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Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics
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1.
Precipitation mechanism of GaAs1-xPx/GaAs in the isothermal CVD method
机译:
等温CVD法中GaAs1-xPx / GaAs的沉淀机理
作者:
Valery A. Voronin
;
Lviv Polytechnic State Univ.
;
Lvov
;
Ukraine
;
Sergey K. Guba
;
Lviv Polytechnic State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Marina A. Litvin
;
Institute of Physics
;
Mechanics
;
Lviv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
2.
Vertical transport in GaAs/GaAlAs QW-GRIN structures studied by photocurrent spectroscopy
机译:
GaAs / GaAlAs QW-GRIN结构中的垂直传输的光电流光谱研究
作者:
Klaus H. Herrmann
;
Kuwait Univ.
;
Safat
;
Kuwait
;
Jens W. Tomm
;
Max-Born-Institut fuer Nichtlineare Optik und Kurzzei tspektroskopie
;
Berlin
;
Germany.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
3.
Thermodiffusion in Si-X-Ge33As12Se55 (X:SbBi) interface
机译:
Si-X-Ge33As12Se55(X:SbBi)界面中的热扩散
作者:
N.I. Dovgoshej
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzghorod
;
Ukraine
;
O.B. Kondrat
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine
;
T.N. Shchurova
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine
;
Nicolai D. Savchenko
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
4.
Stimulated emission of far-infrared radiation from uniaxially strained gapless Hg1-xCdxTe
机译:
单轴应变无间隙Hg1-xCdxTe刺激的远红外辐射发射
作者:
S.G. Gasan-Zade
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
G.A. Shepelskii
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
S.V. Staryi
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
M.V. Strikha
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
会议名称:
《》
|
1998年
5.
Transport properties of p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22)
机译:
p-Hg1-xCdxTe(x = 0.22)的传输性质
作者:
P.Moravec
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic
;
R.Grill
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic
;
J.Franc
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic
;
P.Hoeschl
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic
;
E.Belas
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
6.
Thermal stress minimization in optical components coated with Ge-As-Se films
机译:
涂有Ge-As-Se薄膜的光学组件中的热应力最小化
作者:
Nicolai D. Savchenko
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
7.
Recombination current for p-i-n junctions based on compensated semiconductor materials
机译:
基于补偿半导体材料的p-i-n结的重组电流
作者:
Alexei V. Lyubchenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
8.
Radiation-acoustic treatment of gallium phosphide light diodes
机译:
磷化镓发光二极管的辐射声处理
作者:
Volodimir P. Tartachnik
;
Institute for Nuclear Research
;
Kiev
;
Ukraine
;
Olexsandr M. Gontaruk
;
M.P. Dragomanov National Pedagogical Univ.
;
Kiev
;
Ukraine
;
Roman M. Vernydub
;
M.P. Dragomanov National Pedagogical Univ.
;
Kiev
;
Ukraine
;
Anatoly M. Kryvutenko
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
9.
Polycrystallinity to epitaxy: AFM study of CdTe hydrothermal electrodeposition
机译:
外延多晶性:CdTe水热电沉积的AFM研究
作者:
Gennadiy V. Beketov
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
10.
Pinning of the Fermi level in A2B6 semiconductors
机译:
A2B6半导体中费米能级的固定
作者:
Vladimir N. Babentsov
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev-28
;
Ukraine.
会议名称:
《》
|
1998年
11.
Photoresponse in nonuniform semiconductor junctions under infrared laser excitation
机译:
红外激光激发下非均匀半导体结中的光响应
作者:
Steponas P. Asmontas
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Vilnius
;
Lithuania
;
Jonas Gradauskas
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Vilnius
;
Lithuania
;
Dalius Seliuta
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Vilnius Lithuania
;
Lithuania
;
Edmundas Sirmulis
;
In
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
12.
Physical effects caused by superluminal transfer of information
机译:
超光速信息传递引起的物理效应
作者:
Valentine P. Oleinik
;
National Technical Univ. of Ukraine
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
13.
Phase transitions and transport properties in SnTe crystals and thin films
机译:
SnTe晶体和薄膜中的相变和传输性质
作者:
O.N. Nashchekina
;
Kharkov State Polytechnic Univ.
;
Kharkov
;
Ukraine
;
Elena I. Rogacheva
;
Kharkov State Polytechnic Univ.
