机译:溅射宽间隙化合物半导体在黄铜矿太阳能电池中形成结
Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, D14109 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, D14109 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, D14109 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, D14109 Berlin, Germany;
SULFURCELL Solartechnik GmbH, Gross-Berliner Damm 149, D12487 Berlin, Germany;
AVANC1S GmbH & Co. KG, Otto-Halm Ring 6, D81739 Munchen, Germany;
AVANC1S GmbH & Co. KG, Otto-Halm Ring 6, D81739 Munchen, Germany;
chalcopyrite thin-film solar cells; heterojunction; cd-free buffer; sputtering; TCO;
机译:Cu(In,Ga)Se-2黄铜矿半导体中带隙分级的高效太阳能电池新方法
机译:高效的Ag-合金Cu(In,Ga)SE
机译:宽间隙黄铜矿CuGaSe_2薄膜和高效太阳能电池的结构调整:与窄间隙Cu(ln,Ga)Se_2的差异
机译:高效率,高压太阳能电池通过带隙和Cu(In,Ga)(Se,Se){Sea} 2氯偶半导的缺陷工程
机译:串联太阳能电池的溅射金属氧化物破裂的缝隙结
机译:单结GaAs太阳能电池上溅射的二氧化硅氧化铟锡和二氧化硅/氧化铟锡抗反射涂层的电学和光学特性
机译:用于薄膜太阳能电池的黄铜矿化合物半导体
机译:用于光伏应用的宽间隙黄铜矿半导体的特性:最终报告,1998年7月8日至2001年10月17日