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Compound semiconductors 1998
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1.
In-situ mesa etching and immediate regrowth in a hydride vapour phase epitaxy reactor
机译:
氢化物气相外延反应器中的原位台面蚀刻和立即长生
作者:
E.Rodrguez Messmer
;
T.Lindstrom
;
S.Lourdudoss
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
2.
Near-noble transition-metal-based ohmic contacts to p-type InP:comparison of base metals(Ni,Pd)
机译:
与p型InP接近贵金属的过渡金属基欧姆接触:贱金属(Ni,Pd)的比较
作者:
Akira Yamaguchi
;
Takeshi Okada
;
Yasuhiro Iguchi
;
Tadashi Saitoh
;
Hirokuni Asamizu
;
Yasuo koide
;
Masanori Murakami
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
3.
Magnetophololuminescence in n- and p-type Si-modulation-doped AlGaAs/GaAs single-heterostructures
机译:
n型和p型硅调制掺杂的AlGaAs / GaAs单异质结构中的磁光致发光
作者:
K Suzuki
;
K.Saito
;
K.Muraki
;
Y.Hirayama
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
4.
Observation of intersubband absorption in MOCVD grown AlGaN/GaN MQWs
机译:
MOCVD生长的AlGaN / GaN MQW中子带间吸收的观察
作者:
Norio Iizuka
;
Nobuo Suzuki
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
5.
Photocapacitance investigation of stoichiometry -dependent deep levels in Sn-doped InP
机译:
Sn掺杂InP中化学计量比依赖的深能级的光电容研究
作者:
Yutaka Oyama
;
Jun-ichi Nishizawa
;
Kyoon Kim
;
Atsushi Shimizu
;
Ken Suto
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
6.
Photoassisted anodic etching of n-GaN films in NaOH electrolyte approx dependence of carrier concentration of GaN film
机译:
NaOH电解质中n-GaN膜的光辅助阳极蚀刻与GaN膜的载流子浓度有关
作者:
M.Ohkubo
;
T.Imai
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
7.
Photoluminescence study of InP/GaP highly strained quantum wells
机译:
InP / GaP高应变量子阱的光致发光研究
作者:
Tokuharu Kimura
;
Hiroyuki Yaguchi
;
Noritaka Usami
;
Kentaro Onabe
;
Yasuhiro Shiraki
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
8.
Radiative lifetimes of spatially indirect excitons in type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dots
机译:
II型GaSb / GaAs自组装量子点中空间间接激子的辐射寿命
作者:
K.Suzuki
;
M.S.Minsky
;
S.B.Fleischer
;
R.A.Hogg
;
S.Kako
;
E.L.Hu
;
J.E.Bowers
;
Y.Aradawa
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
9.
Piezoelectric and excitonic effects on optical properties of pseudomorphically strained wurtzite GaN quantum well lasers
机译:
压电和激子效应对伪变形应变纤锌矿GaN量子阱激光器的光学特性的影响
作者:
J.B.Jeon
;
G.D.Sanders
;
K.W.Kim
;
M.A.Littlejohn
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
10.
Progress of vertical cavity surface emitting lasers
机译:
垂直腔面发射激光器的研究进展
作者:
Tomoyuki Miyamoto
;
Fumio Koyama
;
Kenichi Iga
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
11.
Surface passivation of GaAs grown on Si by selenium sulfide treatment
机译:
硫化硒处理在Si上生长的GaAs的表面钝化
作者:
J Arokiaraj
;
K Ohtsuka
;
T Soga
;
T Jimbo
;
M Umeno
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
12.
Study of selective MBE growth on patterned (001) InP substrates toward realization of <100>-oriented InGaAs ridge quantum wires
机译:
在图案化(001)InP衬底上选择性MBE生长以实现<100>取向InGaAs脊量子线的研究
作者:
Nobuki Ono
;
Hajime Fujikura
;
Hideki Hasegawa
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
13.
Strain energy distribution in GaN and InGaN quantum dots on AlN buffer layers:A valenceforce-field approach
机译:
AlN缓冲层上GaN和InGaN量子点中的应变能分布:价场法
作者:
T Saito
;
Y Arakawa
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
14.
Size and temperature effect of a photonic quantum ring device
机译:
光子量子环器件的尺寸和温度效应
作者:
K.S.Kwak
;
J.C.Ahn
;
B.H.Park
;
J.Y.Kim
;
ODae Kwon
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
15.
Single-voltage-supply operation of Ga_0.51In_0.49P/In_0.15Ga_0.85As doped-channel FET's for digital wireless communication
机译:
Ga_0.51In_0.49P / In_0.15Ga_0.85As用于数字无线通信的掺杂通道FET的单电源工作
作者:
Yao-Wen Hsu
;
Shey-Shi Lu
;
Chin-Chun Meng
;
Liang-Bo Chen
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
16.