;
Kharkov
;
Ukraine
;
Anatoli I. Fedorenko
;
Kharkov State Polytechnic Univ.
;
Kharkov
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
14.
Photoelectric characteristics of the epitaxial film CdxHg1-xTe grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的外延膜CdxHg1-xTe的光电特性
作者:
Aleksander V. Voitsekhovskii
;
Tomsk State Univ.
;
Tomsk
;
Russia
;
Yu. A. Denisov
;
Tomsk State Univ.
;
Tomsk
;
Russia
;
Andrej P. Kokhanenko
;
Tomsk State Univ.
;
Tomsk
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
15.
Photoelectric properties of polycrystalline layers based on halogen-doped PbTe
机译:
基于卤素掺杂的PbTe的多晶层的光电性能
作者:
Robert T. Bondokov
;
St. Petersburg State Electrotechnical Univ.
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Dimitre T. Dimitrov
;
St. Petersburg State Electrotechnical Univ.
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Vyacheslav A. Moshnikov
;
St. Petersburg State Electrotechnical Univ.
;
St. Pe
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
16.
Peculiarity of optical and electrical properties of ferromagnetic semiconductors with dynamical superlattice on hot electrons
机译:
热电子上具有动态超晶格的铁磁半导体的光学和电学特性
作者:
Olexander Y. Semchuk
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev
;
Ukraine
;
Leonid G. Grechko
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev 28
;
Ukraine
;
Vladimir M. Ogenko
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev 2
;
Ukraine
;
V.V. Gogenko
;
Institute of Surface Chemistry
;
Ki
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
17.
Optical properties of Hg1-xCdxTe/CdTe epitaxial films with graded band gap
机译:
带隙梯度的Hg1-xCdxTe / CdTe外延膜的光学性能
作者:
Z.F. Ivasiv
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Vladimir V. Tetyorkin
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Fiodor F. Sizov
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
V.A. Petryakov
;
Institute of Semiconductor Physic
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
18.
Absorption of far-infrared radiation by metal-dielectric composites
机译:
金属-介电复合材料对远红外辐射的吸收
作者:
Leonid G. Grechko
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev 28
;
Ukraine
;
A.O. Pinchuk
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev
;
Ukraine
;
A.Lesjo
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
19.
Silicon p-i-n photodiode with low values of dark current
机译:
具有低暗电流值的硅p-i-n光电二极管
作者:
A.A. Ascheulov
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Vasily M. Godovanyuk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Yu. G. Dobrovolsky
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Ilary M. Rarenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernovtsy
;
Ukraine
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
20.
Modulation spectroscopic approach to the study of photocurrent spectra inGaAs/GaAlAs QW-GRIN laser structures,
机译:
研究GaAs / GaAlAs QW-GRIN激光结构中光电流谱的调制光谱方法,
作者:
Klaus H. Herrmann
;
Kuwait Univ.
;
Safat
;
Kuwait
;
Jens W. Tomm
;
Max-Born-Institut fuer Nichtlineare Optik und Kurzzei tspektroskopie
;
Berlin
;
Germany
;
Hessa Al-Otaibi
;
Kuwait Univ.
;
Safat
;
Kuwait.
会议名称:
《》
|
1998年
21.
New optical materials for an infrared technique based on cadmium telluride
机译:
基于碲化镉的红外技术的新型光学材料
作者:
Andriy V. Savitsky
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Victor R. Burachek
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsy
;
Ukraine
;
Orest A. Parfenyuk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Mariya I. Ilashchuk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukr
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
22.
Material dispersion in (As2S3)x(AsI3)1-x glasses
机译:
(As2S3)x(AsI3)1-x玻璃中的材料分散
作者:
Alexander A. Kikineshi
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine
;
Ivan Rosola
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
23.
Impurity profile determination by the optimal parameter choice method
机译:
通过最佳参数选择方法确定杂质分布
作者:
Lyudmila A. Karachevtseva
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Vadim D. Sobolev
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Irina K. Demina
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《》
|
1998年
24.
Influence of growth condition and radiation on infrared exciton reflection spectrum of black zinc diphosphide
机译:
生长条件和辐射对黑色二氧化锌红外激子反射光谱的影响
作者:
Anatoly P. Kudin
;
M.P. Dragomanov National Pedagogical Univ.
