机译:沿垂直/平面外和水平/平面内方向研究Si和Ge中(001)和(110)衬底方向上硼扩散率的研究
Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan, ROC;
Boron; diffusivity; silicon; germanium; FinFET structure;
机译:通过几何自然选择机制通过外延横向过度生长的(001)κ-ga_2O_3面内取向控制
机译:六角形ZnO上立方La(Sr)MnO_3的异质外延生长,La(Sr)MnO_3(001),(110)和(111)相的面内取向
机译:在Si(001)上具有优先面内晶体取向的斜方晶BaSi_2的外延:邻域衬底和退火温度的影响
机译:(110)Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜在(001)正交Ndgao_3衬底上生长的相图和面内各向异性菌株
机译:a平面氧化镁锌中平面内各向异性物理性质的研究。
机译:平面和垂直堆叠的石墨烯-氮化硼异质结构的温度触发化学开关生长
机译:从横向和垂直方向的平面内部MOS 2 sub>异质结构的运输特性
机译:脉冲有机金属梁外延生长在(001)mgO上的(001)YBa2Cu3O7-δ面内取向控制