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2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
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1.
Site-controlled growth of InP/InGaP quantum dots
机译:
InP / InGaP量子点的位置控制生长
作者:
Baumann V.
;
Stumpf F.
;
Kremling S.
;
Steinl T.
;
Forchel A.
;
Schneider C.
;
Hofling S.
;
Kamp M.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
2.
High performance substitutional-gate MOSFETs using MBE source-drain regrowth and scaled gate oxides
机译:
使用MBE源极-漏极再生长和按比例缩放的栅极氧化物的高性能替代栅极MOSFET
作者:
Sanghoon Lee
;
Carter A. D.
;
Law J. J. M.
;
Elias D. C.
;
Chobpattana V.
;
Hong Lu
;
Thibeault B. J.
;
Mitchell W.
;
Stemmer S.
;
Gossard A. C.
;
Rodwell M. J. W.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
3.
Multi-stack quantum cascade lasers
机译:
多堆叠量子级联激光器
作者:
Blanchard Romain
;
Pfluegl Christian
;
Diehl Laurent
;
Dupuis Russell D.
;
Capasso Federico
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Infrared spectra;
Quantum cascade lasers;
Semiconductor waveguides;
4.
Design of high-current L-valley GaAs=AlAs0.56Sb0.44/InP (111) ultra-thin-body nMOSFETs
机译:
大电流L谷GaAs = AlAs0.56Sb0.44 / InP(111)超薄nMOSFET的设计
作者:
Mehrotra Saumitra
;
Povolotskyi Michael
;
Law Jeremy
;
Kubis Tillmann
;
Klimeck Gerhard
;
Rodwell Mark
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
GaAs;
InP;
L-valley;
MOSFET;
tight-binding;
top-of-the-barrier;
5.
Interface and surface dielectric anisotropies of GaP/Si(100)
机译:
GaP / Si(100)的界面和表面介电各向异性
作者:
Supplie O.
;
Hannappel T.
;
Pristovsek M.
;
Doscher H.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
6.
Metal-clad photonic crystal membrane nanolasers
机译:
金属包覆的光子晶体膜纳米激光器
作者:
Sulkin Joshua D.
;
Choquette Kent D.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
nanolasers;
photonic crystal;
semiconductor membrane emitter;
7.
Electrical conduction property at InAs/Si(111) interface by selective-area MOVPE
机译:
选择性区域MOVPE在InAs / Si(111)界面上的导电性能
作者:
Watanabe S.
;
Watanabe K.
;
Higo A.
;
Sugiyama M.
;
Nakano Y.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
CCD image sensors;
Indium compounds;
epitaxial layers;
infrared detectors;
silicon;
tunneling;
8.
InP photonic integrated circuit with an AWG-like design for optical beam steering
机译:
InP光子集成电路,具有类似AWG的设计,用于光束转向
作者:
Guo Weihua
;
Binetti Pietro R. A.
;
Althouse Chad
;
Ambrosius Huub P.M.M.
;
Johansson Leif A.
;
Coldren Larry A.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
LIDAR;
Photonic integrated circuits;
optical beam steering;
9.
Design, fabrication, and preliminary test results of a new InGaAsP/InP high-Q ring resonator for gyro applications
机译:
用于陀螺仪的新型InGaAsP / InP高Q环形谐振器的设计,制造和初步测试结果
作者:
DellOlio Francesco
;
Ciminelli Caterina
;
Armenise Mario N.
;
Soares Francisco M.
;
Rehbein Wolfgang
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Gyroscopes;
Integrated optoelectronics;
Optoelectronic and photonic sensors;
Optoelectronic devices;
10.
Double-layer stepped Si(100) for III–V-on-silicon integration
机译:
双层阶梯式Si(100),用于III–V硅集成
作者:
Doscher Henning
;
Kleinschmidt Peter
;
Br#x00FC
;
ckner Sebastian
;
Supplie Oliver
;
Dobrich Anja
;
Hannappel Thomas
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
11.
40 Gbit/s identical layer InGaAlAs-MQW electroabsorption-modulated DFB-lasers operating between 1298 nm and 1311 nm
机译:
40 Gbit / s相同层的InGaAlAs-MQW电吸收调制DFB激光器,工作于1298 nm至1311 nm之间
作者:
Klein Holger
;
Bornholdt Carsten
;
Przyrembel Georges
;
Sigmund Ariane
;
Molzow Wolf-Dietrich
;
Moehrle Martin
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
12.
