Ingrid;Maes Herman E.;Yallup Kevin
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
32.Double Polysilicon Capacitors in 1 ÃÂÃÂ¿m Analogue CMOS Technology

机译：1μm模拟CMOS技术中的双多晶硅电容器
- 作者：Hurley P.K.;Wall L.;Mathewson A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
33.Status, Trends, Comparison and Evolution of EPROM and FLASH EEPROM Technologies

机译：EPROM和FLASH EEPROM技术的现状，趋势，比较和发展
- 作者：Bergemont A
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
34.Effect of Polysilicon Doping and Oxidation Conditions on Tunnel Oxide Performance For EEPROM Devices

机译：多晶硅掺杂和氧化条件对EEPROM器件隧道氧化性能的影响
- 作者：OSullivan P.;Naughton F.;Benz H.T.;Femholz G.;Haeseler S.;Mathewson A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
35.Analysis of the Fabrication Process of Multilayer Vertical Stacked Capacitors

机译：多层垂直堆叠电容器的制造工艺分析
- 作者：Strasser Ernst;Selberherr Siegfried
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
36.A New Very High Density Full Feature EEPROM Cell with minimum Process Complexity

机译：新的超高密度全功能EEPROM单元，具有最低的工艺复杂度
- 作者：Bergemont Albert;Haggag Hosam;Hart Mike;Anderson Larry
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
37.Charge trapping/detrapping in Si3N4/SiO2 stacked dielectric layer deposited by LPCVD with in situ HF vapor cleaning

机译：通过LPCVD和原位HF气相沉积法沉积的Si 3 N 4 / SiO 2 堆叠介电层中的电荷俘获/俘获
- 作者：Mazoyer P.;Mondon F.;Martin F.;Guillaumot B.;Hartmann J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
38.Numerical Simulation of Non-Volatile Memories

机译：非易失性内存的数值模拟
- 作者：Lombardi C.;Keeney S.;Bez R.;Ravazzi L.;Cantarelli D.;Piccinini F.;Concannon A.;Mathewson A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
39.Simulation of non-equilibrium transport in deep submicron MOSFETs

机译：深亚微米MOSFET中非平衡传输的仿真
- 作者：Bricout P.H.;Dubois E.;Fauquembergue R.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
40.Performance in RF Power MOSFET's Device For GSM Radiotelephony

机译：用于GSM无线电话的RF功率MOSFET器件的性能
- 作者：Kassmi K.;Oms F.;Rossel P.;Tranduc H.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
41.A Physically Based DC-and AC-Model for Vertical Smart Power DMOS Transistors

机译：垂直智能功率DMOS晶体管的基于物理的DC和AC模型
- 作者：Stiftinger Martin;Soppa Winfried;Selberherr Siegfried
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
42.Weak inversion models for nMOS gate-all-around (GAA) devices

机译：nMOS全方位栅极（GAA）器件的弱反演模型
- 作者：Francis P.;Terao A.;Flandre D.;Van de Wiele F.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
43.The Influence of Technological Parameters on Ultra-Short Gate SI-NMOS Transistor Performances

机译：工艺参数对超短栅极SI-NMOS晶体管性能的影响
- 作者：Charef M.;Dessenne F.;Thobel J.L.;Baudry L.;Fauquembergue R.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
44.Physical Modeling Of Nanoelectronic Devices

机译：纳米电子器件的物理建模
- 作者：Abramczyk E.R.;Meindl J.D.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
45.Analysis of Carrier Transport and Heating in Ultra-Small SOI N-MOSFETs

机译：超小型SOI N-MOSFET的载流子传输和加热分析
- 作者：Fiegna C.;Iwai H.;Sangiorgi E.;Ricco B.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
46.A 6 device SOI new technology for mixed analog-digital and rad-hard applications

机译：6器件SOI新技术，适用于混合模拟数字和抗辐射应用
- 作者：Blanc J.P.;Bonaime J.;Delevoye E.;de Pontcharra J.;Gautier J.;Martin F.;Truche R.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
47.High frequency bipolar transistor on SIMOX

