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2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China
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1.
Enhancement-mode Al2O3/InAlGaN/GaN MOS-HEMTs with a record drain current density of 1.7 A/mm and a threshold voltage of +1.5 V
机译:
增强模式的Al2O3 / InAlGaN / GaN MOS-HEMT,记录的漏极电流密度为1.7 A / mm,阈值电压为+1.5 V
作者:
Kai Zhang
;
Jianjun Zhou
;
Cen Kong
;
Yuechan Kong
;
Tangsheng Chen
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Dielectrics;
Aluminum oxide;
Threshold voltage;
Leakage currents;
2.
A 1200V/100A all-SiC power module for boost converter of EV/HEV's motor driver application
机译:
1200V / 100A全SiC电源模块,用于EV / HEV电机驱动器应用的升压转换器
作者:
Weicheng Zhou
;
Qing Guo
;
Xinke Wu
;
Yi Liu
;
Kuang Sheng
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Multichip modules;
MOSFET;
Switches;
Layout;
Temperature measurement;
Junctions;
3.
Normally-off recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMTs with over +4V saturation drain current density and a 400V breakdown voltage
机译:
具有超过+ 4V饱和漏极电流密度和400V击穿电压的常关凹槽MOS栅极AlGaN / GaN HEMT
作者:
Cheng Zhe
;
Zhang Yun
;
Zhang Lian
;
Zhao Yong-Bing
;
Wang Jun-Xi
;
Li Jin-Min
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Aluminum oxide;
Films;
4.
RD of 1200V SiC MOSFETs with nitrided gate oxide and self-aligned channel technology
机译:
采用氮化栅极氧化物和自对准沟道技术的1200V SiC MOSFET的研发
作者:
Zhaoyang Peng
;
Huajun Shen
;
Hong Chen
;
Yun Bai
;
Yidan Tang
;
Yiyu Wang
;
Ximing Chen
;
Chengzhan Li
;
Kean Liu
;
Xinyu Liu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Etching;
Logic gates;
MOSFET;
Nickel;
Temperature measurement;
Nitrogen;
5.
The breakdown behavior of GaN epitaxial material on silicon
机译:
GaN外延材料在硅上的击穿行为
作者:
Jialin Zhang
;
Liang He
;
Liuan Li
;
Fan Yang
;
Zhen Shen
;
Deqiu Zhou
;
Zijun Chen
;
Xiaorong Zhang
;
Lei He
;
Zhisheng Wu
;
Baijun Zhang
;
Yang Liu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Electric breakdown;
Gallium nitride;
Silicon;
Substrates;
Buffer layers;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
6.
Large-area uniform epitaxial graphene on SiC by optimizing temperature field
机译:
通过优化温度场在SiC上大面积均匀外延石墨烯
作者:
Fusheng Zhang
;
Xiufang Chen
;
Cancan Yu
;
Li Sun
;
Xiangang Xu
;
Xiaobo Hu
;
Tian Li
;
Xian Zhao
;
Yong Zhang
;
Ruiqi Wang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Temperature distribution;
Surface morphology;
Silicon carbide;
Substrates;
Epitaxial growth;
7.
Influence of the Aln/Gan superlattices buffer thickness on the electrical properties of Algan/Gan HFET on Si substrate
机译:
Aln / Gan超晶格缓冲层厚度对Si衬底上Algan / Gan HFET电学性能的影响
作者:
Zijun Chen
;
Liuan Li
;
Yue Zheng
;
Yiqiang Ni
;
Deqiu Zhou
;
Liang He
;
Fan Yang
;
Lei He
;
Zhisheng Wu
;
Baijun Zhang
;
Yang Liu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Substrates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Silicon;
8.
Over 10 kV vertical GaN p-n junction diodes with high-K/low-K compound dielectric structure
机译:
具有高K /低K复合介电结构的10 kV以上垂直GaN p-n结二极管
作者:
Jiangfeng Du
;
Zhenchao Li
;
Dong Liu
;
Zhiyuan Bai
;
Qi Yu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Dielectrics;
Electric fields;
P-n junctions;
Semiconductor diodes;
High-k dielectric materials;
9.
Optimized P-emitter doping for switching-off loss of superjunction 4H-SiC IGBTs
机译:
针对超结4H-SiC IGBT的关断损耗的优化P发射极掺杂
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Lixin Tian
;
Guoguo Yan
;
Zhengxin Wen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Doping;
Insulated gate bipolar transistors;
Switches;
Anodes;
Conductivity;
Modulation;
Electric fields;
10.
High linearity step-graded AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor
机译:
高线性度渐变AlGaN / GaN异质结场效应晶体管
作者:
Y. L. Fang
;
X. B. Song
;
Z. H. Feng
;
J. Y. Yin
;
Z. R. Zhang
;
B. Wang
;
Y. M. Guo
;
Y. G. Wang
;
Y. J. Lv
;
S. J. Cai
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Wide band gap semiconductors;
Aluminum gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Transconductance;
Linearity;
Gallium nitride;
11.
