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机译:外延BaTiO_3薄膜的快速热两步金属有机化学气相沉积生长
Department of Materials Engineering, Technion — Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
BaTiO_3; MOCVD; metal-organic precursors; thin films;
机译:金属有机化学气相沉积法制备厚度小于100 nm的外延BaTiO_3薄膜
机译:金属有机化学气相沉积法在MgO(110)衬底上外延生长Ga_2O_3薄膜
机译:金属有机化学气相沉积法在立方织构镍上外延生长CdTe薄膜
机译:通过使用四甲基硅烷的快速热化学气相沉积在硅片上外延生长3C-SiC(111)薄膜
机译:通过快速热化学气相沉积在硅上形成β-碳化硅薄膜的成核,外延生长和表征。
机译:N2:(N2 + CH4)比在低温等离子体增强化学气相沉积法生长疏水纳米结构氢化氮化碳薄膜中的作用研究
机译:金属有机化学气相沉积法制备RuO {sub 2}薄膜的低温生长和取向控制
机译:衬底对金属有机化学气相沉积制备的外延pbTiO(sub 3)薄膜的结构和光学性质的影响