掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
集成电路应用
电子学报
邮电设计技术
电信工程技术与标准化
电子与信息学报
实用影音技术
印制电路资讯
信息网络安全
电子器件
真空电子技术
更多>>
相关外文期刊
Microelectronics & Reliability
Information Security, IET
IEEE personal communications
Electronics & Communication Engineering Journal
Electronic products
Electrical Engineers, Journal of the Institution of
Sampling theory in signal and image processing
Canadian Communications Reports
International Journal of Microwave and Wireless Technologies
Journal of Electronics (CHINA)
更多>>
相关中文会议
2006年中国西部青年通信学术会议
2005中国卫星应用大会
第七届全国信号和智能信息处理与应用学术会议
2009中国通信电源与防雷论坛
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
2008全国新媒体艺术系主任(院长)论坛
2009年全国高等学校电子信息科学与工程类专业教学协作会议
第五届电子产品防护技术研讨会
2011中国数字电视与网络发展高峰论坛暨第十九届全国有线电视综合信息网学
2015中日电子电路春季国际PCB技术/信息论坛
更多>>
相关外文会议
Infrared Imaging Systems: Design, Analysis, Modeling, and Testing IV
Laser-based micro- and nanoprocessing XI
International Conference on Computers and their Applications; 20070328-30; Honolulu,HI(US)
Organic field-effect transistors IX
Conference on Optical Information Science & Technology '97: Computer and Holographic Optics and Image Processing 27 - 30 August 1997 Moscow, Russia
Optical Interconnects XVII
Next-Generation Optical Networks for Data Centers and Short-Reach Links
Conference on Micromachining and Microfabrication, Nov 28-30, 2000, Singapore
Eight International Conference on the Physics and Chemistry of Luminescent Materials, 8th, Oct 1999, Honolulu, Hawaii
Solid state and diode laser technology review : Technical digest
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Feasibility demonstration of new e-NVM cells suitable for integration at 28nm
机译:
适用于28nm集成的新型e-NVM单元的可行性演示
作者:
S. Kalem
;
S.B. Tekin
;
R. Roelofs
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Hafnium compounds;
Silicon;
Phonons;
Optical switches;
Phase change random access memory;
2.
Low temperature performance of proton irradiated strained SOI FinFET
机译:
质子辐照应变SOI FinFET的低温性能
作者:
L.F.V. Caparroz
;
C. C. M. Bordallo
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
P. G. D. Agopian
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Protons;
FinFETs;
Radiation effects;
Temperature;
Threshold voltage;
Performance evaluation;
3.
A virtual SOI diode with electrostatic doping
机译:
带有静电掺杂的虚拟SOI二极管
作者:
Kyung Hwa Lee
;
Maryline Bawedin
;
Hyungjin Park
;
Mukta Singh Parihar
;
Sorin Cristoloveanu
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Doping;
Semiconductor diodes;
Junctions;
Electrostatics;
Anodes;
Current measurement;
4.
Silicon tunnel FET with average subthreshold slope of 55mV/dec at low drain currents
机译:
低漏极电流下平均亚阈值斜率为55mV / dec的硅隧道FET
作者:
K. Narimani
;
S. Glass
;
T. Rieger
;
P. Bernardy
;
N. von den Driesch
;
S. Mantl
;
Q.T. Zhao
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
Silicon;
TFETs;
Logic gates;
Doping;
Junctions;
Transconductance;
5.
Effects of non-stoichiometry of silicon oxide layers in double barrier structure on high temperature annealing of ultrathin silicon layer
机译:
双势垒结构氧化硅层非化学计量对超薄硅层高温退火的影响
作者:
Romuald B. Beck
;
Paweł Korb
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Annealing;
Oxidation;
Plasma temperature;
Ellipsometry;
Temperature measurement;
Adaptive optics;
6.
Experiments and simulation of multilevel resistive switching in forming free Ti/TiO2−x RRAM devices
机译:
形成自由Ti / TiO2-x RRAM器件的多级电阻切换实验与仿真
作者:
P. Bousoulas
;
I. Giannopoulos
;
P. Asenov
;
I. Karageorgiou
;
D. Tsoukalas
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Switches;
Resistance;
Electrodes;
Ions;
Temperature;
Electron traps;
Fabrication;
7.