Stacking fault and its effect on the GaN epitaxial growth
机译:
堆垛层错及其对GaN外延生长的影响
作者:
M.Hao
;
S.Mahanty
;
Y.Morishima
;
H.Takennada
;
J.Wang
;
S.Tottori
;
M.Nozaki
;
Y.Ishikawa
;
T.Sugahara
;
K.Nishino
;
Y.Naoi
;
S.Sakai
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
17.
Relization of Strongly metal-dependent schottky barrier heights on n-GaAs by in situ electrochemical process
机译:
通过原位电化学方法在an-GaAs上实现高度依赖金属的肖特基势垒高度
作者:
Chinami Kaneshiro
;
Taketomo Sato
;
Hideki Hasegawa
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
18.
Reliability issues in compound semiconductor heterojunction devices
机译:
化合物半导体异质结器件中的可靠性问题
作者:
F.Fantini
;
M.Borgarino
;
L.Cattani
;
P.Cova
;
R.Menozzi
;
G.Salviati
;
C.Canali
;
G.Meneghesso
;
E.Zanoni
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
19.
Regrowth of GaN and AlGaN on grooved stripe structure
机译:
GaN和AlGaN在沟槽条纹结构上的再生
作者:
M.Ishida
;
K.Orita
;
T.Hashimoto
;
S.Nakamura
;
O.Imafuji
;
M.Yuri
;
T.Sugino
;
K.Itoh
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
20.
Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延在(111)Si衬底上纤锌矿GaN的选择性区域生长(SAG)和外延横向过生长(ELO)
作者:
Yasutoshi Kawaguchi
;
Yoshio Honda
;
Masahito Yamaguchi
;
Kazumasa Hiramatsu
;
Nobuhiko Sawaki
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
21.
Self-organized process of InAs-quantum dots monitored by reflectance-difference spectroscopy
机译:
反射差光谱法监测InAs量子点的自组织过程
作者:
Takashi Kita
;
Toshitugu Hagihara
;
Kenichi Yamashita
;
Taneo Nishino
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
22.
Direct evidence for the type-II character of In_0.52Al_0.48As/AlAs_0.56Sb_0.44 multiple quantum well structures
机译:
In_0.52Al_0.48As / AlAs_0.56Sb_0.44多量子阱结构的II型特征的直接证据
作者:
J.ringling
;
L.Schrottke
;
H.T.Grahn
;
Y.Kawamura
;
K.Yoshimatsu
;
A.Kamada
;
N.Inoue
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
23.
Diagnostic scheme for electrical behavior of dielectrics/GaAs interfaces based on electroreflectance spectroscopy
机译:
基于电反射光谱的电介质/ GaAs界面电行为诊断方案
作者:
K.Ito
;
Y.Mochizuki
;
Y.Nashimoto
;
M.Mizuta
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
24.
Columnar-shaped InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的柱状InAs / GaAs自组装量子点
作者:
Y Nakata
;
Y Sugiyama
;
K Mukai
;
T Futatsugi
;
H Shoji
;
M Sugawara
;
H Ishikawa
;
N Yokoyama
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
25.
Coherent and incoherent excitation of two-dimensional plasmons in AlGaAs/GaAs quantum wells by femtosecond laser pulses
机译:
飞秒激光脉冲在AlGaAs / GaAs量子阱中二维等离子体激元的相干和非相干激发
作者:
N.Sekine
;
K.Hirakawa
;
M.Vo#beta#eburger
;
P.Haring-Bolivar
;
H.Kurz
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
26.
Characterisation of the effects of Al incorporation in AlGaInP light emitters
机译:
AlGaInP发光体中Al掺入效应的表征
作者:
P C Mogensen
;
G Jones
;
N Cain
;
P Blood
;
D J Mowbray
;
S W Bland
;
D Peggs
;
R P Petrie
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
27.
Direct Ion-Implanted 0.1-#um#m E/D mode GaAs MESFET with f_t>100 GHz and f_max >150 GHz
机译:
f_t> 100 GHz和f_max> 150 GHz的直接离子注入0.1-um#m E / D模式GaAs MESFET
作者:
H Hsia
;
Z Tang
;
D Becher
;
R Shimon
;
D Caruth
;
J Fendrich
;
M Feng
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
28.
Effect of a low resistance multilayer cap on 3.5V PDC power performance for an enhancement-mode heterojunction FET
机译:
低电阻多层电容对增强型异质结FET的3.5V PDC电源性能的影响
作者:
Y Bito
;
N Iwata
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
29.
Effect of hydrogen on ECR-MBE growth process of GaN
机译:
氢对GaN ECR-MBE生长过程的影响
作者:
Y.Chiba
;
T.Tominari
;
M.Nobata
;
Y.Nanishi
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
30.
Formation of InGaAs dots on InP substrate with lattice-matching growth condition by droplet heteroepitaxy
机译:
液滴异质外延在晶格匹配生长条件下的InP衬底上形成InGaAs点
作者:
Y Nonogaki
;
T Iguchi
;
S Fuchi
;
R Oga
;
H Moriya
;
Y Fujiwara
;
Y Takeda
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
31.
