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机译:溅射生长ZnO / Al_2O_3(0001)异质外延膜中孪晶形成的机理
AMLCD Division, Samsung Electronics, Cheonan, Chungnam, South Korea;
twin; ZnO film; strain; synchrotron x-ray scattering; heteroepitaxial; sputtering; sapphire substrate; transition thickness;
机译:ZnO / Al_2O_3(0001)异质外延膜中的多域形成
机译:90℃低温水热合成在GaN缓冲Al_2O_3(0001)衬底上生长异质外延ZnO薄膜
机译:90℃下低温水热合成在GaN缓冲的Al_2O_3(0001)衬底上生长异质外延ZnO薄膜
机译:通过MOCVD在EPI-GAN / AL_2O_3(0001)上的ZnO膜的杂肝
机译:用于自旋电子学的Cr2O3(0001)薄膜和Co(0001)薄膜的制造。
机译:铁磁MnSb(0001)的异质外延生长Ge / Si(111)虚拟电影基材
机译:溅射ZnO / Al2O3(0001)外延膜的双组形成:实时X射线散射研究