Experimental comparison between relaxed and strained Ge pFinFETs
机译:
弛豫和应变Ge pFinFET的实验比较
作者:
A.V. Oliveira
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
J. Mitard
;
L. Witters
;
N. Collaert
;
C. Claeys
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Strain;
Substrates;
Performance evaluation;
Logic gates;
Silicon;
Threshold voltage;
Transconductance;
8.
Flexible piezoelectric transducers based on a PMMA/ZnO nanowire composite
机译:
基于PMMA / ZnO纳米线复合材料的柔性压电换能器
作者:
R. Tao
;
G. Ardila
;
M. Parmar
;
L. Michaud
;
M. Mouis
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Finite element analysis;
Composite materials;
Nanocomposites;
Voltage measurement;
9.
On quantum effects and low frequency noise spectroscopy in Si Gate-All-Around Nanowire MOSFETs at cryogenic temperatures
机译:
低温下Si栅全能纳米线MOSFET的量子效应和低频噪声光谱
作者:
D. Boudier
;
B. Cretu
;
E. Simoen
;
A. Veloso
;
N. Collaert
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Low-frequency noise;
Temperature;
Scattering;
Spectroscopy;
FinFETs;
10.
Quantum confined model for a novel tri-material gate stack engineered double gate MOSFET
机译:
新型三材料栅堆叠工程双栅MOSFET的量子约束模型
作者:
Dhriti Duggal
;
Rajnish Sharma
;
Bhanu Kapoor
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Mathematical model;
Silicon;
Electric potential;
Analytical models;
Semiconductor device modeling;
11.
Static and low frequency noise characterization of ultra-thin body InAs MOSFETs
机译:
超薄InAs MOSFET的静态和低频噪声表征
作者:
T.A. Karatsori
;
M. Pastorek
;
C.G Theodorou
;
A. Fadjie
;
N. Wichmann
;
L. Desplanque
;
X. Wallart
;
S. Bollaert
;
C.A. Dimitriadis
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Low-frequency noise;
Logic gates;
Fitting;
Fluctuations;
Current measurement;
12.
Investigation of the combined effect of traps and strain on optimized n- and p-type TFETs
机译:
研究陷阱和应变对优化的n型和p型TFET的综合影响
作者:
M. Visciarelli
;
E. Gnani
;
A. Gnudi
;
S. Reggiani
;
G. Baccarani
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Electron traps;
TFETs;
Ions;
Computational modeling;
Tensile strain;
Performance evaluation;
13.
Back Enhanced (BE) SOI MOSFET under non-conventional bias conditions
机译:
非常规偏置条件下的后向增强型(BE)SOI MOSFET
作者:
L.S Yojo
;
R.C. Rangel
;
K.R.A. Sasaki
;
J.A. Martino
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
MOSFET circuits;
MOSFET;
Threshold voltage;
Logic gates;
Energy barrier;
Electrodes;
14.
Sensitivity analysis of C-V global variability for 28 nm FD-SOI
机译:
28 nm FD-SOI的C-V全局变异性敏感性分析
作者:
Krishna Pradeep
;
Thierry Poiroux
;
Patrick Scheer
;
Gilles Gouget
;
André Juge
;
Gérard Ghibaudo
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Capacitance-voltage characteristics;
Capacitance;
Sensitivity;
Logic gates;
Semiconductor device modeling;
Correlation;
Semiconductor process modeling;
15.
The prospects of two-dimensional materials for ultimately scaled CMOS
机译:
二维材料最终可缩放CMOS的前景
作者:
S. Thiele
;
W. Kinberger
;
R. Granzner
;
G. Fiori
;
F. Schwierz
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Molybdenum;
Sulfur;
Two dimensional displays;
Silicon;
16.
A reliable high performance nano SOI MOSFET by considering quadruple silicon zones
机译:
考虑到四硅区,是一种可靠的高性能纳米SOI MOSFET
作者:
Meysam Zareiee
;
Milad Abtin
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Lattices;
Semiconductor process modeling;
Substrates;
Electron mobility;
17.