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
25.
Influence of processing C60 fullerite by pressing on its crystalline structure and magnetic properties
机译:
压制加工C60富勒石对其晶体结构和磁性能的影响
作者:
Alexander V. Brodovoi
;
Institute for Problems in Materials Science
;
Kiev-180
;
Ukraine
;
V.G. Kolesnichenko
;
Institute for Problems in Materials Science
;
Kiev-180
;
Ukraine
;
L.L. Kolomiyets
;
Institute for Problems in Materials Science
;
Kiev
;
Ukraine
;
S.M. So
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
26.
Influence of semiconductor structure inhomogeneity on electrophysical measurement results
机译:
半导体结构不均匀性对电物理测量结果的影响
作者:
Volodymyr G. Savitsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Andrij Vlasov
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Alexey V. Nemolovsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Bogdan S. Sokolovsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
27.
Influence of uniaxial pressure on the photoionization of h-centers in semiconductors
机译:
单轴压力对半导体中h中心光电离的影响
作者:
A.A. Abramov
;
Donbass State Engineering Academy
;
Kramatorsk
;
Ukraine
;
V.I. Akimov
;
Donbass State Engineering Academy
;
Kramatorsk
;
Ukraine
;
A.T. Dalakyan
;
Donbass State Engineering Academy
;
Kramatorsk
;
Ukraine
;
D.A. Firsov
;
St. Petersburg State Technical U
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
28.
Epitaxial lead-chalcogenide on silicon layers for thermal imaging a
机译:
用于热成像的硅层上的外延铅硫属元素化物
作者:
Hans Zogg
;
Swiss Federal Institute of Technology Zurich
;
Zuerich
;
Switzerland.
会议名称:
《》
|
1998年
29.
Electronic band parameters: obtaining and peculiarities of InSb1-xBix crystal structures
机译:
电子能带参数:InSb1-xBix晶体结构的获得及其特性
作者:
Ilary M. Rarenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernovtsy
;
Ukraine
;
J.I. Vyklyuk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
V.G. Deibuk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
S.G. Dremluzhenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Z.I. Zakhar
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
30.
Electronic properties and energy spectrum of SnTe doped with In
机译:
In掺杂SnTe的电子性质和能谱。
作者:
Elena I. Rogacheva
;
Kharkov State Polytechnic Univ.
;
Kharkov
;
Ukraine
;
S.A. Laptev
;
Kharkov State Polytechnic Univ.
;
Kharkov
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
31.
Dissolution of indium arsenide in HNO3-HBr-H2O and Br2-HBr solutions
机译:
砷化铟在HNO3-HBr-H2O和Br2-HBr溶液中的溶解
作者:
Z.F. Tomashik
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
S.G. Danylenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
V.N. Tomashik
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
32.
Doping effect on concentration dependence of the diffusion coefficient in semiconductors
机译:
掺杂对半导体扩散系数浓度依赖性的影响
作者:
Liubomyr S. Monastyrskii
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Bogdan S. Sokolovsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
33.
Cryogenic infrared multilayer filters: the origin of low-temperature shift of the pass-band edge
机译:
低温红外多层滤光片:通带边缘的低温漂移的起因
作者:
Alla I. Belyaeva
;
Institute for Low Temperature Physics
;
Engineering
;
Kharkov
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
34.
Dependence of compositional profile and structural perfection of CdxHg1-xTe graded-gap films on its growing conditions
机译:
CdxHg1-xTe梯度间隙薄膜的成分分布和结构完善与其生长条件的关系
作者:
V.S. Antonov
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
O.N. Janikay
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
S.L. Korolyuk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
A.I. Rarenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Yu. P. Stetsko
;
Ch
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
35.
Depth inhomogeneity of ZnTe CdZnTe ZnSe epilayers grown on (001)GaAs of MBE
机译:
MBE(001)GaAs上生长的ZnTe CdZnTe ZnSe外延层的深度不均匀性
作者:
Evgenie F. Venger
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Yu. G. Sadofev
;
P.N. Lebedev Physical Institute
;
Moscow
;
Russia
;
Galina N. Semenova
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Nadezhda E. Korsunskaya
;
Institute of Semiconduc
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
36.
