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Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5
Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5
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1.
Invited Rethinking High-Performance CVD Graphene Nanoelectronics on Oxidized Silicon
机译:
受邀重新思考氧化硅上的高性能CVD石墨烯纳米电子学
作者:
Deji Akinwande
;
Li Tao
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
2.
Challenges of Graphene Growth on Silicon Carbide
机译:
石墨烯生长对碳化硅的挑战
作者:
R. Yakimova
;
G. R. Yazdi
;
T. Iakimov
;
J. Eriksson
;
V. Darakchieva
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
3.
Graphene underneath metals
机译:
金属下面的石墨烯
作者:
Akira Toriumi
;
Kosuke Nagashio
;
Takafumi Moriyama
;
Ryota Ifuku
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
4.
Recent Advances in Graphene RF Electronics: Opportunities
机译:
石墨烯射频电子学的最新进展:机遇
作者:
J. S. Moon
;
D. K. Gaskill
;
P. Asbeck
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
5.
Graphene Transistors for Ambipolar Mixing at Microwave Frequencies
机译:
微波频率下用于双极混合的石墨烯晶体管
作者:
H. Madan
;
M. J. Hollander
;
J. A. Robinson
;
S. Datta
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
6.
Graphene Based Tunable Schottky Diode for High Performance Devices
机译:
用于高性能器件的基于石墨烯的可调肖特基二极管
作者:
Jinseong Heo
;
Hyun Jae Song
;
Kyung-Eun Byun
;
David. S. Seo
;
Seongjun Park
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
7.
Graphene Nanoribbon Growth and Dual-Gated Graphene Transistors
机译:
石墨烯纳米带生长和双栅极石墨烯晶体管
作者:
Shintaro Sato
;
Kenjiro Hayashi
;
Shu Nakaharai
;
Naoki Yokoyama
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
8.
Toward ambient-stable molecular gated graphene-FET: A donor/acceptor hybrid architecture to achieve bandgap in bilayer graphene
机译:
迈向环境稳定的分子门控石墨烯-FET:一种供体/受体混合体系结构,可在双层石墨烯中实现带隙
作者:
Amirhasan Nourbakhsh
;
Mirco Cantoro
;
Marc Heyns
;
Bert F. Sels
;
Stefan De Gendt
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
9.
Transfer-free Bilayer Graphene FETs: Application as Memory Devices
机译:
无转移双层石墨烯FET:用作存储设备
作者:
Pia Juliane Wessely
;
Udo Schwalke
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
10.
Effect of Gate Dielectric on Ballistic Transport of Cylindrical Carbon Nanotube MOSFET
机译:
栅介质对圆柱形碳纳米管MOSFET弹道输运的影响。
作者:
Shafayat Hossain
;
Saeed Uz Zaman Khan
;
Ahmedullah Aziz
;
Mohammad Wahidur Rahman
;
Muhammad Abdullah Arafat
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
11.
InGaSb MOSFET Channel on Metamorphic Buffer: Materials, Interfaces and Process Options
机译:
变形缓冲器上的InGaSb MOSFET通道:材料,界面和工艺选项
作者:
A. Greene
;
S. Madisetti
;
P. Nagaiah
;
V. Tokranov
;
M. Yakimov
;
R. Moore
;
S. Oktyabrsky
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
12.
Structural and Optical Properties of Si/Ge Nanowire Heterojunctions
机译:
Si / Ge纳米线异质结的结构和光学性质
作者:
L. Tsybeskov
;
H.-Y. Chang
;
S. Mala
;
T. I. Kamins
;
X. Wu
;
D. J. Lockwood
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
13.
Stress Simulations of Si- and Ge-Channel FinFETs for the 14 nm-Node and Beyond
机译:
Si和Ge沟道FinFET在14 nm节点及以后的应力模拟
作者:
G. Eneman
;
D.P. Brunco
;
L. Witters
;
B. Vincent
;
P. Favia
;
A. Hikavyy
;
A. De Keersgieter
;
J. Mitard
;
R. Loo
;
A. Veloso
;
O. Richard
;
H. Bender
;
W. Vandervorst
;
M. Caymax
;
N. Horiguchi
;
N. Collaert
;
A. Thean
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
14.
