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1.
Simulation of RF power and noise in SiC MESFET circuits
机译:
SiC MESFET电路中的RF功率和噪声仿真
作者:
G. L. Bilbro
;
M. W. Shin
;
R. J. Trew
;
R. C. Clarke
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
2.
AC plasma-assisted CVD of 3C-SiC films at low substrate temperature
机译:
在低基板温度下进行3C-SiC膜的交流等离子体辅助CVD
作者:
H. Shimizu
;
K. Naito
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
3.
SiC power umosfet: design, analysis and technological feasibility
机译:
SiC功率复合材料:设计,分析和技术可行性
作者:
M. Bhatnagar
;
D. Alok
;
B. J. Baliga
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
4.
An isoplanar isolation technology for SiC devices using local oxidation
机译:
使用局部氧化的SiC器件的等平面隔离技术
作者:
Ritu Tyagi
;
Mario Ghezzo
;
T.Paul Chow
;
James F.Norton
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
5.
Electrochemical and photo-assisted electrochemical etching of 6H-SiC
机译:
6H-SiC的电化学和光辅助电化学蚀刻
作者:
C.I. Harris
;
R. Glass
;
O. Kordina
;
M. Syvaejaervi
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
6.
Impurity incorporation in 15R- and 6H-SiC polytypes grown by physical vapor transport
机译:
通过物理气相传输在15R-和6H-SiC多型中引入杂质
作者:
N. I. Buchan
;
D.N. Henshall
;
W.S. Yoo
;
P.A. Mailloux
;
M.A. Tischler
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
7.
Examination of semiconductors for bipolar power devices
机译:
双极型功率器件的半导体检查
作者:
Anup Bhalla
;
T.Paul Chow
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
8.
Hydrogen and carbon depth profile measurement in a-Si_(1-x)C_x:H films by elastic recoil detection
机译:
弹性反冲检测测量a-Si_(1-x)C_x:H薄膜中的氢和碳深度分布
作者:
V Kh Kudoyarova
;
G M Gusinskii
;
E I Terukov
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
9.
Calibration procedure to determine the nitrogen impurity concentration in 6H SiC at low concentration levels
机译:
确定低浓度水平下6H SiC中氮杂质浓度的校准程序
作者:
L. L. Clemen
;
M. Yoganathan
;
W. J. Choyke
;
R. P. Devaty
;
H. S. Kong
;
J. A. Edmond
;
D. J. Larkin
;
J. A. Powell
;
A. A. Burk Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
10.
Progress in SiC epitaxy-present and future
机译:
碳化硅外延技术的现状与未来
作者:
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
11.
Low temperature ALE of SiC
机译:
SiC的低温ALE
作者:
J. J. Sumakeris
;
K. S. Ailey
;
R. F. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
12.
Bulk crystals, thin films and devices of the wide band gap semiconductors of silicon carbide and the Ⅲ-Ⅴ nitrides of aluminum, gallium and indium
机译:
碳化硅和铝,镓和铟的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的宽带隙半导体的块状晶体,薄膜和器件
作者:
Robert F. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
13.
Sublimation growth of silicon carbide in the growth system free of carbon materials
机译:
不含碳材料的生长系统中碳化硅的升华生长
作者:
A O Konstantinov
;
P A Ivanov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
14.
Structure of a 6H silicon carbide vicinal surface
机译:
6H碳化硅毗连表面的结构
作者:
Stephane Tyc
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
15.
Monatomic step kinetics in Lely-type bulk crystal growth of 6H-SiC
机译:
6H-SiC Lely型块状晶体生长中的单原子步动力学
作者:
Z. Zhang
;
M. A. Kulakov
;
B. Bullemer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
16.
A short atlas of luminescence and absorption lines and bands in SiC, GaN, AlGaN and AlN
机译:
SiC,GaN,AlGaN和AlN中的发光和吸收线和能带的简短图集
作者:
W.J.Choyke
;
Igor Linkov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
17.