Conditions of arising and nature of the dislocation magnetism of deformed silicon crystals
机译:
变形硅晶体的位错磁性的产生条件和性质
作者:
Alexander V. Brodovoi
;
Institute for Problems in Material Science
;
Kiev-180
;
Ukraine
;
V.G. Kolesnichenko
;
Institute for Problems in Material Science
;
Kiev-180
;
Ukraine
;
Valery V. Skorokhod
;
Institute for Problems in Material Science
;
Kiev
;
Ukraine
;
S.M. S
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
37.
Assessment of HgCdTe photodiodes and quantum well infrared photoconductors for long-wavelength focal plane arrays
机译:
HgCdTe光电二极管和量子阱红外光电导体对长波长焦平面阵列的评估
作者:
Antoni Rogalski
;
Military Univ. of Technology
;
Warsaw
;
Poland.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
38.
Changes of defect structure of ZnSe crystals under passing of laser-induced shock wave
机译:
激光冲击波通过后ZnSe晶体缺陷结构的变化
作者:
Alia Baidullaeva
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Aleksandr I. Vlasenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Bogdan L. Gorkovenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Peter E. Mozol
;
Institute of Semicondu
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
39.
Characterization of diffusion length of minority carriers in (CdZn)Te at temperatures of 80 to 300 K
机译:
80-300 K温度下(CdZn)Te中少数载流子扩散长度的表征
作者:
J.Franc
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic
;
E.Belas
;
Charles Univ.
;
Prague
;
Czech Republic
;
Pavel Hlidek
;
Charles Univ.
;
Prague 8
;
Czech Republic
;
A.L. Toth
;
Research Institute for Technical Physics
;
Material Sciences
;
Budapest
;
Hungary
;
Helmut Sitte
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
40.
Modulation spectroscopic approach to the study of photocurrent spectra in GaAs/GaAlAs QW-GRIN laser structures
机译:
GaAs / GaAlAs QW-GRIN激光结构中光电流谱研究的调制光谱方法
作者:
Author(s): Klaus H. Herrmann Kuwait Univ. Safat Kuwait
;
Jens W. Tomm Max-Born-Institut fuer Nichtlineare Optik und Kurzzei tspektroskopie Berlin Germany
;
Hessa Al-Otaibi Kuwait Univ. Safat Kuwait.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
41.
Infrared absorption and dielectric properties of Li-Cu ferrite
机译:
锂铜铁氧体的红外吸收和介电性能
作者:
S.A. Mazen
;
Zagazig Univ.
;
Zagazig
;
Egypt.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
42.
Comparative study of bulk Hg0.8Cd0.2Te crystals grown from initial components of varying purity
机译:
从不同纯度的初始组分生长的块状Hg0.8Cd0.2Te晶体的比较研究
作者:
K.R. Kurbanov
;
Institute of Economy
;
New Technologies
;
Kremenchuk
;
Ukraine
;
V.V. Bogoboyashchiy
;
Kremenchuk State Politechnical Institute
;
Svitlovodsk
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
43.
Interaction of I-YI group semiconductors with metals
机译:
I-YI族半导体与金属的相互作用
作者:
V.N. Tomashik
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
O.V. Seritsan
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
V.I. Grytsiv
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
44.
Thermally induced currents and instabilities of photoresponse in PbTe(In)-based films
机译:
PbTe(In)基薄膜中的热感应电流和光响应的不稳定性
作者:
Boris A. Akimov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Vladislav A. Bogoyavlenskiy
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Ludmila I. Ryabova
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Vyacheslav N. Vasilkov
;
Research Development
;
Production Ctr. Orion
;
Moscow
;
Russ
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
45.
Temperature stability of the IBM-formed CdxHg1-xTe p-n structure
机译:
IBM形成的CdxHg1-xTe p-n结构的温度稳定性
作者:
Igor I. Izhnin
;
Scientific Research Co. Carat
;
Lviv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
46.
Strain analysis of epitaxial multivalley semiconductor films using galvanomagnetic-effect rotational dependence
机译:
利用电磁效应旋转相关性分析外延多谷半导体薄膜的应变
作者:
Nicolas N. Berchenko
;
Lviv Polytechnic State Univ.
;
Lviv 1
;
Ukraine
;
Vitaliy S. Yakovyna
;
Lviv Polytechnic State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Alexander Y. Nikiforov
;
Lviv Polytechnic State Univ.