Performance and transport analysis of vertically stacked p-FET SOI nanowires
机译:
垂直堆叠的p-FET SOI纳米线的性能和传输分析
作者:
Bruna Cardoso Paz
;
Marcelo Antonio Pavanello
;
Mikaël Cassé
;
Sylvain Barraud
;
Gilles Reimbold
;
Maud Vinet
;
Olivier Faynot
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Nanowires;
Electrostatics;
Ions;
Resistance;
Wires;
18.
Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors
机译:
应变诱导的超薄InGaAs-OI MOS晶体管的电子迁移率增加
作者:
Sabina Krivec
;
Mirko Poljak
;
Tomislav Suligoj
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Scattering;
Tensile strain;
Electron mobility;
Indium gallium arsenide;
Interface states;
Aluminum oxide;
19.
Evaluation of ONO compatibility with high-k metal gate stacks for future embedded flash products
机译:
评估ONO与高k金属栅极堆叠的兼容性,以用于未来的嵌入式闪存产品
作者:
Adam Dobri
;
Dann Morillon
;
Simon Jeannot
;
Fausto Piazza
;
Carine Jahan
;
Alain Toffoli
;
Luca Perniola
;
Francis Balestra
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
High-k dielectric materials;
Silicon;
Flash memories;
Dielectrics;
Tin;
20.
Nanoscale electrical characterization of a varistor-like device fabricated with oxidized CVD graphene
机译:
用氧化CVD石墨烯制成的压敏电阻器件的纳米级电学表征
作者:
S. Claramunt
;
Q. Wu
;
A. Ruiz
;
M. Porti
;
C. Couso
;
M. Nafría
;
X. Aymerich
;
B. Sempere
;
C. Colominas
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Current measurement;
Surfaces;
Nanoscale devices;
Varistors;
Hafnium compounds;
Grain boundaries;
21.
Mechanical simulations of BOX creep for strained FDSOI
机译:
应变FDSOI的BOX蠕变力学模拟。
作者:
R. Berthelon
;
F. Andrieu
;
B. Mathieu
;
D. Dutartre
;
C. Le Royer
;
M. Vinet
;
A. Claverie
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Stress;
Creep;
Silicon compounds;
Annealing;
Strain;
Silicon;
Silicon germanium;
22.
Investigation of InAs/GaSb tunnel diodes on SOI
机译:
SOI上InAs / GaSb隧道二极管的研究
作者:
C. Convertino
;
D. Cutaia
;
H. Schmid
;
N. Bologna
;
P. Paletti
;
A.M. Ionescu
;
H. Riel
;
K. E. Moselund
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Temperature measurement;
TFETs;
Silicon;
Tunneling;
Heterojunctions;
Temperature dependence;
Semiconductor diodes;
23.
FDSOI MOSFET threshold voltage characterization based on AC simulation and measurements
机译:
基于交流仿真和测量的FDSOI MOSFET阈值电压表征
作者:
Daniel Tomaszewski
;
Grzegorz Głuszko
;
Krzysztof Kucharski
;
Jolanta Malesińska
;
Lidia Łukasiak
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Capacitance;
Threshold voltage;
MOSFET;
Silicon-on-insulator;
Capacitance-voltage characteristics;
P-i-n diodes;
24.
Modeling the effect of the two-dimensional hole gas in a GaN/AlGaN/GaN heterostructure
机译:
建模GaN / AlGaN / GaN异质结构中二维空穴气体的影响
作者:
Joydeep Ghosh
;
Apurba Laha
;
Dipankar Saha
;
Swaroop Ganguly
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Two dimensional hole gas;
Mathematical model;
25.
Toward the integration of Si nanonets into FETs for biosensing applications
机译:
致力于将Si纳米网集成到FET中以用于生物传感应用
作者:
M. Legallais
;
T. T. T. Nguyen
;
M. Mouis
;
B. Salem
;
C. Ternon
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Junctions;
Field effect transistors;
Nanowires;
Optical filters;
Filtering theory;
Scanning electron microscopy;
26.
Micro and nano transducers for autonomous sensing applications
机译:
用于自主传感应用的微米和纳米传感器
作者:
Cosmin Roman
;
Christofer Hierold
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Transducers;
Power dissipation;
Carbon nanotubes;
Gas detectors;
Energy efficiency;
Sensitivity;
27.
