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机译:SiO_2纳米球光刻技术通过电感耦合等离子体刻蚀制备GaN纳米棒
Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Anam-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, South Korea;
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GaN nanorods; plasma etching; SiO2 particles; nanosphere lithography;
机译:使用自组装镍纳米掩模和电感耦合等离子体反应离子刻蚀制备GaN基纳米棒发光二极管
机译:基于自组装SiO_2纳米球的GaAs纳米线阵列的电感耦合等离子体刻蚀
机译:使用纳米压印光刻技术和电感耦合等离子体蚀刻技术对GaN进行纳米级图案化
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀制备的InGaN / GaN纳米棒的光学性质
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:使用各向同性电感耦合等离子体蚀刻的硅纳米尖端批量制造
机译:电感耦合等离子体蚀刻条件对半极性(({11 overline {2} 2}})的影响)和非极性(({11 overline {2} 0} ))GaN Nanorods
机译:用于GaN,InN和alN的电感耦合等离子体蚀刻的基于ICl和IBr的等离子体化学的比较;材料科学工程B