Reflective amplified modulator operating at 40 Gbps up to 85#x00B0;C as colorless transceiver for optical access networks
机译:
反射放大调制器,工作在40 Gbps(最高85°C),作为光接入网络的无色收发器
作者:
Lawniczuk K.
;
Patard O.
;
Guillamet R.
;
Chimot N.
;
Garreau A.
;
Kazmierski C.
;
Aubin G.
;
Merghem K.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Remote amplified modulator;
electro-absorption modulator;
indium phosphide;
optical access networks;
photonic integrated circuit;
13.
A W-band InGaAs PIN-MMIC digital phase-shifter using a switched transmission-line structure
机译:
使用开关传输线结构的W波段InGaAs PIN-MMIC数字移相器
作者:
Yang Jung Gil
;
Jooseok Lee
;
Yang Kyounghoon
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InGaAs;
MMIC;
PIN-diode;
W-band;
phase shifter;
14.
High efficiency and broad-band operation of monolithically integrated W-Band HBV frequency tripler
机译:
单片集成W波段HBV倍频器的高效率和宽带运行
作者:
Malko A.
;
Bryllert T.
;
Vukusic J.
;
Stake J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
III–V semiconductors;
frequency multipliers;
heterostructure barrier varactors (HBVs);
millimeter wave diodes;
power sources;
varactors;
15.
Characteristics of InP nanoneedles grown on silicon by low-temperature MOCVD
机译:
低温MOCVD法在硅上生长InP纳米针的特性
作者:
Kun Li
;
Fan Ren
;
Chen Roger
;
Thai Tran
;
Kar Wei Ng
;
Chang-Hasnain Connie J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Indium phosphide;
nanostructured materials;
optoelectronic devices;
photoluminescence;
semiconductor lasers;
time measurement;
ultrafast optics;
16.
Silicon-based long-wavelength III–V quantum-dot lasers
机译:
硅基长波长III–V量子点激光器
作者:
Jiang Qi
;
Lee Andrew
;
Mingchu Tang
;
Seeds Alwyn
;
Liu Huiyun
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
1300 nm laser diodes;
III–V/Si integration;
Quantum dots;
Silicon photonics;
molecular beam epitaxy;
17.
Selective area heteroepitaxy of InP nanopyramidal frusta on Si for nanophotonics
机译:
Si上InP纳米锥壳的选择性区域异质外延用于纳米光子学
作者:
Metaferia Wondwosen
;
Tommila Juha
;
Kataria Himanshu
;
Junesand Carl
;
Sun Yanting
;
Guina Mircea
;
Niemi Tapio
;
Lourdudoss Sebastian
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
18.
High-speed optical phased array using high-contrast grating all-pass filters
机译:
使用高对比度光栅全通滤波器的高速光学相控阵
作者:
Weijian Yang
;
Tianbo Sun
;
Yi Rao
;
Megens Mischa
;
Trevor Chan
;
Byung-Wook Yoo
;
Horsley David A.
;
Wu Ming C.
;
Chang-Hasnain Connie J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Beam steering;
gratings;
metamaterials;
microelectromechanical devices;
optical devices;
optical phased arrays;
19.
71 mV/dec of sub-threshold slope in vertical tunnel field-effect transistors with GaAsSb/InGaAs heterostructure
机译:
GaAsSb / InGaAs异质结构的垂直隧道场效应晶体管的亚阈值斜率达到71 mV / dec
作者:
Fujimatsu Motohiko
;
Saito Hisashi
;
Miyamoto Yasuyuki
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Alinf2/infOinf3/inf;
GaAsSb;
Tunnel FET;
sub-threshold slope;
type-II heterojunction;
vertical transistor;
20.
Slotted tunable laser with monolithic integrated mode coupler
机译:
带单片集成模式耦合器的缝隙可调激光器
作者:
OCallaghan James R.
;
Roycroft Brendan
;
Guo Wei-Hua
;
Lu Qiao-Yin
;
Daunt Chris L.
;
Thomas Kevin
;
Pelucchi Emanuele
;
Donegan John
;
Peters Frank H.
;
Corbett Brian
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
21.