Electrical characterization of percolating silicon nanonet FETs for sensing applications
机译:
用于传感应用的渗透硅纳米网FET的电气特性
作者:
T. Cazimajou
;
M. Legallais
;
M. Mouis
;
C. Ternon
;
B. Salem
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Nanowires;
Sensors;
Logic gates;
Artificial neural networks;
Threshold voltage;
Parameter extraction;
28.
About the intrinsic resistance variability in HfO2-based RRAM devices
机译:
关于基于HfO2的RRAM器件中的固有电阻变化
作者:
C. Cagli
;
G. Piccolboni
;
D. Garbin
;
A. Grossi
;
G. Molas
;
E. Vianello
;
C. Zambelli
;
G. Reimbold
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Correlation;
Hafnium compounds;
Switches;
Electron devices;
Meetings;
Electronic mail;
29.
Static noise margin analysis of 8T TFET SRAM cells using a 2D compact model adapted to measurement data of fabricated TFET devices
机译:
使用适用于制造的TFET器件的测量数据的2D紧凑模型对8T TFET SRAM单元进行静态噪声裕度分析
作者:
Fabian Horst
;
Michael Graef
;
Fabian Hosenfeld
;
Atieh Farokhnejad
;
Gia Vinh Luong
;
Qing-Tai Zhao
;
Benjamín Iñíguez
;
Alexander Kloes
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
TFETs;
SRAM cells;
Adaptation models;
Inverters;
Layout;
Simulation;
30.
Indium-oxide nanoparticles for Ox-RRAM in CMOS back-end-off-line
机译:
CMOS后端离线中用于Ox-RRAM的氧化铟纳米粒子
作者:
Edgar A. A. León Pérez
;
Pierre-Vincent Guenery
;
Oumaïma Abouzaid
;
Khaled Ayadi
;
Nicolas Baboux
;
Liviu Militaru
;
Abdelkader Souifi
;
Jérémy Moeyaert
;
Thierry Baron
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Switches;
Capacitance-voltage characteristics;
Nanocrystals;
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Electrodes;
31.
Model 3D MOS capacitor system using regular arrays of vertical Si nanowires
机译:
使用垂直硅纳米线的规则阵列的3D MOS电容器模型系统
作者:
E. Hourdakis
;
A.G. Nassiopoulou
;
A. Casanova
;
G. Larrieu
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Capacitors;
Capacitance;
Silicon;
Nanowires;
Resistance;
Capacitance measurement;
Electrical resistance measurement;
32.
The mystery of the Z-FET 1T-DRAM memory
机译:
Z-FET 1T-DRAM存储器的奥秘
作者:
M. Bawedin
;
H. El Dirani
;
K. Lee
;
M.S. Parihar
;
J. Lacord
;
S. Martinie
;
C. Le Royer
;
J.-Ch. Barbe
;
X. Mescot
;
P. Fonteneau
;
Ph. Galy
;
F. Gamiz
;
C. Navarro
;
B. Cheng
;
A. Asenov
;
Y. Taur
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Electrostatic discharges;
Silicon-on-insulator;
Modulation;
Random access memory;
Performance evaluation;
Systematics;
33.
Impact of carrier lifetime on Z-FET operation
机译:
载流子寿命对Z-FET工作的影响
作者:
Mukta Singh Parihar
;
Kyung Hwa Lee
;
Maryline Bawedin
;
Joris Lacord
;
Sébastien Martinie
;
Jean-Charles Barbé
;
Yue Xu
;
Yuan Taur
;
Sorin Cristoloveanu
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Anodes;
Logic gates;
Transient analysis;
Electric potential;
Charge carrier lifetime;
Hysteresis;
Electrostatics;
34.
The MSET as an IC building block
机译:
MSET作为IC构建块
作者:
Assaf Peled
;
Yossi Rosenwaks
;
Ofer Amrani
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Transistors;
Integrated circuits;
Sensors;
Doping;
Electric potential;
Fabrication;
35.