Recent developments in the characterization of the aluminum center in 3C, 4H, 6H and 15R SiC
机译:
在3C,4H,6H和15R SiC中表征铝中心的最新进展
作者:
L. L. Clemen
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
;
J. A. Powell
;
D. J. Larkin
;
J. A. Edmond
;
A. A. Burk Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
18.
Deposition of hydrogenated amorphous silicon-carbon alloy films by magnetron glow discharge plasma
机译:
磁控辉光放电等离子体沉积氢化非晶硅碳合金薄膜
作者:
N A Rogachev
;
A N Kuznetsov
;
E I Terukov
;
V E Chelnokov
;
I N Trapeznikova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
19.
Electrical and optical characterization of SiGe and SiGeC layers
机译:
SiGe和SiGeC层的电学和光学表征
作者:
Jianmin Qiao
;
Ashawant Gupta
;
M. Mahmudur Rahman
;
Cary Y. Yang
;
Seongil Im
;
Nathan W. Cheung
;
Paul K.L. Yu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
20.
Sublimation growth of 6H-SiC crystals on different faces of a 6H-SiC seed
机译:
6H-SiC晶种不同面上的6H-SiC晶体升华生长
作者:
Jinwei Yang
;
Shigehiro Nishino
;
Mehran Mehragany
;
Pirouz Pirouz
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
21.
A process for the growth of monocrystalline β-SiC substrates
机译:
单晶β-SiC衬底的生长工艺
作者:
V. Shields
;
K. Fekade
;
M. Spencer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
22.
Site-competition epitaxy for controlled doping of CVD silicon carbide
机译:
站点竞争外延技术可控制地掺杂CVD碳化硅
作者:
D J Larkin
;
P G Neudeck
;
J A Powell
;
L G Matus
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
23.
SiC epitaxial growth on a-axis SiC substrates
机译:
在a轴SiC衬底上进行SiC外延生长
作者:
A. A. Burk. Jr
;
D. L. Barrett
;
H. M. Hobgood
;
R. R. Siergiej
;
T. T. Braggins
;
R. C. Clarke
;
G. W. Eldridge
;
C. D. Brandt
;
D. J. Larkin
;
J. A. Powell
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
24.
Planar depletion-mode 6H-SiC mosfets
机译:
平面耗尽模式6H-SiC MOSFET
作者:
V. Krishnamurthy
;
D.M. Brown
;
M. Ghezzo
;
J. Kretchmer
;
W. Hennessy
;
E. Downey
;
G. Michon
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
25.
Two-dimensional nucleation and step dynamics in crystal growth of SiC
机译:
SiC晶体生长中的二维成核和台阶动力学
作者:
Tsunenobu KIMOTO
;
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
26.
SiC microwave power mesfets
机译:
SiC微波功率测量仪
作者:
S. Sriram
;
R. C. Clarke
;
M. H. Hanes
;
P. G. McMullin
;
C. D. Brandt
;
T. J. Smith
;
A. A. Burk Jr
;
H. M. Hobgood
;
D. L. Barrett
;
R. H. Hopkins
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
27.
Vertical power devices in silicon carbide
机译:
碳化硅垂直功率器件
作者:
J. W. Palmour
;
J. A. Edmond
;
H.S. Kong
;
C. H. Carter Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
28.
High electron mobility transistor (HEMT) based on GaN-AlGaN heterostructures
机译:
基于GaN-AlGaN异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)
作者:
M. Asif Khan
;
J.N. Kuznia
;
A.R. Bhattarai
;
D.T. Olson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
29.
Nitrogen-vacancy model for the deep state observed in GaN films
机译:
GaN薄膜中深层态的氮空位模型
作者:
E.R. Glased
;
T.A. Kennedy
;
J.A. Freitas Jr
;
M. Asif Khan
;
D.T. Olson
;
J.N. Kuz- nia
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
30.
Theoretical study of the electronic, optical, interface, and alloy properties of SiC and the group-III nitrides
机译:
SiC和III型氮化物的电子,光学,界面和合金性能的理论研究
作者:
W R L Lambrecht
;
E A Albauesi
;
B Segall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
31.