Germanium Nanostructures in High-K Materials
机译:
高K材料中的锗纳米结构
作者:
P. Seidel
;
M. Geyer
;
D. Lehninger
;
F. Schneider
;
V. Klemm
;
J. Heitmann
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
15.
GeSn Film Deposition using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
使用金属有机化学气相沉积法沉积GeSn膜
作者:
K. Suda
;
T. Uno
;
T. Miyakawa
;
H. Machida
;
M. Ishikawa
;
H. Sudo
;
Y. Ohshita
;
A. Ogura
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
16.
Identification of Deep Levels Associated with Extended and Point Defects in GeSn Epitaxial Layers using DLTS
机译:
使用DLTS识别与GeSn外延层中的扩展缺陷和点缺陷相关的深层
作者:
S. Gupta
;
E. Simoen
;
H. Vrielinck
;
C. Merckling
;
B. Vincent
;
F. Gencarelli
;
R. Loo
;
M. Heyns
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
17.
Semi-Metal Nanowire Transistors from First Principle Calculations
机译:
基于第一原理计算的半金属纳米线晶体管
作者:
L. Ansari
;
G. Fagas
;
J. C. Greer
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
18.
Indirect Conversion Digital X-ray Imager using an Amorphous Selenium Photoconductor
机译:
使用非晶硒光电导体的间接转换数字X射线成像仪
作者:
S. Abbaszadeh
;
R. Keshavarzi
;
K. Wang
;
K. S. Karim
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
19.
Characteristics of Low Temperature High Quality Silicon Oxide by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition with In-situ Plasma Densification Process
机译:
原位等离子体致密化等离子体增强原子层沉积法制备低温高质量氧化硅的特性
作者:
Haiwon Kim
;
Sergey N. Zaretskiy
;
Seungwoo Shin
;
Wooduck Jung
;
Ryong Hwang
;
Choonsik Jeong
;
Seongjin Park
;
Hanna Hwang
;
Ilsub Chung
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
20.
Interface Trap Redistribution and Deep Depletion Behavior of Non-planar MOS with Ultra Thin Oxide Grown by Anodic oxidation
机译:
阳极氧化生长的超薄氧化物非平面MOS的界面陷阱重分布和深耗尽行为
作者:
Po-Hao Tseng
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
21.
Effect of Composition Rate on Erbium Silicide Work Function on Different Silicon Surface Orientation
机译:
不同硅表面取向对硅化Er功能的影响
作者:
Hiroaki Tanaka
;
Akinobu Teramoto
;
Tsukasa Motoya
;
Shigetoshi Sugawa
;
Tadahiro Ohmi
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
22.
Effect of Moisture on Electrical and Reliability Characteristics for Dense and Porous Low-k Dielectrics
机译:
水分对致密和多孔低k电介质电学和可靠性特性的影响
作者:
Yi-Lung Cheng
;
Jun-Fu Huang
;
Wei-Yuan Chang
;
Yu-Min Chang
;
Jihperng Leu
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
23.
Experimental Observation of Poole-Frenkel Saturation in an Ultrathin Tantalum Oxide Capacitor Structure
机译:
超薄氧化钽电容器结构中Poole-Frenkel饱和的实验观察
作者:
W.S. Lau
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
24.
Growth Kinetics and Uniform Scaling-up of Graphene Synthesis
机译:
石墨烯合成的生长动力学和均匀放大
作者:
K. Celebi
;
M. T. Cole
;
N. Rupesinghe
;
P. Greenwood
;
L. Tao
;
D. Akinwande
;
J. Robertson
;
H. G. Park
;
K. B. K. Teo
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
25.
Carbon 1D/2D Nanoelectronics: Advances in Synthesis and Integration
机译:
碳1D / 2D纳米电子学:合成和集成的进展
作者:
J. M. Parker
;
X. Chen
;
L. Liyanage
;
A. Tang
;
H.-S. P. Wong
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
26.