MOSFETs in the VeSTIC process - fabrication and characterization
机译:
VeSTIC工艺中的MOSFET-制造和表征
作者:
Daniel Tomaszewski
;
Krzysztof Domański
;
Grzegorz Głuszko
;
Andrzej Sierakowski
;
Dariusz Szmigiel
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Etching;
Plasmas;
Silicon;
Logic gates;
Transistors;
Resists;
Lithography;
36.
C-shape silicon window nano MOSFET for reducing the short channel effects
机译:
C型硅窗口纳米MOSFET可减少短沟道效应
作者:
Mahsa Mehrad
;
Elmira Safarpour Ghadi
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Silicon;
Threshold voltage;
Lattices;
Nanoscale devices;
Doping;
37.
Analog and RF analysis of gate all around silicon nanowire MOSFETs
机译:
围绕硅纳米线MOSFET的栅极的模拟和RF分析
作者:
Linjie Liu
;
Qinghua Han
;
Sergej Makovejev
;
Stefan Trellenkamp
;
Jean-Pierre Raskin
;
Siegfried Mantl
;
Qing-Tai Zhao
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Radio frequency;
MOSFET;
Capacitance;
Cutoff frequency;
Silicon;
Nanoscale devices;
38.
Layer thickness impact on Second Harmonic Generation characterization of SOI wafers
机译:
层厚对SOI晶片第二谐波产生特性的影响
作者:
D. Damianos
;
I. Ionica
;
J. Changala
;
M. Lei
;
A. Kaminski-Cachopo
;
D. Blanc-Pelissier
;
S. Cristoloveanu
;
G. Vitrant
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Silicon;
Electric fields;
Nonlinear optics;
Optical films;
Optical harmonic generation;
39.
Modeling and design considerations for negative capacitance field-effect transistors
机译:
负电容场效应晶体管的建模和设计注意事项
作者:
Michael Hoffmann
;
Milan Pešić
;
Stefan Slesazeck
;
Uwe Schroeder
;
Thomas Mikolajick
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Iron;
Hafnium compounds;
Electrodes;
Dielectrics;
Capacitance;
Logic gates;
40.
Analog parameters on pMOS SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width for different back gate bias
机译:
对于不同的背栅偏置,pMOS SOIΩ栅纳米线上的模拟参数低至10 nm宽度
作者:
V. T. Itocazu
;
V. Sonnenberg
;
J. A. Martino
;
S. Barraud
;
M. Vinet
;
O. Faynot
会议名称:
《》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Nanoscale devices;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Electrostatics;
MOSFET;
41.
Properties of III–V nanowires: MOSFETs and TunnelFETs
机译:
III–V纳米线的特性:MOSFET和TunnelFET
作者:
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Nanowires;
Logic gates;
MOSFET;
Capacitors;
Performance evaluation;
Ohmic contacts;
42.
Vertically stacked lateral Si80Ge20 nanowires transistors for 5 nm CMOS applications
机译:
垂直堆叠的横向Si80Ge20纳米线晶体管,用于5 nm CMOS应用
作者:
Talib Al-Ameri
;
Asen Asenov
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Nanowires;
Logic gates;
Semiconductor device modeling;
FinFETs;
Performance evaluation;
43.
First SOI Tunnel FETs with low-temperature process
机译:
首款采用低温工艺的SOI隧道FET
作者:
C. Diaz Llorente
;
C. Le Royer
;
C-M. V. Lu
;
P. Batude
;
C. Fenouillet-Beranger
;
S. Martinie
;
F. Allain
;
M. Vinet
;
S. Cristoloveanu
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Ions;
Silicon;
Tunneling;
Implants;
Plasma temperature;
44.
Characterization of semiconductor structures using scanning microwave microscopy technique
机译:
使用扫描微波显微镜技术表征半导体结构
作者:
Bendehiba Abadlia Bagdad
;
Francisco Gamiz
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Microwave theory and techniques;
Microscopy;
Microwave FET integrated circuits;
Microwave integrated circuits;
Microwave measurement;
Surface topography;
Microwave imaging;
45.
Comparative study of non-linearities in 28 nm node FDSOI and Bulk MOSFETs
机译:
28 nm节点FDSOI和体MOSFET中非线性的比较研究
作者:
V. Kilchytska
;
B. Kazemi Esfeh
;
C. Gimeno
;
B. Parvais
;
N. Planes
;
M. Haond
;
J.-P. Raskin
;
D. Flandre
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon-on-insulator;
MOSFET;
Logic gates;
Harmonic distortion;
Radio frequency;
Distortion measurement;
Linearity;
46.
Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures
机译:
不同温度下气相Zn扩散In0.53Ga0.47As nTFET的晶体管效率分析
作者:
C. Bordallo
;
J. A. Martino
;
P. G. D. Agopian
;
A. Alian
;
Y. Mols
;
R. Rooyackers
;
A. Vandooren
;
A. S. Verhulst
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
N. Collaert
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Temperature;
Ions;
Zinc;
47.
Is there a kink effect in FDSOI MOSFETs?
机译:
FDSOI MOSFET有扭结效应吗?
作者:
H. J. Park
;
M. Bawedin
;
K. Sasaki
;
J-A. Martino
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Silicon-on-insulator;
Impact ionization;
Silicon;
Logic gates;
Electric potential;
48.
Improved analog performance of SOI Nanowire nMOSFETs Self-Cascode through back-biasing
机译:
通过反向偏置改善了SOI纳米线nMOSFET自级联的模拟性能
作者:
R. Assalti
;
M. de Souza
;
M. Cassé
;
S. Barraud
;
G. Reimbold
;
M. Vinet
;
O. Faynot
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Threshold voltage;
Transconductance;
Periodic structures;
MOSFET;
Resistance;
49.
Compact modeling of intrinsic capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
机译:
双栅极隧道FET中固有电容的紧凑模型
作者:
A. Farokhnejad
;
M. Graef
;
F. Horst
;
C. Liu
;
Q.T. Zhao
;
B. Iñíguez
;
F. Lime
;
A. Kloes
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Capacitance;
Logic gates;
Data models;
Semiconductor device modeling;
Integrated circuit modeling;
Silicon;
50.
Hydrogen silsesquioxane tri-dimensional advanced patterning concepts for high density of integration in sub-7 nm nodes
机译:
氢倍半硅氧烷三维高级构图概念,可实现低于7 nm节点的高集成度
作者:
L. Gaben
;
V. Balan
;
C. Euvrard
;
S. Pauliac
;
J.-A. Dallery
;
J. Bustos
;
R. Dechanoz
;
B. Hemard
;
L. Koscianski
;
X. Bossy
;
C. Arvet
;
C. Vizioz
;
S. Barnola
;
C. Perrot
;
J. Sturm
;
Y. Exbrayat
;
V. Loup
;
P. Besson
;
B. Perrin
;
B. Previtali
;
M.-P. Samson
;
S. Barraud
;
S. Monfray
;
F. Boeuf
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Lithography;
Metals;
FinFETs;
Silicon;
Sociology;
Statistics;
51.
S-shaped gate-all-around MOSFETs for high density design
机译:
用于高密度设计的S形全栅MOSFET
作者:
Ya-Chi Huang
;
Shui-Jinn Wang
;
Meng-Hsueh Chiang
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Gallium arsenide;
Layout;
Silicon;
Performance evaluation;
Solid modeling;
52.
Dependence of MOSFETs threshold voltage variability on channel dimensions
机译:
MOSFET阈值电压可变性与通道尺寸的关系
作者:
C. Couso
;
J. Diaz-Fortuny
;
J. Martin-Martinez
;
M. Porti
;
R. Rodriguez
;
M. Nafria
;
F.V. Fernandez
;
E. Roca
;
R. Castro-Lopez
;
E. Barajas
;
D. Mateo
;
X. Aragones
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
MOSFET;
Fitting;
Semiconductor process modeling;
Threshold voltage;
Geometry;
53.
Assessment of gate leakage mechanism utilizing Multi-Subband Ensemble Monte Carlo
机译:
利用多子带组合蒙特卡洛评估门泄漏机制
作者:
C. Medina-Bailon
;
T. Sadi
;
C. Sampedro
;
J.L. Padilla
;
A. Godoy
;
L. Donetti
;
V. Georgiev
;
F. Gamiz
;
A. Asenov
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Electron traps;
FinFETs;
Substrates;
Gate leakage;
54.
