25 Prozent höhere Leistungsdichte

摘要

Infineon Technologies hat die nächste Generation seiner LDMOS-Technologie (Laterally Diffused Metal-Oxide Semicon-ductor) vorgestellt. Diese wird zur Herstellung leistungsfähiger HF-Transistoren verwendet für die Verstärker in Funk-Basisstationen und -Repeatern. Der neue Prozess deckt Frequenzbereiche drahtloser High-speed-Zu-gangsnetze ab, erreicht eine um 25 % höhere Leistungsdichte und setzt eine neue Plastic-Packa-ging-Technologie ein, welche die Gesamtsystemkosten senkt.