机译：SIMOX上的高频双极晶体管
- 作者：Magnusson U.;Norstrom H.;Kaplan W.;Zhang S.;Jargelius M.;Sigurd D.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
48.High-Temperature Gate Capacitances of Thin-Film SOI MOSFETs

机译：薄膜SOI MOSFET的高温栅极电容
- 作者：Gentinne B.;Flandre D.;Colinge J.-P.;Van de Wiele F.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
49.Evaluation of CMOS/SOI Devices on Plasma-Thinned Bonded Silicon Wafers

机译：等离子薄型键合硅晶圆上的CMOS / SOI器件评估
- 作者：Matloubian M.;Pinter J.;Aubuchon K.;Marsh O.;McClain B.;Mathur D.P.;Feng T.;Gardopee G.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
50.Self-Heating effects on Static and Dynamic SOI Operation

机译：自发热对静态和动态SOI操作的影响
- 作者：Yachou D.;Gautier J.;Raynaud C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
51.BICMOS: Status and Future Trends

机译：BICMOS：现状和未来趋势
- 作者：Roche M.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
52.Overview on Active Matrix Display Technology

机译：有源矩阵显示技术概述
- 作者：van Leeuwen G. Henk;Hartman Robert A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
53.Reliability modelling with respect to circuit applications

机译：关于电路应用的可靠性建模
- 作者：Verweij J.F.;Mouthaan A.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
54.Noise figure degradation under emitter-base reverse stress for high-frequency bipolar ICs

机译：高频双极IC在发射极反向应力下的噪声系数下降
- 作者：Itoh Nobuyuki;Katsumata Yasuhiro;Iwai Hiroshi
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
55.A New Intrinsic charge loss analysis on 16 Mb EPROM

机译：在16 Mb EPROM上进行新的本征电荷损耗分析
- 作者：Mondon F.;Mazoyer P.;Guillaumot B.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
56.Electrical Performances of a Mounted Chip in a Plastic Package

机译：塑料封装中已安装芯片的电气性能
- 作者：Ndagijimana F.;Cabon B.;Chilo J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
57.Diffusion-Induced Degradation of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors by Thermal Stress

机译：热应力扩散引起的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管的降解
- 作者：Hong Sungmo;Kim Jumin;Park Chulsoon;Lee Jaejin;Won Taeyoung
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
58.Novel Quantum Effect Devices for Future Functional Logic Gates

机译：用于未来功能逻辑门的新型量子效应器件
- 作者：Mizutani Takashi
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
59.Performance of 0.2 ÃÂÃÂ¿m planar doped pseudomorphic and lattice matched HEMTs on GaAs and InP

机译：GaAs和InP上的0.2μm平面掺杂假晶和晶格匹配HEMT的性能
- 作者：Baeyens Y.;Skrabka T.;Van Hove M.;De Raedt W.;Nauwelaers B.;Van Rossum M.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
60.Physical behaviour of pseudomorphic HEMTs at low temperatures

机译：低温下拟态HEMT的物理行为
- 作者：Aniel F.;Crozat P.;De Lustrac A.;Adde R.;Van Hove M.;De Raedt W.;Van Rossum M.;Jin Y.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
61.Broad Transconductance Plateau Region and High Current GaAs/InGaAs Pseudomorphic HENT's Utilizing A Graded Inx Ga1-xAs Channel

机译：利用渐变的In x Ga 1-x As通道实现宽跨导高原区域和高电流GaAs / InGaAs伪HENT
- 作者：Hsu W. C.;Shieh H. M.;Wu Y. H.;Hsu R. T.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
62.Characterization of InAlAs/InGaAs HFETs with High Indium Content in the Channel Grown on GaAs Substrate