Thermal Transport in Graphene and Graphene-based Composites
机译:
石墨烯和石墨烯基复合材料的热传递
作者:
Jiuning Hu
;
Wonjun Park
;
Xiulin Ruan
;
Yong P. Chen
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
27.
Theoretical Study of Silicene and Germanene
机译:
硅烯和锗烯的理论研究
作者:
M. Houssa
;
B. van den Broek
;
E. Scalise
;
G. Pourtois
;
V.V Afanasev
;
A. Stesmans
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
28.
Integration and Characterization of Graphene-Insulator-Graphene Junctions
机译:
石墨烯-绝缘体-石墨烯结的集成与表征
作者:
T. Roy
;
C. Joiner
;
Z. Razavi
;
E. M. Vogel
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
29.
Ⅲ-Ⅴ/High-k Defects: DIGS vs. Border Traps
机译:
Ⅲ-Ⅴ/ High-k缺陷:DIGS与边界陷阱
作者:
C. L. Hinkle
;
R. V. Galatage
;
H. Dong
;
S. R. M. Anwar
;
B. Brennan
;
R. M. Wallace
;
E. M. Vogel
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
30.
Capacitance-Voltage Characteristics of Gate-All-Around In_xGa_(1-x)As Nanowire Transistor
机译:
全能栅极In_xGa_(1-x)As纳米线晶体管的电容电压特性
作者:
Quazi D. M. Khosru
;
Saeed Uz Zaman Khan
;
Shafayat Hossain
;
Fahim Ur Rahman
;
Obaidul Hossen
;
Rifat Zaman
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
31.
Improved Characteristics of GaSb MOS Capacitors by Ozone Post Deposition Treatment
机译:
臭氧后沉积处理改善了GaSb MOS电容器的特性
作者:
Lianfeng Zhao
;
Zhen Tan
;
Jing Wang
;
Jun Xu
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
32.
Photoluminescence Efficiency of Germanium Dots Self-Assembled on Oxides
机译:
自组装在氧化物上的锗点的光致发光效率
作者:
D.J. Lockwood
;
N.L. Rowell
;
E.G. Barbagiovanni
;
L.V. Goncharova
;
P.J. Simpson
;
I. Berbezier
;
G. Amiard
;
L. Favre
;
A. Ronda
;
M. Faustini
;
D. Grosso
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
33.
Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate
机译:
Si衬底上应变SiGe纳米结构中应力松弛曲线的张量评估
作者:
M. Tomita
;
D. Kosemura
;
K. Usuda
;
A. Ogura
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
34.
ALD HfO_2 and Al_2O_3 as MIM Capacitor Dielectric for GaAs HBT Technology
机译:
ALD HfO_2和Al_2O_3作为用于GaAs HBT技术的MIM电容器电介质
作者:
Jiro Yota
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
35.
Effect of Different Patterns Epitaxial Lift-Off Process by Finite Element Method
机译:
有限元法不同图形外延剥离工艺的影响
作者:
R. H. Horng
;
F. L. Wu
;
S. L. Ou
;
F. C. Liu
;
M. T. Lin
;
C. H. Lu
;
Y. C. Kao
;
D. S. Wuu
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
|
2013年
36.
Novel Cross-Linked Ortho-Carborane and Ortho-Carborane:Y (Y=1,4-diaminobenzene, pyridine, benzene) Polymer Films: A New Class of Carborane-Based Materials with Tunable Electronic Structure
机译:
新型交联的邻甲硼烷和邻甲硼烷:Y(Y = 1,4-二氨基苯,吡啶,苯)聚合物薄膜:具有可调电子结构的新型基于甲硼烷的材料
作者:
Frank L. Pasquale
;
Robinson James
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Raymond Welch
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Elena Echeverria
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P. A. Dowben
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J. A. Kelber
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
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2013年
37.
Application of an extended unified Schottky-Poole-Frenkel model to high-k capacitor structures used in analog integrated circuit technology
机译:
扩展的统一肖特基-波尔-弗伦克尔模型在模拟集成电路技术中使用的高k电容器结构中的应用
作者:
W.S. Lau
会议名称:
《Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS application 5》
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2013年
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