;
Lviv 1
;
Ukraine
;
Hans Zogg
;
Swiss Federal Institute of Technology
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
47.
Superluminal transfer of information in electrodynamics
机译:
电动力学中的超光速信息传递
作者:
Valentine P. Oleinik
;
National Technical Univ. of Ukraine
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
48.
Resonant generation of difference harmonics in heterostructures with closely space levels
机译:
在空间水平紧密的异质结构中共振产生差异谐波
作者:
A.V. Korovin
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Fedor T. Vasko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
49.
Properties and stability of parameters of highly compensated PbS-CdS PbS-SnS PbS-PbO and PbTe-CdTe films
机译:
高补偿PbS-CdS PbS-SnS PbS-PbO和PbTe-CdTe膜的参数性质和稳定性
作者:
Sergey P. Zimin
;
Yaroslavl State Univ.
;
Yaroslavl
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
50.
Radiation defect band in Pb1-xSnxSe(x<0.03) alloys irradiated with electrons
机译:
电子辐照的Pb1-xSnxSe(x <0.03)合金的辐射缺陷带
作者:
Evgenii P. Skipetrov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Elena A. Zvereva
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Boris B. Kovalev
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Alexander M. Mousalitin
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Ludmila A. Skipetrova
;
Mosco
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
51.
Radiation properties of zinc diphosphide and their influence on infrared absorption
机译:
二磷化锌的辐射特性及其对红外吸收的影响
作者:
A.A. Groza
;
Institute for Nuclear Research
;
Kiev
;
Ukraine
;
Dmytro V. Korbutiak
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Ukraine
;
E.V. Korbut
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Ukraine
;
Anatoly P. Kudin
;
Dragomanov National Pedagogical Univ.
;
Kiev
;
Ukraine
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
52.
Planar waveguide phase matching for backward parametric oscillation
机译:
平面波导相位匹配用于反向参数振荡
作者:
Valerii G. Voevodin
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia
;
O.V. Leontieva
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
53.
Photosensitization of CdxHg1-xTe epitaxial films by laser-induced shock wave
机译:
激振波对CdxHg1-xTe外延膜的光敏作用
作者:
Volodymyr A. Gnatyuk
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
Bogdan L. Gorkovenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Olena S. Gorodnychenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
Peter E. Mozol
;
Institute of Semi
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
54.
Phase states and magnetic structure of superconducting inclusions in narrow-gap semiconductor matrices
机译:
窄间隙半导体矩阵中超导夹杂物的相态和磁性结构
作者:
Sergey D. Darchuk
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
55.
Photoelectric and kinetic properties of PbTe(Ga) films
机译:
PbTe(Ga)薄膜的光电和动力学性质
作者:
Boris A. Akimov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Vladislav A. Bogoyavlenskiy
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Ludmila I. Ryabova
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Vyacheslav N. Vasilkov
;
Research Development
;
Production Ctr. Orion
;
Moscow
;
Russ
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
56.
Photoconductivity kinetics and the nature of Yb-induced defect states in Pb1-xGexTe alloys
机译:
Pb1-xGexTe合金中的光电导动力学和Yb诱导的缺陷态的性质
作者:
Evgenii P. Skipetrov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Natalia I. Chernova
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Evgenii I. Slynko
;
Institute for Problems in Material Science
;
Chernovtsy
;
Russia
;
Yurii K. Vygranenko
;
Institute for Problems in Material
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
57.
Peculiarities of preparation and main optical properties of zinctetratiogallate films
机译:
四硫代没食子酸锌薄膜的制备特性和主要光学性能
作者:
N.Popovich
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzghorod
;
Ukraine
;
I.E. Kacher
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzghorod
;
Ukraine
;
N.I. Dovgoshej
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzghorod
;
Ukraine
;
Yu. Tomashpolskij
;
Karpov Institute of Physical Chemistry
;
Moscow
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
58.
Peculiarities of dynamic pyroelectric response of spin-coated corona-charged P(VDF/TrFE) polymer films
机译:
旋涂电晕带电P(VDF / TrFE)聚合物薄膜的动态热释电特性
作者:
Svetlana L. Bravina
;
Institute of Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Nicholas V. Morozovsky
;
Institute of Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Zhong F. Xia
;
Tongji Univ.
;
Shanghai
;
China
;
Juping Song
;
Tongji Univ.