Multiple coherent outputs from single growth monolithically integrated injection locked tunable lasers
机译:
单生长单片集成注入锁定可调激光器的多个相干输出
作者:
Morrissey P. E.
;
Cotter W.
;
OCallaghan J.
;
Yang H.
;
Roycroft B.
;
Goulding D.
;
Corbett B.
;
Peters Frank H.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Coherent sources;
fabrication and characterization;
injection locked lasers;
tunable lasers;
waveguide devices;
22.
Radial InP/InAsP quantum wells with high arsenic compositions on wurtzite-InP nanowires in the 1.3-#x00B5;m region
机译:
纤锌矿InP纳米线上1.3 µm范围内具有高砷成分的径向InP / InAsP量子阱
作者:
Kawaguchi Kenichi
;
Nakata Yoshiaki
;
Ekawa Mitsuru
;
Yamamoto Tsuyoshi
;
Arakawa Yasuhiko
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InP nanowire;
radial InP/InAsP quantum well;
wurtzite crystal;
23.
High speed VCSELs for optical interconnects
机译:
用于光学互连的高速VCSEL
作者:
Larsson A.
;
Gustavsson J.S.
;
Haglund A.
;
Bengtsson J.
;
Kogel B.
;
Westbergh P.
;
Safaisini R.
;
Haglund E.
;
Szczerba K.
;
Karlsson M.
;
Andrekson P.A.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Vertical cavity surface emitting lasers;
dynamics;
modulation;
optical interconnections;
tuning;
24.
Catalyst design for native oxide based selective area InP nanowire growth
机译:
基于天然氧化物的选择性区域InP纳米线生长的催化剂设计
作者:
Calahorra Yonatan
;
Greenberg Yaakov
;
Cohen Shimon
;
Ritter Dan
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
25.
Single GaAs nanowire photovoltaic devices under very high power illumination
机译:
高功率照明下的单砷化镓纳米线光伏器件
作者:
Lysov A.
;
Gutsche C.
;
Prost W.
;
Tegude F.-J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
high power illumination#x2025;
nanowire;
solar cells;
26.
Phase characterization of intermodulation distortion in high-linearity photodiodes
机译:
高线性光电二极管互调失真的相位表征
作者:
Yang Fu
;
Huapu Pan
;
Beling Andreas
;
Campbell Joe
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
27.
Sulfur cleaning for (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.53 and 0.70 and their Al2O3/InGaAs MOS interface properties
机译:
In含量为0.53和0.70的(100),(111)A和(111)B InGaAs表面的硫清洗及其Al2O3 / InGaAs MOS界面特性
作者:
Yokoyama Masafumi
;
Taoka Noriyuki
;
Suzuki Rena
;
Ichikawa Osamu
;
Yamada Hisashi
;
Fukuhara Noboru
;
Hata Masahiko
;
Sugiyama Masakazu
;
Nakano Yoshiaki
;
Takenaka Mitsuru
;
Takagi Shinichi
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
CMOS technology;
Capacitors;
III–V semiconductor materials;
MOS devices;
Semiconductor-insulator interfaces;
surface engineering;
28.
High-power InP-based waveguide photodiodes and photodiode arrays heterogeneously integrated on SOI
机译:
大功率基于InP的波导光电二极管和光电二极管阵列异质集成在SOI上
作者:
Beling Andreas
;
Piels Molly
;
Cross Allen S.
;
Fu Yang
;
Zhou Qiugui
;
Peters Jon
;
Bowers John E.
;
Campbell Joe C.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
29.
Recent advances in high-speed lasers and amplifiers based on 1.5 #x00B5;m QD/QDash material
机译:
基于1.5 µm QD / QDash材料的高速激光器和放大器的最新进展
作者:
Reithmaier Johann Peter
;
Eisenstein Gadi
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InP based material;
Quantum dot laser;
epitaxial growth;
modulation speed;
optoelectronic device;
semiconductor optical amplifier;
30.
1550nm InAs/InP Quantum Dash based directly modulated lasers for next generation passive optical network
机译:
基于1550nm InAs / InP Quantum Dash的直接调制激光器,用于下一代无源光网络
作者:
Chimot N.
;
Joshi S.
;
Aubin G.
;
Merghem K.
;
Barbet S.