GaN-based MQW light emitting diodes
机译:
GaN基MQW发光二极管
作者:
h.Kato
;
N.Koide
;
A.Hirano
;
M.Koike
;
H.Amano
;
I.Akasaki
会议名称:
《》
|
1998年
32.
GaAs/AlGaAs oxide tunnel barriers fabricated by atomic force microscope tip-induced nano-oxidation technique
机译:
原子力显微镜尖端诱导纳米氧化技术制备的GaAs / AlGaAs氧化物隧道势垒
作者:
Yoshitada Okada
;
Yoshimasa Iuchi
;
Mitsuo Kawabe
;
James S.Harris
;
Jr.
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
33.
Gallium doped ZnO for thin film solar cells
机译:
镓掺杂的ZnO用于薄膜太阳能电池
作者:
A.Jager-Waldau
;
H.-J.Muffler
;
R.Klenk
;
M.Kirsch
;
C.Kelch
;
M.Ch.Lux-Steiner
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
34.
Far infrared emission and population inversion of hot holes in MQW InGaAs/GaAs heterostructures excited at lateral transport
机译:
MQW InGaAs / GaAs异质结构在横向传输中激发的远红外发射和热空穴的种群反转
作者:
V Ya Aleshkin
;
A.A.Andronov
;
A.V.Antonov
;
N.A.Bekin
;
A.V.Gavrilenko
;
V.I.Gavrilenko
;
D.G.Revin
;
E.A.Uskova
;
B.N.Zvonkov
;
N.B.Zvonkov
;
W.Knap
;
J.Lusakowski
;
C.Skierbiszewski
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
35.
First-principle total energy calculations of atomic and electronic structures of Si_1-x-y Ge_xC_y
机译:
Si_1-x-y Ge_xC_y原子和电子结构的第一性原理总能量计算
作者:
M Ohfuti
;
M Ikeda
;
Y Awano
;
N Yokoyama
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
36.
I-V characteristics and two-dimensional electron gas transport properties above room temperature in gate-controlled Al_0.15Ga_0.85N/GaN heterostructure
机译:
栅极控制的Al_0.15Ga_0.85N / GaN异质结构中室温以上的I-V特性和二维电子气传输特性
作者:
N Maeda
;
T Nishida
;
T Saitoh
;
N Kobayashi
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
37.
High electron mobility AlInSb/InAsSb heterostructures grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy
机译:
GaAs衬底上通过分子束外延生长的高电子迁移率AlInSb / InAsSb异质结构
作者:
Makoto Kudo
;
Tomoyoshi Mishima
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
38.
High-f~T AlGaAs/InGaAs HBTs with reduced emitter resistance for low-power-consumption,high-speed ICs
机译:
发射极电阻降低的高f〜T AlGaAs / InGaAs HBT,用于低功耗,高速IC
作者:
Takaki Niwa
;
Yasushi Amamiya
;
Masayuki Mamada
;
Hidenori Shimawaki
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
39.
High thermal-stability of Er-related luminescence and atom configurations around Er atoms doped in InP by OMVPE growth
机译:
通过OMVPE生长在InP中掺杂的Er原子周围的Er相关发光和原子构型的高热稳定性
作者:
Y.Fujiwara
;
T.Ito
;
H.Ofuchi
;
T.Kawamoto
;
M.Tabuchi
;
Y.Takeda
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
40.
Growth and characterization of Si-doped cubic GaN
机译:
硅掺杂立方氮化镓的生长与表征
作者:
hidenao Tanaka
;
Atsushi
;
Nakadaira
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
41.
Growth and characterization of InAs/AlInSb type-II superlattices for mid-infrared applications
机译:
用于中红外应用的InAs / AlInSb II型超晶格的生长和表征
作者:
S.Sasa
;
Y.Tsujie
;
M.Yano
;
M.Inoue
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
42.
High-speed composite-collector InGaP/InGaAs/GaAs HBTs
机译:
高速复合收集器InGaP / InGaAs / GaAs HBT
作者:
A.Hagley
;
R.K.Surridge
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
43.
High-Speed InGAAs/InP doped channel HFET's with a strained Ga_0.2In_0.8 schottky barrier enhancement layer grown by GSMBE
机译:
高速InGAAs / InP掺杂通道HFET,具有由GSMBE生长的应变Ga_0.2In_0.8肖特基势垒增强层
作者:
H.C.Kuo
;
H.Hsia
;
Z.Tang
;
D.Caruth
;
B.G.Moser
;
M.Feng
;
G.E.Stillman
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
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1998年
44.
High-speed InGaP/GaAs HBT's with an Ultra-Thin Base
机译:
具有超薄底座的高速InGaP / GaAs HBT
作者:
T.Oka
;
K.Ouchi
;
K.Mochizuki
;
T.Nakamura
会议名称:
《Compound semiconductors 1998》
|
1998年
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