Electrical-thermo-mechanical Simulation for aluminum wire bonds in SiC Schottky diode packages
机译:
SiC肖特基二极管封装中铝线键合的电热机械模拟
作者:
Changqing Bai
;
Jiajie Fan
;
Cheng Qian
;
Weiling Guo
;
Xuejun Fan
;
Guoqi Zhang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Wires;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Stress;
Fatigue;
Current measurement;
Electronic packaging thermal management;
12.
A novel GaN MMICs packaging using silicon based technology
机译:
使用基于硅的技术的新型GaN MMIC封装
作者:
Xiu-bo Liu
;
Yong-zhi Zhao
;
Shao-dong Wang
;
Zhi-qiang Wang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
MMICs;
Silicon;
Power amplifiers;
Gallium nitride;
Wires;
Dry etching;
Bonding;
13.
The improvement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMT by using high-k dielectric La2O3 passivation
机译:
高介电常数La2O3钝化提高AlGaN / GaN HEMT的击穿电压
作者:
MinHan Mi
;
Meng Zhang
;
YunLong He
;
XiaoHua Ma
;
Yue Hao
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
Passivation;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Electric fields;
Permittivity;
14.
Raman analysis of phonon lifetimes in 4H-SiC and their doping dependence
机译:
4H-SiC中声子寿命的拉曼分析及其掺杂依赖性
作者:
Xuejian Xie
;
Yan Peng
;
Xianglong Yang
;
Xiufang Chen
;
Xiaobo Hu
;
Xiangang Xu
;
Peng Yu
;
Ruiqi Wang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Phonons;
Impurities;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
Doping;
Deconvolution;
Scattering;
15.
Study on AIN-based hybrid bulk acoustic wave resonator with low temperature coefficient of frequency
机译:
频率温度系数低的基于AIN的混合体声波谐振器研究
作者:
Shuai Yang
;
Yun Zhang
;
Lili Sun
;
Lian Zhang
;
Zhe Cheng
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Film bulk acoustic resonators;
Resonant frequency;
Vibrations;
Acoustic waves;
Impedance;
Performance evaluation;
16.
Theoretical investigation on surface kinetics of the SiC single crystal growth
机译:
SiC单晶生长表面动力学的理论研究
作者:
Peng Yan
;
Yang Xianglong
;
Chen Xiufang
;
Hu Xiaobo
;
Xu Xiangang
;
Yu Peng
;
Wang Ruiqi
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Crystals;
Silicon carbide;
Surface morphology;
Silicon;
Temperature measurement;
Mathematical model;
Face;
17.
Enhancement of light extraction on AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes using a sidewall reflection method
机译:
使用侧壁反射法增强基于AlGaN的深紫外发光二极管上的光提取
作者:
Yanan Guo
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Xiang Chen
;
Shuo Zhang
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Light emitting diodes;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Reflection;
Substrates;
Quantum well devices;
18.
Reduction of leakage current in GaN-based high-electron mobility transistor employing carbon-doped GaN superlattice buffer layers
机译:
在采用碳掺杂的GaN超晶格缓冲层的GaN基高电子迁移率晶体管中减少泄漏电流
作者:
Mingsheng Xu
;
Yuanhang Weng
;
Hong Wang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
Gallium nitride;
Superlattices;
Leakage currents;
Buffer layers;
MODFETs;
Aluminum gallium nitride;
19.
Novel designs of 4H-SiC trench gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors (UMOSFETs) with low on-resistance
机译:
低导通电阻的4H-SiC沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(UMOSFET)的新颖设计
作者:
Kai Tian
;
Jindou Liu
;
Jing Cui
;
Chuangjie Zhou
;
Anping Zhang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Doping;
Electric fields;
Wrapping;
MOSFET;
Resistance;
Silicon carbide;
20.
Effect of Gan interlayer thickness on the Algan/Gan heterostructure field-effect transistors for self-terminated wet etching process
机译:
Gan层厚度对自终止湿法刻蚀工艺中Algan / Gan异质结构场效应晶体管的影响
作者:
Liuan Li
;
Liang He
;
Fan Yang
;
Zijun Chen
;
Xiaorong Zhang
;
Lei He
;
Zhisheng Wu
;
Baijun Zhang
;
Yang Liu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Rough surfaces;
21.
Comparison and analysis of short circuit capability of 1200V single-chip SiC MOSFET and Si IGBT
机译:
1200V单片SiC MOSFET和Si IGBT的短路能力比较分析
作者:
Jiahui Sun
;
Hongyi Xu
;
Xinke Wu
;
Kuang Sheng
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Silicon;
MOSFET;
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Resistance heating;
Junctions;
22.
Influence of AlGaN back barrier layer thickness on the dynamic ron characteristics of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN背势垒层厚度对AlGaN / GaN HEMT的动态铁特性的影响
作者:
Wenjing Wang
;
Liuan Li
;
Liang He
;
Fan Yang
;
Zijun Chen
;
Yue Zheng
;
Lei He
;
Zhisheng Wu
;
Baijun Zhang
;
Yang Liu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Leakage currents;
Buffer layers;
23.
Comparative study of temperature-dependent characteristics for SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET的温度相关特性比较研究
作者:
Furong Jiang
;
Kuang Sheng
;
Qing Guo
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Temperature;
Threshold voltage;
Temperature measurement;
Resistance;
Temperature dependence;
24.