;
Accard A.
;
Ramdane A.
;
Lelarge F.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
31.
Multi-finger 250nm InP HBTs for 220GHz mm-wave power
机译:
用于220GHz毫米波功率的多指250nm InP HBT
作者:
Griffith Zach
;
Urteaga Miguel
;
Rowell Petra
;
Pierson Richard
;
Field Mark
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
32.
Microwave photonics
机译:
微波光子学
作者:
Williams Keith J.
会议名称:
《》
|
2012年
33.
Lateral scalability of inverted p-down InAlAs/InGaAs avalanche photodiode
机译:
倒p型InAlAs / InGaAs雪崩光电二极管的横向可扩展性
作者:
Nada Masahiro
;
Yokoyama Haruki
;
Muramoto Yoshifumi
;
Ishibashi Tadao
;
Kodama Satoshi
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Avalanche breakdown;
High-speed electronics;
III–V semiconductor materials;
Optical fiber communication;
Optical receivers;
Optoelectronic devices;
Photodiodes;
34.
MOCVD based zinc diffusion process for planar InP/InGaAs avalanche photodiode fabrication
机译:
用于平面InP / InGaAs雪崩光电二极管制造的基于MOCVD的锌扩散工艺
作者:
Pitts O.J.
;
Hisko M.
;
Benyon W.
;
SpringThorpe A.J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Diffusion processes;
dark current;
epitaxial layers;
photodiodes;
35.
100nm-gate InAlAs/InGaAs HEMTs on plastic flexible substrate with high cut-off frequencies
机译:
具有高截止频率的塑料柔性基板上的100nm栅极InAlAs / InGaAs HEMT
作者:
Shi Jinshan.
;
Wichmann N.
;
Roelens Y.
;
Bollaert S.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
36.
Optimized InP HEMTs for low noise at cryogenic temperatures
机译:
经过优化的InP HEMT,可在低温下实现低噪声
作者:
Rodilla H.
;
Schleeh J.
;
Nilsson P-A.
;
Grahn J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Cryogenic temperatures;
InP high electron mobility transistors;
Monte Carlo simulations;
low noise;
37.
Source-drain scaling of ion-implanted InAs/AlSb HEMTs
机译:
离子注入InAs / AlSb HEMT的源漏缩放
作者:
Moschetti G.
;
Nilsson P.-A.
;
Hallen A.
;
Desplanque L.
;
Wallart X.
;
Grahn J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InAs/AlSb HEMT;
MMIC;
ion implantation;
lateral scaling;
low-power;
oxidation resistant;
38.
Electroabsorption modulator chirp profile influence on D-EML modulation scheme at 10 Gb/s
机译:
电吸收调制器线性调频曲线对10 Gb / s时D-EML调制方案的影响
作者:
Anfray T.
;
Aupetit-Berthelemot C.
;
Kechaou K.
;
Erasme D.
;
Aubin G.
;
Kazmierski C.
;
Chanclou P.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Optical Communications;
Optical Sources;
39.
Fabrication and DC characterization of InAs/AlSb self-switching diodes
机译:
InAs / AlSb自开关二极管的制备和直流特性
作者:
Westlund Andreas
;
Moschetti Giuseppe
;
Zhao Huan
;
Nilsson Per-Ake
;
Grahn Jan
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
40.
Effect of temperature on series resistance determination of Au/polyvinyl alcohol-InP Schottky structures
机译:
温度对金/聚乙烯醇/ n-InP肖特基结构串联电阻测定的影响
作者:
Siva Pratap Reddy M.
;
Hee-Sung Kang
;
Dong-Seok Kim
;
Young-Woo Jo
;
Chul-Ho Won
;
Ryun-Hwi Kim
;
Kyu-Il Jang
;
Chandrashekhar C.H.
;
Jung-Hee Lee
;
Rajagopal Reddy V.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Au/PVA-InP Schottky diode;
barrier height;
ideality factor;
series resistance;
thermionic emission;
41.
THz integrated circuits using InP HEMT transistors
机译:
使用InP HEMT晶体管的THz集成电路
作者:
Leong Kevin
;
Mei Gerry
;
Radisic Vesna
;
Sarkozy Stephen
;
Deal William
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
Low Noise Amplifier;
Power Amplifier;
Terahertz;
42.
