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机译:基于Ga和Sn共掺杂ZnO薄膜的非易失性存储器件的电阻开关特性和导电机理
Hanyang Univ, Dept Elect & Comp Engn, Seoul 133791, South Korea;
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Nonvolatile memory devices; Gallium zinc tin oxide; Solution process; Bipolar resistive switching behavior; Conduction mechanisms;
机译:用于柔性非易失性存储设备的在不锈钢上生长的ZnO薄膜的电阻开关特性
机译:厚度对基于CeO2薄膜的非易失性电阻存储器件双极开关机制的影响
机译:聚乙烯吡咯烷酮中嵌入ZnO纳米颗粒的非易失性一次写入多次读取存储器件的电开关和导电机理
机译:MgO电阻式开关存储器件的导电机理和可靠性特性
机译:金属/ pr钙锰矿界面中的电场感应电阻切换:未来非易失性存储设备的模型。
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
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