The current, electroluminescence and recombination parameters of SiC pn structures produced by container-free liquid-phase epitaxy
机译:
无容器液相外延产生的SiC pn结构的电流,电致发光和复合参数
作者:
A M Strelchuk
;
A L Syrkin
;
V E Chelnokov
;
A E Cherenkov
;
V A Dmitriev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
32.
Atomic force microscopy of AlN thin films
机译:
AlN薄膜的原子力显微镜
作者:
M. D. Roth
;
A.J. Steckl
;
J. P. Li
;
J.Edgar
;
Z.J.Yu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
33.
Characterization of boron nitride films grown by ion-assisted pulsed laser deposition
机译:
离子辅助脉冲激光沉积生长的氮化硼膜的表征
作者:
G. L. Doll
;
M. C. Militello
;
S. J. Simko
;
A. K. Ballal
;
L. Salamanca-Riba
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
34.
Band offset measurements of 3C-SiC/Si np heterojunction diodes grown by reactive magnetron sputtering
机译:
反应磁控溅射生长3C-SiC / Si np异质结二极管的带偏测量
作者:
M. Karlsteen
;
Q. Wahab
;
O. Nur
;
M. Willander
;
J-E. Sundgren
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
35.
Electrical measurements on 6H-silicon carbide pn junctions
机译:
6H-碳化硅pn结的电气测量
作者:
C. Raynaud
;
F. Ducroquet
;
G. Guillot
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
36.
High breakdown voltage SiC/Si heterojunction diodes by rapid thermal chemical vapor deposition with methylsilane
机译:
通过甲基硅烷快速热化学气相沉积获得高击穿电压SiC / Si异质结二极管
作者:
P. H. Yih
;
J. P. Li
;
A. J. Steckl
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
37.
Blue/UV emitters from SiC and its alloys
机译:
SiC及其合金的蓝色/紫外线发射器
作者:
J Edmond
;
H Kong
;
V Dmitriev
;
G Bulman
;
C Carter Jr
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
38.
Deep centers and blue-green electroluminescence in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中的深中心和蓝绿色电致发光
作者:
M M Anikin
;
A A Lebedev
;
N K Poletaev
;
A M Strelchuk
;
A L Syrian
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
39.
The effect of neutron irradiation on current in SiC pn structures
机译:
中子辐照对SiC pn结构中电流的影响
作者:
V V Evstropov
;
A M Strelchuk
;
A L Syrian
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
40.
Photoconductive and photovoltaic UV sensors based on GaN monolayers and p-n junctions
机译:
基于GaN单层和p-n结的光电导和光伏UV传感器
作者:
M. Asif Khan
;
D.T. Olson
;
J.N. Kuznia
;
A.R. Bhattaral
;
S. Krishnankutty
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
41.
Silicon carbide application in integrated optics
机译:
碳化硅在集成光学中的应用
作者:
A.Yu.Maksimov
;
A.A.Maltsev
;
N.K.Yushin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
42.
Low pinch-off voltage JFETs in SiC
机译:
SiC中的低夹断电压JFET
作者:
M M Anikin
;
A A Lebedev
;
M G Rastegaeva
;
N S Savkina
;
A M Strelchuk
;
A L Syrian
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
43.
Measurement of fast and slow interface traps in n-type dry thermally oxidized 6H-SiC mos diodes by high-frequency and quasi-static C-V techniques
机译:
用高频和准静态C-V技术测量n型干式热氧化6H-SiC mos二极管中的快,慢界面陷阱
作者:
S Kang
;
P Neudeck
;
J Petit
;
M Tabib-Azar
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
44.
Silicon carbide CCD UV imagers for the 100-300 nm regime
机译:
适用于100-300 nm范围的碳化硅CCD UV成像仪
作者:
J. A. Cooper Jr
;
M. R. Melloch
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
45.
A comparative study of different insulators on 6H-silicon carbide
机译:
6H-碳化硅上不同绝缘子的比较研究
作者:
G E Morgan
;
C C Tin
;
J R Williams
;
R Ramesham
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
46.