Optical interconnects for computer-com
机译:
用于计算机通信的光互连
作者:
Taubenblatt Marc A.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
high performance computing;
optical interconnects;
supercomputing;
43.
Compact InP-based 1#x00D7;2 MMI splitter on Si substrate with BCB wafer bonding for membrane photonic circuits
机译:
紧凑的基于InP的1×2 MMI分离器在Si基板上具有BCB晶圆键合功能,用于膜光子电路
作者:
Lee Jieun
;
Yamahara Yoshiaki
;
Atsumi Yuki
;
Shindo Takahiko
;
Amemiya Tomohiro
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
III–V-based passive components;
Multimode interference (MMI);
membrane photonic integrate circuits (PICs);
optical beam splitters;
44.
Reflection-assisted unidirectional hybrid silicon microring lasers
机译:
反射辅助单向混合硅微环激光器
作者:
Liang Di
;
Srinivasan Sudharsanan
;
Fattal David A.
;
Fiorentino Marco
;
Zhihong Huang
;
Spencer Daryl T.
;
Bowers John E.
;
Beausoleil Raymond G.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
45.
Integrated hybrid III–V/Si laser and transmitter
机译:
集成式混合III–V / Si激光器和发射器
作者:
Duan G.-H.
;
Jany C.
;
Le Liepvre A.
;
Lamponi M.
;
Accard A.
;
Poingt F.
;
Make D.
;
Lelarge F.
;
Messaoudene S.
;
Bordel D.
;
Fedeli J.-M.
;
Keyvaninia S.
;
Roelkens G.
;
Van Thourhout D.
;
Thomson D. J.
;
Gardes F. Y.
;
Reed G. T.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
Hybrid integrated circuits;
adiabatic taper;
silicon laser;
silicon-on-insulator (SOI) technology;
46.
Hybrid InP-polymer 30 nm tunable DBR laser for 10 Gbit/s direct modulation in the C-Band
机译:
混合InP聚合物30 nm可调DBR激光器,用于C波段10 Gbit / s的直接调制
作者:
Klein Holger
;
Wagner Christoph
;
Brinker Walter
;
Soares Francisco
;
de Felipe David
;
Zhang Ziyang
;
Zawadzki Crispin
;
Keil Norbert
;
Moehrle Martin
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
47.
Epitaxy of III–V based channels on Si and transistor integration for 12-10nm node CMOS
机译:
基于III–V的硅和晶体管集成的沟道的外延,用于12-10nm节点CMOS
作者:
Caymax Matty
;
Merckling Clement
;
Wang Gang
;
Orzali Tommaso
;
Weiming Guo
;
Vandervorst Wilfried
;
Dekoster Johan
;
Waldron Niamh
;
Thean Aaron
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
CMOS;
compound semiconductors;
48.
10-Gbit/s direct modulation of optically pumped InGaAlAs multiple-quantum-well photonic-crystal nanocavity laser up to 100#x00B0;C
机译:
高达100°C的光泵浦InGaAlAs多量子阱光子晶体纳米腔激光器的10 Gb / s直接调制
作者:
Sato Tomonari
;
Takeda Koji
;
Imai Hiromitsu
;
Shinya Akihiko
;
Nozaki Kengo
;
Taniyama Hideaki
;
Hasebe Koichi
;
Kobayashi Wataru
;
Kakitsuka Takaaki
;
Notomi Masaya
;
Matsuo Shinji
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
Photonic crystals;
Photonic integrated circuits;
Semiconductor lasers;
49.
Atomic-plane-thick reconstruction across the interface during heteroepitaxial bonding of InP-clad quantum wells to Si
机译:
InP包覆的量子阱与Si的异质外延键合过程中跨界面的原子平面厚重构
作者:
Talneau A.
;
Roblin C.
;
Itawi A.
;
Mauguin O.
;
Largeau L.
;
Beaudouin G.
;
Sagnes I.
;
Patriarche G.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
III–V integration on Si;
heteroepitaxial bonding;
interface TEM analysis;
photonic integrated circuits;
surface reconstruction;
50.
Investigation of the Influence of Zn-diffusion profile on the electrical properties of InGaAs/InP photodiodes
机译:
锌扩散曲线对InGaAs / InP光电二极管电性能影响的研究
作者:
Djedidi A.