;
Shanghai
;
China
;
Yewen Zhang
;
Tongji Univ.
;
Shanghai
;
China.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
59.
Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films
机译:
半导体二硅化铁薄膜的光学性质
作者:
Milan Ozvold
;
Institute of Physics
;
Bratislava
;
Slovak Republic
;
V.Gasparik
;
Comenius Univ.
;
Bratislava
;
Slovak Republic
;
Peter Mrafko
;
Institute of Physics
;
Bratislava
;
Slovak Republic.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
60.
Acoustodynamic influence on electronic properties of CdxHg1-xTe alloys
机译:
声动力学对CdxHg1-xTe合金电子性能的影响
作者:
Yaroslav M. Olikh
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Rada K. Savkina
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Aleksandr I. Vlasenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
61.
Shottky diode based on the solid solutions CdxMnyHg1-x-yTe and CdxZnyHg1-x-yTe
机译:
基于固溶体CdxMnyHg1-x-yTe和CdxZnyHg1-x-yTe的Shottky二极管
作者:
Oksana O. Bodnaruk
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Andrey V. Markov
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Sergey E. Ostapov
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Ilary M. Rarenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernovtsy
;
Ukraine
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
62.
New approach to the problem of determination of optical band gap ofcrystals with exponential absorption edge,
机译:
确定具有指数吸收边的晶体的光学带隙问题的新方法,
作者:
V.V. Bogoboyashchiy
;
Kremenchuk State Politechnical Institute
;
Svitlovodsk
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
63.
Multilayer structures based on variable-gap semiconductors: carrier redistribution phenomena during current transfer
机译:
基于可变隙半导体的多层结构:电流传输过程中的载流子重新分布现象
作者:
Volodymyr G. Savitsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Bogdan S. Sokolovsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine
;
Volodymyr K. Pysarevsky
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
64.
Molecular-beam epitaxial growth of CdZnTe/ZnTe QW structures and superlattices on GaAs (100) substrates for optoelectronics
机译:
Gad(100)衬底上CdZnTe / ZnTe QW结构和超晶格的分子束外延生长
作者:
Evgenie F. Venger
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Yu. G. Sadofev
;
P.N. Lebedev Physical Institute
;
Moscow
;
Russia
;
Galina N. Semenova
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Nadezhda E. Korsunskaya
;
Institute of Semiconduc
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
65.
New film materials for optoelectronics based on CdAl(Ga)2S(Se)4 compounds
机译:
基于CdAl(Ga)2S(Se)4化合物的新型光电薄膜材料
作者:
M.I. Dovgoshey
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine
;
L.M. Durdinets
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzhgorod
;
Ukraine
;
I.E. Kacher
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzghorod
;
Ukraine
;
Ja. V. Likhach
;
Uzhgorod State Univ.
;
Uzghorod
;
Ukraine
;
M.Y. Rygan
;
Uzhgorod State Uni
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
66.
New pyroactive structures for infrared optoelectronics
机译:
红外光电子的新型热活性结构
作者:
Ivan V. Blonskij
;
Institute of Physics
;
Kiev-28
;
Ukraine
;
V.F. Kosorotov
;
Institute of Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Ludmila V. Shchedrina
;
Institute of Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
L.V. Levash
;
Institute of Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
67.
Model for a technological procedure of chemical profile etching
机译:
化学轮廓蚀刻工艺流程的模型
作者:
M.Y. Kravetsky
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Ukraine
;
Alexei V. Lyubchenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
A.V. Fomin
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
68.
Low-temperature anomalies of the photomagnetic effect in p-Hg1-xCdxTe
机译:
p-Hg1-xCdxTe中光磁效应的低温异常
作者:
S.G. Gasan-Zade
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
G.A. Shepelskii
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
M.V. Strikha
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《》
|
1998年
69.
Light scattering in a filled nematic cell
机译:
填充向列细胞中的光散射
作者:
Mikhailo F. Lednei
;
Kiev Taras Shevchenko Univ.
;
Kiev
;
Ukraine
;
Igor P. Pinkevich
;
Kiev Taras Shevchenko Univ.
;
Kiev
;
Ukraine
;
Victor Y. Reshetnyak
;
Kiev Taras Shevchenko Univ.
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
70.