Effect of reaction products in monocrystalline β-SiC/metal contact on contact resistivity
机译:
β-SiC/金属单晶接触中反应产物对接触电阻的影响
作者:
Ho Jin Cho
;
Cheol Sung Hwang
;
Wook Bang
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
47.
6H-SiC MESFET devices using n~+ capping layers
机译:
使用n〜+覆盖层的6H-SiC MESFET器件
作者:
P.G. Young
;
N.C.Varaljay
;
P.G.Neudeck
;
E.J.Haugland
;
D.J.Larkin
;
J.A.Powell
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
48.
STM study of Si-rich reconstructions on 3C-SiC(001) surface
机译:
STM研究3C-SiC(001)表面富硅重构物
作者:
Shiro Hara
;
S.Misawa
;
S.Yoshida
;
Y.Aoyagi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
49.
Donor excitation spectra in 3C-SiC
机译:
3C-SiC中的供体激发光谱
作者:
W. J. Moore
;
J. A. Freitas Jr
;
Yu. M. Altaiskii
;
V. L. Zuev
;
L. M. Ivanova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
50.
Silicon carbide as a novel material for micromechanical applications
机译:
碳化硅是用于微机械应用的新型材料
作者:
L G Matus
;
L Tong
;
M Mehregany
;
D J Larkin
;
P G Neudeck
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
51.
Monte Carlo simulations of temperature-dependent electron mobility in GaN
机译:
GaN中随温度变化的电子迁移率的蒙特卡罗模拟
作者:
R. P. Joshi
;
P. K. Raha
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
52.
High-frequency mesfets in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中的高频晶体管
作者:
Stephane Tyc
;
Christian Arnodo
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
53.
Oxidation of 3C and 6H-SiC in N_2O
机译:
N_2O中3C和6H-SiC的氧化
作者:
R. C. De Meo
;
T. K. Wang
;
T. P. Chow
;
D. M. Brown
;
L. G. Marus
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
54.
X-ray double crystal and x-ray topographic characterization of structure, strain and defects in SiC thin films on Si and AlN/Al_2O_3 substrates
机译:
Si和AlN / Al_2O_3衬底上SiC薄膜的结构,应变和缺陷的X射线双晶和X射线形貌表征
作者:
J. Chaudhuri
;
R. Thokala
;
J.Chaudhuri
;
J. H. Edgar
;
B. Sywe
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
55.
The effect of high-temperature anneal on the structural perfection of 3C-SiC epitaxial layers grown by cvd on Si(111)
机译:
高温退火对cvd在Si(111)上生长的3C-SiC外延层结构完善的影响
作者:
I P Nikitina
;
N B Guseva
;
S V Rendakova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
56.
EPR and ODEPR investigations on the microscopic structure of the boron acceptor in 6H-SiC
机译:
EPR和ODEPR研究6H-SiC中硼受体的微观结构
作者:
J Reinke
;
S Greulich-Weber
;
J-M Spaeth
;
E N Kalabukhova
;
S N Lukin
;
E N Mokhov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
57.
Characterization of β-SiC CVD films on α-SiC substrates
机译:
α-SiC衬底上的β-SiCCVD膜的表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Norihito Hamaguchi
;
John M. Carulli Jr
;
Nicholas I. Buchan
;
M.A. Tischler
;
Fen-Ren Chien
;
Steven R. Nutt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
58.
High-voltage Au/6H-SiC Schottky barrier diodes
机译:
高压Au / 6H-SiC肖特基势垒二极管
作者:
Tatsuo URUSHIDANI
;
Sota KOBAYASHI
;
Tsunenobu KIMOTO
;
Hiroyuki MATSUNAMI
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
59.
Potential of wide bandgap semiconductor devices for high-temperature applications
机译:
宽带隙半导体器件在高温下的潜力
作者:
M Shur
;
B Gelmont
;
C Saavedra-Munoz
;
G Kelner
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
60.
ESR of 3C-SiC films prepared by lpcvd method
机译:
用lpcvd法制备的3C-SiC薄膜的ESR
作者:
T.Izumi
;
K.Tonosaki
;
T.Kawahara
;
H.Nagasawa
;
Y.Yamaguchi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
61.