;
Rouvie A.
;
Reverchon JL.
;
Pires M.
;
Chevalier N.
;
Mariolle D.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
51.
Development of a 557 GHz GaAs monolithic membrane-diode mixer
机译:
557 GHz GaAs单片膜二极管混频器的开发
作者:
Huan Zhao
;
Drakinskiy Vladimir
;
Sobis Peter
;
Hanning Johanna
;
Bryllert Tomas
;
Aik-Yean Tang
;
Stake Jan
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
Schottky diodes;
membrane circuits;
receivers;
submillimeter wave mixers;
52.
Fundamental oscillation up to 1.31 THz in thin-well resonant tunneling diodes
机译:
薄阱谐振隧道二极管中的基本振荡高达1.31 THz
作者:
Kanaya H.
;
Shibayama H.
;
Suzuki S.
;
Asada M.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
oscillators;
quantum well devices;
resonant tunneling devices;
slot antennas;
submillimeter integrated circuits;
53.
Lattice-matched p
+
-GaAsSb/i-InAlAs-InGaAs zero-bias backward diodes for millimeter-wave detectors and mixers
机译:
晶格匹配的p
+ sup> -GaAsSb / i-InAlAs / n-InGaAs零偏置反向二极管,用于毫米波检测器和混频器
作者:
Takahashi Tsuyoshi
;
Sato Masaru
;
Nakasha Yasuhiro
;
Hara Naoki
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
Backward diodes;
GaAsSb;
interband tunneling;
millimeter wave;
sensitivity;
54.
Lattice matched and Pseudomorphic InGaAs MOSHEMT with fT of 200GHz
机译:
fT为200GHz的晶格匹配和伪非晶InGaAs MOSHEMT
作者:
Mo J.J.
;
Wichmann N.
;
Roelens Y.
;
Zaknoune M.
;
Desplanque L.
;
Wallart X.
;
Bollaert S.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
ALD Alinf2/infOinf3/inf;
MOSFET III–V;
interface defect;
post process annealing;
pseudomorphic structure;
55.
Sensitive high frequency envelope detectors based on triple barrier resonant tunneling diodes
机译:
基于三重势垒共振隧穿二极管的敏感高频包络检波器
作者:
Keller Gregor
;
Tchegho Anselme
;
Munstermann Benjamin
;
Prost Werner
;
Tegude Franz-Josef
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
Indium phosphide;
Rectifiers;
Resonant tunneling devices;
Triple barrier RTD;
56.
Photoluminescence peak wavelength behavior and luminescent efficiency of InAs/InGaAsP/InP quantum dots structure
机译:
InAs / InGaAsP / InP量子点结构的光致发光峰值波长行为和发光效率
作者:
Sato Rie
;
Fukuda Ayako
;
Suzuki Tomomi
;
Imai Hajime
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
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2012年
关键词:
InAs/InGaAsP/InP quantum dots structure;
InGaAs/InP quantum well structure;
Photoluminescence;
57.
A 1.3 pJ/bit energy-efficient ultra-low power on-off mode oscillator using an InP-based quantum-effect tunneling device
机译:
使用基于InP的量子效应隧穿器件的1.3 pJ / bit节能高效超低功耗开关模式振荡器
作者:
Jooseok Lee
;
Jongwon Lee
;
Jaehong Park
;
Yang Kyounghoon
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
microwave oscillator;
negative differential resistance circuit;
resonant tunneling diode;
58.
Optimized RTD-HBT VCO design based on large signal transient simulations
机译:
基于大信号瞬态仿真的优化RTD-HBT VCO设计
作者:
Munstermann Benjamin
;
Tchegho Anselme
;
Keller Gregor
;
Tegude F.-J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
MMIC;
phase noise;
resonant tunneling diodes;
voltage controlled oscillators;
59.
Low-threshold operation of LCI-membrane-DFB lasers with Be-doped GaInAs contact layer
机译:
具有Be掺杂GaInAs接触层的LCI-膜-DFB激光器的低阈值操作
作者:
Futami Mitsuaki
;
Shindo Takahiko
;
Doi Kyohei
;
Amemiya Tomohiro
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
GaInAsP/InP;
lateral current injection;
membrane structure;
quantum-well laser;
semiconductor laser;
60.
