机译:通过表面波等离子体增强化学气相沉积的硼 - 氮比对氮化硼膜漏电流特性的影响
Kyushu Univ Interdisciplinary Grad Sch Engn Sci Dept Appl Sci Elect & Mat Kasuga Fukuoka 8168580 Japan;
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Surface-wave plasma; Chemical vapor deposition; Thin films; Electronic transport; Dielectrics; Stoichiometry;
机译:等离子体压缩化学气相沉积制备立方晶氮化硼薄膜中残余压缩应力引起的六方氮化硼红外吸收频移
机译:等离子体压缩化学气相沉积制备立方晶氮化硼薄膜中残余压缩应力引起的六方氮化硼红外吸收频移
机译:通过等离子体增强化学气相沉积制备厚度可控的多层六方氮化硼薄膜
机译:由表面波等离子体产生的原子氮气增强的氮化硅膜的有机金属化学气相沉积
机译:具有衬底偏置的超声等离子体喷射化学气相沉积系统中的立方氮化硼膜沉积和过程诊断。
机译:N2:(N2 + CH4)比在低温等离子体增强化学气相沉积法生长疏水纳米结构氢化氮化碳薄膜中的作用研究
机译:通过表面波等离子体进行氮化硅膜的化学气相沉积,用于AlGaN / GaN装置的表面钝化