Multi-Subband Ensemble Monte Carlo simulations of scaled GAA MOSFETs
机译:
缩放GAA MOSFET的多子带集成Monte Carlo仿真
作者:
L. Donetti
;
C. Sampedro
;
F.G. Ruiz
;
A. Godoy
;
F. Gamiz
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Nanowires;
Mathematical model;
Monte Carlo methods;
MOSFET;
Three-dimensional displays;
Silicon;
55.
On the electron velocity-field relation in ultra-thin films of III–V compound semiconductors for advanced CMOS technology nodes
机译:
用于先进CMOS技术节点的III–V化合物半导体超薄膜中的电子速度场关系
作者:
E. Caruso
;
A. Pin
;
P. Palestri
;
L. Selmi
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Scattering;
Gallium arsenide;
Silicon;
Phonons;
Semiconductor device modeling;
Electric fields;
Films;
56.
Back-gate bias effect on FDSOI MOSFET RF Figures of Merits and parasitic elements
机译:
背栅偏置对FDSOI MOSFET RF的优缺点和寄生因素的影响
作者:
B. Kazemi Esfeh
;
V. Kilchytska
;
B. Parvais
;
N. Planes
;
M. Haond
;
D. Flandre
;
J.-P. Raskin
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Radio frequency;
Logic gates;
MOSFET;
Semiconductor device measurement;
Equivalent circuits;
Cutoff frequency;
57.
Out-of-equilibrium body potential measurements in pseudo-MOSFET for biosensing
机译:
用于生物传感的伪MOSFET中的不平衡体电势测量
作者:
Licinius Benea
;
Maryline Bawedin
;
Cécile Delacour
;
Sorin Cristoloveanu
;
Irina Ionica
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Electric potential;
Logic gates;
Current measurement;
Probes;
Silicon-on-insulator;
Sensors;
Surface treatment;
58.
Hall-effect mobility for a selection of natural and synthetic 2D semiconductor crystals
机译:
霍尔效应迁移率,用于选择天然和合成2D半导体晶体
作者:
Scott Monaghan
;
Farzan Gity
;
Ray Duffy
;
Gioele Mirabelli
;
Melissa McCarthy
;
Karim Cherkaoui
;
Ian M. Povey
;
Roger E. Nagle
;
Paul K. Hurley
;
Jeffrey R. Lindemuth
;
Enrico Napolitani
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Crystals;
Conductivity;
Sulfur;
Hall effect;
Silicon;
Two dimensional displays;
59.
ReRAM ON/OFF resistance ratio degradation due to line resistance combined with device variability in 28nm FDSOI technology
机译:
由于28nm FDSOI技术中的线路电阻和器件可变性,ReRAM开/关电阻比降低
作者:
H. Aziza
;
P. Canet
;
J. Postel-Pellerin
;
M. Moreau
;
J.-M. Portal
;
M. Bocquet
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Reliability;
Switches;
Integrated circuit modeling;
Silicon-on-insulator;
Resistive RAM;
60.
Design and implementation methodology of energy-efficient Standard Cell Memory with optimized Body-Bias separation in Silicon-on-Thin-BOX
机译:
薄盒式硅中具有优化的Bias偏置的高能效标准单元存储器的设计和实现方法
作者:
Yusuke Yoshida
;
Kimiyoshi Usami
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Latches;
Clocks;
Computer architecture;
Microprocessors;
Delays;
Standards;
61.
Impact of cryogenic temperature operation on static and low frequency noise behaviors of FD UTBOX nMOSFETs
机译:
低温温度操作对FD UTBOX nMOSFET静态和低频噪声行为的影响
作者:
B. Nafaa
;
B. Cretu
;
N. Ismail
;
O. Touayar
;
E. Simoen
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Transconductance;
Low-frequency noise;
Temperature measurement;
Tunneling;
Noise measurement;
Silicon;
62.
Si measurements: SiOx on Si
机译:
Si测量:Si上的SiOx
作者:
S. Kalem
;
SB Tekin
;
ZE Kaya
;
AE Hannas
;
V. Sunström
会议名称:
《2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Photoluminescence;
Optical device fabrication;
High-speed optical techniques;
Ultrafast optics;
Couplings;
Optical switches;
意见反馈
回到顶部
回到首页