Role of shallow surface traps and polarization charges in nitride-based passivation for AlGaN/GaN heterojunction FET
机译:
浅表面陷阱和极化电荷在AlGaN / GaN异质结FET的基于氮化物的钝化中的作用
作者:
Song Yang
;
Zhikai Tang
;
Yunyou Lu
;
Qimeng Jiang
;
Anping Zhang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Passivation;
HEMTs;
MODFETs;
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Electron traps;
Aluminum gallium nitride;
25.
Novel vertical GaN power devices using PEALD-AlN/GaN heterostructure
机译:
使用PEALD-AlN / GaN异质结构的新型垂直GaN功率器件
作者:
Song Yang
;
Lei Lei
;
Kun Yu
;
Xuhui Wang
;
Ting Zhou
;
Xing Lu
;
Anping Zhang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
MODFETs;
HEMTs;
Logic gates;
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Aluminum gallium nitride;
26.
Direct growth of GaN on sapphire with non-catalytic CVD graphene layers at high temperature
机译:
GaN在非氧化CVD石墨烯层上在高温下直接在蓝宝石上生长
作者:
Yu Xu
;
Zongyao Li
;
Lin Qi
;
En Zhao
;
Demin Cai
;
Yumin Zhang
;
Yongxin Qiu
;
Guoqiang Ren
;
Jicai Zhang
;
Jianfeng Wang
;
Bing Cao
;
Ke Xu
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Gallium nitride;
Buffer layers;
Substrates;
Surface treatment;
Temperature;
27.
High performance ultra-thin quaternary InAlGaN barrier HEMTs with fT > 260 GHz
机译:
fT> 260 GHz的高性能超薄四元InAlGaN势垒HEMT
作者:
Guangrun Zhu
;
Kai Zhang
;
Xinxin Yu
;
Yuechan Kong
;
Tangsheng Chen
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Gallium nitride;
Performance evaluation;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
28.
Study of morphology defects in 4H-SiC thick epitaxial layers grown on 4° off-axis Si-face substrates
机译:
4°离轴Si面衬底上生长的4H-SiC厚外延层的形貌缺陷研究
作者:
Guoguo Yan
;
Feng Zhang
;
Xingfang Liu
;
Lei Wang
;
Wanshun Zhao
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng Key
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
Morphology;
Epitaxial growth;
Silicon carbide;
Raman scattering;
Epitaxial layers;
Microscopy;
Surface morphology;
29.
Improved performance of scaled AlGaN/GaN HFETs by recessed gate
机译:
凹入式栅极改善了按比例缩放的AlGaN / GaN HFET的性能
作者:
Yuanjie Lv
;
Xubo Song
;
Zhirong Zhang
;
Xin Tan
;
Yulong Fang
;
Zhihong Feng
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
MODFETs;
Ohmic contacts;
Gallium nitride;
30.
Design and fabrication of 1.2kV 4H-SiC DMOSFET
机译:
1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造
作者:
Runhua Huang
;
Yonghong Tao
;
Song Bai
;
Gang Chen
;
Ling Wang
;
Rui Li
;
Yun Li
;
Zhifei Zhao
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
MOSFET;
JFETs;
Silicon carbide;
Doping;
Fabrication;
Silicon;
Implants;
31.
Simulation and optimization of field limiting rings for ultrahigh voltage 4H-SiC IGBT
机译:
超高压4H-SiC IGBT场限制环的仿真和优化
作者:
Yang Tongtong
;
Bai Song
;
Huang Runhua
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
Electric fields;
Insulated gate bipolar transistors;
Limiting;
Electric breakdown;
Optimization;
Simulation;
Breakdown voltage;
32.
Influence of thermal annealing on AlGaN/GaN HEMT by fluorine plasma treatment
机译:
热退火对氟等离子体处理对AlGaN / GaN HEMT的影响
作者:
Yunlong He
;
Minhan Mi
;
Meng Zhang
;
Chong Wang
;
Xiaohua Ma
;
Yue Hao
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
Fluorine;
Plasmas;
Annealing;
Wide band gap semiconductors;
Aluminum gallium nitride;
HEMTs;
Capacitance;
33.
Graphene-assisting photo-electrochemical etching of 4H-SiC
机译:
石墨烯辅助光电化学蚀刻4H-SiC
作者:
Li Sun
;
Xiufang Chen
;
Fusheng Zhang
;
Cancan Yu
;
Xian Zhao
;
Xiangang Xu
;
Yong Zhang
;
Ruiqi Wang
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
Graphene;
Silicon carbide;
Etching;
Silicon;
Atomic layer deposition;
Face;
Buffer layers;
34.
Effect of AlN buffer on the properties of AlN films grown on sapphire substrate by MOCVD
机译:
AlN缓冲剂对MOCVD在蓝宝石衬底上生长AlN薄膜性能的影响
作者:
Xiang Chen
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Yanan Guo
;
Shuo Zhang
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
会议名称:
《2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China》
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2016年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Films;
Surface morphology;
Morphology;
Rough surfaces;
Surface roughness;
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