机译：GaAs衬底上沟道中具有高铟含量的InAlAs / InGaAs HFET的特性
- 作者：Rorsman Niklas;Karlsson Christer;Zirath Herbert;Wang Shumin M.;Andersson Thorvald G.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
63.Twin-Channel (P and N) CCD Image Sensor with Cross Anti-Blooming

机译：双通道（P和N）CCD图像传感器，具有交叉防白化功能
- 作者：Roks Edwin;Esser Leonard J. M.;Sankaranarayanan L.;Huinink Wim F.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
64.Cross-Sensitivity Elimination in a 3-Dimensional Magnetic Sensor

机译：三维磁传感器中的交叉灵敏度消除
- 作者：Wang B.;Misra D.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
65.Radiation hardness of a bonded silicon-vacuum-silicon field effect structure with 0.1 MGy capability

机译：具有0.1 MGy能力的键合硅-真空-硅场效应结构的辐射硬度
- 作者：Harris R.;Ensell G.;Brunnschweiler A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
66.Detailed Analysis of Buried Oxide Degradation Induced by Hot-Carrier Injection

机译：热载流子注入引起的氧化埋藏降解的详细分析
- 作者：Guichard E.;Cristoloveanu S.;Reimbold G.;Borel G.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
67.Comparative study of hot-carrier degradation in p⁺ and n⁺ poly p-MOSFET's of a 0.5 ÃÂÃÂ¿m CMOS technology

机译：0.5μmCMOS工艺的p ^{+ 和n ^{+ 多晶硅p-MOSFET热载流子降解的比较研究}}
- 作者：Monserie C.;Bellens R.;Groeseneken G.;Maes H.E.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
68.Gate-Voltage Dependence of the Hot-Carrier Degradation of Large-Angle-Tilt Implanted Drain (LATID) and Standard LDD N-Mosfet's

机译：大角度倾斜注入漏极（LATID）和标准LDD N-Mosfet热载流子退化的栅极电压依赖性
- 作者：Bravaix A.;Vuillaume D.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
69.Microwave optical links: A new generation of optoelectronic integrated circuits

机译：微波光链路：新一代光电集成电路
- 作者：Decoster D.;Renaud J.C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
70.Burst Noise And Tunneling Currents In Lattice-Mismatched InP/InGaAs/InP Photodetector Arrays

机译：晶格不匹配的InP / InGaAs / InP光电探测器阵列中的突发噪声和隧道电流
- 作者：Pogany D.;Ababou S.;Guillot G.;Vilotitch B.;Lenoble C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
71.First demonstration of nanosecond photon timing in the near-infrared with InGaAs/InP detectors

机译：InGaAs / InP检测器在近红外中首次演示纳秒光子定时
- 作者：Samori C.;Lacaita A.;Francese P. A.;Cova S.;Webb P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
72.Structural optimization of quantum confined Stark shift in InGaAs/InGaAsP quantum wells

机译：InGaAs / InGaAsP量子阱中量子约束斯塔克位移的结构优化
- 作者：Tutken T.;Hawdon B.J.;Zimmermann M.;Hangleiter A.;Harle V.;Scholz F.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
73.Extrinsic GaAs:Mn Depectors for. 8 - 12 ÃÂÃÂ¿m

机译：外在GaAs：Mn的代表。 8-12ÃƒÂ，，，¿
- 作者：Ryabokon V .;Bespalov V.;Emelyanov A.;Samsonov N.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
74.Linewidth and Mode Structure of Proton-Implanted Vertical Cavity Laser Diodes

机译：质子注入垂直腔激光二极管的线宽和模结构
- 作者：Moller B.;Michalzik R.;Zeeb E.;Hackbarth T.;Ebeling K.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
75.Output Characteristics of Surface Emitting Laser Diodes with Short External Cavity

机译：外腔短的表面发射激光二极管的输出特性
- 作者：Wipiejewski T.;Panzlaff K.;Zeeb E.;Ebeling K.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
76.A novel surface emitting GaAs/AIGaAs laser diode beam steering device based on surface mode emission