Imaging system performance analysis and optimization using objective image quality criteria
机译:
使用客观图像质量标准的成像系统性能分析和优化
作者:
Volodymyr N. Borovytsky
;
National Technical Univ. of Ukraine
;
Kyiv
;
Ukraine
;
Valery V. Fesenko
;
Central Design Office Arsenal
;
Kyiv-10
;
Ukraine
;
Anatoly V. Molodyk
;
Central Design Office Arsenal
;
Kiev
;
Ukraine
;
Pavel A. Zavorotny
;
Central Design Office Ar
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
71.
Influence of radiation defects on the heterogeneity distribution and radiant recombination of GaP
机译:
辐射缺陷对GaP异质分布和辐射复合的影响
作者:
Volodimir P. Tartachnik
;
Institute for Nuclear Research
;
Kiev
;
Ukraine
;
Olexsandr M. Gontaruk
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Dmytro V. Korbutiak
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Ukraine
;
Anatoly M. Krajchynskyj
;
Institute of Physi
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
72.
Influence of particle multipole interaction on the absorption spectra of radiation in metallic composites
机译:
颗粒多极相互作用对金属复合材料辐射吸收光谱的影响
作者:
Leonid G. Grechko
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev 28
;
Ukraine
;
V.M. Pustovit
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev
;
Ukraine
;
Sergey V. Shostak
;
Taras Shevchenko Kiev Univ.
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
73.
Group-theory approach within the framework of the tight-binding model
机译:
紧密绑定模型框架内的分组理论方法
作者:
Author(s): Alexey E. Madison St. Petersburg Electrotechnical Univ. St. Petersburg Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
74.
Spontaneous IR intersublevel emission from quantum dots conditioned by main interband lasing
机译:
由主带间激光调节的量子点的自发IR子级发射
作者:
Author(s): Leonid E. Vorobjev St. Petersburg State Technical Univ. St. Petersburg Russia
;
D.A. Firsov St. Petersburg State Technical Univ. St. Petersburg Russia
;
V.A. Shalygin St. Petersburg State Technical Univ. St. Petersburg Russia
;
Victor N.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
75.
Key issues in substrate and liquid phase epitaxy of Hg1-xCdxTe from Hg-rich and Te-rich solutions
机译:
富汞和富碲溶液中Hg1-xCdxTe的衬底和液相外延中的关键问题
作者:
S.C. Gupta
;
Solid State Physics Lab.
;
Dehli
;
India.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
76.
Interference IR filters on CdSb monocrystal substrates
机译:
CdSb单晶衬底上的干涉红外滤光片
作者:
S.G. Dremluzhenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
L.I. Konopatseva
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
S.M. Kulikovskaya
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Yu. P. Stetsko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
V.N
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
77.
Epitaxial layer CdHgTe stress influence on diffusion impurities during creation of photodetectors
机译:
外延层CdHgTe应力对光探测器创建过程中扩散杂质的影响
作者:
Liubomyr S. Monastyrskii
;
Ivan Franko State Univ.
;
Lviv
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
78.
Exchange effects in electron-hole plasma in quantum well heterostructures under an electric field
机译:
电场下量子阱异质结构中电子空穴等离子体中的交换效应
作者:
I.A. Fyodorov
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
V.N. Sokolov
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
79.
Electrochemical process of n-Si photonic structure formation
机译:
n-Si光子结构形成的电化学过程
作者:
Lyudmila A. Karachevtseva
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Oleg A. Litvinenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Elza A. Malovichko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
80.
Experimental investigations of electric current under transverse and longitudinal electric field in uniaxially deformed p-Ge
机译:
横向和纵向电场下单轴变形p-Ge中电流的实验研究
作者:
A.A. Abramov
;
Donbass State Engineering Academy
;
Kramatorsk
;
Ukraine
;
V.I. Akimov
;
Donbass State Engineering Academy
;
Kramatorsk
;
Ukraine
;
A.T. Dalakyan
;
Donbass State Engineering Academy
;
Kramatorsk
;
Ukraine
;
Victor N. Tulupenko
;
Donbass State Engineerin
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
81.
Effect of gamma ray and high-energy oxygen ion radiation on electrical and optical properties of MCT epitaxial layers
机译:
γ射线和高能氧离子辐射对MCT外延层电学和光学性能的影响
作者:
S.Sitharaman
;
Solid State Physics Lab.
;
Delhi
;
India
;
D.Kanjilal
;
Nuclear Science Ctr.