Epitaxial growth of aluminum nitride on sapphire using modified chloride-hydride method
机译:
改性氯化氢法在蓝宝石上外延生长氮化铝
作者:
A O Lebedev
;
Yu V Melnik
;
A M Tsaregorodtsev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
62.
Paramagnetic resonance and optical studies of GaN
机译:
GaN的顺磁共振和光学研究
作者:
W.E. Carlos
;
J.A. Freitas Jr
;
E.R. Glaser
;
T.A. Kennedy
;
M.Asif Khan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
63.
Ion beam assisted MBE and high resolution transmission electron microscopy of BN thin films
机译:
离子束辅助MBE和BN薄膜的高分辨率透射电子显微镜
作者:
D.J. Kester
;
K.S. Ailey
;
R.F. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
64.
Insulating properties of mixed-phase BN thin films in an MIS structure
机译:
MIS结构中混合相BN薄膜的绝缘性能
作者:
M Z Karim
;
D C Cameron
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
65.
Hydrogen in CVD films of 6H, 4H and 15R SiC
机译:
6H,4H和15R SiC CVD膜中的氢
作者:
L. L. Clemen
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
;
A. A. Burk Jr
;
D. J. Larkin
;
J. A. Powell
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
66.
Electron paramagnetic resonance of an interstitial manganese impurity in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中间隙锰杂质的电子顺磁共振
作者:
M Feege
;
S Greulich-Weber
;
J- M Spaeth
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
67.
Scanning tunnelling microscopy on 6H-SiC (0001) surface
机译:
6H-SiC(0001)表面的扫描隧道显微镜
作者:
P Heuell
;
M A Kulakov
;
V F Tsvetkov
;
B Bullemer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
68.
A relationship between defect electroluminescence and deep centers in 6H-SiC
机译:
缺陷电致发光与6H-SiC深中心的关系
作者:
A N Andreev
;
M M Anikin
;
A A Lebedev
;
N K Poletaev
;
A M Strelchuk
;
A L Syrkin
;
V E Chelnokov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
69.
Plasma passivation of crystalline silicon carbide
机译:
结晶碳化硅的等离子体钝化
作者:
A O Konstaminov
;
P A Ivanov
;
O I Konkov
;
E I Terukov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
70.
Prospects for high-pressure crystal growth of III-V nitrides
机译:
III-V族氮化物的高压晶体生长前景
作者:
S. Porowski
;
J. Jun
;
P. Perlin
;
I. Grzegory
;
H. Teisseyre
;
T. Suski
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
71.
Atomic layer chemical vapor deposition of single layers, quantum wells and short period superlattices
机译:
单层,量子阱和短期超晶格的原子层化学气相沉积
作者:
M. Asif Khan
;
J.N. Kuznia
;
D.T. Olson
;
S. Krishnankutty
;
J. Choyke
;
M. Macmillan
;
Thomas George
;
W.T. Pike
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
72.
Epitaxial growth of cubic GaN by gas source MBE and its properties
机译:
气源MBE外延生长立方氮化镓及其性能
作者:
S.Yoshida
;
H.Okumura
;
T.Okahisa
;
S.Misawa
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
73.
Persistent photoconductivity and carrier mobility in nitrogen-doped 6H-SiC
机译:
氮掺杂6H-SiC中的持久光电导性和载流子迁移率
作者:
P. Staikov
;
D. Baum
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
74.
Solid solutions in the SiC/AlN system
机译:
SiC / AlN系统中的固溶体
作者:
Avigdor Zangvil
;
Robert Ruh
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
75.
Gas-phase reaction in epitaxial growth of SiC films by chemical vapor deposition from SiH_4 and C_3H_8
机译:
SiH_4和C_3H_8的化学气相沉积法在SiC薄膜外延生长中的气相反应
作者:
Lu-Sheng Hong
;
Shunji Misawa
;
Hajime Okumura
;
Sadafumi Yoshida
会议名称:
《Silicon carbide and related materials》
|
1993年
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