机译：基于表面模式发射的新型表面发射GaAs / AIGaAs激光二极管光束操纵装置
- 作者：Kock A.;Gmachl C.;Rosenberger M.;Gomik E.;Thanner C.;Korte L.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
77.High Power Vertical Cavity Laser Diodes

机译：大功率垂直腔激光二极管
- 作者：Zeeb E.;Hackbarth T.;Ebeling K.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
78.An Intelligent 600 V Vertical IGBT on SIMOX Substrate

机译：SIMOX基板上的智能600 V垂直IGBT
- 作者：Mutterlein B.;Vogt F.;Weyers J.;Vogt H.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
79.A Novel MCT Structure For Power Integrated Cirluits

机译：用于功率集成电路的新型MCT结构
- 作者：Huang Qin;Amaratunga Gehan. A.J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
80.Optimisation of High Voltage (1200 V) MOS Transistor: Voltage Handling Capabilities and Switching Behaviour

机译：高压（1200 V）MOS晶体管的优化：电压处理能力和开关特性
- 作者：Charitat G.;Oms F.;Beydoun B.;Nolhier N.;Rossel P.;Peyre-Lavigne A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
81.Investigation of a Novel Wiring Scheme for 700-1000-V HVIC's

机译：700-1000V HVIC的新型接线方案的研究
- 作者：Murray A.F.J.;Lane W.A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
82.On P-I-N Diode Parameters and Static Properties at Elevated Temperatures and High Current Densities-Experiment vs. Simulation

机译：在高温高电流密度下P-I-N二极管的参数和静态特性-实验与仿真
- 作者：Bleichner H.;Rosling M.;Jonsson P.;Masszi F.;Vojdani F.;Isberg M.;Nordlander E.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
83.Overvoltage Protection with a CMOS-Compatible BJT

机译：CMOS兼容BJT的过压保护
- 作者：Schrom G.;Selberherr S.;Unterleitner F.;Trontelj J.;Kunc V.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
84.A New Lateral NPN Transistor Structure for Power MOSFETs with On-Chip Protection

机译：具有片上保护功能的功率MOSFET的新型横向NPN晶体管结构
- 作者：Zambrano R.;Montalbano G.;Leonardi S.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
85.General Introduction, Motivation and Requirements for LV-LP IC's

机译：LV-LP IC的一般介绍，动机和要求
- 作者：Borel J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
86.Opportunities for Scaling FET's for Gigascale Integration (GSI)

机译：为千兆级集成（GSI）扩展FET的机会
- 作者：Agrawal Bhavna;De Vivek K.;Meindl James D.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
87.Design of Low-Voltage Low-Power IC's

机译：低压低功耗IC的设计
- 作者：Vittoz Eric A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
88.Technology and Device Design Constraints for Low Voltage-Low Power Sub-0.1 ÃÂÃÂ¿m CMOS Devices

机译：低电压，低功耗低于0.1μm的CMOS器件的技术和设备设计约束
- 作者：Koyanagi Mitsumasa
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
89.Performance, Reliability, and Supply Voltage Reduction, with the Addition of Temperature as a Design Variable

机译：性能，可靠性和电源电压降低，以温度为设计变量
- 作者：Foty Daniel P.;Nowak Edward J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
90.Low Voltage and Low Power Issues and Applications

机译：低压低功耗问题与应用
- 作者：Salters R.H.W.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
91.``PACT'' - A Programmable Analog CMOS Transmission Circuit for Electronic Telephone Sets

机译：``PACT''-用于电子电话的可编程模拟CMOS传输电路
- 作者：Becker R.;De Mey E.;Haag S.;Vogeli U.;Wang Z.;Mulder J.;v. d. Sande P.;Sijbers P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
92.Author Index

机译：作者索引
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
93.Copyright page

机译：版权页
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
94.Proceedings of the 23rd European Solid State Device Research Conference

机译：第23届欧洲固态设备研究会议论文集
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
95.Preface

机译：前言
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年
96.Committees

机译：委员会
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》 | 1993年