;
New Delhi
;
India
;
S.K. Arora
;
Nuclear Science Ctr.
;
Gujarat
;
India
;
S.K. Ganguly
;
Institute of Nuclear Medicine
;
Allied Sciences
;
Delhi
;
India
;
Anjana Nagpal
;
Solid Sta
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
82.
Effect of laser irradiation on photoconductivity of GaAs crystals
机译:
激光辐照对GaAs晶体光电导的影响
作者:
Volodymyr A. Gnatyuk
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
Olena S. Gorodnychenko
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kyiv
;
Ukraine
;
Peter E. Mozol
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev-28
;
Ukraine
;
Aleksandr I. Vlasenko
;
Institute of
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
83.
Dielectric function of nonlinear metal composite with double-layer ellipsoidal inclusions
机译:
双层椭圆形夹杂物的非线性金属复合材料的介电功能
作者:
Leonid G. Grechko
;
Institute of Surface Chemistry
;
Kiev 28
;
Ukraine
;
O.A. Davydova
;
Taras Shevchenko Kiev Univ.
;
Kiev
;
Ukraine
;
V.N. Malnev
;
Taras Shevchenko Kiev Univ.
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
84.
Correlation of the characteristics of MIS structures and stoichiometry disturbances of Hg1-xZnxTe
机译:
Hg1-xZnxTe的MIS结构特征与化学计量扰动的相关性
作者:
O.G. Lanskaya
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia
;
E.P. Lilenko
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia
;
Aleksander V. Voitsekhovskii
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
85.
Currents in Hg1-xCdxTe photodiodes
机译:
Hg1-xCdxTe光电二极管中的电流
作者:
Joanna V. Gumenjuk-Sichevskaya
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine
;
Fiodor F. Sizov
;
Institute of Semiconductor Physics
;
Kiev
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
86.
Anisotropic thermoelectric devices for the registration of IR-range intensive radiant flows
机译:
各向异性热电器件,用于记录红外范围的密集辐射流
作者:
A.A. Ascheulov
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
I.V. Gutsul
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
Yu. Y. Nikolayenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
A.I. Rarenko
;
Chernivtsi State Univ.
;
Chernivtsi
;
Ukraine
;
V.I. Dobrovo
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
87.
Charge impurity states of In Ga Ge in narrow-gap PbTe
机译:
窄带PbTe中In Ga Ge的电荷杂质态
作者:
Vladimir P. Zlomanov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Alexander K. Tkalich
;
Moscow Institute of Steel
;
Alloys
;
Moscow
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
88.
II-IV-V2 and I-III-VI2 nonlinear optical crystals for mid-IR range: Schottky defects concentration
机译:
用于中红外范围的II-IV-V2和I-III-VI2非线性光学晶体:肖特基缺陷浓度
作者:
Valerii G. Voevodin
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia
;
Olga V. Voevodina
;
Siberian Physical-Technical Institute
;
Tomsk
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
89.
Group-theory approach within the framework of the tight-binding model,
机译:
紧密绑定模型框架内的分组理论方法,
作者:
Alexey E. Madison
;
St. Petersburg Electrotechnical Univ.
;
St. Petersburg
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
90.
Galvanomagnetic and optical properties of CdTe wafers for substrates
机译:
基板用CdTe晶片的电磁和光学特性
作者:
V.V. Bogoboyashchiy
;
Kremenchuk State Politechnical Institute
;
Svitlovodsk
;
Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
91.
High-quality lead telluride films grown on silicon with buffer porous silicon layers
机译:
在具有缓冲多孔硅层的硅上生长的高质量碲化铅薄膜
作者:
Sergey P. Zimin
;
Yaroslavl State Univ.
;
Yaroslavl
;
Russia
;
Michail N. Preobrazhensky
;
Institute of Microelectronics
;
Yaroslavl
;
Russia
;
Dmitry S. Zimin
;
Yaroslavl State Univ.
;
Yaroslavl
;
Russia.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
92.
New approach to the problem of determination of optical band gap of crystals with exponential absorption edge
机译:
确定具有指数吸收边的晶体的光学带隙问题的新方法
作者:
Author(s): V.V. Bogoboyashchiy Kremenchuk State Politechnical Institute Svitlovodsk Ukraine.
会议名称:
《Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
1998年
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