C-band operation of lateral-grating-assisted lateral co-directional coupler tunable laser with high-mesa buried heterostructure
机译:
具有高台面埋入异质结构的横向光栅辅助横向同向耦合器可调谐激光器的C波段工作
作者:
Suzuki T.
;
Arimoto H.
;
Kitatani T.
;
Takei A.
;
Taniguchi T.
;
Shinoda K.
;
Tanaka S.
;
Ido T.
;
Nakamura A.
;
Naoe K.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
61.
High speed AlInGaAs/InGaAs quantum well waveguide photodiode for wavelengths around 2 microns
机译:
波长约2微米的高速AlInGaAs / InGaAs量子阱波导光电二极管
作者:
Hua Yang
;
Nan Ye
;
Manganaro Marina
;
Gocalinska Agnieszka
;
Thomas Kevin
;
Pelucchi Emanuele
;
Roycroft Brendan
;
Peters Frank H.
;
Corbett Brian
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
2#x00E9;
m wavelength;
AlInGaAs/InGaAs;
Photodiode;
high speed;
optical communication;
quantum well;
62.
Novel atomic layer deposited thin film beryllium oxide for InGaAs MOS Devices
机译:
用于InGaAs MOS器件的新型原子层沉积薄膜氧化铍
作者:
Koh D.
;
Yum J. H.
;
Akyol T.
;
Ferrer D. A.
;
Lei M.
;
Hudnall Todd. W.
;
Downer M. C.
;
Bielawski C. W.
;
Hill R.
;
Bersuker G.
;
Banerjee S. K.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
ALD;
Beryllium Oxide;
III–V MOSFETs;
MOS Capacitance;
high-#x03BA;
63.
20 GHz to 83 GHz single section InAs/InP quantum dot mode-locked lasers grown on (001) misoriented substrate
机译:
在(001)取向错误的基板上生长的20 GHz至83 GHz单截面InAs / InP量子点锁模激光器
作者:
Klaime K.
;
Piron R.
;
Paranthoen C.
;
Batte T.
;
Grillot F.
;
Dehaese O.
;
Loualiche S.
;
Le Corre A.
;
Rosales R.
;
Merghem K.
;
Martinez A.
;
Ramdane A.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Mode-locking;
quantum dots (QDs);
semiconductors laser;
64.
InAs/InP quantum dash based mode locked lasers for 60 GHz radio over fiber applications
机译:
基于InAs / InP量子破折号的锁模激光器,用于光纤应用中的60 GHz无线电
作者:
Rosales R.
;
Charbonnier B.
;
Merghem K.
;
Van Dijk F.
;
Lelarge F.
;
Martinez A.
;
Ramdane A.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
65.
InP HBT with 55-nm-wide emitter and relationship between emitter width and current density
机译:
具有55 nm宽发射极的InP HBT以及发射极宽度与电流密度之间的关系
作者:
Tanaka Keishi
;
Miyamoto Yasuyuki
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InP;
electron beam lithography;
heterojunction bipolar transistor;
self-heating effect;
66.
InP/GaInAs DHBT with TiW emitter demonstrating fT/fmax #x223C;340/400GHz for 100 Gb/s circuit applications
机译:
具有TiW发射极的InP / GaInAs DHBT,在100 Gb / s电路应用中显示fT / fmax约为340 / 400GHz
作者:
Nodjiadjim V.
;
Cros-Chahrour S.
;
Dupuy J.-Y.
;
Riet M.
;
Berdaguer P.
;
Gentner J.-L.
;
Saturnin B.
;
Godin J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Heterojunction bipolar transistor;
InP;
TiW;
trans-impedance amplifier;
67.
Lower limits to specific contact resistivity
机译:
下限接触电阻率
作者:
Baraskar Ashish
;
Gossard Arthur C.
;
Rodwell Mark J. W.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Contact resistivity;
Landauer limit;
Schottky barrier;
metal semiconductor junctions;
transmission probability;
68.
Study of the Ni-InGaAs alloy as an ohmic contact to the p-type base of InP/InGaAs HBTs
机译:
Ni-InGaAs合金作为InP / InGaAs HBT的p型基极的欧姆接触的研究
作者:
Mehari Shlomo
;
Gavrilov Arkady
;
Cohen Shimon
;
Ritter Dan
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
HBT;
Ni-InGaAs;
TLM;
ohmic contacts;
69.
Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests
机译:
加速老化试验中InP / GaAsSb DHBT失效机理的分析
作者:
Kone G.A.
;
Maneux C.
;
Labat N.
;
Zimmer T.
;
Grandchamp B.
;
Frijlink P.
;
Maher H.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
DHBTS;
GaAsSb;
InP;
Semiconductors;
accelerated aging tests;
life tests;
reliability;
type II heterojunction;
70.
450 GHz amplifier MMIC in 50 nm metamorphic HEMT technology
机译:
采用50 nm变质HEMT技术的450 GHz放大器MMIC
作者:
Leuther A.
;
Tessmann A.
;
Massler H.
;
Aidam R.
;
Schlechtweg M.
;
Ambacher O.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InGaAs;
metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT);
submillimeter monolithic microwave integrated circuit (S-MMIC);
submillimeter-wave amplifier;
71.
Analysis of performances of InSb HEMTs using quantum-corrected Monte Carlo simulation
机译:
InSb HEMT性能的量子校正蒙特卡罗模拟分析
作者:
Sato Jun
;
Nagai Yutaro
;
Hara Shinsuke
;
Fujishiro Hiroki I.
;
Endoh Akira
;
Watanabe Issei
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
InSb HEMT;
delay time;
quantum-corrected Monte Carlo simulation;
strain;
72.
Metal-organic vapor-phase epitaxy growth of InP-based HEMT structures with InGaAs/InAs composite channel
机译:
InGaAs / InAs复合通道的InP基HEMT结构的金属有机气相外延生长
作者:
Sugiyama Hiroki
;
Hoshi Takuya
;
Yokoyama Haruki
;
Matsuzaki Hideaki
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
HEMT;
InAs;
InGaAs;
MOVPE;
composite channel;
mobility;
73.
Selective-area growth InP-based nanowires and their optical properties
机译:
基于InP的选择性区域生长纳米线及其光学性质
作者:
Motohisa Junichi
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
74.
Estimation of effective mass and subbands in multi-quantum wells using polarized light irradiation
机译:
利用偏振光估计多量子阱中的有效质量和子带
作者:
Tanaka K.
;
Happo N.
;
Fujiwar M.
;
Kotera N.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Photocurrent;
Transverse-Electric Mode;
Transverse-Magnetic Mode;
75.
Single-event transient sensitivity to gate bias in InAlSb/InAs/AlGaSb high electron mobility transistors
机译:
InAlSb / InAs / AlGaSb高电子迁移率晶体管对栅极偏置的单事件瞬态灵敏度
作者:
Ramachandran V.
;
Schrimpf R. D.
;
Reed R. A.
;
Zhang E.
;
Shen X.
;
Pantelides S. T.
;
McMorrow D.
;
Brad Boos J.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
76.
Monte Carlo simulation of InGaAs/strained-InAs/InGaAs channel HEMTs considering self-consistent analysis of 2-dimensional electron gas
机译:
考虑二维电子气自洽分析的InGaAs / StrainedInAs / InGaAs通道HEMT的蒙特卡罗模拟
作者:
Endoh Akira
;
Watanabe Issei
;
Mimura Takashi
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
#x0192;
infT/inf;
2-dimensional electron gas;
Band structure;
HEMTs;
Monte Carlo simulation;
cutoff frequency;
strained InAs;
threshold voltage shift;
77.
Investigation of GaAs based MOVPE-grown AlxGa1#x2212;xAsyP1#x2212;y strain compensating layers
机译:
基于GaAs的MOVPE生长AlxGa1-xAsyP1-y应变补偿层的研究
作者:
Maassdorf A.
;
Lochmann Anatol
;
Weyers M.
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
关键词:
Metalorganic vapor phase epitaxy;
high resolution X-ray diffraction;
in-situ curvature measurements;
laser diodes;
78.
Enhancement-mode pseudomorphic high-electron-mobility transistor with a nanoscale oxidized GaAs gate
机译:
具有纳米级氧化GaAs栅极的增强模式伪晶高电子迁移率晶体管
作者:
Kuan-Wei Lee
;
Hsien-Cheng Lin
;
Wang Yeong-Her
会议名称:
《2012 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.》
|
2012年
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